JP5154510B2 - プライミング処理方法及びプライミング処理装置 - Google Patents

プライミング処理方法及びプライミング処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5154510B2
JP5154510B2 JP2009135634A JP2009135634A JP5154510B2 JP 5154510 B2 JP5154510 B2 JP 5154510B2 JP 2009135634 A JP2009135634 A JP 2009135634A JP 2009135634 A JP2009135634 A JP 2009135634A JP 5154510 B2 JP5154510 B2 JP 5154510B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
priming
film
priming roller
liquid
roller
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009135634A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010279907A (ja
Inventor
幸浩 若元
佳 田代
栄一 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2009135634A priority Critical patent/JP5154510B2/ja
Priority to TW099118171A priority patent/TWI478774B/zh
Priority to CN201010194786.7A priority patent/CN101905209B/zh
Priority to KR1020100052694A priority patent/KR101518522B1/ko
Publication of JP2010279907A publication Critical patent/JP2010279907A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5154510B2 publication Critical patent/JP5154510B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0204—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to the edges of essentially flat articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0208—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Description

本発明は、スピンレス法の塗布処理に用いるスリットノズルの吐出口付近に
塗布処理の下準備として処理液の液膜を形成するためのプライミング処理方法
およびプライミング処理装置に関する。
ＬＣＤ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造プロセスにおけ
るフォトリソグラフィー工程には、スリット状の吐出口を有する長尺形のス
リットノズルを走査して被処理基板（たとえばガラス基板）上にレジスト液
を塗布するスピンレス法が多く用いられている。
このようなスピンレス法においては、レジスト乾燥膜の膜厚の不均一性や
塗布ムラを防止するうえで、塗布走査中に基板上に吐出されたレジスト液が
走査方向においてスリットノズルの背面側に回って形成されるメニスカスが
ノズル長手方向で水平一直線に揃うのが望ましく、そのためには塗布走査の
開始直前にスリットノズルの吐出口と基板との間の塗布ギャップが隙間なく
適量のレジスト液で塞がることが必要条件となっている。この要件を満たす
ために、塗布走査の下準備としてスリットノズルの吐出口から背面下端部に
かけてレジスト液の液膜を形成するプライミング処理が行われている。
代表的なプライミング処理法は、スリットノズルと同等またはそれ以上の
長さを有する円筒状のプライミングローラを塗布処理部の近くで水平に設置
し、微小なギャップを介してプライミングローラの頂部と対向する位置まで
スリットノズルを近づけてレジスト液を吐出させ、その直後にプライミング
ローラを所定方向に回転させる。そうすると、プライミングローラの頂部付
近に吐出されたレジスト液がスリットノズルの背面下部に回り込むようにし
てプライミングローラの外周面上に巻き取られ、スリットノズル側とプライ
ミングローラ側とに分かれる形でレジスト液の液膜が切り離される。スリッ
トノズルには、ノズル吐出口から背面下端部にかけてレジスト液の液膜が残
る。
従来一般のプライミング処理装置は、プライミングローラを回転駆動する
回転機構だけでなく、プライミングローラをクリーニングするためのスクレ
ーパや洗浄ノズルおよび乾燥ノズル等を備えており、１回のプライミング処
理が終了すると、その後処理として、回転機構によりプライミングローラを
連続回転させ、スクレーパでプライミングローラの外周面からレジスト液を
こそげ落とし、洗浄ノズルおよび乾燥ノズルより洗浄液および乾燥ガスをそ
れぞれプライミングローラの外周面に噴き付けるようにしている。
しかしながら、１回のプライミング処理でスリットノズルより吐出されるレ
ジスト液を受けて巻き取るために使用されるプライミングローラ上の領域は、
スリットノズルやプライミングローラのサイズによって異なるが、プライミン
グローラの全周（３６０°）を必要とするものではなく、通常は半周（１８０
°）以下であり、１／４周（９０°）以下あるいは１／５周（７２°）以下で
済ますことも可能である。しかるに、従来一般のプライミング処理装置は、プ
ライミング処理を実行する度毎に後処理として上記のようにプライミングロー
ラを連続回転させてプライミングローラの外周面全体（全周）に洗浄液を噴き
付けるため、洗浄液（通常シンナー）を多量に使用するという問題があった。
本出願人は、この問題を解決するために、特許文献１において、１回のプラ
イミング処理のために、スリットノズルの吐出口とプライミングローラの上端
とを所定のギャップを隔てて対向させ、スリットノズルより一定量の処理液ま
たは塗布液（たとえばレジスト液）を吐出させるとともにプライミングローラ
を所定の回転角だけ回転させて、プライミングローラの半周以下の部分的表面
領域を当該プライミング処理に使用し、連続した所定回数のプライミング処理
が終了した後にプライミングローラの外周面を全周に亘ってまとめて洗浄する
プライミング処理法を開示している。
このプライミング処理法は、プライミングローラの外周面をその周回方向に
複数に分割してそれらの分割領域（部分的表面領域）を連続する所定回数のプ
ライミング処理に順次割り当てて使用し、その後にプライミングローラの外周
面を全周に亘って一括洗浄する。この一括洗浄処理は、回転機構によりプライ
ミングローラを連続回転させながら洗浄機構と乾燥部とを作動させてプライミ
ングローラの外周面を全周に亘ってまとめて洗浄するものであり、各プライミ
ング処理の際にプライミングローラの表面に巻き取られた塗布液の液膜をこす
げ落とすためのスクレーパは不要であり、プライミング処理後の洗浄処理で消
費する洗浄液を節減できるとともに、洗浄処理の際にパーティクルの発生を防
止することもできる。
特開２００７−２３７０４６
本発明は、本出願人が上記特許文献１で開示したプライミング処理法の改良
版であるとともに、独自の観点から、プライミング処理の歩留まりないし信頼
性にも配慮しつつプライミング処理で使用する洗浄液の更なる節減を実現する
ものである。
すなわち、本発明は、プライミング処理の信頼性を保障しつつ洗浄液の使用
量を一層削減できるプライミング処理方法およびプライミング処理装置を提供
する。
本発明のプライミング処理方法は、長尺形のスリットノズルを用いて被処理基板上に塗布液を塗布する塗布処理において前記スリットノズルの吐出口付近に塗布処理の下準備として塗布液の液膜を形成するためのプライミング処理方法であって、１回分のプライミング処理のために、水平に配置された円筒状または円柱状のプライミングローラの頂部に対して所定のギャップを隔てて前記スリットノズルの吐出口を平行に対向させ、前記スリットノズルに一定量の塗布液を吐出させてから前記プライミングローラを回転させて、前記プライミングローラの外周面の上に前記吐出された塗布液の一部を巻き取る第１の工程と、前記第１の工程で開始した前記プライミングローラの回転を止めずにそのまま継続して、前記プライミングローラの外周面上に巻き取られた塗布液の液膜を自然乾燥させて第１乾燥膜とする第２の工程と、別の１回分のプライミング処理のために、前記第１乾燥膜を外して前記プライミングローラの頂部に対して所定のギャップを隔てて前記スリットノズルの吐出口を平行に対向させ、前記スリットノズルに一定量の塗布液を吐出させてから前記プライミングローラを回転させて、前記第１乾燥膜とは異なる領域で前記プライミングローラの外周面の上に前記吐出された塗布液の一部を巻き取る第３の工程と、前記プライミングローラの外周面上に付着している液膜または乾燥膜を洗浄によって一括除去する第４の工程とを有する。
また、本発明のプライミング処理装置は、長尺形のスリットノズルを用いて被処理基板上に塗布液を塗布する塗布処理において前記スリットノズルの吐出口付近に塗布処理の下準備として処理液の液膜を形成するためのプライミング処理装置であって、所定位置に水平に配置された円筒状または円柱状のプライミングローラと、前記プライミングローラをその中心軸の回りに回転させる回転機構と、前記プライミングローラの外周面を洗浄するために洗浄液を噴き付ける洗浄機構と、前記プライミングローラの周囲を強制的に排気するための排気機構と、前記回転機構、前記洗浄部および前記排気部の各動作を制御する制御部とを有し、１回分のプライミング処理のために、前記プライミングローラの頂部に対して所定のギャップを隔てて前記スリットノズルの吐出口を平行に対向させ、前記スリットノズルに一定量の塗布液を吐出させてから前記回転機構により前記プライミングローラを回転させて、前記プライミングローラの外周面の上に前記吐出された塗布液の一部を巻き取り、前記回転機構により前記塗布液の巻き取り後も前記プライミングローラの回転を止めずに継続して、前記プライミングローラの外周面上に巻き取られた塗布液の液膜を自然乾燥させて第１乾燥膜とし、別の１回分のプライミング処理のために、前記第１乾燥膜を外して前記プライミングローラの頂部に対して所定のギャップを隔てて前記スリットノズルの吐出口を平行に対向させ、前記スリットノズルに一定量の塗布液を吐出させてから前記プライミングローラを回転させて、前記第１乾燥膜とは異なる領域で前記プライミングローラの外周面の上に前記吐出された塗布液の一部を巻き取り、所望回数の前記プライミング処理が終了した後に、前記回転機構によりプライミングローラを回転させながら前記洗浄機構と前記排気機構とを作動させて、前記プライミングローラの外周面上に付着している液膜または乾燥膜を洗浄によって一括除去する。
本発明のプライミング処理方法または処理装置においては、１回分のプライミング処理として、スリットノズルに一定量の塗布液を吐出させてからプライミングローラを回転させて、プライミングローラの外周面の上に前記吐出された塗布液の一部を巻き取る。そして、この後、プライミングローラの回転を止めずにそのまま継続させることにより、液膜に働く重力の作用（液垂れを誘引する力）をキャンセルし、プライミングローラ上に巻き取った液膜を液垂れで広げずに、しかも短時間で効率よく自然乾燥させる。こうして得られた第１乾燥膜はプライミングローラ上の所定の領域内に固定されてそこに保持されるため、その近くで後続のプライミング処理を実施しても第１乾燥膜からの影響（干渉）を受けることはない。これによって、プライミング処理の再現性および信頼性を向上させることができる。また、このような自然乾燥法により、各々の乾燥膜を半乾きの状態で一括洗浄に附することが可能であり、乾燥膜の洗い落としを容易にし、洗浄液の使用量を削減することができる。
一括洗浄において、好適には、プライミングローラを回転させながら、プラ
イミングローラの外周面のうち液膜または乾燥膜が付着している領域のみに洗
浄液を噴き付けることにより、洗浄液の使用量を一層削減することができる。
また、好適には、一括洗浄に先立って、プライミングローラの外周面上に付
着している液膜または乾燥膜の範囲および膜厚を測定し、その測定結果に基づ
いて一括洗浄における洗浄液の使用量を決定してよい。このことによって、洗
浄液の使用量をさらに削減することができる。
本発明のプライミング処理方法またはプライミング処理装置によれば、上記
のような構成および作用により、プライミング処理の信頼性を保障しつつ洗浄
液の使用量を一層削減することができる。
本発明の一実施形態におけるプライミング処理装置の構成を示す図である。 実施例において１回目のプライミング処理が行われるときの各段階を模式的に示す図である。 図２のプライミング処理動作におけるプライミングローラの回転速度を時間軸上の波形で示す図である。 ２回目のプライミング処理が行われる時の各段階を模式的に示す図である。 プライミングローラの一周内で最後（４回目）のプライミング処理および直後の一括洗浄処理が行われるときの各段階を模式的に示す図である。 図２のプライミング処理動作および一括洗浄処理におけるプライミングローラの回転速度を時間軸上の波形で示す図である。 洗浄工程におけるプライミング処理装置の作用を説明するための図である。 実施例におけるプライミング処理方法の大まかな手順を示す斜視図である。 第１層のレジスト乾燥膜の膜厚分布保特性を測定するための要部の構成および作用を示す図である。 第１層のレジスト乾燥膜上で１回目のプライミング処理が行われるときの各段階を模式的に示す図である。 第１層のレジスト乾燥膜上で最後のプライミング処理および直後の一括洗浄処理が行われるときの各段階を模式的に示す図である。 第２の方式におけるプライミング処理方法の大まかな手順を示す斜視図である。 一変形例におけるプライミング処理が行われるときの各段階を模式的に示す図である。 別の変形例においてプライミングローラ上に下地膜（第１層レジスト膜）を形成しその上でプライミング処理を実施する手法を示す図である。
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
［プライミング処理装置の構成］
図１に、本発明の一実施形態におけるプライミング処理装置の構成を示す。
このプライミング処理装置は、たとえばＬＣＤ製造プロセス用のフォトリソグ
ラフィー工程においてスピンレス法のレジスト塗布処理を行うレジスト塗布装
置（図示せず）に組み込まれ、レジスト塗布処理のために被処理基板を載置あ
るいは浮上搬送する塗布ステージ（図示せず）の近くに配置される。
図示のプライミング処理装置において、ハウジング１０は、上面にスリット
状の開口部１２を有する長尺形の筐体からなり、収容するプライミングローラ
１４をその頂部が開口部１２を介して上方に露出するように軸受（図示せず）
で水平かつ回転可能に支持している。
プライミングローラ１４は、たとえばステンレス鋼からなる円筒状または円
柱状のローラであり、一定の外径（たとえば１００〜１５０ｍｍ）と後述する
スリットノズル７２の全長をカバーする長さを有している。ハウジング１０も
、たとえばステンレス鋼で作られてよい。
ハウジング１０内には、プライミングローラ１４の頂部（最上部）から底部
（最下部）まで正の回転方向（図１では時計回り）に沿って向う途中に、好ま
しくは回転角位置９０°〜１８０°の区間内に、洗浄機構１６の洗浄ノズル１
８が設けられている。この洗浄ノズル１８は、好ましくは長尺形の２流体ジェ
ットノズル１８からなり、プライミングローラ１４の全長をカバーする長さで
それと平行に配置され、配管２０，２２を介して洗浄液供給部２４およびガス
供給部２６に接続されている。配管２４，２６の途中には開閉弁２８，３０が
それぞれ設けられている。
プライミングローラ１４を洗浄する時は、開閉弁２８，３０が開けられ、２
流体ジェットノズル１８は、洗浄液供給部２４およびガス供給部２６よりそれ
ぞれ洗浄液（たとえばシンナー）およびガス（たとえばエアまたは窒素ガス）
を所望の流量で受け取り、ノズル内で洗浄液とガスとを混合してスリットまた
は多孔型の吐出口よりジェット流でプライミングローラ１６の外周面に噴き付
けるように構成されている。洗浄制御部２５は、洗浄液供給部２４、ガス供給
部２６および開閉弁２８，３０を制御し、特に後述する主制御部７０からの指
示の下で洗浄液およびガスの流量を個別的かつ任意に制御できるようになって
いる。
開口部１２と洗浄機構１６との間の区間は、ハウジング１０の内壁がプライ
ミングローラ１４の外周面と接触しない程度の僅かな隙間を残して近接し、ミ
スト遮蔽部３２となっている。プライミングローラ１４を洗浄する時に２流体
ジェットノズル１８の周囲で発生するミストは、ミスト遮蔽部３２の隙間を通
って開口部１２側へ出ることはなく、そこで遮断されるようになっている。
ハウジング１０内には、プライミングローラ１４を中心にしてミスト遮蔽部
３２および洗浄機構１６の反対側に、ミスト引き込み部３４、吸引口３６およ
び強制乾燥部３８が設けられている。
ミスト引き込み部３４は、好ましくは、プライミングローラ１４の頂部から
回転方向に沿って回転角位置１８０°〜２７０°の区間内に設けられる。図示
の構成例のミスト引き込み部３４は、該区間内でハウジング１０の内壁とプラ
イミングローラ１４の外周面との間に形成されたミスト引き込み用の隙間４０
を有している。
強制乾燥部３８は、好ましくは、プライミングローラ１４の頂部から回転方
向に沿って回転角位置２７０°〜３６０°の区間内に設けられる。図示の構成
例の強制乾燥部３８は、該区間内でハウジング１０の内壁とプライミングロー
ラ１４の外周面との間に形成された液切り用の隙間４２を有している。
吸引口３６は、バキューム通路４４およびバキューム管４６を介して、たと
えば真空ポンプまたは吸気ファン（図示せず）およびミストトラップまたはフ
ィルタ等を有するバキューム装置４８に通じている。バキューム通路４４の終
端付近には、排気弁制御部５０によって開閉制御される排気ダンパ５２が設け
られている。バキューム装置４８をオンにして、排気ダンパ５２を開状態にす
ると、ミスト引き込み部３４および強制乾燥部３８が作動し、ミスト引き込み
用の隙間４０および液切り用の隙間４２に外から吸気口３６に向ってミスト引
き込み用の気流および液切り用の気流がそれぞれ流れるようになっている。排
気ダンパ５２を閉じると、バキューム装置４８がオンしていても、吸気口３６
にはバキュームが及ばず、ミスト引き込み部３４および強制乾燥部３８はオフ
状態になる。
このプライミング処理装置において、プライミングローラ１４の周囲を強制
的に排気するための排気機構４５は、上記のようにミスト引き込み部３４、吸
引口３６、強制乾燥部３８、バキューム装置４８、排気弁制御部５０および排
気ダンパ５２を備えている。
ハウジング１０の底には、プライミングローラ１４の真下の位置にドレイン
口５４が形成されている。このドレイン口５４は排液管５６を介してドレイン
タンク５８に通じている。
このプライミング処理装置において、プライミングローラ１４を回転させる
ための回転機構６５は、モータ６０、回転制御部６２およびエンコーダ６４を
備えている。モータ６０は、好ましくはサーボモータからなり、その回転駆動
軸はたとえばプーリや伝動ベルト等の伝動機構（図示せず）を介してプライミ
ングローラ１４の回転軸に接続されている。回転制御部６２は、モータ６０の
基本動作（回転、停止、速度制御等）だけでなく、エンコーダ６４を通じてモ
ータ６０の回転量および回転角度位置を任意に制御できるようになっている。
このプライミング処理装置には、プライミングローラ１４上のレジスト膜の
膜厚を測定するための膜厚測定部６７が設けられている。膜厚測定部６７は、
膜厚センサ６６および膜厚演算部６８を有している。
膜厚センサ６６は、スリットノズル７２と干渉を起こさないように開口部１
２の近傍に設置または配置され、その位置から真向かいのプライミングローラ
１４の外周面上に付着しているレジスト膜またはその液膜の膜厚を非接触式つ
まり光学式で測定する。別の構成例として、膜厚センサ６６をたとえば支持ア
ーム等で可動に支持し、スリットノズル７２がハウジング１０の開口部１２か
ら遠ざかっているときに、膜厚センサ６６を開口部１２の上に位置合わせして
もよい。
膜厚演算部６８は、膜厚センサ６６の出力信号を入力して、プライミングロ
ーラ１４上のレジスト液膜の膜厚測定値を演算する。好ましくは、プライミン
グローラ１４の軸方向に一定間隔で複数個の膜厚センサ６６が一列に配置され
、プライミングローラ１４の周回方向だけでなく軸方向においてもレジスト液
膜の膜厚分布特性を測定できるようになっている。膜厚測定部６７で得られる
膜厚測定値ないし膜厚分布特性測定値は、主制御部７０に送られる。
主制御部７０は、所定のソフトウェアにしたがって動作するマイクロコンピ
ュータを含み、このプライミング処理装置内の洗浄機構１６、排気機構４５、
回転機構６５および膜厚測定部６７の動作を統括して制御する。図示の構成例
では、主制御部７０が、バキューム装置４８、膜厚センサ６６および膜厚演算
部６８の各動作を直接制御するとともに、洗浄制御部２５、排気弁制御部５０
および回転制御部６２を通じて２流体ジェットノズル１８、排気ダンパ５２お
よびモータ６０の各動作を制御する。さらに、主制御部７０は、回転機構６５
の回転制御部６２を通じてプライミングローラ１４の回転量および回転角位置
を把握ないし制御できるようになっている。
また、主制御部７０は、このプライミング処理装置内の全体のシーケンスを
統括して制御するとともに、少なくともプライミング処理に関しては、当該レ
ジスト塗布装置に備わっているレジスト塗布処理用のスリットノズル７２の一
切の動作を制御するようになっている。
すなわち、当該レジスト塗布装置において、スリットノズル７２は、ノズル
移動機構７４によって支持され、かつ予め設定されたスペース内で任意の位置
に搬送され、任意の位置に位置決めされるようになっている。また、スリット
ノズル７２には、レジスト供給部７６よりレジスト供給管７８を介してレジス
ト液が供給される。ここで、レジスト供給管７８には開閉弁８０が設けられて
いる。プライミング処理に関しては、主制御部７０が、ノズル移動機構７４、
レジスト供給部７６、開閉弁８０を通じて、スリットノズル７２の移動や位置
決め、およびレジスト液吐出動作を制御するようになっている。
［プライミング処理方法の実施例］
次に、図２〜図８につき、このプライミング処理装置で実施可能なプライミング処理方法の一実施例を説明する。
このプライミング処理装置が組み込まれている当該レジスト塗布装置におい
ては、塗布ステージ上で基板一枚分の塗布処理が終了する度毎に次の塗布処理
の下準備としてこのプライミング処理装置で１回分のプライミング処理が行わ
れる。
図２に、プライミングローラ１４の外周面が全周にわたり清浄な状態にリセ
ットされてから最初（１回目）のプライミング処理が行われるときの各段階を
示す。図３に、図２のプライミング処理動作におけるプライミングローラ１４
の回転速度を時間軸上の波形で示す。
この１回目のプライミング処理では、先ず、図１に示すように、スリットノ
ズル７２の吐出口がプライミングローラ１４の頂部と所定のギャップ（たとえ
ば数十〜数百μｍ）を隔てて平行に対向するように、ノズル移動機構７４を通
じてスリットノズル７２を位置決めする。この場面では、洗浄機構１６はもち
ろん、排気機構４５も止めたままにしておく。
次に、図２のＩ（吐出）に示すように、プライミングローラ１４を静止させ
たままで、レジスト供給部７６を通じてスリットノズル７２に一定量のレジス
ト液Ｒを吐出させる。
このレジスト液吐出の動作は、一定時間（図３のｔ０〜ｔ１）内に行われる。
スリットノズル７２の吐出口より吐出されたレジスト液Ｒは、プライミングロ
ーラ１４の頂部付近に着液してから周回方向で周囲に広がる。
次いで、回転機構６５により所定のタイミング（図３の時点ｔ１）でプライ
ミングローラ１４に回転動作を開始させ、図２のII（巻き取り）に示すように
、レジスト液Ｒをスリットノズル７２の背面下部７２ａに回り込ませるように
して、プライミングローラ１４の外周面上にレジスト液Ｒを巻き取る。ここで
、レジスト液Ｒを巻き取るときの回転速度Ｖａは、レジスト液Ｒの液膜を早急
に断ち切ってしまわないような比較的低い速度が好ましく、たとえば周速度で
数十ｍｍ／秒に選ばれる。
次いで、所定のタイミング（図３の時点ｔ２）でプライミングローラ１４の
回転速度を一気に上げる。これによって、図２のIII（切り離し）に示すよう
に、レジスト液Ｒの液膜が切り離されて、スリットノズル７２側とプライミン
グローラ１４側とに分かれる。この際、スリットノズル７２を上昇させると、
レジスト液膜の分離を所定の部位でより円滑かつ確実に行うことができる。こ
うして、スリットノズル７２には、ノズル吐出口から背面下端部７２ａにかけ
てレジスト液の液膜ＲＦが残る。一方、プライミングローラ１４の外周面上に
は、上記のようにして巻き取られたレジスト液の液膜ＲＭ１が残る。このレジ
スト液膜ＲＭ１の周回方向巻き取りサイズは、回転角度範囲でたとえば７０°
〜７５°のサイズに設定することができる。
この実施例では、レジスト液膜ＲＭ１を切り離した後も、図２のIV（自然乾
燥）に示すようにプライミングローラ１４の回転をそのまま継続させる。この
際、プライミングローラ１４の回転速度は、図３の実線Ｖで示すように、レジ
スト液膜を切り離した直後（図３の時点ｔ３）の速度Ｖｂ（たとえば周速度で数
百ｍｍ／秒）をそのまま維持してもよく、あるいは仮想線（一点鎖線）Ｖ’で
示すように異なる速度（たとえば周速度で数十ｍｍ／秒）に切り換えてもよい
。なお、この自然乾燥（IV）の間も、排気機構４５は止めておく。
この実施例では、このようにプライミングローラ１４上に巻き取られたレジ
スト液膜ＲＭ１を切り取った後もプライミングローラ１４の回転をそのまま継
続させる動作によって、２つの重要な効果が奏される。
第１の効果は、プライミングローラ１４上に巻き取られたレジスト液膜ＲＭ
１の液垂れを防止できることである。すなわち、巻き取り（II）および切り離
し（III）の動作中に、プライミングローラ１４上のレジスト液膜ＲＭ１は、プ
ライミングローラ１４の頂部から底部に向って周回方向に移動する。
仮に、ここでプライミングローラ１４の回転を止めたならば、レジスト液膜
ＲＭ１には重力によって周回方向下向きの力が持続的に働いて、プライミング
ローラ１４の外周面上でレジスト液膜ＲＭ１が下に垂れる（広がる）。スリッ
トノズルを使用するスピンレス塗布法では、通常２０ｃｐ以下の低粘度レジス
ト液が使用されるため、プライミングローラ上で上記のようなレジスト液膜の
液垂れが生じやすい。
しかるに、この実施例では、プライミングローラ１４の回転を止めずにその
まま継続させることによって、レジスト液膜ＲＭ１に働く重力の作用（液垂れ
を誘引する力）を実質的にキャンセルし、プライミングローラ１４上に巻き取
ったレジスト液膜ＲＭ１を液垂れで広げることなく表面張力で所定の領域（分
割領域）内に止めておくことができる。
第２の効果として、排気機構４５を止めたまま、プライミングローラ１４の
回転を継続させることにより、プライミングローラ１４上に巻き取られたレジ
スト液膜ＲＭ１を短時間で効率よく自然乾燥させることができる。
すなわち、排気機構４５をオンにしてプライミングローラ１４を回転させる
と、プライミングローラ１４上のレジスト液膜ＲＭ１が強制乾燥部３８の隙間
４２の中で逆風による大きなストレスを受けて、膜厚均一性を低下させやすい
。特に、強制乾燥部３８の隙間４２内でレジスト液膜ＲＭ１に加わる逆風の圧
力に軸方向でばらつきがあると、レジスト液膜ＲＭ１の表面に周回方向に延び
る筋状の凹凸が付きやすい。排気機構４５を止めておけば、プライミングロー
ラ１４の回転中にその外周面上のレジスト液膜ＲＭ１は隙間４２を通過する時
でも逆風の圧力を受けることはなく、大気中に静止状態で放置されていた場合
と同等の自然乾燥を受ける。
こうして、プライミングローラ１４上のレジスト液膜ＲＭ１は、自然乾燥に
よって、膜の内部は液状のままで膜の表層部が乾燥固化した半乾きまたは生乾
きの状態になる。このような半乾きの状態に至ると、プライミングローラ１４
の回転を止めても、レジスト液膜ＲＭ１の液垂れは生じない。
この実施形態では、自然乾燥工程後の半乾き状態になったレジスト液膜ＲＭ
ｉ（ｉ＝１，２，３・・）を、自然乾燥工程前の完全な液状態の液膜と区別す
るために、レジスト乾燥膜［ＲＭｉ］と称する。
上記のようなプライミングローラ１４の回転によるレジスト液膜ＲＭ１の自
然乾燥（IV）は、一定の時間（図３のｔ３〜ｔ４）をかけて行われる。この間に
、スリットノズル７２は、ノズル移動機構７４によって塗布ステージへ送られ
、そこで基板一枚分のレジスト塗布処理に供される。そして、レジスト塗布処
理を終えると、スリットノズル７２は、再びこのプライミング処理装置へ戻っ
てきて、図１に示すように、その吐出口がプライミングローラ１４の頂部に対
して所定のギャップを隔てて平行に対向するように位置決めされる。
図４に、２回目のプライミング処理が行われるときの各段階を示す。この２
回目のプライミング処理では、図４のＩ（吐出）に示すように、前回（１回目
）のプライミング処理でプライミングローラ１４に巻き取られている第１のレ
ジスト乾燥膜［ＲＭ１］を外してプライミングローラ１４の頂部をスリットノ
ズル７２の吐出口に対向させた状態で、スリットノズル７２に一定量のレジス
ト液Ｒを吐出させる。
次いで、図４に示すように、１回目のプライミング処理のときと同じ動作お
よびタイミングでレジスト液Ｒの巻き取り（II）、切り離し（III）、自然乾
燥（IV）の各工程が順次行われる。
この場合も、１回目のプライミング処理のときと同様に、巻き取り（II）お
よび切り離し（III）の工程により、プライミングローラ１４の外周面上に所
定の周回方向サイズ（回転角度範囲で７０°〜７５°）でレジスト液Ｒが巻き
取られてレジスト液膜ＲＭ２が形成される。そして、プライミングローラ１４
の回転をそのまま継続して切り離し（III）から自然乾燥（IV）の動作に移行
し、液垂れを起こさずに所定の領域内でレジスト液膜ＲＭ２を自然乾燥させる
。こうして、プライミングローラ１４の外周面上には、第１レジスト乾燥膜［
ＲＭ１］とは異なる領域に、通常は回転方向において下流側の隣に設定された
分割領域内に、今回（２回目）のプライミング処理に付随した残存物として第
２レジスト乾燥膜［ＲＭ２］が所定の周回方向サイズ（７０°〜７５°）で形
成される。
３回目のプライミング処理も、図示省略するが、上述した１回目および２回
目のプライミング処理と同じ手順および動作で行われる。結果として、第１お
よび第２のレジスト乾燥膜［ＲＭ１］，［ＲＭ２］とは異なる領域に、通常は回
転方向において第２レジスト乾燥膜［ＲＭ２］の下流側の隣に設定された分割
領域内に、３回目のプライミング処理に付随した残存物として第３レジスト乾
燥膜［ＲＭ３］が所定の周回方向サイズ（７０°〜７５°）で形成される。
なお、３回目のプライミング処理が終了した時点で、第３レジスト乾燥膜［
ＲＭ３］は上述したように自然乾燥により半乾き状態になっているが、第１お
よび第２レジスト乾燥膜［ＲＭ１］，［ＲＭ２］も依然として半乾き状態を保っ
ている。すなわち、第１および第２レジスト乾燥膜［ＲＭ１］，［ＲＭ２］は、
プライミングローラ１４上で強制乾燥処理や加熱処理を一切受けていないので
、自然乾燥の時間が数倍長くてもまだ半乾き状態のままでいる。
この実施例では、プライミングローラ１４の外周面が全周にわたり清浄な状態にリセットされてから連続して所定回数たとえば４回のプライミング処理を行った直後に、プライミングローラ１４の一括洗浄（外周面全周の清浄化）を行うようにしている。
図５に、プライミングローラ１４の一周内で最後（４回目）のプライミング
処理および直後の一括洗浄処理が行われるときの各段階を示す。図６に、図５
のプライミング処理動作および一括洗浄処理動作におけるプライミングローラ
１４の回転速度を時間軸上の波形で示す。
最後（４回目）のプライミング処理でも、図５に示すように、レジスト液Ｒ
の吐出（Ｉ）、巻き取り（II）および切り離し（III）の各工程は１回目〜３
回目の各プライミング処理のときと同じであり、プライミングローラ１４の外
周面上には回転方向において第３レジスト乾燥膜［ＲＭ３］の下流側隣の分割
領域内にレジスト液膜ＲＭ４が巻き取られる。
しかし、切り離し（III）の後は、自然乾燥（IV）の工程をスキップして、
プライミングローラ１４の回転を継続したまま、洗浄(V)の工程に移行する。
この洗浄(V)の工程では、洗浄機構１６および排気機構４５を作動させる。
なお、洗浄(V)の工程を開始する前に、主制御部７０は、回転機構６５およ
び膜厚測定部６７を通じて、プライミングローラ１４上に付着しているレジス
ト乾燥膜［ＲＭ１］，［ＲＭ２］，［ＲＭ３］およびレジスト液膜ＲＭ４の範囲
（面積）および膜厚を測定し、その測定結果に基づいて洗浄(V)の工程におけ
る洗浄液の使用量を演算によって決定する。たとえば、プライミングローラ１
４上に付着している全てのレジスト膜（液膜または乾燥膜）の総レジスト量（
範囲×膜厚）を基準値とし、洗浄液使用量をその基準値（総レジスト量）に等
しい値に決定してよい。
また、レジスト膜測定に関しては、通常はプライミングローラ１４上で同じ
プライミング処理が繰り返されるので、各分割領域に付着しているレジスト膜
［ＲＭ１］，［ＲＭ２］，［ＲＭ３］，ＲＭ４の範囲および膜厚は同じであると
みなし、その中の一つ、たとえば［ＲＭ１］の範囲（面積）および膜厚だけの
測定で済ましてもよい。
洗浄(V)の工程における好適な一態様として、主制御部７０は、２流体ジェ
ットノズル１８がプライミングローラ１４の外周面全周の中でレジスト膜［Ｒ
Ｍ１］，［ＲＭ２］，［ＲＭ３］，ＲＭ４が付着している領域のみに洗浄液およ
びエアの２流体ジェット流を噴き付けるように、回転機構６５と洗浄機構１６
とを連動（連携）させて制御する。ここで、洗浄液の流量ないし使用量は、上
記のようなレジスト膜測定に基づいて決定されたものである。
こうして、２流体ジェットノズル１８より噴射される２流体ジェット流の強
い衝撃力により、プライミングローラ１４の外周面上に付着したばかりのレジ
スト液膜ＲＭ４はもちろん半乾き状態のレジスト乾燥膜［ＲＭ１］，［ＲＭ２］
，［ＲＭ３］も容易に洗い落とされ、その多くは洗浄液に混じって直下のドレ
イン口５４へ落下し、残りはミストｍａに変じて付近に飛散する。こうして一
括洗浄中に２流体ジェットノズル１８の周囲で発生するミストｍａのうち上方
へ舞い上がったものは、ミスト遮蔽部３２に遮られ、ハウジング１０の開口部
１２側に出ることはほとんどない。
一方、排気機構４５では、排気ダンパ５２が開いて、バキューム装置４８か
らのバキュームがバキューム管４６、バキューム通路４４および吸引口３６を
介してミスト引き込み部３４および強制乾燥部３８に供給される。
図７に示すように、ミスト引き込み部３４は、２流体ジェットノズル１８の
周囲で発生するミストｍａを隙間４０の下端から中に吸い込み、隙間４０の中
でミストｍａをプライミングローラ１４の外周面に沿って回転方向に流し、隙
間４０の上端から吸引口３６に出たミストｍａをバキューム装置４８へ送る。
強制乾燥部３８は、開口部１２を介して上方の大気空間よりエアを隙間４２の
中に吸い込んで、隙間４２の中でエアをプライミングローラ１４の外周に沿っ
て回転方向と逆向きに流し、プライミングローラ１４の外周面に残っている液
をエアの圧力で削ぎ落として液滴化し、隙間４２の下端から吸引口３６に出た
ミストｍｂをバキューム装置４８へ送る。このように、バキュームを利用して
プライミングローラ１４の外周面に対して回転方向と逆向きのエア流を当てて
液切りし、その液切りで発生したミストｍｂをそのままバキュームで回収する
ので、乾燥効率が高いうえミストの飛散を防止することができる。
上記のような洗浄（V）の工程を開始してから所定時間が経過した時（図６
の時点ｔ５）に洗浄機構１６をオフして、２流体ジェット洗浄を止める。その
後は、プライミングローラ１４を連続回転させたまま排気機構４５（ミスト引
き込み部３４および強制乾燥部３８）の動作だけを継続させ、プライミングロ
ーラ１４の外周面を全周に亘りバキュームの力で乾かす強制乾燥（VI）の工程
に切り換える。そして、所定時間の経過後に、排気ダンパ５２を閉じて排気機
構４５をオフにして乾燥処理を停止し、これで一括洗浄処理の全工程を終了す
る。
なお、タクトを揃える観点から、一括洗浄処理において洗浄(V)および強制
乾燥（VI）を合わせた全処理時間（図６のｔ３〜ｔ６）が、自然乾燥（IV）の処
理時間（図３のｔ３〜ｔ４）と同じ長さ（たとえば６０秒）に設定されるのが好
ましい。この場合、洗浄(V)の処理時間（図６のｔ３〜ｔ５）がたとえば２０秒
に設定され、強制乾燥（VI）の処理時間（図６のｔ５〜ｔ６）がたとえば４０秒
に設定されてよい。
上述したように、この実施例によれば、プライミングローラ１４の外周面をその周回方向に複数（たとえば４つ）に分割して各分割領域を連続する所定回数（４回）のプライミング処理に割り当てて使用し、最後（４回目）のプライミング処理を除く各プライミング処理においては、レジスト液の液膜ＲＭiを巻き取った後もプライミングローラ１４の回転をそのまま継続させる動作によって、レジスト液膜ＲＭiの液垂れを防止してレジスト液膜ＲＭiを各分割（割当）領域内に保持できるとともに、レジスト液膜ＲＭiを短時間で効率よく自然乾燥させて半乾き状態のレジスト乾燥膜［ＲＭi］とすることができる。
このように、プライミングローラ１４上で、レジスト液膜ＲＭｉの液垂れを
防止できるので、隣の未使用分割領域を汚すおそれはなく、したがって後続の
プライミング処理が前のプライミング処理によって影響を受けることはなく、
プライミング処理の再現性および信頼性を向上させることができる。
また、プライミングローラ１４上に付着した各レジスト液膜ＲＭｉは自然乾
燥による半乾き状態のレジスト乾燥膜［ＲＭｉ］として、あるいは完全な液状
の状態で洗浄されるので、洗い落としが容易であり、洗浄機構１６の負担を軽
減し、洗浄液の使用量を少なくすることができる。
さらに、一括洗浄では、プライミングローラ１４の外周面のうちレジスト膜
［ＲＭ１］，［ＲＭ２］，［ＲＭ３］，ＲＭ４が付着している領域のみに適量の
洗浄液を噴き付けるので、洗浄液の使用量を一層削減することができる。
なお、図示の例では、プライミングローラ１４の外周面を４分割し、１回の
プライミング処理における周回方向のレジスト液巻き取りサイズを７０°〜７
５°とした。しかし、任意の分割数および巻き取りサイズが可能であり、たと
えば１回当たりの周回方向巻き取りサイズを７０°以下で済まし、プライミン
グローラ１４の外周面を５分割して５回連続使用することも可能である。また
、プライミングローラ１４の外周面上に一周に亘って設定される複数の分割領
域の間でプライミング処理に使用される順序は任意（順不同）であり、配列順
序に一致させなくてもよい。
図８に、上述した実施例によるプライミング処理方法の大まかな手順を斜視図で示す。
［プライミング処理方法の第２の方式］
次に、図９〜図１２につき、このプライミング処理装置で実施可能なプライミング処理方法の第２の方式を説明する。
この第２の方式は、プライミングローラ１４上で洗浄処理を挿まずに連続して行えるプライミング処理の回数を飛躍的に増やせる手法である。この第２の方式では、プライミングローラ１４の外周面を使用して一周内の最後（４回目）のプライミング処理においてプライミングローラ１４上に巻き取られたレジスト液の液膜ＲＭ4を切り離すステップ（図５のIII（切り離し））までは、上述した実施例と同じプロセスを経る。
第２方式において、この先は、一括洗浄（V）ではなく、１回目〜３回目のプライミング処理の場合と同様に自然乾燥（IV）の工程に移行する。結果として、プライミングローラ１４の外周面上には、第３レジスト乾燥膜［ＲＭ3］と第１レジスト乾燥膜［ＲＭ1］との間に設定された分割領域内に、４回目のプライミング処理に付随した残存物として第４レジスト乾燥膜［ＲＭ4］が所定の周回方向サイズ（７０・〜７５・）で形成される。
次いで、図９に示すように、主制御部７０は、回転機構６５および膜厚測定
部６７を通じて、プライミングローラ１４上に付着している全てのレジスト乾
燥膜［ＲＭ１］，［ＲＭ２］，［ＲＭ３］，［ＲＭ４］の各々の膜厚分布特性を
測定する。上述したような洗浄（V）前の膜厚測定は洗浄液の使用量を決定す
るためのものであるからそれほど高い精度を必要としないが、この場面での膜
厚分布特性はプライミング処理の信頼性（再現性）に直接関係するため出来る
だけ高い精度で測定するのが望ましい。
すなわち、この第２の方式では、プライミングローラ１４の外周面上に形成された第１層のレジスト乾燥膜［ＲＭ1］，［ＲＭ2］，［ＲＭ3］，［ＲＭ4］は、後続のプライミング処理においてスリットノズル７２から吐出されるレジスト液Ｒを受ける下地に使われる。この下地膜の膜厚均一性（平坦度）は、その上に巻き取られるレジスト液膜の均一性（平坦度）だけでなく、スリットノズル７２の吐出口側に残るレジスト液膜ＲＦの均一性に影響し、ひいてはレジスト塗布処理で基板上に塗布されるレジスト膜の膜厚均一性に影響する。
この点に関して、自然乾燥（IV）の工程は、プライミングローラ１４上のレ
ジスト液膜ＲＭiに強制乾燥によるストレスを与えないので、通常は膜厚均一
性（平坦度）の優れたレジスト乾燥膜［ＲＭi］を得ることができる。しかし
、周囲からの不所望な圧力あるいは振動等の外乱があったり、スリットノズル
７２の吐出機能に異常があったりすると、レジスト乾燥膜［ＲＭi］の膜厚均
一性（平坦度）が良くない場合もあり得る。この実施形態では、プライミング
処理の精度および再現性に万全を期すために、上記のように回転機構６５およ
び膜厚測定部６７を作動させて、全てのレジスト乾燥膜［ＲＭ１］，［ＲＭ２］
，［ＲＭ３］，［ＲＭ４］について膜厚均一性を検査する。
より詳しくは、主制御部７０は、膜厚分布特性の測定結果に基づき、膜厚均
一性が所定の基準を超えるときは、当該レジスト乾燥膜［ＲＭｉ］を後続の別
のプライミング処理に使用可能な良品と判定する。しかし、膜厚均一性が該基
準を超えないときは、当該レジスト乾燥膜［ＲＭｉ］を後続のプライミング処
理には使用不可の不良品と判定する。以下の説明では、第１層のレジスト乾燥
膜［ＲＭ１］，［ＲＭ２］，［ＲＭ３］，［ＲＭ４］が全て使用可（良品）の認
定を受けたものとする。
図１０に、第２の方式において、プライミングローラ１４の外周面上に既
に形成されている第１レジスト乾燥膜［ＲＭ1］の上で後続たとえば５回目の
プライミング処理が行われるときの各段階を示す。
この５回目のプライミング処理では、先ず、第１層の第１レジスト乾燥膜［
ＲＭ１］をプライミングローラ１４の頂部に位置させて、スリットノズル７２
の吐出口がプライミングローラ１４の頂部と所定のギャップ（たとえば数十〜
数百μｍ）を隔てて平行に対向するように、ノズル移動機構７４を通じてスリ
ットノズル７２を位置決めする。
次に、図１０のＩ（吐出）に示すように、プライミングローラ１４を静止さ
せたままで、レジスト供給部７６を通じてスリットノズル７２に一定量のレジ
スト液Ｒを吐出させる。
このレジスト液吐出の動作は、一定時間（図３のｔ０〜ｔ１）内に行われる。
スリットノズル７２の吐出口より吐出されたレジスト液Ｒは、プライミングロ
ーラ１４の頂部つまり第１層の第１レジスト乾燥膜［ＲＭ１］上に着液してか
ら周回方向で周囲に広がる。
次いで、回転機構６５により所定のタイミングでプライミングローラ１４に
回転を開始させ、図１０のII（巻き取り）に示すように、レジスト液Ｒをスリ
ットノズル７２の背面下部７２ａに回り込ませるようにして、第１レジスト乾
燥膜［ＲＭ１］上にレジスト液Ｒを巻き取る。
ここで、スリットノズル７２より吐出されたレジスト液Ｒは同一材質である
第１レジスト乾燥膜［ＲＭ１］に付着しやすいので、プライミングローラ１４
の外周面上に巻き取るときよりも巻き取り時間（図３のｔ１〜ｔ２）を一段短く
する。これにより、切り離し（III）の工程によって第１レジスト乾燥膜［Ｒ
Ｍ１］側に残るレジスト液膜ｒｍ１はプライミングローラ１４の外周面上で切り
離し（III）を行った場合よりも大きな膜厚と短い長さ（周回方向巻き取りサ
イズ）を有している。なお、スリットノズル７２側に残るレジスト液膜ＲＦは
、プライミングローラ１４の外周面上で切り取り（III）を行った場合と略同
じである。
一例として、第１層のレジスト乾燥膜［ＲＭ１］の周回方向巻き取りサイズ
が４０ｍｍである場合に、今回（５回目）のプライミング処理で第１層のレジ
スト乾燥膜［ＲＭ１］上に巻き取られる第２層のレジスト液Ｒの液膜ｒｍ１の周
回方向巻き取りサイズを１０ｍｍ以下にすることができる。なお、プライミン
グ処理でプライミングローラ１４側に巻き取られるレジスト液膜の膜厚は通常
数μｍ以下であるから、多層重ねの巻き取りを行っても、スリットノズル７２
とプライミングローラ１４間のギャップ間隔（数十〜数百μｍ）に実質的な影
響を与えることはない。
切り離し（III）工程の後は、第１層のときのプライミング処理のときと同
様に、プライミングローラ１４の回転をそのまま継続させて自然乾燥（IV）の
工程に移行し、所定時間の経過後にプライミングローラ１４の回転を止める。
その結果、プライミングローラ１４において、第１層の第１レジスト乾燥膜［
ＲＭ１］上に、５回目のプライミング処理に付随した残存物として第２層の第
１レジスト乾燥膜［ｒｍ１］が所定の周回方向サイズ（たとえば約１８°）で
形成される。
後続の６回目および７回目のプライミング処理も、上述した５回目のプライ
ミング処理と全く同じ手順により、第１層の第２レジスト乾燥膜［ＲＭ２］お
よび第３レジスト乾燥膜［ＲＭ３］上でそれぞれ行われる。
これにより、プライミングローラ１４において、第１層の第２レジスト乾燥
膜［ＲＭ２］上には、６回目のプライミング処理に付随した残存物として第２
層の第２レジスト乾燥膜［ｒｍ２］が上記と略同じ周回方向サイズ（約１８°
）で形成される。また、第１層の第３レジスト乾燥膜［ＲＭ３］上には、７回
目のプライミング処理に付随した残存物として第２層の第３レジスト乾燥膜［
ｒｍ３］が上記と略同じ周回方向サイズ（約１８°）で形成される。
この第２の方式では、図１１に示すように、８回目のプライミング処理において第１層の第４レジスト乾燥膜［ＲＭ4］上に第２層のレジスト液膜ｒｍ4を巻き取った直後に、プライミングローラ１４の一括洗浄（外周面全周清浄化）を行うようにしている。
すなわち、図１１に示すように、８回目のプライミング処理でも、レジスト
液Ｒの吐出（Ｉ）、巻き取り（II）および切り離し（III）の各工程は５回目
〜７回目のプライミング処理のときと同じであり、第１層の第４レジスト乾燥
膜［ＲＭ４］上にレジスト液膜ｒｍ４が巻き取られる。
しかし、切り離し（III）の後は、自然乾燥（IV）の工程をスキップして、
プライミングローラ１４の回転を継続したまま、洗浄(V)の工程に移行する。
この洗浄(V)の工程では、洗浄機構１６および排気機構４５を作動させる。
この場面でも、洗浄(V)の工程を開始する前に、主制御部７０は、回転機構
６５および膜厚測定部６７を通じて、プライミングローラ１４上に付着してい
る第１層のレジスト乾燥膜［ＲＭ１］，［ＲＭ２］，［ＲＭ３］，［ＲＭ４］、
第２層のレジスト乾燥膜［ｒｍ１］，［ｒｍ２］，［ｒｍ３］およびレジスト液
膜ｒｍ４の範囲（面積）および膜厚を測定し、その測定結果に基づいて洗浄(V)
の工程における洗浄液の使用量を演算によって決定する。たとえば、プライミ
ングローラ１４上に付着している全てのレジスト膜（液膜または乾燥膜）の総
レジスト量（範囲×膜厚）を基準値とし、たとえば洗浄液使用量をその基準値
（総レジスト量）に等しい値に決定してよい。
この第２の方式の一括洗浄処理における洗浄(V)および強制乾燥（VI）の工程は、基本的には、上述した実施例の一括洗浄処理における洗浄(V)および強制乾燥（VI）の工程とそれぞれ同一内容のプロセスであってよい。
この第２の方式によれば、上述した実施例における作用効果を全部含むだけでなく、第１層のレジスト乾燥膜［ＲＭ1］，［ＲＭ2］，［ＲＭ3］，［ＲＭ4］上でも後続のプライミング処理を重ねて実施してから、まとめてプライミングローラ１４の一括洗浄処理を行うようにしたので、洗浄液使用量の削減効果を倍増させることができる。
図１２に、上述した第２の方式によるプライミング処理方法の大まかな手順を斜視図で示す。
［変形例］
上述した第２の方式においても、プライミングローラ１４の外周面上に一周に亘って巻き取られる第１層の複数のレジスト乾燥膜［ＲＭi］の個数および巻き取り順序を任意に選択できるだけでなく、たとえば図１３に示すように、第１層のレジスト乾燥膜［ＲＭi］上に巻き取られる第２層のレジスト液膜ｒｍiの個数および巻き取り順序も任意に選択できる。
また、第２の方式において、第１層のレジスト乾燥膜［ＲＭi］上で第２層分のプライミング処理を行ってから、その第１層のレジスト乾燥膜［ＲＭi］とは異なる領域でプライミングローラ１４の外周面上で別の第１層分のプライミング処理を行うことも可能である。
また、第２の方式においては、上述したように１回分のプライミング処理において、プライミングローラ１４の外周面上に形成される第１層のレジスト液膜ＲＭの周回方向巻き取りサイズよりも、第１層のレジスト乾燥膜上に形成される第２層のレジスト液膜ｒｍの周回方向巻き取りサイズが格段（数分の一以下）に短くなる。したがって、たとえば図１４に示すように、先ずプライミングローラ１４の外周面上に、下地膜の形成のために第１層のレジスト液膜ＲＭを好ましくは略全周に亘って形成し、これを上記と同様の自然乾燥によりレジスト乾燥膜［ＲＭ］とする。この第１層のレジスト乾燥膜［ＲＭ］つまり下地膜の上では、周回方向に分割領域を短く区切って相当多く（たとえば１０回以上）のプライミング処理を実施することができる。
なお、プライミングローラ１４の外周面上に下地膜（第１層のレジスト膜）
を形成するための処理では、プライミングローラ１４を通常とは逆方向に回転
させてもよく、また、レジスト塗布用のスリットノズル７２に代えてたとえば
プライミング処理装置に専属の別のスリットノズルを使用してもよい。
また、プライミングローラ１４において、上記のようにして形成された第２
層のレジスト乾燥膜ｒｍ上で後続のプライミング処理を実施して第３層のレジ
スト液膜を巻き取ることも可能である。更には、４層以上重ねて多数回のプラ
イミング処理を実施することも可能である。
一括洗浄処理においては、洗浄液の使用量は増えるが、プライミングローラ
１４の外周面全周に洗浄液を噴き付けることも可能である。
プライミング処理装置内の各部の構成または機能も上述した実施形態のもの
に限定されない。たとえば、洗浄機構１６において２流体ジェットノズル以外
の洗浄ツールたとえばスクレーパも使用または併用可能であり、排気機構４５
の各部、特に強制乾燥部３８の構成を種種変形することができる。
上述した実施形態のプライミング処理装置においては、プライミング処理の
結果としてプライミングローラ上に残るレジスト液膜（または乾燥膜）の膜厚
分布特性を測定する構成および機能（図９）を利用して、スリットノズル７２
側のレシスト吐出機能（特にスリット長手方向における吐出流の均一性）を検
査し、レジスト塗布処理の歩留まりないし信頼性を向上させることもできる。
本発明における塗布液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材
料、誘電体材料、配線材料等の塗布液も可能であり、各種薬液、現像液やリン
ス液等も可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他の
フラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク
、プリント基板等も可能である。
１０ プライミング処理装置
１２ 開口部
１４ プライミングローラ
１６ 洗浄機構
１８ ２流体ジェットノズル
３６ バキューム口
３８ 強制乾燥部
４５ 排気機構
６０ モータ
６２ 回転制御部
６５ 回転機構
７０ 主制御部
７２ スリットノズル
７４ ノズル移動機構

Claims (7)

  1. 長尺形のスリットノズルを用いて被処理基板上に塗布液を塗布する塗布処理において前記スリットノズルの吐出口付近に塗布処理の下準備として塗布液の液膜を形成するためのプライミング処理方法であって、
    １回分のプライミング処理のために、水平に配置された円筒状または円柱状のプライミングローラの頂部に対して所定のギャップを隔てて前記スリットノズルの吐出口を平行に対向させ、前記スリットノズルに一定量の塗布液を吐出させてから前記プライミングローラを回転させて、前記プライミングローラの外周面の上に前記吐出された塗布液の一部を巻き取る第１の工程と、
    前記第１の工程で開始した前記プライミングローラの回転を止めずにそのまま継続して、前記プライミングローラの外周面上に巻き取られた塗布液の液膜を自然乾燥させて第１乾燥膜とする第２の工程と、
    別の１回分のプライミング処理のために、前記第１乾燥膜を外して前記プライミングローラの頂部に対して所定のギャップを隔てて前記スリットノズルの吐出口を平行に対向させ、前記スリットノズルに一定量の塗布液を吐出させてから前記プライミングローラを回転させて、前記第１乾燥膜とは異なる領域で前記プライミングローラの外周面の上に前記吐出された塗布液の一部を巻き取る第３の工程と、
    前記プライミングローラの外周面上に付着している液膜または乾燥膜を洗浄によって一括除去する第４の工程と
    を有するプライミング処理方法。
  2. 前記第４の工程は、前記プライミングローラを回転させながら、前記プライミングローラの外周面のうち液膜または乾燥膜が付着している領域のみに洗浄液を噴き付ける、請求項１に記載のプライミング処理方法。
  3. 前記第４の工程に先立って、前記プライミングローラの外周面上に付着している液膜または乾燥膜の範囲および膜厚を測定し、その測定結果に基づいて前記第４の工程における洗浄液の使用量を決定する第５の工程を有する、請求項１または請求項２に記載のプライミング処理方法。
  4. 長尺形のスリットノズルを用いて被処理基板上に塗布液を塗布する塗布処理において前記スリットノズルの吐出口付近に塗布処理の下準備として処理液の液膜を形成するためのプライミング処理装置であって、
    所定位置に水平に配置された円筒状または円柱状のプライミングローラと、
    前記プライミングローラをその中心軸の回りに回転させる回転機構と、
    前記プライミングローラの外周面を洗浄するために洗浄液を噴き付ける洗浄機構と、
    前記プライミングローラの周囲を強制的に排気するための排気機構と、
    前記回転機構、前記洗浄部および前記排気部の各動作を制御する制御部と
    を有し、
    １回分のプライミング処理のために、前記プライミングローラの頂部に対して所定のギャップを隔てて前記スリットノズルの吐出口を平行に対向させ、前記スリットノズルに一定量の塗布液を吐出させてから前記回転機構により前記プライミングローラを回転させて、前記プライミングローラの外周面の上に前記吐出された塗布液の一部を巻き取り、
    前記回転機構により前記塗布液の巻き取り後も前記プライミングローラの回転を止めずに継続して、前記プライミングローラの外周面上に巻き取られた塗布液の液膜を自然乾燥させて第１乾燥膜とし、
    別の１回分のプライミング処理のために、前記第１乾燥膜を外して前記プライミングローラの頂部に対して所定のギャップを隔てて前記スリットノズルの吐出口を平行に対向させ、前記スリットノズルに一定量の塗布液を吐出させてから前記プライミングローラを回転させて、前記第１乾燥膜とは異なる領域で前記プライミングローラの外周面の上に前記吐出された塗布液の一部を巻き取り、
    所望回数の前記プライミング処理が終了した後に、前記回転機構によりプライミングローラを回転させながら前記洗浄機構と前記排気機構とを作動させて、前記プライミングローラの外周面上に付着している液膜または乾燥膜を洗浄によって一括除去する、
    プライミング処理装置。
  5. 前記排気機構を、前記塗布液の液膜を乾燥させる時は止めておく、請求項４に記載のプライミング処理装置。
  6. 前記プライミングローラの外周面上に付着している液膜または乾燥膜の範囲および膜厚を測定するための膜測定部と、
    前記一括洗浄の前に、前記膜測定部で得られる測定結果に基づいて前記膜の一括除去で使用する洗浄液の量を決定する洗浄液使用量決定部と
    を有する請求項４または請求項５に記載のプライミング処理装置。
  7. 前記洗浄機構は、前記プライミングローラの外周面のうち液膜または乾燥膜が付着している領域のみに洗浄液を噴き付ける、請求項４〜６のいずれか一項に記載のプライミング処理装置。
JP2009135634A 2009-06-05 2009-06-05 プライミング処理方法及びプライミング処理装置 Active JP5154510B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009135634A JP5154510B2 (ja) 2009-06-05 2009-06-05 プライミング処理方法及びプライミング処理装置
TW099118171A TWI478774B (zh) 2009-06-05 2010-06-04 預塗處理方法及預塗處理裝置
CN201010194786.7A CN101905209B (zh) 2009-06-05 2010-06-04 启动加注处理方法和启动加注处理装置
KR1020100052694A KR101518522B1 (ko) 2009-06-05 2010-06-04 프라이밍 처리 방법 및 프라이밍 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009135634A JP5154510B2 (ja) 2009-06-05 2009-06-05 プライミング処理方法及びプライミング処理装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011240089A Division JP5197829B2 (ja) 2011-11-01 2011-11-01 プライミング処理方法及びプライミング処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010279907A JP2010279907A (ja) 2010-12-16
JP5154510B2 true JP5154510B2 (ja) 2013-02-27

Family

ID=43260880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009135634A Active JP5154510B2 (ja) 2009-06-05 2009-06-05 プライミング処理方法及びプライミング処理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5154510B2 (ja)
KR (1) KR101518522B1 (ja)
CN (1) CN101905209B (ja)
TW (1) TWI478774B (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5154510B2 (ja) 2009-06-05 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 プライミング処理方法及びプライミング処理装置
JP5361657B2 (ja) * 2009-10-22 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 プライミング処理方法及びプライミング処理装置
JP5204164B2 (ja) * 2010-08-03 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 塗布装置およびノズルのプライミング処理方法
CN102698609B (zh) * 2012-05-31 2014-06-25 南京工业大学 一种半连续制备复合膜的装置及其复合膜制备工艺
CN104216231B (zh) * 2013-06-05 2019-02-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 涂布装置和涂布方法
WO2017057198A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 サントリーホールディングス株式会社 プリフォームコーティング装置及びプリフォームコーティング方法
WO2019131681A1 (ja) 2017-12-25 2019-07-04 サントリーホールディングス株式会社 プリフォームコーティング装置
CN113600429A (zh) * 2021-08-27 2021-11-05 合肥国轩高科动力能源有限公司 一种复合涂层涂覆模头

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3791191B2 (ja) * 1998-07-02 2006-06-28 Ｊｆｅスチール株式会社 金属管外面の塗装方法および塗装装置
JP2001310147A (ja) * 2000-05-02 2001-11-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd スリットコータの予備吐出装置および予備吐出方法
JP2004121980A (ja) * 2002-10-02 2004-04-22 Toppan Printing Co Ltd 予備吐出装置および方法
JP4315787B2 (ja) * 2003-11-18 2009-08-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置、並びに被充填体における液体充填度および気体混入度判定構造
JP4455102B2 (ja) * 2004-03-10 2010-04-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4522726B2 (ja) * 2004-03-18 2010-08-11 大日本スクリーン製造株式会社 スリットノズルおよび基板処理装置
JP4429073B2 (ja) * 2004-05-20 2010-03-10 東京応化工業株式会社 スリットコータの予備吐出装置
JP4676359B2 (ja) * 2006-03-07 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 プライミング処理方法及びプライミング処理装置
CN101032714A (zh) * 2006-03-08 2007-09-12 住友化学株式会社 涂敷膜形成装置用前处理装置及方法、涂敷膜形成装置及方法
JP2008049226A (ja) * 2006-08-22 2008-03-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 予備吐出装置
JP5154510B2 (ja) 2009-06-05 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 プライミング処理方法及びプライミング処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101905209A (zh) 2010-12-08
CN101905209B (zh) 2014-03-19
KR101518522B1 (ko) 2015-05-07
TW201105424A (en) 2011-02-16
JP2010279907A (ja) 2010-12-16
TWI478774B (zh) 2015-04-01
KR20100131374A (ko) 2010-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5154510B2 (ja) プライミング処理方法及びプライミング処理装置
JP4982527B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP2006503433A (ja) スピンコーティング方法および圧力センサを有するスピンコーティング装置
US7914843B2 (en) Slit coater having pre-applying unit and coating method using the same
JP4717782B2 (ja) 基板処理装置
WO2000032320A1 (en) System and method for coating of substrates
JP5361657B2 (ja) プライミング処理方法及びプライミング処理装置
JP2005270848A (ja) スリットノズル先端の調整装置及び調整方法
JP2007237046A (ja) プライミング処理方法及びプライミング処理装置
JP5197836B2 (ja) プライミング処理方法及びプライミング処理装置
JP5121778B2 (ja) プライミング処理方法及びプライミング処理装置
KR101048828B1 (ko) 기판세정장치 및 그 기판세정장치의 브러시유닛의 이물질 제거방법
JP5197829B2 (ja) プライミング処理方法及びプライミング処理装置
US20060147618A1 (en) Slit coater with a service unit for a nozzle and a coating method using the same
JP5378586B2 (ja) プライミング処理方法及びプライミング処理装置
JP5562315B2 (ja) プライミング処理方法及びプライミング処理装置
KR20080005264U (ko) 슬릿 코터용 예비토출장치
JP3842221B2 (ja) 塗布装置
JP2010162486A (ja) スリットノズル
JP6119293B2 (ja) 回転塗布装置および回転塗布装置の洗浄方法
KR20020083296A (ko) 스핀코팅장치의 포토레지스트 용액 공급장치 및 방법
KR20160116638A (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
KR20100076260A (ko) 반도체 소자의 제조 장치 및 방법
JPH04123529U (ja) 回転塗布装置
JP2013236977A (ja) スプレーノズル及びカラーフィルタ現像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110315

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110808

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120814

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121004

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121205

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5154510

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250