JP5187327B2 - スイッチ及びその製造方法並びにリレー - Google Patents

Description

本発明はスイッチ及びその製造方法並びにリレーに関する。具体的には、金属接点を用いたスイッチとその製造方法に関し、さらに当該スイッチの構造を用いたリレーに関する。

金属接点を接離するＭＥＭＳスイッチとしては、例えば特許文献１に開示されたものがある。このスイッチ１１においては、図１に示すように、基板１２ａの上面に絶縁層１３ａを形成し、その上にＡｌやＣｕなどからなる導電層１４ａを形成し、さらに導電層１４ａの上面から端面にかけてＡｕなどのメッキ層１５ａを成長させることによって可動接点部１７を形成している。同様に、基板１２ｂの上面に絶縁層１３ｂを形成し、その上にＡｌやＣｕなどからなる導電層１４ｂを形成し、さらに導電層１４ｂの上面から端面にかけてＡｕなどのメッキ層１５ｂを成長させることによって固定接点部１８を形成している。そして、可動接点部１７を矢印方向に移動させ、メッキ層１５ａの突出領域である可動接点１６ａとメッキ層１５ｂの突出領域である固定接点１６ｂを接触又は離間させることにより、可動接点部１７と固定接点部１８の間でスイッチング動作を行わせている。

また、静電リレーとしては、例えば特許文献２に開示されたものがある。この静電リレー２１では、図２に示すように、可動櫛歯状電極２２ａと固定櫛歯状電極２３ａに電圧を加えることによってレバー２４ａを弾性的に撓ませ、同時に可動櫛歯状電極２２ｂと固定櫛歯状電極２３ｂにも電圧を加えることによってレバー２４ｂを弾性的に撓ませ、レバー２４ａの先端に形成された可動接点２５ａとレバー２４ｂの先端に形成された可動接点２５ｂを接触させて可動接点２５ａ、２５ｂ間を閉じる。また、各櫛歯状電極２２ａと２３ａ及び可動櫛歯状電極２２ｂと２３ｂの間の印加電圧を解除することによって可動接点２５ａ、２５ｂ間を開離させている。この静電リレー２１では、レバー２４ａ、２４ｂの先端部に蒸着、スパッタリング等で金属膜を成膜することにより可動接点２５ａ、２５ｂを作製している。

特表２００６−５２６２６７号公報 特開平９−２５１８３４号公報

特許文献１のスイッチ１１では、導電層１４ａの端面に形成された可動接点１６ａの表面と導電層１４ｂの端面に形成された固定接点１６ｂの表面とを接離させる構造となっている。従って、可動接点１６ａと固定接点１６ｂは、そのメッキ層の成長方向と垂直な面（メッキ表面）で互いに接触することになる。

また、特許文献２の静電リレー２１でも、レバー２４ａ、２４ｂの端面に形成された可動接点２５ａ、２５ｂの表面どうしを接離させる構造となっている。従って、この静電リレー２１でも、可動接点２５ａ、２５ｂは、その蒸着膜等の成長方法と垂直な面で互いに接触する。

しかし、これらの接点の成長方向と垂直な面（接点の表面）はミクロに見るとかなり粗く、不規則で微細な凹凸を有している。そのため、微細に見ると接点どうしの接触面積が小さくなり接点が閉じているときの接触抵抗が大きい。さらに、対向する接点の表面どうしの平行度を得にくいため、余計に接点どうしの接触抵抗が大きくなりやすい。

また、メッキ処理を行うとき、スイッチ１１における導電層の端面や静電リレー２１におけるレバーの端面では電界強度が高いので接点の成長速度が大きく、接点間のギャップ距離を制御するのが難しい。そのため、接点間距離の狭小化が困難であった。

このような不具合を解消するためには、接点の表面を研磨等によって平滑化する方法が知られているが、接点の研磨工程が増加するので、スイッチやリレーのコストアップの要因となる。

本発明は、このような技術的課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは研磨等を行うことなく接点の接触面を平滑に形成することのできるスイッチとその製造方法並びに当該スイッチの構造を用いたリレーを提供することにある。

本発明に係るスイッチは、互いに接触又は離間する複数の接点を備えたスイッチにおいて、前記接点を形成するための導電層を成長させる際に前記導電層の形成領域を定めるためのモールド部に接していた面を前記接点どうしの接触面とし、前記導電層の成膜時における前記接点の接触面の成長方向に平行な面を、前記接点どうしの接触面としたことを特徴としている。

本発明に係るスイッチにあっては、接点どうしの接触面が接点の成長方向に平行な面となっているので、接点の研磨等を行わずとも、接点の接触面を平滑に形成することができる。よって、接点どうしが接触するときの接触抵抗が小さくなる。また、両接点の接触面が平滑になることで、接点どうしが均一に接触するようになり、接点接触部の破壊が起こりにくくなる。その結果、スイッチの開閉寿命が増し、接点間距離の狭小化が可能になる。

また、本発明に係るスイッチにあっては、前記接点の接触面は、前記導電層を成長させる際に前記導電層の形成領域を定めるためのモールド部に接していた面であるので、モールド部の面を利用して接点の接触面を形成することができ、接点の接触面を平滑に形成することができる。

本発明に係るスイッチの製造方法は、互いに接触又は離間する複数の接点を備えたスイッチの製造方法であって、基板の上方に所定パターンのモールド部を形成する工程と、前記基板の上方において前記モールド部の形成されている領域を除く複数領域に導電層を前記基板の厚み方向で成長させる工程と、前記モールド部を除去し、前記導電層の前記モールド部側面に接していた面を前記接点どうしの接触面とする工程と、前記導電層が形成された複数領域に合わせて前記基板を複数に分割する工程とを備えたことを特徴としている。

本発明のスイッチの製造方法によれば、導電層を形成する際にモールド部の側面によって接点の接触面を成形することができるので、接点の研磨等を行わずとも、接点の接触面を平滑に形成することができる。よって、接点どうしが接触するときの接触抵抗が小さくなる。また、両接点の接触面が平滑になることで、接点どうしの接触位置が分散され、接点接触部の破壊が起こりにくくなる。その結果、スイッチの開閉寿命が増し、接点間距離の狭小化が可能になる。

本発明に係るスイッチの製造方法のある実施態様は、対向する前記接点どうしを形成するための前記モールド部の両側面を互いに平行に形成することを特徴としている。かかる実施態様によれば、接点どうしの接触面を互いに平行にすることができる。

本発明に係るスイッチの製造方法においては、前記導電層は電解メッキ又は無電解メッキによって基板の上方に成長させることもでき、また蒸着やスパッタリング等の堆積法によって基板の上方に成長させてもよい。堆積法の場合には、モールド部の上に堆積した導電層の材料は、モールド部を除去する工程でモールド部とともに除去することができる。

本発明に係るリレーは、本発明に係るスイッチと、前記接点の一部を前記接点どうしの接触面と垂直な方向へ移動させて接点どうしを接触又は離間させるためのアクチュエータとを備えたことを特徴としている。本発明のリレーにあっては、接点どうしの接触面を平滑に形成することができるので、接点どうしが接触するときの接触抵抗が小さくなる。また、両接点の接触面が平滑になることで、接点どうしが均一に接触するようになり、接点接触部の破壊が起こりにくくなる。その結果、リレーの寿命が増す。

なお、本発明における前記課題を解決するための手段は、以上説明した構成要素を適宜組み合せた特徴を有するものであり、本発明はかかる構成要素の組合せによる多くのバリエーションを可能とするものである。

図１は、特許文献１に開示されたスイッチの拡大断面図である。 図２は、特許文献２に開示された静電リレーの斜視図である。 図３は、本発明の実施形態１によるスイッチの構造を示す断面図である。 図４（ａ）〜（ｄ）は、実施形態１のスイッチの製造方法を説明する概略断面図である。 図５（ａ）〜（ｄ）は、実施形態１のスイッチの別な製造方法を説明する概略断面図である。 図６は、本発明の実施形態２による静電リレーを示す平面図である。 図７は、図６のＡ部を拡大して示す斜視図である。 図８は、図６のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々設計変更することができる。

［第１の実施形態］
（構造）
図３は、本発明の実施形態１によるスイッチの構造を示す断面図である。このスイッチ３１は、固定接点部３３と可動接点部３４を備えている。固定接点部３３はベース基板３２の上面に絶縁膜４２を介して固定され、可動接点部３４は駆動機構又はアクチュエータによってベース基板３２の上面と平行な方向（白抜き矢印で示す方向）に移動する。例えば、本発明のスイッチは、特許文献１に開示されているような構造のＭＥＭＳスイッチにも用いることができる。

固定接点部３３は、固定接点基板４１の上面に絶縁層４３と下地層４４を成膜し、その上に導電層４５を形成したものである。また、可動接点部３４は可動接点基板５１の上面に絶縁層５３と下地層５４を成膜し、その上に導電層５５を形成したものである。導電層４５、５５は、電解メッキや無電解メッキ、蒸着、スパッタリング等によって導電材料を厚み方向（図３の矢印方向）に成長させることによって形成されており、それぞれの対向側面が固定接点４６（電気的接触面）と可動接点５６（電気的接触面）になっている。導電層４５、５５の材料としては、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｐｔ合金、Ａｕ合金などを用いることができる。この固定接点４６と可動接点５６は、互いに平行に、かつ、平滑に形成されている。したがって、可動接点部３４を平行移動させて固定接点４６と可動接点５６を接触させて両接点４６、５６を閉じたとき、両接点４６、５６はほぼ全面において面接触する。

また、導電層４５と導電層５５の対向部分はそれぞれ固定接点基板４１と可動接点基板５１の端面から突出しており、固定接点基板４１と可動接点基板５１の対向面はいずれも下面側ほど引っ込むように傾斜している。したがって、可動接点部３４を動かして可動接点５６を固定接点４６に接触させるとき、固定接点基板４１と可動接点基板５１が接触して可動接点５６と固定接点４６の接触を妨げることがない。

（製造方法１）
スイッチ３１は、ＭＥＭＳ（Micro Electrical-Mechanical Systems）技術を用いて製作される。図４（ａ）〜（ｄ）に示す製造方法は、電解メッキによって導電層４５、５５を作製するものである。図４（ａ）は、Ｓｉからなる基板Ａ１にＳｉＯ_２等の絶縁層Ａ３とメッキ下地層Ａ４を成膜し、さらにメッキ下地層Ａ４の上にモールド部Ａ２を形成したものを示している。メッキ下地層Ａ４は、メッキ電極となるものであり、例えば下層Ｃｒ／上層Ａｕからなる２層構造となっていて絶縁層Ａ３と導電層Ａ５との密着性（剥離強度）を高める働きを有している。モールド部Ａ２は、メッキ液に耐性があり、かつ、その後のモールド部除去工程において導電層Ａ５を浸食することなく選択的にエッチング除去される材料を用いる。例えば、メッキ下地層Ａ４の上面に塗布したフォトレジストを露光用マスクを通して露光しエッチングすることによりパターニングしてモールド部Ａ２を形成すればよい。あるいは、メッキ下地層Ａ４の上面に酸化膜（ＳｉＯ_２）、窒化膜（ＳｉＮ）、アルミナ膜（Ａｌ_２Ｏ_３）、導電層４５及び５５と異種の金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、これらの膜をパターニングしたものをモールド部Ａ２としてもよい。こうしてモールド部Ａ２は導電層４５、５５を形成しようとする領域以外の領域に形成され、導電層４５、５５を形成しようとする領域の間でパターニングされたモールド部Ａ２の両側面は、互いに平行で、かつ、平滑となっている。なお、図４（ａ）には示していないが、基板Ａ１の下面全面はＳｉＯ_２等の絶縁膜４２を介してＳｉ基板やガラス基板などからなるベース基板３２の上面に固定されている。

ついで、この基板Ａ１をメッキ浴に浸漬し、メッキ下地層Ａ４をメッキ電極として電解メッキを行うと、図４（ｂ）に示すように、メッキ下地層Ａ４の表面にはＰｔなどのメッキ金属粒子が次第に析出し、導電層Ａ５が基板Ａ１の厚み方向に成長する。モールド部Ａ２により覆われている領域にはメッキ金属粒子は析出しない。なお、電解メッキに代えて無電解メッキ（化学メッキ）を行ってもよい。

メッキ浴から取り出した基板Ａ１を水洗した後、モールド部Ａ２をエッチングにより除去すると、図４（ｃ）に示すように、導電層４５、５５を形成しようとする領域間でモールド部Ａ２のあったところに空洞Ａ６が生じる。空洞Ａ６で分離された一方の導電層Ａ５は導電層５５となり、空洞Ａ６に面する側面が可動接点５６となる。また、空洞Ａ６で分離された他方の導電層Ａ５は導電層４５となり、空洞Ａ６に面する側面が固定接点４６になる。

ついで、図４（ｄ）に示すように、空洞Ａ６からエッチング液を浸入させて順次メッキ下地層Ａ４及び絶縁層Ａ３を２つに分割する。さらに、基板Ａ１を下面側からエッチングして、あるいは空洞Ａ６側からエッチングして２つに分割し、それぞれ一方を下地層５４、絶縁層５３及び可動接点基板５１とし、他方を下地層４４、絶縁層４３及び固定接点基板４１とする。

こうして一方のブロックは、固定接点基板４１、絶縁層４３、下地層４４及び導電層４５が積層した固定接点部３３となる。この固定接点部３３は絶縁膜４２を介してベース基板３２の上面に固定されている。また、他方のブロックは、可動接点基板５１、絶縁層５３、下地層５４及び導電層５５が積層した可動接点部３４となる。この可動接点部３４は、最後に下面の絶縁膜をエッチング除去するこによりベース基板３２から分離され、スイッチ３１（ＭＥＭＳスイッチ）が製作される。

（製造方法２）
また、このスイッチ３１は、図５（ａ）〜（ｄ）に示すような工程で作製することもできる。この製造方法は、蒸着やスパッタリング等によって導電層４５、５５を作製するものである。図５（ａ）は、図４（ａ）に相当する工程であるが、絶縁層Ａ３の上にはメッキ下地層Ａ４でなく、絶縁層Ａ３と導電層Ａ５との密着強度（剥離強度）を高めるための密着層Ａ７（例えば、下層Ｃｒ／上層Ａｕからなる２層構造）を形成している。また、図５（ｂ）の工程では、蒸着やスパッタリング等によって密着層Ａ７の上にＰｔなどの金属材料を堆積させている。蒸着やスパッタリング等の堆積法によれば、図５（ｂ）のようにモールド部Ａ２の上にも導電層Ａ５が堆積するが、モールド部Ａ２の高さが十分にあれば、モールド部Ａ２をエッチングに除去することにより、同時にモールド部Ａ２の上の導電層Ａ５も除去される（リフトオフ法）。

図５（ｃ）のようにモールド部Ａ２が除去された後に空洞Ａ６ができて、導電層Ａ５が導電層５５と導電層４５に分離される点は、図４（ｃ）の工程と同じである。また、図５（ｄ）のように空洞Ａ６からエッチング液を浸入させて順次密着層Ａ７及び絶縁層Ａ３を２つに分割し、さらに基板Ａ１を２つに分割し、それぞれ一方を下地層５４、絶縁層５３及び可動接点基板５１とし、他方を下地層４４、絶縁層４３及び固定接点基板４１とする点も、図４（ｄ）の工程と同じである。

（作用効果）
本発明のスイッチ３１にあっては、固定接点４６の接触面と可動接点５６の接触面が導電層Ａ５の成長方向と平行であるので、研磨等を行わずとも、モールド部の側面で接触面を平滑に成形することができる。また、両接点４６、５６の接触面の平行度も向上する。よって、両接点４６、５６どうしが接触しているときの接触抵抗が小さくなる。

また、両接点４６、５６間のギャップ距離の精度を高めてバラツキを小さくできるので、接点間のギャップ距離を狭小化でき、アクチュエータによる可動接点５６の移動距離を小さくできる。さらに、固定接点４６と可動接点５６の表面が平滑になるので、接点どうしの接触位置が分散され、接点接触部の破壊が起こりにくく、スイッチ３１の開閉寿命が長くなる。

［第２の実施形態］
つぎに、本発明の実施形態２による高周波用の静電リレー３１Ａの構造を説明する。図６は、静電リレー３１Ａの構造を示す平面図である。図７は、図６のＡ部を拡大して示す斜視図である。図８は、図６のＢ−Ｂ線に沿った概略断面図である。

