JP2016177991A - 磁気リードスイッチの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 メッキ工程とエッチング工程とによって、薄型で小型の磁気リードスイッチを製造する製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２の上に導電層２０を形成し、その上に電界メッキにより第１の固定層５と可動層７および第２の固定層６を形成する。このとき、梁部７ａと可動電極部７ｂのＸ方向の幅寸法を、第１の支持部５ａと磁気吸引部５ｂおよび第２の支持部６ａと固定電極部６ｂのＸ方向の幅寸法よりも小さくする。エッチング工程で導電層２０を除去すると、梁部７ａと可動電極部７ｂの下側の導電層が除去され、第１のアンカー層４ａと第２のアンカー層４ｂが残される。
【選択図】図３

Description

本発明は、固定電極部と可動電極部とが対向し、外部磁界で磁化された可動電極部が固定電極部に接触する磁気リードスイッチの製造方法に関する。

特許文献１と２には、磁気リードスイッチとして機能する機構デバイスが記載されている。

特許文献１に記載された機構デバイスは、基板の上に下部電極と上部電極が固定されている。下部電極には下部電極磁性材料が設けられ、上部電極から延び出る梁の先部に梁部磁性材料が設けられて、梁部磁性材料が下部電極磁性材料の上方に隙間を介して対向している。外部磁界が与えられると、梁部磁性材料と下部電極磁性材料とが磁化されて互いに吸引されて接触し、下部電極と上部電極との間に電流が流れる。前記機構デバイスでは、上部電極と梁が金で形成されている。

特許文献１に記載された機構デバイスの製造方法は、基板上に下部電極磁性材料とこれを保護する金の保護層を形成した後に、保護層の上に犠牲層を形成する。その後、基板上に上部電極層を形成するとともに、前記犠牲層の上に上部電極層と連続する梁を形成して、梁の先部の上に梁部磁性材料を形成し、その後に犠牲層を除去する。

特許文献２に記載された機構デバイスは、基板の上に第１の銅箔と第２の銅箔が設けられ、第１の銅箔から片持ち梁部が延び出て、片持ち梁部の先部に上部電極が設けられている。前記片持ち梁部は金で形成され、前記上部電極は、磁性体であるニッケル層とその表面を覆う金で構成されている。下部電極は、前記第２の銅箔が金で覆われて形成されており、上部電極と下部電極が上下に対向している。

この機構デバイスは、基板の下方に配置された磁石から磁場が発生すると、この磁場に上部電極が引き付けられ、上部電極が下部電極に接触して、両電極間に電流が流れる。

特許文献２に記載された機構デバイスの製造方法は、特許文献１の記載とほぼ同じであり、第２の銅箔の上に犠牲層を形成し、その上に片持ち梁部と上部電極を形成してから、犠牲層を除去している。

特開２００４−３３５２１６号公報 特開２００８−２７６９７１号公報

特許文献１と特許文献２に記載された機構デバイスは、いずれも上部電極に磁性材料が設けられているが、この磁性材料を支持する梁部が金で形成されている。しかし、金は軟質な材料であり剛性がきわめて低く、磁性材料を有する比較的質量の大きい上部電極を金で動作自在に支持するのは困難である。特に、特許文献１と特許文献２では、いずれも上部電極が上下に動くものであり、上下に動く上部電極を金の梁部で安定して支えることは難しい。

また、特許文献１と特許文献２に記載された機構デバイスの製造方法は、いずれも下部電極を形成した後に犠牲層を形成し、犠牲層の上に梁部と上部電極を形成した後に犠牲層を除去しているため、犠牲層の除去の工程が煩雑である。また、他の層を残したまま犠牲層のみを除去するためには、犠牲層の厚さや幅寸法に制限が与えられることになり、機構デバイスの設計の自由度が狭められることになる。

本発明は上記従来の課題を解決するものであり、可動電極部を支持する梁部の剛性を高めて、安定した動作を実現できる磁気リードスイッチの製造方法を提供することを目的としている。

また本発明は、平面的に配列された支持部と梁部と固定電極部および固定電極部を同時に形成することができ、薄型の磁気リードスイッチを少ない工程で製造できる製造方法を提供することを目的としている。

本発明は、支持部と、前記支持部から延びる梁部と、前記梁部の先部に設けられた可動電極部と、前記可動電極部に対向する固定電極部とを有する磁気リードスイッチの製造方法において、
（１）基板の表面に導電層を形成する工程と、
（２）前記導電層の表面に、前記支持部と前記梁部と前記可動電極部および前記固定電極部となる磁性材料層を形成する工程と、
（３）前記導電層をエッチング処理で除去する工程と、を有しており、
前記（２）の工程では、同じ方向での幅寸法が、前記支持部および前記固定電極部よりも前記梁部および前記可動電極部が小さくなるように形成し、
前記（３）の工程では、前記梁部および前記可動電極部と前記基板との間の前記導電層を除去して、前記梁部と前記可動電極部を前記基板上で動けるようにし、前記支持部および前記固定電極部と前記基板との間では、前記導電層を一部残して、前記支持部を前記基板に固定する第１のアンカー層と、前記固定電極部を前記基板に固定する第２のアンカー層とを形成することを特徴とするものである。

本発明の磁気リードスイッチの製造方法は、支持部と梁部と可動電極部および固定電極部を形成する工程と、その後に導電層をエッチングする工程とによって、比較的少ない工程で製造することができる。また、梁部は磁性材料層で形成されるため、従来技術の金に比べて剛性を高くでき、可動電極部の支持強度を高めることができる。また、支持部と梁部と可動電極部および固定電極部を平面に展開できるため、薄型に構成することが可能になる。

本発明の磁気リードスイッチの製造方法は、前記（２）の工程では、前記導電層の上にレジスト層を形成し、レジスト層で覆われていない領域に電界メッキを施して前記磁性材料層を形成することが好ましい。

この場合には、前記（３）の工程で、前記レジスト層を除去した後に、前記エッチング処理を行う。

本発明の磁気リードスイッチの製造方法は、前記（２）の工程では、前記可動電極部となる前記磁性材料層に開口部を形成することが好ましい。

本発明の磁気リードスイッチの製造方法は、前記導電層は、前記基板の表面に形成された密着層を有する多層構造であるものが好ましい。

さらに本発明の磁気リードスイッチの製造方法は、前記（３）の後の工程で、前記固定電極部の少なくとも前記可動電極部に対向する表面と、前記可動電極部の少なくとも前記固定電極部に対向する表面に、接触金属層を形成することが好ましい。

また本発明の磁気リードスイッチの製造方法では、前記基板に複数のスルーホールを形成し、それぞれの前記スルーホールの内部に形成された導電性材料を前記第１のアンカー部と前記第２のアンカー部に個別に導通させることが可能である。

本発明は、メッキ工程とエッチング工程などの比較的少ない工程で磁気リードスイッチを製造することができ、支持部と梁部と可動電極部および固定電極部を同じ工程で同時に形成することも可能である。梁部は磁性材料層で形成されるため、従来技術の金に比べて剛性を高くでき、可動電極部の支持強度を高めることができる。また、支持部と梁部と可動電極部および固定電極部を平面に展開できるため、薄型に構成することが可能になる。

本発明の第１の実施の形態の磁気リードスイッチの外観を示す斜視図、 図１に示す磁気リードスイッチの製造方法を工程別に示す説明図、 （Ａ）は完成した第１の実施の形態の磁気リードスイッチの断面図、（Ｂ）はその平面図、 本発明の第２の実施の形態の磁気リードスイッチの平面図、 本発明の第３の実施の形態の磁気リードスイッチの平面図、 本発明の第４の実施の形態の磁気リードスイッチの平面図、

図１と図３に基づいて本発明の第１の実施の形態の磁気リードスイッチ１の構造とその動作を説明する。図３（Ａ）は、図３（Ｂ）をＡ−Ａ線で切断した断面図である。

磁気リードスイッチ１は基板２を有している。基板２は、ガラス基板やガラスエポキシ基板などである。あるいはシリコン（Ｓｉ）基板を使用することも可能である。図３（Ａ）に示すように、基板２の表面に導電層２０が形成されている。導電層２０は、密着層２１とその上のメッキ下地層２２とで構成されている。メッキ下地層２２は銅（Ｃｕ）層であり、密着層２１はＦｅＮｉ合金層である。密着層２１を設けることにより、メッキ下地層２２が基板２の表面に強固に固定される。密着層２１とメッキ下地層２２はスパッタ工程やＣＶＤ工程などで形成される。

図３（Ｂ）において破線で示されているように、前記導電層２０によって第１のアンカー層４ａと第２のアンカー層４ｂが形成されている。図１と図３（Ｂ）に示すように、第１のアンカー層４ａの上には、第１の固定層５が固定されており、第２のアンカー層４ｂの上に第２の固定層６が固定されている。第１の固定層５からは、Ｙ１方向へ延び出る可動層７が一体に設けられている。基板２と可動層７との間には、アンカー層（導電層２０）が設けられておらず、可動層７と基板２との間に隙間が形成されて、可動層７が基板２上で動くことができるようになっている。

第１の固定層５には、第１の支持部５ａと磁気吸引部５ｂとが一体に形成されている。第２の固定層６には、第２の支持部６ａと固定電極部６ｂとが一体に形成されている。可動層７は、第１の支持部５ａから延び出る梁部７ａと、梁部７ａの先部に一体に形成された可動電極部７ｂを有している。梁部７ａは、基板２の表面に沿うＸ方向へ弾性的に撓み変形可能である。また、可動電極部７ｂには、Ｘ方向の幅寸法を実質的に減少させるための開口部７ｃが上下に貫通して形成されている。

図１と図３（Ａ）に示すように、第１の固定層５と第２の固定層６および可動層７は、いずれも磁性材料層１３で形成されている。磁性材料層１３は電界メッキ工程で形成されている。磁性材料層１３はＮｉＦｅ合金（ニッケル−鉄合金）である。磁性材料層１３は、ＣｏＦｅ合金（コバルトー鉄合金）やＣｏＮｉＦｅ（コバルト−ニッケル−鉄合金）など、種々の軟磁性材料から選択して形成することが可能である。

ＮｉＦｅなどの磁性材料は大気に露出していると表面に自然酸化膜が形成されやすく、固定電極部６ｂと可動電極部７ｂの安定した電気的接触が得られないおそれがある。そこで、固定電極部６ｂを形成している磁性材料層１３の表面のうちの少なくとも可動電極部７ｂに対向する部分は接触金属層で被覆されている。また、可動電極部７ｂにおいても磁性材料層１３の表面のうちの少なくとも固定電極部６ｂに対向する部分が接触金属層で覆われている。

接触金属層１４は、イリジウム（Ｉｒ）やルテニウム（Ｒｕ）またはパラジウム（Ｐｄ）などの白金族の金属層で形成されている。酸化しづらく、機械的強度の高い白金族を固定電極部６ｂと可動電極部７ｂの表面に形成することで、電極部間の接触と導通を安定させることができる。接触金属層１４は磁性材料層１３の成形時に連続してメッキ工程で形成される。あるいは、接触金属層１４がスパッタ工程などで形成されてもよい。なお、白金族をメッキ工程で形成する場合には、その応力を緩和するバッファー層として磁性材料層１３と接触金属層１４との間に金（Ａｕ）の下地層を形成することが好ましい。
この磁気リードスイッチ１は、Ｙ１方向の外部磁場に敏感に反応しやすくなっている。

図１に示すように、Ｙ１方向に向く外部磁界Ｂは、第１の支持部５ａを形成している磁性材料層１３に引き寄せられ、磁束Φはその磁性材料層１３の内部を通過して、磁気吸引部５ｂから可動電極部７ｂを経て固定電極部６ｂまで導かれる。

磁気吸引部５ｂを形成する磁性材料層１３は、固定電極部６ｂと可動電極部７ｂとの対向範囲Ｗ１よりもＹ２側においてＹ方向に細長く延びており、さらに、磁気吸引部５ｂと可動電極部７ｂとの対向範囲Ｗ２よりもＹ２方向へ長く延びている。第１の固定層５と第２の固定層６をＹ方向に細長く形成することで、磁性材料層１３は、磁気異方性によりＹ方向が磁気容易軸となる。

そのため、磁気吸引部５ｂを形成する磁性材料層１３とさらに第１の支持部５ａを形成する磁性材料層１３が磁気誘導層となり、第１の支持部５ａに引き寄せられた磁束Φが、磁気吸引部５ｂ内を経て、固定電極部６ｂと可動電極部７ｂとの対向範囲Ｗ１まで効果的に導かれる。磁気誘導層としての機能はＹ１方向に向く外部磁界とＹ２方向に向く外部磁界の双方に対して発揮できる。

この磁束Φが可動電極部７ｂと固定電極部６ｂにおいて互いに対向する磁性材料層層１３を通過することにより、可動電極部７ｂの磁性材料層１３と固定電極部６ｂの磁性材料層１３は、その対向部が逆の磁気磁極となり、可動電極部７ｂに固定電極部６ｂに向かう磁気吸引力Ｆが作用する。また、可動電極部７ｂと磁気吸引部５ｂとの対向部においても、それぞれの磁性材料層１３が逆の磁気極性となるため吸引力を発揮し、可動電極部７ｂを固定電極部６ｂに向かわせる磁気吸引力Ｆが増強される。この磁気吸引力Ｆは、対向する磁性材料層１３を通過する前記磁束Φの密度が高いほど強くなる。

このように増強された磁気吸引力Ｆにより、梁部７ａが弾性的に撓み、可動電極部７ｂが固定電極部６ｂに接触する。

基板２には、第１のアンカー層４ａに通じるスルーホールと第２のアンカー層４ｂに通じるスルーホールが形成されて、各スルーホール内に導電性材料が充填されている。前記スルーホール内の導電性材料と第１のアンカー層４ａおよび第２のアンカー層４ｂを介して、第１の固定層５と第２の固定層６が回路に接続されており、可動電極部７ｂと固定電極部６ｂとが接触すると、第１の固定層５と第２の固定層６との間に電流が流れ、スイッチがＯＮとなる。

なお、図１と図３（Ｂ）に示すように、磁気吸引部５ｂと固定電極部６ｂとの対向間隔の最小値よりも、磁気吸引部５ｂと可動電極部７ｂとの対向間隔の最小値の方が小さいことが好ましい。同様に、磁気吸引部５ｂと固定電極部６ｂとの対向間隔の最小値よりも、固定電極部６ｂと可動電極部７ｂとの対向間隔の最小値の方が小さいことが好ましい。これにより、磁気吸引部５ｂ内を通過する磁束Φが固定電極部６ｂよりも可動電極部７ｂに導かれやすくなり、磁束Φが磁気吸引力Ｆに寄与しやすくなる。これはＹ２方向に向く磁束Φが、固定電極部６ｂから可動電極部７ｂに向かうときも同じである。

この磁気リードスイッチ１は、磁気吸引部５ｂならびに第１の支持部５ａを形成する磁性材料層１３が磁気誘導層として機能しているため、Ｙ１方向に向く外部磁界Ｂが、第１の支持部５ａに引き寄せられ、さらに磁気吸引部５ｂに導かれて、可動電極部７ｂを構成する磁性材料層１３と固定電極部６ｂを構成する磁性材料層１３に効果的に与えられる。よって、可動電極部７ｂと固定電極部６ｂに与えられる磁束Φの密度を高くでき、外部磁界Ｂが比較的小さくても動作できるようになり、動作感度を高くできる。また、可動電極部７ｂが固定電極部６ｂと磁気吸引部５ｂの双方に対向しているため、固定電極部６ｂと磁気吸引部５ｂの双方で可動電極部７ｂを動作させるための磁気吸引力Ｆが発揮されるため、動作速度が速くなり動作応答性が良好になる。

図１と図３（Ｂ）に示すように、この磁気リードスイッチ１では、固定電極部６ｂが、可動電極部７ｂとの対向範囲Ｗ１よりもＹ１側に細長く延びており、固定電極部６ｂを形成する磁性材料層１３と第２の支持部６ａを形成する磁性材料層１３も磁気誘導層として機能している。よって、Ｙ２方向に向く磁界も、第２の支持部６ａに引き寄せられ、Ｙ方向に細長く形成された固定電極部６ｂの磁性材料層１３を通過して、可動電極部７ｂに効果的に導かれるようになる。よって、Ｙ２方向に向く磁界に対しても、高い感度で動作できるようになる。

図４ないし図６には、本発明の他の実施の形態の磁気リードスイッチが平面図で示されている。図４ないし図６の実施の形態において、前記第１の実施の形態の磁気リードスイッチ１と同じ機能を発揮する要素には同じ符号を付して、詳しい説明を省略する。

図４に示す本発明の第２の実施の形態の磁気リードスイッチ１Ａは、第１の支持部５ａから梁部７ａが延びて、梁部７ａの先部に可動電極部７ｂが設けられている。第１の支持部５ａと梁部７ａおよび可動電極部７ｂは、磁性材料層１３とで構成されている。第１の支持部５ａは、基板２上においてアンカー層４ａを介して固定されているが、梁部７ａと可動電極部７ｂは、基板２の上で拘束されておらず、自由に動くことができる。

磁気吸引部５ｂは、第１の支持部５ａと分離して形成されており、導電層２０で形成されたアンカー層上に固定されている。第１の支持部５ａと磁気吸引部５ｂと固定電極部６ｂはＹ方向に並んでいる。固定電極部６ｂも磁性材料層１３で形成されており、磁気吸引部５ｂと固定電極部６ｂはＹ方向へ細長く形成されている。そして、可動電極部７ｂが固定電極部６ｂと磁気吸引部５ｂの双方に対向している。

第２の実施の形態の磁気リードスイッチ１Ａは、磁気吸引部５ｂと第１の支持部５ａが、固定電極部６ｂと可動電極部７ｂとの対向範囲Ｗ１よりもＹ２側に位置する磁気誘導層となっているため、Ｙ１方向に向く外部磁界Ｂに対して良好な感度を持つようになる。

Ｙ１方向へ向く外部磁界Ｂは、第１の支持部５ａを構成する磁性材料層１３に引き寄せられ、磁気吸引部５ｂを構成する磁性材料層１３で導かれて、可動電極部７ｂから固定電極部６ｂに与えられる。磁気吸引部５ｂと第１の支持部５ａが磁気誘導層として機能しているため、可動電極部７ｂに導かれる磁束Φの密度を高くでき、外部磁界Ｂが比較的弱くても感度良く動作できるようになる。また、可動電極部７ｂが磁気吸引部５ｂと固定電極部６ｂの双方に対向しているため、磁気吸引力Ｆが大きく、動作速度を速くでき、動作応答性に優れたものとなる。

また、固定電極部６ｂは、前記対向範囲Ｗ１よりもＹ１側に細長く延びているため、固定電極部６ｂを形成する磁性材料層１３が磁気誘導層として機能できるようになる。よって、Ｙ２方向に向かう外部磁界Ｂも、対向範囲Ｗ１の領域に効果的に導かれ、Ｙ２方向に向かう外部磁界Ｂに対してもある程度高い感度を得ることができる。

図５に示す本発明の第３の実施の形態の磁気リードスイッチ１Ｂは、図４に示す磁気リードスイッチ１Ａから磁気吸引部５ｂを除去したものに相当している。

この磁気リードスイッチ１Ｂは、可動電極部７ｂと固定電極部６ｂの対向範囲Ｗ１よりも磁界の上流側であるＹ２側に磁性材料層１３を有する第１の支持部５ａが設けられ、この磁性材料層１３が磁気誘導層として機能している。そのため、Ｙ１方向へ向かう磁束が第１の支持部５ａで引き寄せられて、磁界Ｂが、可動電極部７ｂと固定電極部６ｂとの対向部に効果的に導かれる。

この磁気リードスイッチ１Ｂは、磁気吸引部５ｂが存在していないため、可動電極部７ｂの磁性材料層１３と固定電極部６ｂと磁性材料層１３との対向部の磁極のみによって、可動電極部７ｂに磁気吸引力Ｆが作用する。動作応答性は第１の実施の形態および第２の実施の形態よりもやや劣るので、比較的大きな外部磁界を検知するのに適している。

図６に示す第４の実施の形態の磁気リードスイッチ１Ｃは、図５に示す磁気リードスイッチ１Ｂに設けられているのと同じ第１の支持部５ａが、可動電極部７ｂとＹ方向に並ぶ位置に設けられている。この磁気リードスイッチ１Ｃにおいても、第１の支持部５ａに設けられた磁性材料層１３が磁気誘導層として機能し外部磁界Ｂが引き寄せられて、可動電極部７ｂと固定電極部６ｂとの対向範囲Ｗ１に磁束を効果的に与えることが可能になる。

図５に示す磁気リードスイッチ１Ｂと図６に示す磁気リードスイッチ１Ｃは、いずれも固定電極部６ｂを形成する磁性材料層１３が対向範囲Ｗ１よりもＹ１方向に細長く延びているため、この磁性材料層１３が磁気誘導層として機能し、Ｙ２方向へ向かう外部磁界Ｂにも反応できるようになる。

前記各実施の形態の磁気リードスイッチ１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、基板２上に導電層２０と磁性材料層１３が積層されたほぼ３層構造であるため、薄型で小型に形成することができる。第１の固定層５と第２の固定層６および可動層７を含む領域の面積は、１．５ｍｍ×０．５ｍｍ以下であり、可動電極部７ｂの平面形状は３００μｍ×１００μｍ以下である。また、外部磁界Ｂが作用していないときの可動電極部７ｂと固定電極部６ｂの対向ギャップは、２０μｍ以下である。ただし、これら寸法は一例であり、本発明はこれら寸法のものに限定されるものではない。

次に、本発明の第１の実施の形態の磁気リードスイッチ１の製造方法を図２に基づいて説明する。

図２（Ａ）（Ｃ）（Ｅ）（Ｆ）は、図３Ａと同じ断面図であり、図２（Ｂ）（Ｄ）は、図３（Ｂ）と同じ平面図である。

図２（Ａ）（Ｂ）では、基板２の表面に、導電層２０を構成する密着層２１とメッキ下地層２２をスパッタ工程やＣＶＤ工程などで積層する。

図２（Ｃ）（Ｄ）では、メッキ下地層２２の上にレジスト樹脂が塗工され、露光現像工程により、メッキ下地層２２上にレジスト層２５が部分的に形成される。図２（Ｄ）に示すように、レジスト層２５は、第１の固定層５と第２の固定層６および可動層７を形成する領域を除いて、これら各領域の外側に形成される。さらに、可動電極部７ｂを形成する領域の中央部にもレジスト層２５が残される。

図２（Ｅ）では、レジスト層２５が形成されていない領域で、メッキ下地層２２を電極として、その上に電界メッキ工程で磁性材料層１３が形成される。磁性材料層１３の材質は、ＮｉＦｅ合金などである。

図２（Ｆ）ではレジスト層２５が除去される。その結果、メッキ下地層２２の上に、磁性材料層１３によって第１の固定層５と第２の固定層６および可動層７の形状が形成される。図２（Ｄ）において、可動電極部７ｂが形成される領域の中央部にレジスト層２５が部分的に形成されているため、図３（Ｂ）に示すように、磁性材料層１３では、可動電極部７ｂとなる部分の中央部に開口部７ｃが形成される。

図２（Ｆ）の状態のものをウエットエッチング工程に移行し、銅層であるメッキ下地層２２とＣｕＮｉ膜である密着層２１を選択的にエッチングする。このエッチング工程のエッチャントには過硫酸アンモニウムなどが使用される。メッキ下地層２２と密着層２１はエッチングレートがほぼ等しいため、ほぼ同時に除去されていく。メッキ下地層２２と密着層２１は、最初に磁性材料層１３で覆われていない領域で除去され、エッチングが進むにつれて、磁性材料層１３と基板２との間においても除去されていく。

可動層７の梁部７ａは幅寸法が小さいために、梁部７ａと基板２との間のメッキ下地層２２と密着層２１は除去される。可動電極部７ｂにおいても中央に開口部７が形成されてＸ方向の幅寸法が実質的に小さいため、可動電極部７ｂと基板２との間のメッキ下地層２２と密着層２１も除去される。ただし、図３（Ｂ）に示すように、第１の支持部５ａおよび磁気吸引部５ｂと、第２の支持部６ａおよび固定電極部６ｂはＸ方向の幅寸法が大きいため、その下側にメッキ下地層２２と密着層２１が残され、これが第１のアンカー層４ａおよび第２のアンカー層４ｂとなる。

以上の製造工程では、電界メッキによって、第１の支持部５ａと磁気吸引部５ｂ、第２の支持部６ａと固定電極部６ｂ、および梁部７ａと可動電極部７ｂを同時に形成することができる。

また、第１の支持部５ａと磁気吸引部５ｂのＸ方向の幅寸法よりも、梁部７ａと可動電極部７ｂのＸ方向の幅寸法を実質的に小さくし、第２の支持部６ａと固定電極部６ｂのＸ方向の幅寸法よりも、梁部７ａと可動電極部７ｂのＸ方向の幅寸法を実質的に小さくすることによって、同じエッチング工程において、梁部７ａおよび可動電極部７ｂと基板２との間の導電層２０を除去し、第１の支持部５ａと磁気吸引部５ｂの下に第１のアンカー層４ａを形成し、第２の支持部６ａと固定電極部６ｂの下に第２のアンカー部４ｂを形成することが可能になる。

さらに、図３（Ａ）（Ｂ）のように、磁性材料層１３で、第１の固定層５と第２の固定層６および可動層７が形成された後に、固定電極部６ｂの少なくとも可動電極部７ｂに対向する対向側面と、可動電極部７ｂの少なくとも固定電極部６ｂに対向する対向側面に、前記接触金属層を形成する。

１，１Ａ，１Ｂ 磁気リードスイッチ
２ 基板
４ａ 第１のアンカー層
４ｂ 第２のアンカー層
５ 第１の固定層
５ａ 第１の支持部
５ｂ 磁気吸引部
６ 第２の固定層
６ａ 第２の支持部
６ｂ 固定電極部
７ 可動層
７ａ 梁部
７ｂ 可動電極部
１３ 磁性材料層
２０ 導電層
２１ 密着層
２２ メッキ下地層
２５ レジスト層

Claims (7)

1. 支持部と、前記支持部から延びる梁部と、前記梁部の先部に設けられた可動電極部と、前記可動電極部に対向する固定電極部とを有する磁気リードスイッチの製造方法において、
   （１）基板の表面に導電層を形成する工程と、
   （２）前記導電層の表面に、前記支持部と前記梁部と前記可動電極部および前記固定電極部となる磁性材料層を形成する工程と、
   （３）前記導電層をエッチング処理で除去する工程と、を有しており、
   前記（２）の工程では、同じ方向での幅寸法が、前記支持部および前記固定電極部よりも前記梁部および前記可動電極部が小さくなるように形成し、
   前記（３）の工程では、前記梁部および前記可動電極部と前記基板との間の前記導電層を除去して、前記梁部と前記可動電極部を前記基板上で動けるようにし、前記支持部および前記固定電極部と前記基板との間では、前記導電層を一部残して、前記支持部を前記基板に固定する第１のアンカー層と、前記固定電極部を前記基板に固定する第２のアンカー層とを形成することを特徴とする磁気リードスイッチの製造方法。
2. 前記（２）の工程では、前記導電層の上にレジスト層を形成し、レジスト層で覆われていない領域に電界メッキを施して前記磁性材料層を形成する請求項１記載の磁気リードスイッチの製造方法。
3. 前記（３）の工程では、前記レジスト層を除去した後に、前記エッチング処理を行う請求項２記載の磁気リードスイッチの製造方法。
4. 前記（２）の工程では、前記可動電極部となる前記磁性材料層に開口部を形成する請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気リードスイッチの製造方法。
5. 前記導電層は、前記基板の表面に形成された密着層を有する多層構造である請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気リードスイッチの製造方法。
6. 前記（３）の後の工程で、前記固定電極部の少なくとも前記可動電極部に対向する表面と、前記可動電極部の少なくとも前記固定電極部に対向する表面に、接触金属層を形成する請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気リードスイッチの製造方法。
7. 前記基板に複数のスルーホールを形成し、それぞれの前記スルーホールの内部に形成された導電性材料を前記第１のアンカー部と前記第２のアンカー部に個別に導通させる請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気リードスイッチの製造方法。

Images