JP5175168B2 - 電流サンプリング方法と回路 - Google Patents
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- 238000005070 sampling Methods 0.000 title claims description 146
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 107
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 11
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 101100328957 Caenorhabditis elegans clk-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 101100113692 Caenorhabditis elegans clk-2 gene Proteins 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/02—Sample-and-hold arrangements
- G11C27/024—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element
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Description
トランジスタT1はキャパシタC1とC2の総電圧に基づいて、サンプリング後の電流を出力端に提供する。
10 電流源
S4’ スイッチ
S1〜S8 第一〜第八スイッチ
Clk1〜clk10 クロック信号
S、Sa、Sb サンプリング期間
R1 リセット期間
H 維持期間
PR プレチャージ期間
C1、Cd、C1a、C1b、C2、C2a、C2b キャパシタ
Claims (10)
- 電流サンプリング回路と、サンプリング電流の電流出力端を有するセンサーと、からなり、
前記電流サンプリング回路は、
電流サンプリングトランジスタと、
前記電流サンプリングトランジスタのゲートとソース間に位置し、サンプリングされる電流に対応するゲート−ソース電圧を保存するキャパシタ装置と、
前記電流サンプリング回路トランジスタのゲートとソース間にフィードバックループを提供する増幅器と、
前記キャパシタ装置上でサンプリングされる電流に対応するゲート−ソース電圧をサンプリングするように前記回路を制御するスイッチ装置と、
からなり、
前記キャパシタ装置は、第一サンプリング期間でゲートソース電圧をサンプリングする第一キャパシタ回路と、第二キャパシタ回路と、からなり、第二サンプリング期間で、前記第一、第二キャパシタ回路は、前記ゲートソース電圧をサンプリングするように配置され、
前記スイッチ装置は前記第一サンプリング期間のサンプリング結果に基づいて、前記第一、及び、前記第二サンプリング期間で、前記増幅器の操作点をシフトすることを特徴とするセンサー回路。 - 前記スイッチ装置は、前記第一サンプリング期間で、前記増幅器の出力端と前記電流サンプリングトランジスタのゲートを接続する第一増幅出力スイッチと、前記第二サンプリング期間で、前記増幅器の出力端を前記第一、及び、前記第二キャパシタ回路の間の接点に結合する第二増幅出力スイッチと、を有し、前記スイッチ装置は、前記第一、及び、前記第二サンプリング期間中にリセット期間を提供し、前記増幅器の入力端と出力端を接続することを特徴とする請求項1に記載のセンサー回路。
- 前記スイッチ装置は、前記電流サンプリングトランジスタを電流源に接続するサンプリングスイッチと、前記電流サンプリングトランジスタを前記回路の出力端に接続する出力スイッチと、を有することを特徴とする請求項1に記載のセンサー回路。
- 前記第一、及び、第二キャパシタ回路は、直列の第一、第二キャパシタを有し、前記スイッチ装置は、前記第一、及び、前記第二キャパシタ間の接点を参考電位に接続するスイッチを含むことを特徴とする請求項1に記載のセンサー回路。
- センサー回路であって、電流サンプリング回路と、サンプリング電流の電流出力端を有するセンサーと、からなり、前記電流サンプリング回路は、
電流サンプリングトランジスタと、
前記電流サンプリングトランジスタのゲートとソース間に位置し、サンプリングされる電流に対応するゲート−ソース電圧を保存するキャパシタ装置と、
前記電流サンプリング回路トランジスタのゲートとソース間にフィードバックループを提供する増幅器と、
前記キャパシタ装置上でサンプリングされる電流に対応するゲート−ソース電圧をサンプリングするように前記回路を制御するスイッチ装置と、
からなり、
前記キャパシタ装置は、直列された第一、第二キャパシタを有し、前記スイッチ装置は、前記第一と第二キャパシタ間の接点を参考電位に接続するスイッチを含むことを特徴とするセンサー回路。 - 信号検出方法であって、
センサーにより、検出機能を実行し、出力電流を生成する工程と、
第一サンプリング期間で、
増幅器により電流サンプリングトランジスタのソース電圧を増幅し、増幅電圧をゲートに提供する工程と、
第一キャパシタ回路上でサンプリングされる電流に対応する前記ゲートソース電圧をサンプリングする工程と、
サンプリングされたゲートソース電圧により、前記増幅器の操作点をシフトする工程と、
第二サンプリング期間で、
前記増幅器により、前記電流サンプリングトランジスタのソース電圧を増幅し、増幅電圧を前記ゲートに提供する工程と、
前記第一キャパシタ回路、及び、第二キャパシタ回路からなるキャパシタ上でサンプリングされる電流に対応する前記ゲートソース電圧をサンプリングする工程と、
からなることを特徴とする信号検出方法。 - 前記第一サンプリング期間で、
前記電流サンプリングトランジスタのソースとゲート間で、前記第一キャパシタ回路を接続する工程と、
前記増幅器の出力端と前記電流サンプリングトランジスタのゲートを接続する工程と、
前記第二サンプリング期間で、
前記電流サンプリングトランジスタのソースとゲート間で、前記第一、及び、第二キャパシタ回路を接続する工程と、
前記増幅器の出力端と前記第一、第二キャパシタ回路間の接点を接続する工程と、
からなることを特徴とする請求項6に記載の信号検出方法。 - 更に、前記第一、及び、第二サンプリング期間中に、リセット期間を提供し、前記増幅器の入力端と出力端を接続する工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の信号検出方法。
- サンプリング期間で、前記電流サンプリングトランジスタと電流源を接続し、維持期間で、前記回路の出力端を接続し、前記第一、及び、第二キャパシタ回路は、直列された第一、及び、第二キャパシタを有し、前記方法は、更に、前記サンプリング期間で、前記第一、及び、第二キャパシタ間の接点を参考電位に接続する工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の信号検出方法。
- 信号検出方法であって、
センサーにより、検出機能を実行し、出力電流を生成する工程と、
サンプリング期間で、
増幅器により電流サンプリングトランジスタのソース電圧を増幅し、増幅電圧をゲートに提供する工程と、
直列された第一、及び、第二キャパシタを有するキャパシタ回路上でサンプリングされる電流に対応するゲートソース電圧をサンプリングし、前記サンプリング期間で、前記第一、及び、第二キャパシタ間の接点を参考電位に接続する工程と、
維持期間で、
前記増幅電流を出力端に提供し、前記第一、及び、第二キャパシタ間の接点と前記参考電位から隔離する工程と、
からなることを特徴とする信号検出方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US1660207P | 2007-12-26 | 2007-12-26 | |
US61/016,602 | 2007-12-26 | ||
EP08164529.3 | 2008-09-17 | ||
EP08164529.3A EP2075909A3 (en) | 2007-12-26 | 2008-09-17 | Current sampling method and circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009159610A JP2009159610A (ja) | 2009-07-16 |
JP5175168B2 true JP5175168B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=40547963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008331367A Expired - Fee Related JP5175168B2 (ja) | 2007-12-26 | 2008-12-25 | 電流サンプリング方法と回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7791380B2 (ja) |
EP (1) | EP2075909A3 (ja) |
JP (1) | JP5175168B2 (ja) |
CN (1) | CN101470138B (ja) |
TW (1) | TWI380031B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101008482B1 (ko) * | 2009-04-17 | 2011-01-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 |
US8405407B2 (en) * | 2009-06-05 | 2013-03-26 | Chimei Innolux Corporation | Current measurement circuit and measuring method thereof including a binary weighted capacitor array |
WO2011036529A2 (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | Arctic Silicon Devices, As | Input configuration for analog to digital converter |
KR101074811B1 (ko) * | 2010-01-05 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 화소 회로, 유기전계발광 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
CN102376275B (zh) * | 2010-08-06 | 2013-09-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd驱动电路及液晶显示装置 |
CN102650892B (zh) * | 2011-02-25 | 2016-01-13 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 参考电压稳定装置及相关的电压稳定方法 |
CN102854368A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-02 | 杭州炬华科技股份有限公司 | 一种抗外界磁场干扰的锰铜电流采样器件 |
CN103354081B (zh) * | 2013-07-11 | 2016-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素驱动电流提取装置及像素驱动电流提取方法 |
EP2843425B1 (en) * | 2013-08-27 | 2018-11-21 | Nxp B.V. | Current measuring circuit |
CN104166034B (zh) * | 2014-08-12 | 2017-11-14 | 成都信息工程学院 | 一种高精度差分采样电路 |
CN105375740B (zh) | 2014-09-01 | 2018-01-30 | 台达电子工业股份有限公司 | 功率转换电路 |
EP3309645B1 (en) * | 2016-08-16 | 2019-11-20 | Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. | I-v conversion module |
WO2019119176A1 (zh) | 2017-12-18 | 2019-06-27 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 一种电流采样保持电路及传感器 |
US11088680B2 (en) * | 2019-07-19 | 2021-08-10 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Method and apparatus for eliminating crosstalk effects in high switching-speed power modules |
US11682961B2 (en) * | 2020-03-02 | 2023-06-20 | Texas Instruments Incorporated | Current regulator system |
US11217281B2 (en) * | 2020-03-12 | 2022-01-04 | Ememory Technology Inc. | Differential sensing device with wide sensing margin |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5227676A (en) * | 1991-09-16 | 1993-07-13 | International Business Machines Corporation | Current mode sample-and-hold circuit |
GB9301463D0 (en) * | 1993-01-26 | 1993-03-17 | Philips Electronics Uk Ltd | Current memory |
GB9517787D0 (en) * | 1995-08-31 | 1995-11-01 | Philips Electronics Uk Ltd | Current memory |
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US5760616A (en) * | 1995-09-05 | 1998-06-02 | Lucent Technologies, Inc. | Current copiers with improved accuracy |
GB9614271D0 (en) * | 1996-07-06 | 1996-09-04 | Philips Electronics Nv | Current memory |
JP4251811B2 (ja) | 2002-02-07 | 2009-04-08 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 相関二重サンプリング回路とこの相関二重サンプリング回路を備えたcmosイメージセンサ |
DE10220577C1 (de) * | 2002-05-08 | 2003-09-25 | Infineon Technologies Ag | Abtast-Halte-Vorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Abtast-Halte-Vorrichtung |
JP3971343B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2007-09-05 | 統寶光電股▲ふん▼有限公司 | 臨界電圧補償可能なソースホロワ |
TWI371023B (en) * | 2006-10-10 | 2012-08-21 | Chimei Innolux Corp | Analogue buffer, compensating operation method thereof, and display therewith |
TWI332324B (en) * | 2006-12-06 | 2010-10-21 | Realtek Semiconductor Corp | Track and hold circuit |
-
2008
- 2008-09-17 EP EP08164529.3A patent/EP2075909A3/en not_active Withdrawn
- 2008-12-17 US US12/337,149 patent/US7791380B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-25 JP JP2008331367A patent/JP5175168B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-25 TW TW097150602A patent/TWI380031B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-12-26 CN CN2008101880126A patent/CN101470138B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009159610A (ja) | 2009-07-16 |
US7791380B2 (en) | 2010-09-07 |
EP2075909A2 (en) | 2009-07-01 |
TW200928379A (en) | 2009-07-01 |
TWI380031B (en) | 2012-12-21 |
EP2075909A3 (en) | 2016-10-12 |
US20090167364A1 (en) | 2009-07-02 |
CN101470138B (zh) | 2013-02-20 |
CN101470138A (zh) | 2009-07-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120807 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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