この静電リレー３１Ａは、Ｓｉ基板やガラス基板等からなるベース基板３２の上面に固定接点部３３、可動接点部３４、固定電極部３５、可動接点部３４を支持する可動電極部３６、弾性バネ３７、弾性バネ３７を支持する支持部３８を設けたものである。

図８に示すように、固定接点部３３は、Ｓｉからなる固定接点基板４１の下面を絶縁膜４２（ＳｉＯ_２）によってベース基板３２の上面に固定されている。固定接点基板４１の上面には酸化膜（ＳｉＯ_２）や窒化膜（ＳｉＮ）等からなる絶縁層４３が形成され、その上面に下層Ｃｒ／上層Ａｕからなる下地層４４が形成されており、下地層４４の上にＰｔなどの導電層４５ａ、４５ｂが形成されている。

また、図６及び図７に示すように、固定接点基板４１はベース基板３２の上面端部において幅方向（Ｘ方向）に延びており、中央部には可動接点部３４側へ向けて突出した張出部４１ａが形成され、両端にそれぞれパッド支持部４１ｂ、４１ｂが形成されている。導電層４５ａ、４５ｂは固定接点基板４１の上面に沿って配線されており、導電層４５ａ、４５ｂの一方端部は張出部４１ａの上面で互いに平行に配置され、張出部４１ａの端面から突出した部分の先端面は同一平面内に位置していてそれぞれ固定接点４６ａ、４６ｂ（電気的接触面）となっている。また、導電層４５ａ、４５ｂの他方端部には、前記パッド支持部４１ｂ、４１ｂの上面において金属パッド部４７ａ、４７ｂが形成されている。

可動接点部３４は張出部４１ａに対向する位置に設けられている。可動接点部３４は、図８に示すように、Ｓｉからなる可動接点基板５１の上面に酸化膜（ＳｉＯ_２）や窒化膜（ＳｉＮ）等からなる絶縁層５３が形成され、その上面に下層Ｃｒ／上層Ａｕからなる下地層５４が形成されており、下地層５４の上にＰｔなどの導電層５５が形成されている。導電層４５ａ、４５ｂと対向する導電層５５の端面は、可動接点基板５１の前面から突出し、しかも固定接点４６ａ、４６ｂと平行に形成されており、当該端面が可動接点５６（電気的接触面）となっている。可動接点５６は、固定接点４６ａの外側の縁から固定接点４６ｂの外側の縁までの距離にほぼ等しい幅を有している。

また、可動接点基板５１は、可動電極部３６から突出した支持梁５７によって片持ち状に支持されている。可動接点基板５１及び支持梁５７の下面はベース基板３２の上面から浮いており、可動電極部３６とともにベース基板３２の長さ方向（Ｙ方向）と平行に移動できる。

この静電リレー３１Ａにおいては、固定接点部３３の金属パッド部４７ａ、４７ｂに主回路（図示せず）が接続され、可動接点５６を固定接点４６ａ、４６ｂに接触させることによって主回路を閉じることができ、可動接点５６を固定接点４６ａ、４６ｂから離間させることにより主回路を開くことができる。また、張出部４１ａと可動接点基板５１の対向面はそれぞれ下方へ行くほど後退するように傾斜しており、また固定接点４６ａ、４６ｂが張出部４１ａより突出するとともに可動接点５６も可動接点基板５１から突出しているので、接点間を閉じる際に張出部４１ａと可動接点基板５１が接触して可動接点５６と固定接点４６ａ、４６ｂとが接触不良を起こすのを防いでいる。

可動接点部３４を動かすためのアクチュエータは、固定電極部３５、可動電極部３６、弾性バネ３７及び支持部３８によって構成されている。

図６に示すように、ベース基板３２の上面には複数本の固定電極部３５が互いに平行に配置されている。固定電極部３５は、平面視においては、矩形状のパッド部６６の両面からＹ方向へ向けてそれぞれ枝状をした枝状電極部６７が延出されている。枝状電極部６７は、それぞれ左右対称となるように枝部６８が突出しており、枝部６８はＹ方向において一定ピッチで並んでいる。

図８に示すように、固定電極部３５においては、固定電極基板６１の下面が絶縁膜６２によってベース基板３２の上面に固定されている。また、パッド部６６においては、固定電極基板６１の上面にＣｕ、Ａｌ等によって固定電極６３が形成されており、固定電極６３の上に電極パッド層６５が設けられている。

図６に示すように、可動電極部３６は、各固定電極部３５を囲むように形成されている。可動電極部３６には、各固定電極部３５を両側から挟むようにして櫛歯状電極部７４が形成されている（固定電極部３５間においては、一対の櫛歯状電極部７４によって枝状となっている）。櫛歯状電極部７４は、各固定電極部３５を中心として左右対称となっており、各櫛歯状電極部７４からは枝部６８間の空隙部へ向けて櫛歯部７５が延出している。しかも、各櫛歯部７５は、その櫛歯部７５と隣接して可動接点部３４に近い側に位置する枝部６８との距離が、当該櫛歯部７５と隣接して可動接点部３４から遠い側に位置する枝部６８との距離よりも短くなっている。

可動電極部３６はＳｉの可動電極基板７１からなり、可動電極基板７１の下面はベース基板３２の上面から浮いている。また、可動電極部３６の可動接点側端面の中央には支持梁５７が突設されていて支持梁５７の先端に可動接点部３４が保持されている。

支持部３８はＳｉからなり、ベース基板３２の他方端部においてＸ方向に長く延びている。支持部３８の下面は絶縁膜３９によってベース基板３２の上面に固定されている。支持部３８の両端部と可動電極部３６（可動電極基板７１）とは、Ｓｉによって左右対称に形成された一対の弾性バネ３７によってつながっており、可動電極部３６は弾性バネ３７を介して支持部３８によって水平に支持されている。また、可動電極部３６は弾性バネ３７を弾性変形させることによってＹ方向に移動可能となっている。

上記のような構造を有する静電リレー３１Ａにあっては、固定電極部３５と可動電極部３６の間に直流電圧源が接続され、制御回路等によって直流電圧がオン、オフされる。固定電極部３５では、直流電圧源の一方端子は電極パッド層６５に接続される。直流電圧源の他方端子は支持部３８に接続される。支持部３８及び弾性バネ３７は導電性を有しており、支持部３８、弾性バネ３７及び可動電極基板７１は電気的に導通しているので、支持部３８に印加した電圧は可動電極基板７１に加わることになる。

直流電圧源によって固定電極部３５と可動電極部３６の間に直流電圧が印加されると、枝状電極部６７の枝部６８と櫛歯状電極部７４の櫛歯部７５との間に静電引力が発生する。しかし、固定電極部３５及び可動電極部３６の構造が、各固定電極部３５の中心線に関して対称に形成されているので、可動電極部３６に働くＸ方向の静電引力はバランスし、可動電極部３６はＸ方向には移動しない。一方、各櫛歯部７５と隣接して可動接点部３４に近い側に位置する枝部６８との距離が、当該櫛歯部７５と隣接して可動接点部３４から遠い側に位置する枝部６８との距離よりも短くなっているので、各櫛歯部７５が可動接点部側へ吸引され、弾性バネ３７を撓ませながら可動電極部３６がＹ方向に移動する。この結果、可動接点部３４が固定接点部３３側へ移動し、可動接点５６が固定接点４６ａ、４６ｂに接触して固定接点４６ａと固定接点４６ｂの間（主回路）を電気的に閉じる。

また、固定電極部３５と可動電極部３６の間に印加していた直流電圧を解除すると、枝部６８と櫛歯部７５の間の静電引力が消失するので、弾性バネ３７の弾性復帰力によって可動電極部３６がＹ方向で後退し、可動接点５６が固定接点４６ａ、４６ｂから離間して固定接点４６ａと固定接点４６ｂの間（主回路）が開かれる。

このような静電リレー３１Ａは、つぎのような工程で作製される。まず、表面全体を絶縁膜で覆われたベース基板３２（Ｓｉウエハ、ＳＯＩウエハなど）の上面にＳｉ基板（導電性を有する別なＳｉウエハ）を接合し、当該Ｓｉ基板の上面に金属材料を蒸着させて電極膜を成膜する。ついで、この電極膜をフォトリソグラフィ技術によりパターニングし、電極膜によりパッド部６６において固定電極基板６１の上面に固定電極６３を形成する。

この後、電極膜の上からＳｉ基板の上面に絶縁層、下地層及び導電層を積層する。ついで、導電層をパターニングして固定接点部３３の導電層４５ａ、４５ｂ、可動接点部３４の導電層５５及び固定電極部３５の電極パッド層６５を形成する。また、導電層４５ａ、４５ｂ及び導電層５５の下面の下地層と絶縁層を残してエッチング除去し、残った下地層によって下地層４４、５４を形成し、残った絶縁層によって絶縁層４３、５３を形成する。

なお、上記とは異なる手順により、固定電極６３、導電層４５ａ、４５ｂ及び導電層５５を同時に形成してもよい。

この後、導電層４５ａ、導電層５５、固定電極６３などの上にフォトレジストを塗布してレジストマスクを形成し、このレジストマスクを通してＳｉ基板をエッチングし、各領域に残ったＳｉ基板により固定接点部３３の固定接点基板４１、可動接点部３４の可動接点基板５１、固定電極部３５の固定電極基板６１、可動電極部３６の可動電極基板７１、弾性バネ３７、支持部３８を作製する。

最後に、Ｓｉ基板から露出している領域の絶縁膜と可動接点部３４及び可動電極部３６の下面の絶縁膜をエッチングによって除去し、個々の静電リレー３１Ａにカッティングする。

可動接点部３４と固定電極部３５はこのような静電リレー３１Ａの製造工程において、図４又は図５に示したような工程と同様な工程で作製されるので、固定接点部３３の固定接点４６ａ、４６ｂと可動接点部３４の可動接点５６は、導電層の成長方向と平行な側面となり、研磨などを行うことなく、平滑性と平行性の良好な接点を得ることができる。よって、この静電リレー３１Ａにおいても、実施形態１のスイッチ３１と同様な作用効果を得ることができる。

３１ スイッチ
３１Ａ 静電リレー
３２ ベース基板
３３ 固定接点部
３４ 可動接点部
３５ 固定電極部
３６ 可動電極部
３７ 弾性バネ
３８ 支持部
３９ 絶縁膜
４１ 固定接点基板
４５、４５ａ、４５ｂ 導電層
４６、４６ａ、４６ｂ 固定接点
５１ 可動接点基板
５５ 導電層
５６ 可動接点
６３ 固定電極
６７ 枝状電極部
６８ 枝部
７４ 櫛歯状電極部
７５ 櫛歯部

Claims (7)

1. 互いに接触又は離間する複数の接点を備えたスイッチにおいて、
   前記接点を形成するための導電層を成長させる際に前記導電層の形成領域を定めるためのモールド部に接していた面を前記接点どうしの接触面とし、
   前記導電層の成膜時における前記接点の接触面の成長方向に平行な面を、前記接点どうしの接触面としたことを特徴とするスイッチ。
2. 互いに接触又は離間する複数の接点を備えたスイッチの製造方法であって、
   基板の上方に所定パターンのモールド部を形成する工程と、
   前記基板の上方において前記モールド部の形成されている領域を除く複数領域に導電層を前記基板の厚み方向で成長させる工程と、
   前記モールド部を除去し、前記導電層の前記モールド部側面に接していた面を前記接点どうしの接触面とする工程と、
   前記導電層が形成された複数領域に合わせて前記基板を複数に分割する工程と、
   を備えたことを特徴とするスイッチの製造方法。
3. 対向する前記接点どうしを形成するための前記モールド部の両側面を互いに平行に形成することを特徴とする、請求項２に記載のスイッチの製造方法。
4. 前記導電層を電解メッキ又は無電解メッキによって前記基板の上方に成長させることを特徴とする、請求項２に記載のスイッチの製造方法。
5. 前記導電層を蒸着やスパッタリング等の堆積法によって前記基板の上方に成長させることを特徴とする、請求項２に記載のスイッチの製造方法。
6. 前記モールド部の上に堆積した前記導電層の材料を、前記モールド部を除去する工程で、前記モールド部とともに除去することを特徴とする、請求項５に記載のスイッチの製造方法。
7. 請求項１に記載したスイッチと、前記接点の一部を前記接点どうしの接触面と垂直な方向へ移動させて接点どうしを接触又は離間させるためのアクチュエータとを備えたことを特徴とするリレー。

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