JP5173929B2 - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5173929B2 JP5173929B2 JP2009117609A JP2009117609A JP5173929B2 JP 5173929 B2 JP5173929 B2 JP 5173929B2 JP 2009117609 A JP2009117609 A JP 2009117609A JP 2009117609 A JP2009117609 A JP 2009117609A JP 5173929 B2 JP5173929 B2 JP 5173929B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon nanotube
- film transistor
- thin film
- source electrode
- metallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 65
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 122
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 69
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 67
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 229910021404 metallic carbon Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 claims description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 description 4
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
- H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
- Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/762—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/936—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application in a transistor or 3-terminal device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、薄膜トランジスタに関し、特にカーボンナノチューブを含む薄膜トランジスタに関するものである。
薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）は、パネル表示装置に広く応用される。従来の薄膜トランジスタは、主に、ゲート電極、絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、分離して設置され、前記半導体層と電気的に接続される。前記ゲート電極は、前記絶縁層に設置され、該絶縁層により前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と分離して絶縁する。前記半導体層の、前記ソース電極とドレイン電極との間に位置される領域には、チャンネル領域が形成される。
前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極及びドレイン電極は、導電材料からなる。該導電材料は、金属又は合金である。前記ゲート電極に電圧を印加すると、前記絶縁層により該ゲート電極と分離して設置された前記半導体層におけるチャンネル領域で、キャリヤーが蓄積することができる。該キャリヤーが所定の程度に蓄積する場合、前記半導体層に電気的に接続される前記ソース電極及び前記ドレイン電極が電気的に接続されるので、前記ソース電極から前記ドレイン電極に流れる電流がある。
従来技術として、薄膜トランジスタは、半導体層の材料がアモルファスシリコン、多結晶シリコン又は有機半導体重合体であり、絶縁層の材料が窒化珪素などの絶縁材料であり、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極が導電金属層である（非特許文献１を参照）。
"Ｎｅｗ ｃｈａｌｌｅｎｇｅｓ ｉｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｒｅｓｅａｒｃｈ"、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｏｌｉｄｓ、２００２年、第２９９−３０２巻、第１３０４〜１３１０頁
しかし、導電金属層のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極は機械強度が良くなく、靭性を有する薄膜トランジスタに応用される場合、前記導電金属層は基板が曲がることにより落ち、壊れやすいので、前記薄膜トランジスタは、耐用性が良くなく、寿命が短いという欠点がある。また、導電金属層のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極は耐熱性が良くないので、前記薄膜トランジスタは、壊れやすいという欠点がある。
従って、本発明は、大きなキャリヤーの移動度を有し、速い応答速度を有し、高い強靭性及び耐熱性を有する薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
薄膜トランジスタは、ソース電極と、前記ソース電極と分離して設置されるドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に電気的に接続される半導体層と、絶縁層と、前記絶縁層により、前記半導体層と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置されるゲート電極と、を含む。前記ソース電極、前記ドレイン電極及びゲート電極の少なくとも一つは金属性のカーボンナノチューブ構造体を含む。
前記金属性のカーボンナノチューブ構造体は、少なくとも一枚の金属性のカーボンナノチューブフィルム又は少なくとも一つの金属性のカーボンナノチューブワイヤを含む。
前記金属性のカーボンナノチューブフィルムは、同じ方向に沿って配列され、金属性を有する複数のカーボンナノチューブを含む。
前記金属性のカーボンナノチューブフィルムは、絡み合って、金属性を有する複数のカーボンナノチューブを含む。
前記金属性のカーボンナノチューブフィルムは、所定の方向に沿って配列されているか、または、異なる複数の方向に沿って配列され、金属性を有する複数のカーボンナノチューブを含む。
前記金属性のカーボンナノチューブワイヤは、束状構造又はねじれたワイヤ構造である。
従来の薄膜トランジスタと比べると、本発明の薄膜トランジスタにおいて、金属性を有するカーボンナノチューブが優れた力学性能を有するので、該金属性を有するカーボンナノチューブからなる金属性のカーボンナノチューブ構造体は、優れた靭性と機械強度を有する。従って、金属性のカーボンナノチューブ構造体からなる前記ソース電極、前記ドレイン電極及び／又は前記ゲート電極を採用した薄膜トランジスタは、優れた靭性及び耐用性を有する。
前記金属性のカーボンナノチューブ構造体におけるカーボンナノチューブが高温で影響を受けないので、該カーボンナノチューブ構造体からなる前記ソース電極、前記ドレイン電極及び／又は前記ゲート電極は、高温で正常に作動することができる。従って、前記薄膜トランジスタは、優れた耐熱性を有する。
前記金属性のカーボンナノチューブ構造体におけるカーボンナノチューブが優れた導電性を有し、該金属性のカーボンナノチューブ構造体に均一的に配列されるので、該カーボンナノチューブ構造体からなる前記ソース電極、前記ドレイン電極及び／又は前記ゲート電極は、均一な抵抗及び優れた導電性を有する。
前記金属性を有するカーボンナノチューブが大きな熱伝導率を有するので、前記薄膜トランジスタの作動において発生する熱量を放出することができる。従って、前記薄膜トランジスタを、大規模集積回路に応用する場合の放熱の問題を解決することができる。
前記半導体層が半導体性のカーボンナノチューブ構造体を採用する場合、該カーボンナノチューブ構造体において、半導体性を有する複数のカーボンナノチューブを含むので、前記薄膜トランジスタは、大きなキャリヤーの移動度を有し、該薄膜トランジスタの応答速度は、速くなる。更に、前記半導体層の材料と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の材料とが同じであるので、前記半導体層と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間の接触抵抗が小さくなる。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
図１を参照すると、本発明の実施例１は、薄膜トランジスタ１０を提供する。該薄膜トランジスタ１０は、トップゲート型(Ｔｏｐ Ｇａｔｅ Ｔｙｐｅ)薄膜トランジスタであり、絶縁基板１１０の一つの表面に形成される。該薄膜トランジスタ１０は、ゲート電極１２０、絶縁層１３０、半導体層１４０、ソース電極１５１及びドレイン電極１５２を含む。
図１を参照すると、本発明の実施例１は、薄膜トランジスタ１０を提供する。該薄膜トランジスタ１０は、トップゲート型(Ｔｏｐ Ｇａｔｅ Ｔｙｐｅ)薄膜トランジスタであり、絶縁基板１１０の一つの表面に形成される。該薄膜トランジスタ１０は、ゲート電極１２０、絶縁層１３０、半導体層１４０、ソース電極１５１及びドレイン電極１５２を含む。
前記半導体層１４０は、前記絶縁基板１１０の表面に設置され、前記ソース電極１５１及び前記ドレイン電極１５２は、それぞれ前記半導体層１４０の表面に分離して設置され、該半導体層１４０に電気的に接続されている。前記絶縁層１３０は、前記半導体層１４０の表面に設置されている。前記ゲート電極１２０は、前記絶縁層１３０の表面に設置されている。該絶縁層１３０により、前記ゲート電極１２０を、前記半導体層１４０、前記ソース電極１５１及び前記ドレイン電極１５２と絶縁状態に設置する。前記半導体層１４０の、前記ソース電極１５１とドレイン電極１５２との間に位置される領域に、チャンネル１５６が形成される。
前記ソース電極１５１と前記ドレイン電極１５２は、前記半導体層１４０の、前記絶縁基板１１０に隣接する表面の反対側に分離して設置され、前記絶縁層１３０と前記半導体層１４０との間に位置される。この場合、前記ソース電極１５１、前記ドレイン電極１５２及び前記ゲート電極１２０は、前記半導体層１４０の同一側に位置され、コープレーナー型（Ｃｏｐｌａｎａｒ Ｔｙｐｅ）薄膜トランジスタ１０を形成する。或いは、前記ソース電極１５１と前記ドレイン電極１５２は、それぞれ前記絶縁基板１１０及び前記半導体層１４０の間に分離して設置される。この場合、前記ソース電極１５１及び前記ドレイン電極１５２と、前記ゲート電極１２０とは、前記半導体層１４０の異なる側に位置され、スタガード型（Ｓｔａｇｇｅｒｅｄ Ｔｙｐｅ）薄膜トランジスタ１０を形成する。前記ソース電極１５１と前記ドレイン電極１５２は、位置が制限されず、該ソース電極１５１と該ドレイン電極１５２が分離して設置し、前記半導体層１４０と電気的に接続することができる。例えば、前記ソース電極１５１と前記ドレイン電極１５２は前記半導体層１４０と同じ平面に設置されることができる。
前記絶縁基板１１０の材料は、例えば、シリコン、石英、セラミック、ガラス及びダイヤモンドなどの硬性材料又は例えば、プラスチック及び樹脂などの柔らかな材料である。本実施例において、前記絶縁基板１１０の材料は、ガラスであることが好ましい。該絶縁基板１１０は、前記薄膜トランジスタ１０を支持することに用いられる。
前記半導体層１４０の材料は、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、有機半導体重合体又は半導体性のカーボンナノチューブ構造体などである。好ましくは、前記半導体層１４０は半導体性のカーボンナノチューブ構造体である。該半導体性のカーボンナノチューブ構造体は、複数の単層カーボンナノチューブ又は複数の二層カーボンナノチューブを含む。前記単層カーボンナノチューブの直径は、０．５ナノメートル〜５０ナノメートルであり、前記二層カーボンナノチューブの直径は、１．０ナノメートル〜５０ナノメートルである。好ましくは、前記カーボンナノチューブの直径は、１０ナノメートル以下である。
具体的には、前記の半導体性のカーボンナノチューブ構造体は、一枚のカーボンナノチューブフィルム又は積層された複数のカーボンナノチューブフィルムを含む。該カーボンナノチューブフィルムは、同じ方向に沿って配列され、半導体性を有する複数のカーボンナノチューブを含む。前記カーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブアレイから伸び出すことによって、形成されるものである。或いは、該カーボンナノチューブフィルムは、分子間力で互いに引き付けあい絡み合って、半導体性を有する複数のカーボンナノチューブを含む。或いは、前記半導体性のカーボンナノチューブフィルムは、所定の方向に沿って配列されているか、または、異なる複数の方向に沿って配列され、半導体性を有する複数のカーボンナノチューブを含む。前記カーボンナノチューブフィルムは、押し器具を利用して、カーボンナノチューブアレイを同じ方向又は異なる方向に沿って押して形成するものである。前記半導体性のカーボンナノチューブ構造体は、複数枚のカーボンナノチューブフィルムを含む場合、該カーボンナノチューブフィルムがいずれか方向に沿って、積層して設置することができる。
また、前記半導体のカーボンナノチューブ構造体は、複数のカーボンナノチューブワイヤを含む。該カーボンナノチューブワイヤは、複数のカーボンナノチューブ束からなる束状構造のカーボンナノチューブワイヤ又は複数のカーボンナノチューブ束からなるねじれたワイヤ構造のカーボンナノチューブワイヤである。隣接するカーボンナノチューブ束は分子間力（ファンデルワールス力）で接続される。各々のカーボンナノチューブ束では、端と端が接続され、所定の方向に配列され、半導体性を有する複数のカーボンナノチューブを含む。
前記半導体層１４０は、長さが１．０マイクロメートル〜１００マイクロメートルであり、幅が１マイクロメートル〜１ミリメートルであり、厚さが０．５ナノメートル〜１００マイクロメートルである。前記チャンネル１５６は、長さが１マイクロメートル〜１００マイクロメートルであり、幅が１マイクロメートル〜１ミリメートルである。
本実施例において、前記半導体性のカーボンナノチューブ構造体は、積層された二枚のカーボンナノチューブフィルムを含む。隣接するカーボンナノチューブフィルムは分子間力で緊密に連接される。各々のカーボンナノチューブフィルムは、端と端とが分子間力で接続され、同じ方向に沿って配列され、半導体性を有する複数のカーボンナノチューブを含む。隣接するカーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブは、配列される方向が角度αを成し、該角度αが０°である。該角度αはこれに制限されず、０°以上９０°以下でもよい。前記カーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブは、前記ソース電極１５１から前記ドレイン電極１５２への方向に沿って配列され、その両端がそれぞれ、前記ソース電極１５１及び前記ドレイン電極１５２に電気的に接続される。該半導体層１４０は、長さが５０マイクロメートルであり、幅が３００マイクロメートルであり、厚さが１マイクロメートルである。前記チャンネル１５６は、長さが４０マイクロメートルであり、幅が３００マイクロメートルである。
前記絶縁層１３０の材料は、窒化珪素、酸化珪素などの硬性材料又はベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、アクリル酸樹脂などの柔らかな材料である。前記絶縁層１３０の厚さは、５ナノメートル〜１００マイクロメートルである。本実施例において、前記絶縁層１３０は窒化珪素からなり、その厚さは２００ナノメートルである。勿論、前記半導体層１４０、前記ソース電極１５１及び前記ドレイン電極１５２と、ゲート電極１２０とを絶縁状態に設置することに限り、前記絶縁層１３０は、完全に前記ソース電極１５１、前記ドレイン電極１５２及び半導体層１４０を被覆しないように設置してもよい。例えば、前記ソース電極１５１及び前記ドレイン電極１５２は、前記半導体層１４０の前記絶縁基板１１０と隣接する表面の反対側に設置される場合、前記絶縁層１３０は、前記ソース電極１５１と前記ドレイン電極１５２との間に設置し、前記半導体層１４０だけを被覆してもよい。
前記ソース電極１５１、前記ドレイン電極１５２及び前記ゲート電極１２０の少なくとも一つは、金属性のカーボンナノチューブ構造体を含み、該金属性のカーボンナノチューブ構造体は、複数の金属性を有するカーボンナノチューブを含む。好ましくは、前記ソース電極１５１、前記ドレイン電極１５２及び前記ゲート電極１２０は、全て金属性のカーボンナノチューブ構造体である。
具体的には、前記金属性のカーボンナノチューブ構造体は、一枚のカーボンナノチューブフィルム又は積層された複数のカーボンナノチューブフィルムを含む。該カーボンナノチューブフィルムは、同じ方向に沿って配列され、金属性を有する複数のカーボンナノチューブを含む。前記カーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブアレイから伸び出すことによって、形成されるものである。或いは、該カーボンナノチューブフィルムは、分子間力で互いに絡み合って、金属性を有する複数のカーボンナノチューブを含む。或いは、前記金属性のカーボンナノチューブフィルムは、所定の方向に沿って配列されているか、または、異なる複数の方向に沿って配列され、金属性を有する複数のカーボンナノチューブを含む。前記カーボンナノチューブフィルムは、押し器具を利用して、カーボンナノチューブアレイを同じ方向又は異なる方向に沿って押して形成するものである。前記金属性のカーボンナノチューブ構造体は、複数枚のカーボンナノチューブフィルムを含む場合、該カーボンナノチューブフィルムがいずれか方向に沿って、積層して設置することができる。該金属性のカーボンナノチューブ構造体の厚さは、０．５ナノメートル〜１００マイクロメートルである。
また、前記金属性のカーボンナノチューブ構造体は、複数のカーボンナノチューブワイヤを含む。該カーボンナノチューブワイヤは、複数のカーボンナノチューブ束からなる束状構造のカーボンナノチューブワイヤ又は複数のカーボンナノチューブ束からなるねじれたワイヤ構造のカーボンナノチューブワイヤである。隣接するカーボンナノチューブ束は分子間力（ファンデルワールス力）で接続される。各々のカーボンナノチューブ束では、端と端とが接続され、所定の方向に配列され、金属性を有する複数のカーボンナノチューブを含む。
本実施例において、前記金属性のカーボンナノチューブ構造体は、積層された二枚のカーボンナノチューブフィルムを含み、隣接するカーボンナノチューブフィルムが分子間力で緊密に連接される。図２と図３を参照すると、各々のカーボンナノチューブフィルムにおいて、端と端で接続され、基本的に同じ長さの複数のカーボンナノチューブセグメント１４３を含む。各々のカーボンナノチューブセグメント１４３は、同じ方向に沿って、均一に配列され、金属性を有する複数のカーボンナノチューブ１４５からなり、各々の前記カーボンナノチューブ１４５が分子間力で緊密に連接される。前記二枚の積層されたカーボンナノチューブフィルムにおけるカーボンナノチューブが配列される方向は、０°の角度を成す。該角度はこれに制限されず、０°以上９０°以下でもよい。前記の金属性のカーボンナノチューブ構造体におけるカーボンナノチューブは、複数の単層カーボンナノチューブ、複数の二層カーボンナノチューブ又は複数の多層カーボンナノチューブを含む。前記単層カーボンナノチューブの直径は、０．５ナノメートル〜５０ナノメートルであり、前記二層カーボンナノチューブの直径は、１．０ナノメートル〜５０ナノメートルであり、前記多層カーボンナノチューブの直径は、１．５ナノメートル〜５０ナノメートルである。
前記カーボンナノチューブフィルムは、カーボンナノチューブアレイから伸び出すことによって、形成される。該カーボンナノチューブフィルムは、接着性を有するので、前記半導体層１４０及び前記絶縁層１３０の表面に直接接着することができる。具体的には、前記ソース電極１５１及び前記ドレイン電極１５２の前記半導体層１４０との位置が異なることによって、薄膜トランジスタを製造する工程が異なる。まず、前記絶縁基板１１０の表面に半導体層１４０を設置し、その後、金属性のカーボンナノチューブ構造体を前記半導体層１４０の表面に接着し、ソース電極１５１及びドレイン電極１５２を分離させ、ソース電極１５１及びドレイン電極１５２を形成するようになる。或いは、金属性のカーボンナノチューブ構造体を前記絶縁基板１１０の表面に接着し、ソース電極１５１及びドレイン電極１５２を分離させ、ソース電極１５１及びドレイン電極１５２を形成し、その後、前記ソース電極１５１から前記ドレイン電極１５２への方向に沿って、半導体層１４０を前記絶縁基板１１０の表面に設置し、該半導体層１４０で前記ソース電極１５１及び前記ドレイン電極１５２を被覆させる。前記ゲート電極１２０は、金属性のカーボンナノチューブ構造体を採用する場合、金属性のカーボンナノチューブ構造体を前記絶縁層１３０の表面に直接接着し、金属性のカーボンナノチューブ構造体を前記ソース電極１５１及びドレイン電極１５２に絶縁させ、ゲート電極１２０を形成するようになる。
図４を参照すると、前記薄膜トランジスタ１０の前記ソース電極１５１を接地し、前記ドレイン電極１５２に電圧Ｖｄｓを印加し、前記ゲート電極１２０に電圧Ｖｇを印加する場合、前記ゲート電極１２０に電圧Ｖｇを印加することにより、前記半導体層１４０におけるチャンネル１５６に電界を形成させると同時に、該チャンネル１５６の、前記ゲート電極１２０に隣接する領域においてキャリヤーが形成される。前記ゲート電極電圧Ｖｇの増加に伴って、前記チャンネル１５６の、前記ゲート電極１２０に隣接する領域においてキャリヤーが蓄積される。該キャリヤーが所定の程度に蓄積される場合、前記ソース電極１５１とドレイン電極１５２との間に電流を形成することができる。前記ソース電極１５１とドレイン電極１５２とは、前記トランジスタ１０を応用する電子設備の素子に電気的に接続され、前記ゲート電極１２０は、前記チャンネル１５６で電界を形成し、前記半導体層１４０にキャリヤーを蓄積させることに用いられるので、前記ソース電極１５１、ドレイン電極１５２及び前記ゲート電極１２０は、優れた導電性を有するべきである。金属性を有するカーボンナノチューブは優れた導電性を有するので、金属性を有するカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ構造体をゲート電極１２０として、前記薄膜トランジスタ１０に安定的なゲート電圧を提供することができ、該薄膜トランジスタ１０の応答速度を高めることができる。金属性を有するカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブ構造体をソース電極１５１及びドレイン電極１５２として、前記薄膜トランジスタ１０に優れた出入力性能を有させる。
また、前記半導体層１４０に半導体性のカーボンナノチューブ構造体を採用する場合、該カーボンナノチューブ構造体は、複数の半導体性を有するカーボンナノチューブを含むので、前記薄膜トランジスタ１０は、大きなキャリヤーの移動度を有し、該薄膜トランジスタ１０の応答速度は、速くなる。本実施例において、前記薄膜トランジスタ１０のキャリヤーの移動度は、１０ｃｍ２／Ｖｓ〜１５００ｃｍ２／Ｖｓであり、オン／オフ電流比は、１．０×１０２〜１．０×１０６である。
