JP5187705B2 - 異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス - Google Patents
異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5187705B2 JP5187705B2 JP2011002490A JP2011002490A JP5187705B2 JP 5187705 B2 JP5187705 B2 JP 5187705B2 JP 2011002490 A JP2011002490 A JP 2011002490A JP 2011002490 A JP2011002490 A JP 2011002490A JP 5187705 B2 JP5187705 B2 JP 5187705B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- substrate
- plane
- anisotropic etching
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
前記基板に、前記一方の面及び前記他方の面に対して垂直方向に貫通している貫通孔が設けられており、前記貫通孔の一端に前記第1の穴部が形成されており、前記貫通孔の他端に前記第2の穴部が形成されているものであり、前記第1の穴部、前記第2の穴部、及び前記貫通孔が、SF 6 とC 4 F 8 とを含む混合ガス、又は、SF 6 とC 4 F 8 とO 2 とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、所定のマスクを介して、乾式で結晶異方性エッチングされることによって形成されたものである。
図1(a)に示すように、三次元構造体10は、TSV(Through Silicon
Via)と呼ばれる孔20を備えた基板(例えば、Si基板、GaAs基板など)からなるものである。該基板は、一方の面(図1紙面上部側の面)及び他方の面(図1紙面下部側の面)に{100}面を有しているものである。また、孔20は、基板の一方の面側に形成された第1の穴部21と、基板の他方の面側に形成された第2の穴部22と、上記基板の一方の面及び他方の面に対して垂直方向に貫通している貫通孔23とを有したものである。
次に、本発明の第2実施形態に係る三次元構造体、デバイス、及び、結晶異方性エッチング方法について説明する。
Via)と呼ばれる孔60を備えた基板(例えば、Si基板、GaAs基板など)からなるものである。該基板は、一方の面(図3紙面上部側の面)及び他方の面(図3紙面下部側の面)に{100}面を有しているものである。また、孔20は、基板の一方の面側に形成された第1の穴部61と、基板の他方の面側に形成された第2の穴部62と、上記基板の一方の面及び他方の面に対して垂直方向に貫通している貫通孔63とを有したものである。
図5(a)に示したマスク(中央部に円形状の開口部(径:60μm)を設けたもの)を厚さが525μm程度(525um±25um)のシリコン基板(後述する3種のもの)の一方の面上に形成し、ICP−RIE装置(住友精密工業(株)製 PEGASUS(登録商標))を用いて下記条件下でエッチング(エッチング時間50分)を行った。
次に、実施例1で得た図5(b)、(c)に示した基板の他方の面側にも図5(a)と同様のマスク(ただし、開口部の径は100μm)を設けて、実施例1と同様の条件で結晶異方性エッチングを行って(ただし、エッチング時間は両面に対して50分)、基板の中心部に対して対称的な一対の穴部を形成した後、Bosch法によって両穴部の底部同士を接続すべく、垂直貫通エッチングを行った。このようにして得られた基板の断面SEM写真を図6(a)、基板の上視SEM写真を図6(b)に示す。
本実施例では、実施例1と同様の条件で、マスクの開口部の径を100μmとして(100)面方位のシリコン基板にエッチングを行った場合(エッチング時間50分)の結果(図7(a)の上視写真参照)と、マスクの開口部の径を20μmとして(100)面方位のシリコン基板にエッチングを行った場合(エッチング時間50分)の結果(図7(b)の上視写真参照)との比較を行った。また、混合ガスにO2ガスを含まないものとした以外、実施例1と同様の条件で、マスクの開口部の径を100μmとしてシリコン基板にエッチングを行った場合(エッチング時間50分)の結果(図7(c)の上視写真参照)と、マスクの開口部の径を20μmとしてシリコン基板にエッチングを行った場合(エッチング時間50分)の結果(図7(d)の上視写真参照)との比較を行った。
本実施例では、シリコン基板の温度を20℃とし、混合ガス中のO2ガスの流量を100sccmとした以外、実施例1と同様の条件で、マスクの開口部の径を100μmとして(100)面方位のシリコン基板にエッチング(エッチング時間は30分)を行った場合の結果(図8(a)の上視写真参照)と、実施例1と同様の条件で、マスクの開口部の径を100μmとして(100)面方位のシリコン基板にエッチング(エッチング時間は30分)を行った場合の結果(図8(b)の上視写真参照)と、混合ガス中のO2ガスの流量を300sccmとした以外、実施例1と同様の条件で、マスクの開口部の径を100μmとして(100)面方位のシリコン基板にエッチング(エッチング時間は30分)を行った場合の結果(図8(c)の上視写真参照)と、の比較を行った。
10a 前駆体
20、60 孔
21、22、61、62 穴部
23、63 貫通孔
30 はんだボール
40、70 配線
50、51 フォトレジスト
50a、51a 開口部
80、81、82 平面
100 ウェハパッケージ構造
Claims (8)
- 所定条件下において、表面に所定形状のマスクを有した結晶異方性の基板に対して、SF6とC4F8とを含む混合ガス、又は、SF6とC4F8とO2とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行うことによって、一方の結晶面のエッチング速度が他方の結晶面のエッチング速度よりも大きくなる乾式の結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有していることを特徴とする異方性エッチング方法。
- 前記マスクが円形状又は長方形状の開口部を備えたものであって、前記基板の表面が{100}面、{110}面、又は、{111}面であることを特徴とする請求項1に記載
の異方性エッチング方法。 - 前記マスクがフォトリソグラフィにより作製されたフォトレジストであることを特徴とする請求項1又は2に記載の異方性エッチング方法。
- SF6とC4F8とを含む混合ガス、又は、SF6とC4F8とO2とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、前記マスクを有した基板に対して、Bosch法による垂直異方性エッチングを行う垂直異方性エッチング工程を有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の異方性エッチング方法。
- 一方の面及び他方の面に{100}面を有し、内部の少なくとも一部に前記一方の面に対して54.7°の角度に沿った{111}面を含む第1の穴部を前記一方の面側に有しているとともに、内部の少なくとも一部に前記他方の面に対して54.7°の角度に沿った{111}面を含む第2の穴部を前記他方の面側に有している基板からなり、
前記基板に、前記一方の面及び前記他方の面に対して垂直方向に貫通している貫通孔が設けられており、前記貫通孔の一端に前記第1の穴部が形成されており、前記貫通孔の他端に前記第2の穴部が形成されているものであり、
前記第1の穴部、前記第2の穴部、及び前記貫通孔が、SF 6 とC 4 F 8 とを含む混合ガス、又は、SF 6 とC 4 F 8 とO 2 とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、所定のマスクを介して、乾式で結晶異方性エッチングされることによって形成されたものであることを特徴とする三次元構造体。 - 前記貫通孔の一端及び他端の開口部が長方形状であり、
前記第1の穴部及び前記第2の穴部の形状が、前記貫通孔へ向かって縮幅している四角錐台形状であり、
前記貫通孔の一端の開口部が前記第1の穴部の底部であり、前記貫通孔の他端の開口部が前記第2の穴部の底部であることを特徴とする請求項5に記載の三次元構造体。 - 請求項5に記載の三次元構造体を複数備えたものであり、
前記基板の一方の面側から、順に、前記第1の穴部、前記貫通孔、前記第2の穴部を介して、前記基板の他方の面側にかけて電気的な配線が設けられているとともに、前記第1の穴部及び前記第2の穴部に嵌合した略球状の導電部材によって、各三次元構造体の配線同士を通電可能に接続するものであることを特徴とするデバイス。 - 請求項6に記載の三次元構造体を備えたものであり、
前記基板の一方の面から、順に、前記第1の穴部、前記貫通孔、前記第2の穴部を介して、前記基板の他方の面にかけて複数の電気的な配線がそれぞれ独立して設けられているものであることを特徴とするデバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011002490A JP5187705B2 (ja) | 2011-01-07 | 2011-01-07 | 異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011002490A JP5187705B2 (ja) | 2011-01-07 | 2011-01-07 | 異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012146754A JP2012146754A (ja) | 2012-08-02 |
JP5187705B2 true JP5187705B2 (ja) | 2013-04-24 |
Family
ID=46790054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011002490A Expired - Fee Related JP5187705B2 (ja) | 2011-01-07 | 2011-01-07 | 異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5187705B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5877982B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2016-03-08 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマエッチング方法 |
JP6188589B2 (ja) * | 2014-01-16 | 2017-08-30 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
KR102258099B1 (ko) | 2014-03-07 | 2021-05-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP2020044499A (ja) * | 2018-09-19 | 2020-03-26 | イビデン株式会社 | フィルタ膜及び該フィルタ膜を用いた濾過方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6924235B2 (en) * | 2002-08-16 | 2005-08-02 | Unaxis Usa Inc. | Sidewall smoothing in high aspect ratio/deep etching using a discrete gas switching method |
JP2004128063A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005148048A (ja) * | 2003-04-25 | 2005-06-09 | Jsr Corp | バイオチップおよびバイオチップキットならびにその製造方法および使用方法 |
JP2006012889A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Canon Inc | 半導体チップの製造方法および半導体装置の製造方法 |
EP1786027A3 (en) * | 2005-11-14 | 2009-03-04 | Schott AG | Plasma etching of tapered structures |
JP4273438B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2009-06-03 | オムロン株式会社 | マイクロフォン |
JP2010205921A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Olympus Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP5422236B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-02-19 | 株式会社東芝 | 撮像装置 |
JP2010263130A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Olympus Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP5532394B2 (ja) * | 2009-10-15 | 2014-06-25 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及び回路基板並びに電子機器 |
JP5703556B2 (ja) * | 2009-10-19 | 2015-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法、回路基板並びに電子機器 |
-
2011
- 2011-01-07 JP JP2011002490A patent/JP5187705B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012146754A (ja) | 2012-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4988759B2 (ja) | 半導体デバイスの製造法 | |
TW201110306A (en) | 3D multi-wafer stacked semiconductor structure and method for manufacturing the same | |
JP5187705B2 (ja) | 異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス | |
JP5916105B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN112499576B (zh) | Mems器件及其制造方法 | |
CN108666284A (zh) | 半导体装置的制造方法及半导体装置 | |
JP2016225471A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
Yang et al. | Low-temperature Cu–Cu direct bonding using pillar–concave structure in advanced 3-D heterogeneous integration | |
JP2007005401A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US7745308B2 (en) | Method of fabricating micro-vertical structure | |
US20170330892A1 (en) | Manufacturing method of a semiconductor device and semiconductor device | |
JP2013065772A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN214528128U (zh) | Mems器件 | |
US8822141B1 (en) | Front side wafer ID processing | |
JP4909912B2 (ja) | パターン形成方法 | |
US9530692B2 (en) | Method of forming through wiring | |
JP2010171432A (ja) | 3次元集積回路積上げ用システム及び方法 | |
JP6762897B2 (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法 | |
US8957492B2 (en) | Semiconductor device having grooves on a side surface and method of manufacturing the same | |
JP2008284656A (ja) | 構造体の製造方法 | |
JP6467981B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
EP3029725A1 (en) | Chuck for collective bonding of semiconductor dies, method of making the same and methods of usingthe same | |
US9960081B1 (en) | Method for selective etching using dry film photoresist | |
JP2004349550A (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
CN109429157B (zh) | 麦克风及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121019 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160201 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |