JP5151133B2 - 配線形成方法 - Google Patents
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Description
通常、CMP工程では、スラリー液中に混入した防食剤が形成されたCu表面部分は酸化及びケミカル溶出されずに、スラリー液中に混入した砥粒で研削されたCu表面部分のみが酸化及びケミカル溶出されて、研磨のバランスが調整される(図3)。例えば、防食剤としてベンゾトリアゾール(BTA)を用いた場合、Cu表面上に形成されたBTAは、図4に示すように、クラスター分子を形成して層構造となっている。BTAはCuやCuイオンと共に、大きなCu−BTAクラスター分子を形成しやすい物質であるので、Cu−BTAクラスター分子の巨大化による下地Cu層表面へのBTA被覆率の低下(図5A)を引き起こしやすく、また、BTAの二重結合部分で下地Cu層表面に吸着している場合(図5B)は吸着力が高いものの、BTAの二重結合部分がクラスター形成のための結合を担ってしまうと(図5C)、下地Cu層表面に吸着する二重結合部分が少なくなって(図5D)下地Cu層表面への吸着力にムラが発生する等の問題が発生しやすい。Cu表面へのBTA被覆率の低下や、BTAの下地Cu層への吸着力のムラ発生等によって、局部的にBTAが被覆されない部分があると、その部分だけ溶解が進行し、腐食を引き起こしてしまう。
本発明は、Cuへの防食性を向上して、Cu又はCu合金からなる配線が腐食するのを防止する配線形成方法を提供することを目的とする。
本発明の配線形成方法は、開口部が形成された絶縁膜上にバリアメタルを堆積するバリアメタル堆積工程と、前記堆積されたバリアメタル上にCu及びCu合金のいずれかからなる配線材料を堆積する配線材料堆積工程と、前記堆積された配線材料を研磨液を用いて化学機械的研磨して平坦化する平坦化工程と、前記平坦化された配線材料を、防食剤を含むpHが7以上の研磨液を用いて化学機械的研磨して前記堆積されたバリアメタルを表出させるバリアメタル表出工程とを含むことを特徴とする。
本発明の配線形成方法は、開口部が形成された絶縁膜上にバリアメタルを堆積するバリアメタル堆積工程と、前記堆積されたバリアメタル上にCu及びCu合金のいずれかからなる配線材料を堆積する配線材料堆積工程と、前記堆積された配線材料を研磨液を用いて化学機械的研磨して平坦化する平坦化工程と、前記平坦化された配線材料を、防食剤を含むpHが7以上の研磨液を用いて化学機械的研磨して前記堆積されたバリアメタルを表出させるバリアメタル表出工程とを含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程を含む。
前記バリアメタル堆積工程としては、開口部が形成された絶縁膜上にバリアメタルを堆積すること以外には特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記配線材料堆積工程としては、堆積されたバリアメタル上にCu及びCu合金のいずれかからなる配線材料を堆積すること以外には特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記配線材料としては、その形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記平坦化工程(図9)としては、堆積された配線材料を研磨液を用いて化学機械的研磨して平坦化すること以外には特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、複数の平坦化工程からなり、各平坦化工程で用いる研磨液のpH及び組成等を異なるようにしてもよい。複数の平坦化工程を有する場合、図10に示すように、同一のプラテンでスラリーを変えることにより各平坦化工程を行ってもよく、また、図11に示すように、各プラテンにおけるスラリーの数を1つとして、複数のプラテンで各平坦化工程を行ってもよい。また、各スラリー液は、pHのみが異なっていてもよく、組成(スラリー液中に含まれる物質の種類及び量)が異なっていてもよい。
前記バリアメタル表出工程(図9)としては、平坦化された配線材料を、防食剤を含むpHが7以上の研磨液を用いて化学機械的研磨して前記堆積されたバリアメタルを表出させること以外には特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記研磨液としては、平坦化された配線材料を化学機械的研磨して堆積されたバリアメタルを表出できれば、組成等については、特に制限なく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、酸化剤としての過酸化水素(H2O2)、溶解剤(錯化剤)としてのクエン酸三アンモニウム又はリンゴ酸、界面活性剤、防食剤としてのベンゾトリアゾール又はベンゾイミダゾール、及び砥粒等を含む。また、後述する図15Bに示すように中性・アルカリ性領域ではpH10付近でCu溶解レートが極大値を示すこと、及び、研磨液のpH調整に添加する調整剤はできるだけ少ない方が好ましいという観点から、研磨液のpHが7以上10以下であることが好ましい。なお、バリアメタル表出工程が終了したか否かは光の反射強度を測定することによって検知する。
前記その他の工程としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、絶縁膜上に開口部(トレンチ及びビアホール)を形成する開口部形成工程(図1A)や、電極として機能するCuシードをPVD法(スパッタ法)、あるいはCVD法にて形成するCuシード形成工程(図1C)や、バリアメタルを表出させた後に絶縁膜やバリアメタルを除去する除去工程(図9)や、絶縁膜やバリアメタルを除去した後に洗浄する洗浄工程(図9)や、配線層をキャップ膜を用いてキャップするキャップ膜形成工程(図1F)などが挙げられる。
−Cu防食効果のpH依存性評価−
クエン酸三アンモニウム(関東化学株式会社製、特級)を水に溶解させたクエン酸三アンモニウム水溶液(30g/L)にBTA(0.1wt%)及び過酸化水素(6wt%)を添加したサンプル液1、クエン酸三アンモニウム(関東化学株式会社製、特級)を水に溶解させたクエン酸三アンモニウム水溶液(3g/L)にBTA(0.1wt%)及び過酸化水素(6wt%)を添加したサンプル液2、リンゴ酸(関東化学株式会社製、特級)を水に溶解させたリンゴ酸水溶液(30g/L)にBTA(0.1wt%)及び過酸化水素(6wt%)を添加したサンプル液3を準備し、これらのサンプル液1〜3をH2SO4及びKOHでpH調整した。このpH調整したサンプル液1〜3中に、積層体(SiO2層、Ta層、及びPVD法により成膜した不純物の少ないCu層の3層構造)を約10分間浸漬し(図13)、浸漬後の積層体を走査型電子顕微鏡(SEM)(日立製作所製、S−5200)で観察し、Cu層の溶解量を段差測定(図14A及び図14B)することによりCu防食効果のpH依存性を評価した。その結果を、縦軸がCuの溶解レートであり、横軸がpHである図15A及び図15B(図15Aの拡大図)に示す。
−Cu防食効果のpH及び防食剤濃度依存性評価−
クエン酸三アンモニウム(関東化学株式会社製、特級)を水に溶解させたクエン酸三アンモニウム水溶液(30g/L)に防食剤としてのベンゾイミダゾール(添加なし(0wt%)、0.01wt%、0.1wt%)及び過酸化水素(6wt%)を添加し、H2SO4及びKOHでpH=3及びpH=10に調整したサンプル液4〜9(サンプル液4〜6がpH=3、サンプル液7〜9がpH=10)、クエン酸三アンモニウム(関東化学株式会社製、特級)を水に溶解させたクエン酸三アンモニウム水溶液(3g/L)にベンゾイミダゾール(添加なし(0wt%)、0.01wt%、0.1wt%)及び過酸化水素(6wt%)を添加し、H2SO4及びKOHでpH=3及びpH=10に調整したサンプル液10〜15(サンプル液10〜12がpH=3、サンプル液13〜15がpH=10)、リンゴ酸(関東化学株式会社製、特級)を水に溶解させたリンゴ酸水溶液(30g/L)にベンゾイミダゾール(添加なし(0wt%)、0.01wt%、0.1wt%)及び過酸化水素(6wt%)を添加し、H2SO4及びKOHでpH=3及びpH=10に調整したサンプル液16〜21(サンプル液16〜18がpH=3、サンプル液19〜21がpH=10)を電解質溶液として準備した。このサンプル液4〜21(300mL)を500mLビーカーに入れて、電気化学測定システム(北斗電工株式会社製、HZ3000)で液温25℃で電気化学測定を行った(図16)。その結果を図17〜22に示す。なお、対極(CE)としてPt、作用極(WE)としてPVD法により成膜したCu、参照電極(RE)として銀−塩化銀電極(Ag−AgCl)を使用し、電位の走査速度を10mV/secとし、浸漬電位から電位を走査して電流値を測定した。
なお、図23Aは、pH=3のサンプル液6を電解質溶液として用いた場合で、チップの真上から10,000倍で撮影したSEM画像であり、図23Bは、pH=10のサンプル液9を電解質溶液として用いた場合で、チップの真上から10,000倍で撮影したSEM画像であり、図23Cは、pH=3のサンプル液6を電解質溶液として用いた場合で、チップの真上から50,000倍で撮影したSEM画像であり、図23Dは、pH=10のサンプル液9を電解質溶液として用いた場合で、チップの真上から50,000倍で撮影したSEM画像であり、図23Eは、pH=3のサンプル液6を電解質溶液として用いた場合で、チップの斜めから50,000倍で撮影したSEM画像であり、図23Fは、pH=10のサンプル液9を電解質溶液として用いた場合で、チップの斜めから50,000倍で撮影したSEM画像である。
−Cu防食効果のpH及び配線幅依存性評価−
クエン酸三アンモニウム(関東化学株式会社製、特級)を水に溶解させたクエン酸三アンモニウム水溶液(30g/L)にBTA(0.1wt%)及び過酸化水素(6wt%)を添加し、H2SO4及びKOHでpHをpH=5、pH=7、pH=7.5、pH=10に調整したサンプル液22〜25と、クエン酸三アンモニウム(関東化学株式会社製、特級)を水に溶解させたクエン酸三アンモニウム水溶液(30g/L)に過酸化水素(6wt%)のみを添加し、H2SO4及びKOHでpHをpH=5、pH=7、pH=7.5、pH=10に調整したサンプル液26〜29を準備し、これらのサンプル液22〜29に、高さ約200μm、配線幅が0.09〜3.0μmの配線が形成された配線構造体サンプルを約10分間浸漬し、浸漬前後の各配線部分の段差(トレンチの深さ方向のCu溶解量)を走査型電子顕微鏡(SEM)(日立製作所製、S−5200)での観察結果から測定し、下記(1)式を用いて防食率を算出して、Cu防食効果のpH及び配線幅依存性を評価した。その結果を図24に示す。
防食率(%)=((BTAを含有しないサンプル液でのCu溶解量)−(BTAを含有するサンプル液でのCu溶解量))/(BTAを含有しないサンプル液でのCu溶解量) ・・・・(1)
以上より、酸化剤として過酸化水素を用いた場合は、Cu溶解レートの観点から(図15A及び図15B)、平坦化工程をpH4以下の研磨液を用いて行うことが好ましい(但し、酸化剤に過硫酸アンモニウムを使用した場合は研磨液のpHが4より大きくてもよい)。平坦化工程をpHが4より大きい研磨液を用いて行うと、Cu溶解レートが60nm/min以下となって、pH3の研磨液を用いた場合のCu溶解レート120nm/minと比較して、2倍以上(約3倍)の時間を要することとなる。ここで、研磨するCuの厚さが500nmであったとしても、平坦化工程をpHが4より大きい研磨液を用いて行うと、約10分間の研磨を要し、実用性がない(実際のCMP工程では、機械的(メカニカル)研磨も含まれるので、研磨レートはCu溶解レートよりも大きくなるが、基本的にかかる時間比率は、Cu溶解レートとほとんど変わらない)。
また、バリアメタル表出工程をpH7以上pH10以下の研磨液を用いて行うことが好ましい(図24よりpHが10に近い方が好ましい)。バリアメタル表出工程をpH4以下の研磨液を用いて行うとCu配線が腐食し(図25A〜図25F)、バリアメタル表出工程をpHが10より大きい研磨液を用いて行うと、Cu配線の表面に析出したCuの酸化物(Cu(OH)2)がクエン酸三アンモニウムでは溶解しにくくなるからである(図26A及び図26B)。
なお、本願の実施例は、CMP工程における化学的研磨のみについて検証しているが、この化学的研磨について検証で得られた結果は、化学的研磨に機械的研磨を単に加算した化学機械的研磨(CMP)についても適用可能と考えられる。
(付記1) 開口部が形成された絶縁膜上にバリアメタルを堆積するバリアメタル堆積工程と、前記堆積されたバリアメタル上にCu及びCu合金のいずれかからなる配線材料を堆積する配線材料堆積工程と、前記堆積された配線材料を研磨液を用いて化学機械的研磨して平坦化する平坦化工程と、前記平坦化された配線材料を、防食剤を含むpHが7以上の研磨液を用いて化学機械的研磨して前記堆積されたバリアメタルを表出させるバリアメタル表出工程とを含むことを特徴とする配線形成方法。
(付記2) バリアメタル表出工程において、pHが7以上10以下の研磨液を用いる付記1に記載の配線形成方法。
(付記3) 平坦化工程において、酸性の研磨液を用いる付記1から2のいずれかに記載の配線形成方法。
(付記4) 酸性の研磨液は、pHが4以下の研磨液を用いる付記3に記載の配線形成方法。
(付記5) 防食剤は、ベンゾトリアゾール及びベンゾイミダゾールの少なくとも一方を含む付記1から4のいずれかに記載の配線形成方法。
(付記6) 平坦化工程及びバリアメタル表出工程を同一のプラテンで行う付記1から5のいずれかに記載の配線形成方法。
(付記7) 平坦化工程及びバリアメタル表出工程を異なるプラテンで行う付記1から5のいずれかに記載の配線形成方法。
(付記8) バリアメタル表出工程において用いた研磨液は、平坦化工程において用いた研磨液とpHのみが異なる付記1から7のいずれかに記載の配線形成方法。
(付記9) バリアメタル表出工程において用いた研磨液は、平坦化工程において用いた研磨液と異なる組成である付記1から7のいずれかに記載の配線形成方法。
(付記10) 配線は、線幅が1.0μm以下である付記1から9のいずれかに記載の配線形成方法。
(付記11) 付記1から10のいずれかに記載の配線形成方法により配線が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記12) 付記11に記載の半導体装置の製造方法により製造されることを特徴とする半導体装置。
本発明の配線形成方法は、フラッシュメモリ、DRAM、FRAM、等を初めとする各種半導体装置の製造に好適に用いることができる。
Claims (4)
- 開口部が形成された絶縁膜上にバリアメタルを堆積するバリアメタル堆積工程と、前記堆積されたバリアメタル上にCu及びCu合金のいずれかからなる配線材料を堆積する配線材料堆積工程と、前記堆積された配線材料を研磨液を用いて化学機械的研磨して平坦化する平坦化工程と、前記平坦化された配線材料を、ベンゾトリアゾール及びベンゾイミダゾールの少なくとも一方を含む防食剤と、過酸化水素と、クエン酸三アンモニウム及びリンゴ酸の少なくともいずれかとを含むpHが7以上10以下の研磨液を用いて化学機械的研磨して前記堆積されたバリアメタルを表出させるバリアメタル表出工程と、前記表出されたバリアメタルを除去するバリアメタル除去工程とを含むことを特徴とする配線形成方法。
- 平坦化工程における研磨液が、防食剤と、過酸化水素と、クエン酸三アンモニウム及びリンゴ酸の少なくともいずれかとを含む請求項1に記載の配線形成方法。
- 平坦化工程において、酸性の研磨液を用いる請求項1から2のいずれかに記載の配線形成方法。
- 酸性の研磨液は、pHが4以下である請求項3に記載の配線形成方法。
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