（実施例２）
図５を参照すると、本発明の実施例２は、薄膜トランジスタ２０を提供する。該薄膜トランジスタ２０は、ボトムゲート型(Ｂｏｔｔｏｍ Ｇａｔｅ Ｔｙｐｅ)薄膜トランジスタであり、絶縁基板２１０の一つの表面に形成される。該薄膜トランジスタ２０は、ゲート電極２２０、絶縁層２３０、半導体層２４０、ソース電極２５１、ドレイン電極２５２を含む。
図５を参照すると、本発明の実施例２は、薄膜トランジスタ２０を提供する。該薄膜トランジスタ２０は、ボトムゲート型(Ｂｏｔｔｏｍ Ｇａｔｅ Ｔｙｐｅ)薄膜トランジスタであり、絶縁基板２１０の一つの表面に形成される。該薄膜トランジスタ２０は、ゲート電極２２０、絶縁層２３０、半導体層２４０、ソース電極２５１、ドレイン電極２５２を含む。
本実施例の薄膜トランジスタ２０の構造と実施例１の薄膜トランジスタ１０の構造とは、基本的に同じである。本実施例と実施例１と異なる所は、前記ゲート電極２２０が前記絶縁基板２１０の一つの表面に設置され、前記絶縁層２３０が前記ゲート電極２２０の、前記絶縁基板２１０に隣接する表面との反対側に設置され、前記半導体層２４０が前記絶縁層２３０の前記ゲート電極２２０に隣接する表面との反対側に設置される。該絶縁層２３０により、前記ゲート電極２２０と前記半導体層２４０とを絶縁させる。前記ソース電極２５１と前記ドレイン電極２５２とが前記半導体層２４０の前記絶縁層２３０に隣接する表面との反対側に分離して設置され、前記半導体層２４０に電気的に接続される。前記絶縁層２３０により、前記ソース電極２５１及び前記ドレイン電極２５２と、前記半導体層２４０と、を前記ゲート電極２２０から絶縁させるので、前記半導体層２４０の、前記ソース電極２５１と前記ドレイン電極２５２との間の領域にチャンネル２５６を形成する。前記ゲート電極２２０は、前記絶縁基板２１０の、前記チャンネル２５６に対向する領域に設置し、前記絶縁層２３０により、前記ソース電極２５１、前記ドレイン電極２５２及び前記半導体層２４０から絶縁することが好ましい。
本実施例の薄膜トランジスタ２０におけるゲート電極２２０、ソース電極２５１、ドレイン電極２５２及び絶縁層２３０の材料は、実施例１の薄膜トランジスタ１０におけるゲート電極１２０、ソース電極１５１、ドレイン電極１５２及び絶縁層１３０の材料と同じである。本実施例の薄膜トランジスタ２０におけるチャンネル２５６及び半導体層２４０の形状、面積は、実施例１の薄膜トランジスタ１０におけるチャンネル１５６及び半導体層１４０の形状、面積と同じである。
前記ソース電極２５１と前記ドレイン電極２５２は、前記半導体層２４０又は絶縁層２３０の表面に設置されることができる。さらに、前記ソース電極２５１と前記ドレイン電極２５２は、前記半導体層２４０の、前記絶縁層２３０に隣接する表面との反対側に分離して設置される場合、前記ソース電極２５１及び前記ドレイン電極２５２と、前記ゲート電極２２０とは、前記半導体層２４０の異なる側に位置され、インバーテッド・スタガード型（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ Ｓｔａｇｇｅｒｅｄ Ｔｙｐｅ）薄膜トランジスタが形成される。或いは、前記ソース電極２５１と前記ドレイン電極２５２は、前記半導体層２４０の前記絶縁層２３０に隣接する表面に分離して設置され、即ち、前記絶縁層２３０と前記半導体層２４０との間に位置される場合、前記ソース電極２５１及び前記ドレイン電極２５２と、前記ゲート電極２２０とは、前記半導体層２４０の同じ側に位置され、インバーテッド・コープレーナー型（Ｉｎｖｅｒｔｅｄ Ｃｏｐｌａｎａｒ Ｔｙｐｅ）薄膜トランジスタが形成される。
本発明の薄膜トランジスタにおいて、金属性を有するカーボンナノチューブが優れた力学性能を有するので、該金属性を有するカーボンナノチューブからなる金属性のカーボンナノチューブ構造体は、優れた靭性と機械強度を有する。従って、金属性のカーボンナノチューブ構造体からなる前記ソース電極、前記ドレイン電極及び／又は前記ゲート電極を採用した薄膜トランジスタは、優れた靭性及び耐用性を有する。
前記金属性のカーボンナノチューブ構造体におけるカーボンナノチューブが高温で影響を受けないので、該カーボンナノチューブ構造体からなる前記ソース電極、前記ドレイン電極及び／又は前記ゲート電極は、高温で正常に作動することができる。従って、前記薄膜トランジスタは、優れた耐熱性を有する。
前記金属性のカーボンナノチューブ構造体におけるカーボンナノチューブが優れた導電性を有し、該金属性のカーボンナノチューブ構造体に均一に配列されるので、該カーボンナノチューブ構造体からなる前記ソース電極、前記ドレイン電極及び／又は前記ゲート電極は、均一な抵抗及び優れた導電性を有する。
前記金属性を有するカーボンナノチューブが大きな熱伝導率を有するので、前記薄膜トランジスタの作動において発生する熱量を放出することができる。従って、前記薄膜トランジスタを、大規模集積回路に応用する場合の放熱の問題を解決することができる。
前記半導体層が半導体性のカーボンナノチューブ構造体を採用する場合、該カーボンナノチューブ構造体において、半導体性を有する複数のカーボンナノチューブを含むので、前記薄膜トランジスタは、大きなキャリヤーの移動度を有し、該薄膜トランジスタの応答速度は、速くなる。更に、前記半導体層の材料と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の材料とが同じであるので、前記半導体層と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間の接触抵抗が小さくなる。
１０、２０ 薄膜トランジスタ
１１０、２１０ 絶縁基板
１２０、２２０ ゲート電極
１３０、２３０ 絶縁層
１４０、２４０ 半導体層
１４３ カーボンナノチューブセグメント
１４５ カーボンナノチューブ
１５１、２５１ ソース電極
１５２、２５２ ドレイン電極
１５６、２５６ チャンネル
１１０、２１０ 絶縁基板
１２０、２２０ ゲート電極
１３０、２３０ 絶縁層
１４０、２４０ 半導体層
１４３ カーボンナノチューブセグメント
１４５ カーボンナノチューブ
１５１、２５１ ソース電極
１５２、２５２ ドレイン電極
１５６、２５６ チャンネル
Claims (6)
- ソース電極と、
前記ソース電極と分離して設置されるドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極に電気的に接続される半導体層と、
絶縁層と、
前記絶縁層により、前記半導体層と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置されるゲート電極と、を含む薄膜トランジスタにおいて、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及びゲート電極の少なくとも一つが複数のカーボンナノチューブからなる金属性のカーボンナノチューブ構造体からなり、
前記金属性のカーボンナノチューブ構造体が、少なくとも一枚の金属性のカーボンナノチューブフィルムを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記金属性のカーボンナノチューブ構造体が、複数枚のカーボンナノチューブフィルムを含み、該カーボンナノチューブフィルムがいずれか方向に沿って、積層して設置されることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記金属性のカーボンナノチューブフィルムが、同じ方向に沿って配列され、金属性を有する複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記金属性のカーボンナノチューブフィルムが、絡み合って、金属性を有する複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記金属性のカーボンナノチューブフィルムが、所定の方向に沿って配列されているか、または、異なる複数の方向に沿って配列され、金属性を有する複数のカーボンナノチューブを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記ゲート電極が、全て金属性のカーボンナノチューブ構造体であることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810067171.0 | 2008-05-14 | ||
| CN200810067171A CN101582448B (zh) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | 薄膜晶体管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009278113A JP2009278113A (ja) | 2009-11-26 |
| JP5173929B2 true JP5173929B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=41315286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009117609A Active JP5173929B2 (ja) | 2008-05-14 | 2009-05-14 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7947977B2 (ja) |
| JP (1) | JP5173929B2 (ja) |
| CN (1) | CN101582448B (ja) |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101400198B (zh) | 2007-09-28 | 2010-09-29 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法 |
| CN101409962B (zh) | 2007-10-10 | 2010-11-10 | 清华大学 | 面热光源及其制备方法 |
| CN101419519B (zh) | 2007-10-23 | 2012-06-20 | 清华大学 | 触摸屏 |
| CN101470560B (zh) * | 2007-12-27 | 2012-01-25 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458599B (zh) | 2007-12-14 | 2011-06-08 | 清华大学 | 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置 |
| CN101458598B (zh) | 2007-12-14 | 2011-06-08 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458609B (zh) | 2007-12-14 | 2011-11-09 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458603B (zh) * | 2007-12-12 | 2011-06-08 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101656769B (zh) | 2008-08-22 | 2012-10-10 | 清华大学 | 移动电话 |
| CN101464763B (zh) | 2007-12-21 | 2010-09-29 | 清华大学 | 触摸屏的制备方法 |
| CN101419518B (zh) | 2007-10-23 | 2012-06-20 | 清华大学 | 触摸屏 |
| CN101470566B (zh) | 2007-12-27 | 2011-06-08 | 清华大学 | 触摸式控制装置 |
| CN101470558B (zh) | 2007-12-27 | 2012-11-21 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458604B (zh) | 2007-12-12 | 2012-03-28 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458596B (zh) | 2007-12-12 | 2011-06-08 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458606B (zh) | 2007-12-12 | 2012-06-20 | 清华大学 | 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置 |
| CN101458593B (zh) | 2007-12-12 | 2012-03-14 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458595B (zh) | 2007-12-12 | 2011-06-08 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458605B (zh) * | 2007-12-12 | 2011-03-30 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458597B (zh) | 2007-12-14 | 2011-06-08 | 清华大学 | 触摸屏、触摸屏的制备方法及使用该触摸屏的显示装置 |
| CN101655720B (zh) | 2008-08-22 | 2012-07-18 | 清华大学 | 个人数字助理 |
| CN101458602B (zh) | 2007-12-12 | 2011-12-21 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458594B (zh) | 2007-12-12 | 2012-07-18 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101470559B (zh) | 2007-12-27 | 2012-11-21 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458600B (zh) | 2007-12-14 | 2011-11-30 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458608B (zh) * | 2007-12-14 | 2011-09-28 | 清华大学 | 触摸屏的制备方法 |
| CN101458975B (zh) | 2007-12-12 | 2012-05-16 | 清华大学 | 电子元件 |
| CN101458601B (zh) | 2007-12-14 | 2012-03-14 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101458607B (zh) | 2007-12-14 | 2010-12-29 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101464757A (zh) | 2007-12-21 | 2009-06-24 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101464766B (zh) * | 2007-12-21 | 2011-11-30 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101464765B (zh) * | 2007-12-21 | 2011-01-05 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 触摸屏及显示装置 |
| CN101470565B (zh) | 2007-12-27 | 2011-08-24 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| US8574393B2 (en) | 2007-12-21 | 2013-11-05 | Tsinghua University | Method for making touch panel |
| CN101464764B (zh) | 2007-12-21 | 2012-07-18 | 清华大学 | 触摸屏及显示装置 |
| US20100122980A1 (en) * | 2008-06-13 | 2010-05-20 | Tsinghua University | Carbon nanotube heater |
| US20100126985A1 (en) * | 2008-06-13 | 2010-05-27 | Tsinghua University | Carbon nanotube heater |
| US20100000669A1 (en) * | 2008-06-13 | 2010-01-07 | Tsinghua University | Carbon nanotube heater |
| US8237677B2 (en) | 2008-07-04 | 2012-08-07 | Tsinghua University | Liquid crystal display screen |
| US8390580B2 (en) * | 2008-07-09 | 2013-03-05 | Tsinghua University | Touch panel, liquid crystal display screen using the same, and methods for making the touch panel and the liquid crystal display screen |
| CN101924816B (zh) | 2009-06-12 | 2013-03-20 | 清华大学 | 柔性手机 |
| CN102086035B (zh) * | 2009-12-03 | 2013-06-19 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 碳纳米管膜及其制备方法 |
| CN101880035A (zh) | 2010-06-29 | 2010-11-10 | 清华大学 | 碳纳米管结构 |
| US8969154B2 (en) * | 2011-08-23 | 2015-03-03 | Micron Technology, Inc. | Methods for fabricating semiconductor device structures and arrays of vertical transistor devices |
| CN103838455B (zh) * | 2012-11-23 | 2016-12-21 | 北京富纳特创新科技有限公司 | 电阻式触摸屏 |
| CN104867876B (zh) * | 2014-02-24 | 2017-11-14 | 清华大学 | 薄膜晶体管阵列的制备方法 |
| CN105097428B (zh) * | 2014-04-24 | 2017-12-01 | 清华大学 | 碳纳米管复合膜 |
| AU2016342029B2 (en) * | 2015-10-23 | 2021-07-01 | Nanocomp Technologies, Inc. | Directed infrared radiator article |
| CN108963077B (zh) * | 2017-05-17 | 2020-03-17 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
Family Cites Families (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423583B1 (en) | 2001-01-03 | 2002-07-23 | International Business Machines Corporation | Methodology for electrically induced selective breakdown of nanotubes |
| US7084507B2 (en) | 2001-05-02 | 2006-08-01 | Fujitsu Limited | Integrated circuit device and method of producing the same |
| JP4207398B2 (ja) | 2001-05-21 | 2009-01-14 | 富士ゼロックス株式会社 | カーボンナノチューブ構造体の配線の製造方法、並びに、カーボンナノチューブ構造体の配線およびそれを用いたカーボンナノチューブデバイス |
| US6814832B2 (en) | 2001-07-24 | 2004-11-09 | Seiko Epson Corporation | Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance |
| CN1703730A (zh) | 2002-09-30 | 2005-11-30 | 纳米系统公司 | 使用纳米线晶体管的集成显示器 |
| AU2003283973B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-10-30 | Oned Material Llc | Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
| US7067867B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-06-27 | Nanosys, Inc. | Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor |
| CN1208818C (zh) | 2002-10-16 | 2005-06-29 | 中国科学院化学研究所 | 一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法 |
| AU2003294588A1 (en) | 2002-12-09 | 2004-06-30 | Rensselaer Polytechnic Institute | Embedded nanotube array sensor and method of making a nanotube polymer composite |
| US7150865B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-12-19 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for selective enrichment of carbon nanotubes |
| JP4586334B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2010-11-24 | ソニー株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| KR100757615B1 (ko) | 2003-07-17 | 2007-09-10 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 전계 효과형 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| US20050061496A1 (en) | 2003-09-24 | 2005-03-24 | Matabayas James Christopher | Thermal interface material with aligned carbon nanotubes |
| US7399400B2 (en) | 2003-09-30 | 2008-07-15 | Nano-Proprietary, Inc. | Nanobiosensor and carbon nanotube thin film transistors |
| US6921684B2 (en) | 2003-10-17 | 2005-07-26 | Intel Corporation | Method of sorting carbon nanotubes including protecting metallic nanotubes and removing the semiconducting nanotubes |
| JP4124787B2 (ja) | 2004-01-15 | 2008-07-23 | 松下電器産業株式会社 | 電界効果トランジスタ及びそれを用いた表示装置 |
| TWI231153B (en) | 2004-02-26 | 2005-04-11 | Toppoly Optoelectronics Corp | Organic electroluminescence display device and its fabrication method |
| US7129097B2 (en) | 2004-07-29 | 2006-10-31 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit chip utilizing oriented carbon nanotube conductive layers |
| US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
| US20060194058A1 (en) | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Amlani Islamshah S | Uniform single walled carbon nanotube network |
| JP4636921B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置の製造方法、表示装置および電子機器 |
| JP2006294667A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Toray Ind Inc | 電界効果型トランジスタ |
| KR100770258B1 (ko) | 2005-04-22 | 2007-10-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막트랜지스터 및 그의 제조 방법 |
| US7538040B2 (en) | 2005-06-30 | 2009-05-26 | Nantero, Inc. | Techniques for precision pattern transfer of carbon nanotubes from photo mask to wafers |
| US7687841B2 (en) | 2005-08-02 | 2010-03-30 | Micron Technology, Inc. | Scalable high performance carbon nanotube field effect transistor |
| JP2007073706A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Seiko Epson Corp | 配線基板、電気光学装置、電子機器、および配線基板の製造方法 |
| US20070069212A1 (en) | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flat panel display and method for manufacturing the same |
| JP2007123870A (ja) | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板表示装置およびその製造方法 |
| JP2007103625A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Sony Corp | 機能性デバイス及びその製造方法 |
| WO2007089322A2 (en) | 2005-11-23 | 2007-08-09 | William Marsh Rice University | PREPARATION OF THIN FILM TRANSISTORS (TFTs) OR RADIO FREQUENCY IDENTIFICATION (RFID) TAGS OR OTHER PRINTABLE ELECTRONICS USING INK-JET PRINTER AND CARBON NANOTUBE INKS |
| US7559653B2 (en) | 2005-12-14 | 2009-07-14 | Eastman Kodak Company | Stereoscopic display apparatus using LCD panel |
| WO2007094164A1 (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | Nec Corporation | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| EP1991723A2 (en) | 2006-03-03 | 2008-11-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Methods of making spatially aligned nanotubes and nanotube arrays |
| US20070273798A1 (en) | 2006-05-26 | 2007-11-29 | Silverstein Barry D | High efficiency digital cinema projection system with increased etendue |
| US20070273797A1 (en) | 2006-05-26 | 2007-11-29 | Silverstein Barry D | High efficiency digital cinema projection system with increased etendue |
| US7458687B2 (en) | 2006-05-26 | 2008-12-02 | Eastman Kodak Company | High efficiency digital cinema projection system with increased etendue |
| JP5125110B2 (ja) * | 2006-07-19 | 2013-01-23 | 東レ株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
| US20080134961A1 (en) | 2006-11-03 | 2008-06-12 | Zhenan Bao | Single-crystal organic semiconductor materials and approaches therefor |
| US20080277718A1 (en) | 2006-11-30 | 2008-11-13 | Mihai Adrian Ionescu | 1T MEMS scalable memory cell |
| JP4666270B2 (ja) | 2006-12-18 | 2011-04-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US20080173864A1 (en) | 2007-01-20 | 2008-07-24 | Toshiba America Research, Inc. | Carbon nanotube transistor having low fringe capacitance and low channel resistance |
| WO2008114564A1 (ja) | 2007-02-21 | 2008-09-25 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| US20080252202A1 (en) | 2007-04-11 | 2008-10-16 | General Electric Company | Light-emitting device and article |
| KR101365411B1 (ko) | 2007-04-25 | 2014-02-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조 방법과 액정표시장치의 제조 방법 |
| JP2009032894A (ja) | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8253124B2 (en) * | 2007-09-07 | 2012-08-28 | Nec Corporation | Semiconductor element |
| CN101409338A (zh) | 2007-10-10 | 2009-04-15 | 清华大学 | 锂离子电池负极,其制备方法和应用该负极的锂离子电池 |
| US9963781B2 (en) | 2007-10-29 | 2018-05-08 | Southwest Research Institute | Carbon nanotubes grown on nanostructured flake substrates and methods for production thereof |
| US20090159891A1 (en) | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Palo Alto Research Center Incorporated | Modifying a surface in a printed transistor process |
| US7612270B1 (en) * | 2008-04-09 | 2009-11-03 | International Business Machines Corporation | Nanoelectromechanical digital inverter |
| US8598569B2 (en) | 2008-04-30 | 2013-12-03 | International Business Machines Corporation | Pentacene-carbon nanotube composite, method of forming the composite, and semiconductor device including the composite |
| US20090282802A1 (en) | 2008-05-15 | 2009-11-19 | Cooper Christopher H | Carbon nanotube yarn, thread, rope, fabric and composite and methods of making the same |
-
2008
- 2008-05-14 CN CN200810067171A patent/CN101582448B/zh active Active
-
2009
- 2009-04-02 US US12/384,309 patent/US7947977B2/en active Active
- 2009-05-14 JP JP2009117609A patent/JP5173929B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009278113A (ja) | 2009-11-26 |
| US7947977B2 (en) | 2011-05-24 |
| CN101582448A (zh) | 2009-11-18 |
| CN101582448B (zh) | 2012-09-19 |
| US20090283744A1 (en) | 2009-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5173929B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP5231327B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP5174101B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP5231324B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP5685367B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP4564094B2 (ja) | 薄膜トランジスタパネル | |
| JP5231323B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP5345894B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| TWI400807B (zh) | 薄膜電晶體 | |
| JP5231326B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP5231325B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| TWI381530B (zh) | 薄膜電晶體 | |
| TWI377680B (en) | Thin film transistor | |
| TWI493719B (zh) | 薄膜電晶體 | |
| TWI478348B (zh) | 薄膜電晶體 | |
| TWI456767B (zh) | 薄膜電晶體 | |
| TW200950094A (en) | Thin film transistor | |
| TW200950089A (en) | Thin film transistor | |
| TW200950093A (en) | Thin film transistor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120712 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120717 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121011 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121127 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121227 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5173929 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |