JP5178721B2 - 成形されたフローティングゲートを持つ不揮発性メモリ - Google Patents
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Description
本発明の様々な様態を含むメモリシステム100の一例を、図1のブロック図に示す。個別にアドレス可能な多くのメモリセルが、行と列の規則的なアレイ110内に配列されている。しかしながら、他の物理的なセル配列ももちろん可能である。本明細書ではセルのアレイ110の列に沿って延びるように設計されているビット線は、線150を介して、ビット線デコーダと駆動回路130に電気的に接続している。本明細書ではセルのアレイ110の行に沿って延びるように設計されているワード線は、線170を介して、ワード線デコーダと駆動回路190に電気的に接続している。デコーダ130と190の夫々が、メモリコントローラ180からバス160を介して、メモリセルアドレスを受ける。デコーダと駆動回路もまた、夫々制御信号線135とステータス信号線195によってコントローラ180に接続されている。
図4に、製造の初期段階における図2の不揮発性メモリアレイのx方向での断面図を示す。図4の断面図は、図2のI−I線で示されている。図4では、ゲート誘電体層405が基板407上を延びており、第1の導電層409がゲート誘電体層405上を延びている。一般的には、ゲート誘電体層405は、基板407のシリコン表面を酸化することによって成長した二酸化シリコンで形成される。ついで、第1の導電層409を、化学的気相成長法(CVD)または他の方法によってポリシリコンで形成する。誘電体(この例では窒化シリコン)のマスク層411が、第1の導電層409上に延びている。別の実施形態では、このマスク層は、ドーピングされたポリシリコンなどの1つ以上の導電体で形成することができる。ゲート誘電体405、第1の導電層409およびマスク層411はすべて、基板407全体に及ぶ全体層として形成される。レジスト部分413a〜413cが、マスク層411上に位置している。レジスト部分413a〜413cは、露光技術で設定されたパターンにしたがって形成される。この場合、レジスト部分413a〜413cのx方向の寸法は、これらを形成するために用いられる露光プロセスの最小特徴物サイズ(F)に等しい。レジスト部分413a〜413cはまた、Fに等しい距離だけx方向に互いに隔てられている。レジスト部分のx方向寸法がFより大きかったり、レジストスリミング技術や他の技術を用いて、Fよりも小さくなるような例もある。レジスト部分413a〜413cは、y方向(図4に対して直交する)に延びている。レジスト部分413a〜413cで設定されたパターンを用いて、マスク層411をパターニングしてマスク部分とし、次にこれをエッチングマスクとして用いてSTI構造を形成する。
図11は、本発明の別の実施形態についての隣り合う3つの行1141a〜1141cのフローティングゲートの配列を示す。フローティングゲートは全て、上述したようにL字形状である。しかしながら、ある行のフローティングゲートは、隣の行のフローティングゲートと逆向きである。行1141bのフローティングゲートは、L向きを有しており、隣の行1141aと1141cのフローティングゲートは逆L向きを有しているとみなすことができる。この配置によって、異なる行のフローティングゲート同士の上部部分間の結合が減少する。隣同士の行の対向するフローティングゲートは向きが互いに逆であり、直接的には上部部分が互いに対面しない。たとえば、上部部分1143aと1143bは互いに直接的に対面しない。これによって、フローティングゲートのこのような部分間の容量性結合が減少する。この配置では、フローティングゲートの向きがある行と次の行で互い違いになっており、特定の行のフローティングゲートがすべて同じ向きである。したがって、たとえば偶数番号の行のフローティングゲートが第1の向きであり、奇数番号の行のフローティングゲートが逆の向きである。このような配置は、L時形状のフローティングゲートに限られるものではなく、x方向に沿った断面がいずれかの非対照形状を有するフローティングゲートに適用してもよい。たとえば、フローティングゲートが、x方向に沿った断面において三角形形状を有することもある。図11に示すような配置を持ったフローティングゲートは、上記した図10と類似の方法で形成されるが、L字の断面形状を形成するために導電部分をエッチングするために用いられるパターンには幾分かの相違がある。
図14は、本発明の別の実施形態におけるフローティングゲートの別の配置を示す。上記した場合と同様に、フローティングゲートは、x方向に沿った断面においてL字形状である。行1461bの1つのフローティングゲートの向きは、両隣の行1461aと1461cの対向するフローティングゲートの向きと反対である。しかしながら、前の例とは違って、ここでは、行1461bなどの行に沿ったフローティングゲートの向きが互い違いになっている。したがって、ある行に沿ったフローティングゲートは、互い違いに第1の向き(L向き)を有している。その行に沿った残りのフローティングゲートは、互い違いに第2の向き(逆L向き)を有している。
Claims (19)
- 第1の方向に沿って直列に接続されているとともに、各々がフローティングゲートを有する複数のメモリセルを形成する工程と、
複数のメモリセルのうちのフローティングゲートを、第1の方向に直交する平面における断面がL字形状となるように成形する工程と、
複数のワード線を形成する工程であって、前記複数のワード線が前記第1の方向と直交する第2の方向に延びており、前記複数のワード線のうちの1つのワード線に沿ってメモリセルが行を形成しており、前記行に沿った第1の交互するフローティングゲートが前記第2の方向に沿った断面において第1の向きを有しており、前記行に沿った第2の交互するフローティングゲートが前記第2の方向に沿った断面において第2の向きを有するように前記複数のワード線を形成する工程と、
を含むNANDフラッシュメモリを形成する方法。 - 前記フローティングゲートのうちの第1の交互するフローティングゲートが、前記第1の方向と直交する第2の方向に沿った断面においてL字形状をしており、
前記フローティングゲートのうちの第2の交互するフローティングゲートが、前記第2の方向に沿った断面において逆L字形状をしている請求項1に記載の方法。 - 前記L字形状を成形する工程において、あるパターンにしたがって導電性のフローティングゲート材料を除去し、
その導電性フローティングゲート材料は、フローティングゲート材料の厚み全体よりも薄い深さまで除去される請求項1又は2に記載の方法。 - フローティングゲートを、ポリシリコン層を堆積することによって形成し、
次いで、そのポリシリコン層を導電部分に分割する複数の浅い溝隔離構造を形成し、
次いで、その導電部分を、チェッカーボードパターンに従ってエッチングし、
次いで、その導電部分を、個々のフローティングゲートに分割する請求項1又は2に記載の方法。 - 前記導電部分の上に誘電体層を形成することと、その誘電体層の上に制御ゲート層を形成することをさらに有しており、
制御ゲート層は、あるパターンにしたがって複数のワード線に成形され、
前記導電部分も、そのパターンに従って個々のフローティングゲートに分割される請求項4に記載の方法。 - フローティングゲートは、第1の方向に沿って、第1の向きと第2の向きが交互に出現する請求項1に記載の方法。
- 基板の表面に延在する第1の導電層を形成する工程と、
第1の方向に延在しているとともに、第1の方向と直交する第2の方向において分離している複数の浅い溝隔離構造を形成し、前記複数の浅い溝隔離構造が、前記第1の導電層内を前記基板にまで延びることによって、前記第1の導電層を複数の第1の導電部分に分割する工程と、
複数の第2の導電部分を前記複数の第1の導電部分の上に設け、個々の第2の導電部分は、前記複数の浅い溝隔離構造のうちの隣り合う溝隔離構造によって前記第2の方向に画定される、複数の第2の導電部分を形成する工程と、
前記複数の第2の導電部分を部分的にエッチングすることによって狭い第2の導電部分を形成する工程であって、前記狭い第2の導電部分は前記第1の導電部分よりも前記第2の方向において狭く、狭い第2の導電部分は浅い溝隔離構造によって一方の側に画定される工程と、を含み、
前記複数の第2の導電部分が、チェッカーボードパターンによって部分的にエッチングされるフラッシュメモリアレイを形成する方法。 - さらに、前記複数の第1の導電部分とその上層に設けられている狭い第2の導電部分とを、前記第1の方向に直交する平面に沿った断面において、非対称性の形状を有する複数のフローティングゲートに切り離す工程を有する請求項7に記載の方法。
- 前記複数の第2の導電部分の上層に誘電体層を形成する工程と、その誘電体層の上層に導電性の制御ゲート層を形成する工程とをさらに有しており、
前記導電性制御ゲート層は、前記複数の第1の導電部分とその上層に設けられている狭い第2の導電部分とを前記複数のフローティングゲートに分離することと同じステップで個々のワード線に切り離される請求項8に記載の方法。 - 前記複数のフローティングゲートが、前記第1の方向に沿って、第1の向きと第2の向きが交互に出現する非対称性の形状である請求項8又は9に記載の方法。
- 前記複数のフローティングゲートが、前記第2の方向に沿って、第1の向きと第2の向きが交互に出現する非対称性の形状である請求項8又は9に記載の方法。
- 前記複数のフローティングゲートが、前記第1の方向に沿って、第1の向きと第2の向きが交互に出現する非対称性の形状であり、また、前記第2の方向に沿って、第1の向きと第2の向きが交互に出現する非対称性の形状である請求項8又は9に記載の方法。
- 複数のメモリセルストリングと、
第1の方向に沿って直列に接続された複数のメモリセルを有する個々のメモリセルストリングと、
前記第1の方向に直交する平面に沿った断面においてL字形状であるフローティングゲートを有する前記複数のセルのうちの個々のセルと、を備えており、
複数のワード線が、前記第1の方向と直交する第2の方向に延びており、
前記複数のワード線のうちの1つのワード線で接続されたメモリセルが、行を形成しており、
前記行に沿った第1の交互するフローティングゲートが、前記第2の方向に沿った断面において第1の向きを有しており、
前記行に沿った第2の交互するフローティングゲートが、前記第2の方向に沿った断面において第2の向きを有しているNANDフラッシュメモリ。 - 前記フローティングゲートは、前記第1の方向における寸法と、前記第1の方向に直交する第2の方向おける寸法が同一であり、
前記寸法は、個々のセルを形成するために用いられる光露光プロセスの最小特徴物サイズに等しい請求項13に記載のNANDフラッシュメモリ。 - 第1の交互するフローティングゲートが、前記第2の方向に沿った断面においてL字形状をしており、
第2の交互するフローティングゲートが、前記第2の方向に沿った断面において逆L字形状をしている請求項13に記載のNANDフラッシュメモリ。 - 前記個々のストリングに沿ったフローティングゲートの向きが、前記第2の方向に沿った断面において交互になっている請求項13から15のいずれか一項に記載のNANDフラッシュメモリ。
- 前記フローティングゲートが、前記第1の方向と直交する第2の方向において第1の寸法である下方部分と、前記第2の方向おいて第2の寸法である上方部分を備えており、
前記第1寸法が、前記フローティングゲートを形成するために用いられる光露光プロセスの最小特徴物サイズに等しく、
前記第2の寸法が、前記第1の寸法よりも小さい請求項13から16のいずれか一項に記載のNANDフラッシュメモリ。 - 前記第2の寸法が、前記第1の寸法の半分である請求項17に記載のNANDフラッシュメモリ。
- 前記第2の寸法が、前記第1の寸法の半分未満であり、導電層の堆積によって決定され、パターン整合とは無関係である請求項17に記載のNANDフラッシュメモリ。
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