JP5144814B2 - 電気電子部品用銅合金材料 - Google Patents
電気電子部品用銅合金材料 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5144814B2 JP5144814B2 JP2011526771A JP2011526771A JP5144814B2 JP 5144814 B2 JP5144814 B2 JP 5144814B2 JP 2011526771 A JP2011526771 A JP 2011526771A JP 2011526771 A JP2011526771 A JP 2011526771A JP 5144814 B2 JP5144814 B2 JP 5144814B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- tin
- layer
- copper alloy
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/02—Alloys based on copper with tin as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/58—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/615—Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
- C25D5/617—Crystalline layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
また、スズめっき材料の用途の一部では、高温環境下で長時間使用され、その場合にはスズめっき層のスズが基体中への熱拡散により消失し、めっきの機能が低下することが問題となる。そのため、スズめっき層の下層にニッケルやコバルトなどの下地めっきを施し、スズの熱拡散を低減する。スズめっき層と基体材料との間のニッケルやコバルトの下地めっき層は、スズの拡散のバリア層としての機能を持つ。
この様に、使用環境に応じて、下地めっきの有無について2種類の構成のスズめっき材料が開発されている。
第1に、自動車や電機・電子機器の高機能化とともに、コネクタの多極化が進行しているため、端子や接点部品の一つ一つの小型化が進行している。例えば、タブ幅が約1.0mmの端子を0.64mmへダウンサイズする動きが進んでいる。
第2に、鉱物資源の低減や、部品を軽量化するため、基体材料の薄肉化が進行しており、なおかつバネ接圧を保つために、従来よりも高強度な基体材料が要求されている。
第3に使用環境の高温化が進行している。例えば自動車部品では、二酸化炭素発生量の低減のために、車体軽量化を進めるため、従来、ドアに設置していた様なエンジン制御用のECUなどの電子機器をエンジンルーム内やエンジン付近に設置し、電子機器とエンジンの間のワイヤーハーネスを短くする動きが進んでいる。
端子の小型化に伴い、接点部分やバネ部分に施される曲げ加工の曲げ半径は小さくなり、めっき材料には従来よりも厳しい曲げ加工が施される。そのため、めっき材料のめっき部分または、めっき部分と基体材料にクラックが発生する問題が生じている。
めっき材料の高強度化に伴い、めっき材料の曲げ加工性は、一般的に強度とトレードオフの関係にあるため、めっき材料のめっき部分または、めっき部分と基体にクラックが発生する問題が生じている。
使用環境の高温化に伴い、スズめっき層の熱拡散による消失を防止するためには、バリア層となるニッケルやコバルトなどの下地めっきを厚くする必要があるが、これらのめっきはスズめっきよりも硬く延性に乏しいため、曲げ加工を行った場合に、このバリアめっき層を基点とした、クラックが発生する問題が生じている。
接点部分やバネ部分に施される曲げ加工部にクラックが発生すると、接点部分の接圧が低下することにより、接点部分の接触抵抗が上昇し、電気的接続が絶縁され、コネクタとしての機能が失われることとなる。
ニッケルやコバルトなどの下地層を含まないスズめっき材料に関しては、特許文献1において、Cu−Sn化合物層の厚さの制御により、成形加工性が悪化することを防止している。
ニッケルやコバルトなどの下地層を含むスズめっき材料に関しては、特許文献2、3において、ニッケル下地めっき層の厚さの制御により、また、特許文献4において、ニッケル下地めっき層とCu−Sn化合物層の厚さの制御により、曲げ加工性が悪化することを防止している。
但し、これらの方法では、最先端技術の小型端子の小さい曲げ半径でクラックの発生を防止することが困難になってきている。また、めっき層の厚さの制御は、肝心のめっきとしての機能を損なう場合があるため、抜本的な解決にならない場合があった。
また、それに加えて前記基体材料のcube方位面積を高めながら、なおかつ、スズめっき材料に要求される強度及び導電性を満足する基体材料の合金組成を見出し、発明に至った。
更に、基体材料の導電率や曲げ加工性を損なうことなく、耐応力緩和特性を向上させる働きのある添加元素について発明を行った。
(1)銅合金からなる基体上に、
少なくとも銅およびスズを含む合金層が、めっき処理と加熱溶融処理により形成されている電気電子部品用銅合金材料であって、
前記基体のEBSD法結晶方位測定におけるcube方位{0 0 1}<1 0 0>から20°以内である領域の面積率が、5%以上であり、
前記基体は、ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を合計で0.4〜5.0mass%含有し、ケイ素を0.1〜1.5mass%含有し、残部が銅及び不可避不純物からなる組成を有し、該基体は表層の加工変質層を除去してなり、
前記基体上に隣接して、ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を含有する下地めっき層が設けられており、
前記銅合金材料を、内側半径0.15mmとして90°W曲げ加工し、温度140℃で120時間の条件で大気中において加熱した後の曲げ部頂点の接触抵抗が、Agプローブを介した荷重490mNの条件下で10mΩ以下である
ことを特徴とする、電気電子部品用銅合金材料。
(2)銅合金からなる基体上に、
少なくとも銅およびスズを含む合金層が、めっき処理と加熱溶融処理により形成されている電気電子部品用銅合金材料であって、
前記基体のEBSD法結晶方位測定におけるcube方位{0 0 1}<1 0 0>から20°以内である領域の面積率が、5%以上であり、
前記基体は、ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を合計で0.4〜5.0mass%含有し、ケイ素を0.1〜1.5mass%含有し、スズ、亜鉛、銀、マンガン、ホウ素、リン、マグネシウム、クロム、鉄、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種を合計で0.005〜2.0mass%含有し、残部が銅及び不可避不純物からなる組成を有し、該基体は表層の加工変質層を除去してなり、
前記基体上に隣接して、ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を含有する下地めっき層が設けられており、
前記銅合金材料を、内側半径0.15mmとして90°W曲げ加工し、温度140℃で120時間の条件で大気中において加熱した後の曲げ部頂点の接触抵抗が、Agプローブを介した荷重490mNの条件下で10mΩ以下である
ことを特徴とする、電気電子部品用銅合金材料。
(3)前記合金層上に、スズまたはスズ合金からなる最表層が設けられていることを特徴とする、(1)または(2)記載の電気電子部品用銅合金材料。
(4)前記下地めっき層と前記合金層との間に、銅または銅合金からなる中間層が設けられていることを特徴とする、(1)または(2)記載の電気電子部品用銅合金材料。
(5)前記下地めっき層と前記合金層との間に、銅または銅合金からなる中間層が設けられ、かつ前記合金層上に、スズまたはスズ合金からなる最表層が設けられていることを特徴とする、(1)または(2)記載の電気電子部品用銅合金材料。
(6)(1)〜(5)のいずれか1項に記載の銅合金材料が加工されてなる電気電子部品。
(7)ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を合計で0.4〜5.0mass%含有し、ケイ素を0.1〜1.5mass%含有し、残部が銅及び不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなり、均質化熱処理した鋳塊を850〜1020℃で熱間圧延し、800℃以下まで水冷または空冷して500〜800℃で合計の加工率が40%以上の高温圧延を行って得た基体上に、
ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を含有する下地めっき層と、銅または銅合金からなる銅めっき層と、スズまたはスズ合金からなるスズめっき層をこの順に形成し、その後250〜800℃で0.1〜120秒の加熱溶融処理によって前記スズめっき層を溶融させて、前記銅めっき層の構成元素と前記スズめっき層の構成元素からなる合金層を形成する、電気電子部品用銅合金材料の製造方法であって、
前記加熱溶融処理後の前記基体のEBSD法結晶方位測定におけるcube方位{0 0 1}<1 0 0>から20°以内である領域の面積率が5%以上であることを特徴とする、電気電子部品用銅合金材料の製造方法。
(8)ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を合計で0.4〜5.0mass%含有し、ケイ素を0.1〜1.5mass%含有し、スズ、亜鉛、銀、マンガン、ホウ素、リン、マグネシウム、クロム、鉄、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種を合計で0.005〜2.0mass%含有し、残部が銅及び不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなり、均質化熱処理した鋳塊を850〜1020℃で熱間圧延し、800℃以下まで水冷または空冷して500〜800℃で合計の加工率が40%以上の高温圧延を行って得た基体上に、
ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を含有する下地めっき層と、銅または銅合金からなる銅めっき層と、スズまたはスズ合金からなるスズめっき層をこの順に形成し、その後250〜800℃で0.1〜120秒の加熱溶融処理によって前記スズめっき層を溶融させて、前記銅めっき層の構成元素と前記スズめっき層の構成元素からなる合金層を形成する、電気電子部品用銅合金材料の製造方法であって、
前記加熱溶融処理後の前記基体のEBSD法結晶方位測定におけるcube方位{0 0 1}<1 0 0>から20°以内である領域の面積率が5%以上であることを特徴とする、電気電子部品用銅合金材料の製造方法。
ここでcube方位とは、結晶の<0 0 1>方向が圧延方向、圧延面法線および幅方向と平行になる方位である。
本発明の様に、複数の相を積み重ねためっき構造の場合、NiやCoなどの下地層及び、Cu−Sn化合物などの拡散層は、周囲のSn及び母材よりも強度が高く、これらの層ごとの変形挙動の差が問題となる。結果的に、下地層及び拡散層は延性に乏しく周囲よりも破壊が先に起こり、その破壊を起点としてめっき層全体が割れるため、多層めっきにおけるめっき割れは本質的な問題であった。この問題に対し、本発明は、めっきされる母材の表面について特定の結晶方位を有するように調整することにより、その変形状態を変化させる手法を取ったものである。
本発明で規定するように、基体材料のcube方位面積率を所定の大きさとすると、不均一な変形が抑制され、基体材料の表面に発生するシワが低減され、スズめっきの割れが抑制されることが解った。
更に、ニッケルや銅下地層もcube方位に配向し、めっき自体にも不均一な変形体が発達しにくくなる効果を見出した。
コネクタに要求される導電性、機械的強度および耐熱性を有する銅、リン青銅、黄銅、洋白、ベリリウム銅、コルソン系合金(Cu−Ni−Si系)などの銅合金が好ましい。特に、cube方位の面積率を高めたい場合は、純銅系の材料やベリリウム銅、コルソン系合金が好ましい。更に、最先端の小型端子材料に求められるような、高強度と高導電性を両立させるためには、Cu−Ni−Si系やCu−Ni−Co−Si系の銅合金が好ましい。
以下に、各元素の添加効果を示す。Sn、Zn、Mgは、Cu−Ni−Si系、Cu−Ni−Co−Si系、Cu−Co−Si系銅合金に添加することで耐応力緩和特性が向上する。それぞれを添加した場合よりも併せて添加した場合に相乗効果によってさらに耐応力緩和特性が向上する。また、半田脆化を著しく改善する効果がある。また、Agを含めると、固溶効果により強度が向上する効果がある。
また、Mn、B、P、Cr、Fe、Ti、ZrおよびHfは、結晶粒の微細化による強度の向上などの効果を奏する。
一般に、析出型銅合金は、均質化熱処理した鋳塊を熱間と冷間の各ステップで薄板化し、700〜1020℃の温度範囲で中間溶体化熱処理を行って溶質原子を再固溶させた後に、時効析出熱処理と仕上げ冷間圧延によって必要な強度を満足させるように製造される。これらの製造条件は銅合金組成によって若干異なるが、鋳塊の均質化熱処理条件は、800〜1020℃で3分〜10時間行うのが好ましい。鋳塊の熱間圧延は好ましくは500〜1000℃で、冷間圧延は好ましくは室温〜200℃で行われる。冷間圧延の加工率は好ましくは80〜99.9%である。時効析出熱処理と仕上げ冷間圧延の条件は、所望の強度及び導電性などの特性に応じて、調整される。具体例をあげると時効析出熱処理は、好ましくは350〜650℃、より好ましくは400〜600℃で、好ましくは1分間〜10時間、より好ましくは10分間〜6時間で行われる。銅合金の集合組織については、この一連のステップの中の中間溶体化熱処理中に起きる再結晶によってそのおおよそが決定し、仕上げ圧延中に起きる方位の回転により、最終的に決定される。
本発明においては、熱間圧延温度の下限値と高温圧延温度の上限値の間の温度範囲、好ましくは上記800℃〜850℃、さらに好ましくは750℃〜900℃の中間温度範囲では、圧延加工を行わず、水冷または空冷することが好ましい。以下にこの理由を示す。この温度帯は最も溶質元素の析出が速い温度帯である。なお、この中間温度帯より高温は、溶質元素がほぼ固溶する温度であり、この中間温度帯より低温は原子の運動が遅いため、析出が軽微である。そして、この好ましくは800℃〜850℃、さらに好ましくは750℃〜900℃の中間温度帯で圧延加工を受けた場合は、格子欠陥の増加により析出が更に速くなり、数ミクロン前後の大きさの粗大な析出物が生成してしまう。次に、500℃〜800℃の高温圧延及び、その後の冷間圧延において、この数ミクロン前後の大きさの粗大な析出粒子の周囲には歪みが集中する。その結果、中間溶体化熱処理において、粒子周囲の高歪み領域からランダムな方位の再結晶粒が発生し、所望のcube方位面積率を得られないことがある。すなわち、本発明で規定するcube方位面積率を達成するためには、粗大析出粒子の制御が肝要であり、そのためには上記中間温度での圧延加工を行わないことが好ましい。よって、上記の理由から、空冷よりも水冷により中間温度を推移することが、より好ましい。
本発明において、加工変質層はバフ掛け工程や調質圧延(機械加工)の際に発生する熱、作用力、周囲の雰囲気、金属新生面の性質などの影響を受けて形成される層で、金属基体内部の結晶組織よりも微細な組織を呈する。前記加工変質層はベイルビー層(上層)と塑性変形層(下層)とからなり、前記ベイルビー層は極微細な結晶集合組織或いは非晶質組織からなり、前記塑性変形層は歪みの多い不均一な結晶集合組織からなり、その結晶粒の大きさはベイルビー層の結晶粒と金属基体内部の結晶粒のほぼ中間の大きさである。本発明では、これらの加工変質層を除去することとなるが、加工変質層を完全に除去するか否かは、加工変質層除去後の金属基体の表面状態などを考慮して決定することが好ましい。
加工変質層は熱的に不安定な組織であり、加熱溶融処理中の熱による原子拡散によって熱的に安定な原子配列に変化し、加工変質層は減少する。よって、本発明の様な加熱溶融処理を行うめっきの場合は、めっきの前に加工変質層を除去する利点は少なく、めっきの前に加工変質層の除去行うことは一般的ではないと考えられる。因みに、Niめっき、Cuめっき、Agめっきなどの場合は、めっき後に加熱溶融処理は行わないのが一般的である。
前記加工変質層の厚さは、材質、鋳造圧延条件およびバフ掛け条件により決まるので、前記加工変質層の厚さを、予め、材質別、製法別に調べておけば、前記加工変質層は、金属基体の露出面を観察することなく除去することができる。例えば、鋳造圧延しバフ掛けした板の表層の酸化物層および吸着物層の厚さは0.01〜0.1μm程度、加工変質層の厚さは0.3〜0.4μm程度であり、従って金属基体の表層を、めっき前に0.4μm程度、望ましくは0.5μm程度除去することにより加工変質層は除去される。
本発明において形成されるスズめっきの成分組成、種類については特に制限はない。本発明に使用しうるスズめっきとしては、スズ、スズ−銀、スズ−ニッケル、スズ−銅、スズ−鉛、スズ−アンチモンなどがあげられる。スズめっき層の厚さは、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは0.5〜5μmとする。
さらに本発明において、基体材料上に、めっきの前処理として、常法によりニッケル、コバルトなどの下地めっきを例えば被覆厚0.2〜5μm程度の厚さで設けることができるが、これは必須ではない。
さらに本発明においてはスズめっき層の下層の、中間層として、銅または銅合金からなる銅めっき層を形成するのが好ましい。
本発明においては、銅合金からなる基体上に少なくとも銅およびスズを含む合金層を形成する。この銅または銅合金からなる銅めっき層は、次にスズまたはスズ合金からなるスズめっき層をこの上に形成し、好ましくは厚さ0.2〜10μm、より好ましくは0.5〜5μmで形成され、その後加熱溶融処理によって前記スズめっき層を溶融させて、前記銅めっき層の構成元素と前記スズめっき層の構成元素からなる合金層を形成することにより得ることができる。この場合の前記の加熱溶融処理(リフロー処理)は、250〜800℃で、時間は0.1〜120秒行う。
[基体材料の製造]
第1の添加元素を表1に示す割合で含有するように配合し、残部がCuと不可避不純物から成る合金を高周波溶解炉により溶解し、これを0.1〜100℃/秒の冷却速度で鋳造して鋳塊を得た。これを900〜1020℃の温度で3分〜10時間の均質化熱処理後、850℃〜1020℃の温度で熱間圧延を行った。その後800℃以下まで水冷または空冷し、500℃〜800℃の温度で、合計の加工率が40%以上90%以下の高温圧延を行った後に水焼き入れを行い、酸化スケール除去のために面削を行った。その後に、加工率80%から99.8%の冷間圧延、700〜1020℃で5秒〜1時間の中間溶体化熱処理、400〜700℃で5分〜10時間の時効析出熱処理、加工率3〜25%の仕上げ冷間圧延、200〜600℃で5秒〜10時間の調質焼鈍を行って、基体材料とした。これらの供試材の組成および特性を、本発明例および比較例について併せて表1に示す。各熱処理や圧延の後に、材料表面の酸化や粗度の状態に応じて酸洗浄や表面研磨を、形状に応じてテンションレベラーによる矯正を行った。
なお、表1、表2中の比較例1−1、1−2、2−1、2−2は、上記工程内の、高温圧延を900℃より高い温度で行い、中間溶体化熱処理を700℃未満で行い、30%より大きい加工率の仕上げ冷間圧延を行うことによって製造した。また、表1、表2中の比較例1−3、1−4、2−3、2−4は、上記工程内の、高温圧延を900℃より高い温度で行うことによって製造した。
次に、めっきの前処理として電解脱脂処理および酸洗処理をこの順に施した。電解脱脂処理の条件は、脱脂液はNaOH 60グラム/リットルとし、脱脂液温度60℃、電流密度2.5 A/dm2、脱脂時間60秒でおこなった。
次いで、表1に示すように下地層1のめっきを施す。下地層1のめっき条件は、例えばニッケルめっきの場合は、めっき液はNi(NH2SO3)2・4H2Oを500グラム/リットル、H3BO3を30グラム/リットル、NiCl2・6H2Oを30グラム/リットルをそれぞれ含む水溶液とし、めっき液温度55℃、電流密度を10A/dm2とした。コバルトめっきの場合も同様に行った。めっき厚は、被覆厚0.5〜1μmで適宜調整した。なお、下地層がニッケルとコバルトから形成されている場合は、それぞれの被覆厚を適宜調整し、合計の厚さが0.5〜1μmになるよう調整した。
なお、中間層2および最表層3の合計層厚は、0.2〜10μmとなるよう調整を行った。
最後に、リフロー処理を行って溶融処理した。リフロー処理の条件は300℃、60秒が目安だが、適宜調整することにより、所望のめっき構成を得た。このリフロー処理により、中間層2と最表層3との間に、合金層4が形成される。
a.cube方位からのずれ角度が20°以内の領域の面積率[cube方位]:
めっき前の時点で、基体材料の表面より測定した。EBSD法により、測定面積が500μm2、スキャンステップが0.5μmの条件で測定を行った。測定面積は結晶粒を200個以上含むことを基準として調整した。
b.めっき構成
断面を機械研磨し、EPMA測定により、下地層1、中間層2、合金層4、最表層3の構成元素を測定した。合金層4の形成により、中間層2及び最表層3の残存が認められない場合は、表中に「消滅」と記した。
c.曲げ加工して加熱した後の接触抵抗:
スズめっき材料を圧延方向に垂直に幅10mm、長さ35mmに切出し、これに曲げの軸が圧延方向に垂直になるようにW曲げしたものをGW(Good Way)、圧延方向に平行になるようにW曲げしたものをBW(Bad Way)とし、90°W曲げを行った。各曲げ部の曲げ角度は90°、角曲げ部の内側半径は0.15mmとした。
その後に、温度140℃で120時間の条件で大気加熱した。
その後に、曲げ部頂点の接触抵抗を測定した。測定は4端子法を用い、Agプローブ、荷重490mN、n=10の平均値を算出した。接触抵抗の値が10mΩ以下の場合を「良」と判定して表に「○」印を付し、10mΩを超えた場合は「否」と判定して表に「×」印を付して評価を示した。
d.0.2%耐力[YS]:
圧延平行方向から切り出したJIS Z2201−13B号の試験片をJIS Z2241に準じて3本測定し、その平均値を示した。
e.導電率[EC]:
20℃(±0.5℃)に保たれた恒温槽中で四端子法により比抵抗を計測して導電率を算出した。なお、端子間距離は100nmとした。
f.応力緩和率[SR]:
日本伸銅協会技術標準「JCBA T309:2001(仮)」に準じて測定した。図2は下方たわみ式片持ちねじ式のたわみ変位負荷用試験ジグを用いた応力緩和試験方法の説明図である。この試験方法では、まず、試験片11を試験ジグ(試験装置)12に取り付け、所定の変位を室温で与え、30秒間保持後除荷し、試験ジグ12の底面を基準面13とし、この面13と試験片11たわみ負荷点との距離をHiとして測定する。次に、所定時間(ここでは150℃の恒温槽に1000時間)保持し、その後恒温槽から試験ジグ12を常温に取り出し、たわみ負荷用ボルト14をゆるめ除荷する。試験片11を常温まで冷却後、基準面13と試験片11のたわみ負荷点との距離Htを測定する。測定後、再びたわみ変位を与える。なお、図2において、11は除荷時の試験片を表し、15はたわみ負荷時の試験片を表す。永久たわみ変位δtを次の式によって求める。
δt=Hi−Ht
この関係から、応力緩和率(%)はδt/δ0×100と算出する。
なお、δ0は所定の応力を得るのに必要な試験片の初期たわみ変位で、次の式で算出する。
δ0=σls 2/1.5Eh
ここで、σ:試験片の表面最大応力(N/mm2);h:板厚(mm)、E:たわみ係数(N/mm2)、lS:スパン長さ(mm)である。
表2に示す元素と、残部がCuと不可避不純物からなる銅合金を用いて、実施例1に記載の製造方法と同様の製造方法で基体の製造及び、めっき前の処理を行った。なお、この際の前処理における酸洗処理条件は、条件bとして、硫酸 61ミリリットル/リットルを含む水溶液を酸洗液として、25℃の酸洗液に30秒間浸漬した。この条件は、表層に形成された酸化膜を除去するのみの作用であり、加工変質層を除去するまでには至らない条件である。この条件bを利用して、表2の試料の酸洗処理を実施した。
めっきは下地層1のめっきを行わずに、中間層2、最表層3のめっきを行い、リフロー処理を行った。このリフロー処理により、中間層2と最表層3との間に合金層4を形成した。各めっきの条件は、実施例1に記載の方法で行った。
本発明例2−1から本発明例2−16および比較例2−1〜比較例2−4を得、実施例1に記載の測定方法と同様の測定方法で特性調査を行った。以上の結果を表2に示す。
12 試験ジグ
13 基準面
14 たわみ負荷用ボルト
15 試験片(たわみ負荷時)
Claims (8)
- 銅合金からなる基体上に、
少なくとも銅およびスズを含む合金層が、めっき処理と加熱溶融処理により形成されている電気電子部品用銅合金材料であって、
前記基体のEBSD法結晶方位測定におけるcube方位{0 0 1}<1 0 0>から20°以内である領域の面積率が、5%以上であり、
前記基体は、ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を合計で0.4〜5.0mass%含有し、ケイ素を0.1〜1.5mass%含有し、残部が銅及び不可避不純物からなる組成を有し、該基体は表層の加工変質層を除去してなり、
前記基体上に隣接して、ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を含有する下地めっき層が設けられており、
前記銅合金材料を、内側半径0.15mmとして90°W曲げ加工し、温度140℃で120時間の条件で大気中において加熱した後の曲げ部頂点の接触抵抗が、Agプローブを介した荷重490mNの条件下で10mΩ以下である
ことを特徴とする、電気電子部品用銅合金材料。 - 銅合金からなる基体上に、
少なくとも銅およびスズを含む合金層が、めっき処理と加熱溶融処理により形成されている電気電子部品用銅合金材料であって、
前記基体のEBSD法結晶方位測定におけるcube方位{0 0 1}<1 0 0>から20°以内である領域の面積率が、5%以上であり、
前記基体は、ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を合計で0.4〜5.0mass%含有し、ケイ素を0.1〜1.5mass%含有し、スズ、亜鉛、銀、マンガン、ホウ素、リン、マグネシウム、クロム、鉄、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種を合計で0.005〜2.0mass%含有し、残部が銅及び不可避不純物からなる組成を有し、該基体は表層の加工変質層を除去してなり、
前記基体上に隣接して、ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を含有する下地めっき層が設けられており、
前記銅合金材料を、内側半径0.15mmとして90°W曲げ加工し、温度140℃で120時間の条件で大気中において加熱した後の曲げ部頂点の接触抵抗が、Agプローブを介した荷重490mNの条件下で10mΩ以下である
ことを特徴とする、電気電子部品用銅合金材料。 - 前記合金層上に、スズまたはスズ合金からなる最表層が設けられていることを特徴とする、請求項1または2記載の電気電子部品用銅合金材料。
- 前記下地めっき層と前記合金層との間に、銅または銅合金からなる中間層が設けられていることを特徴とする、請求項1または2記載の電気電子部品用銅合金材料。
- 前記下地めっき層と前記合金層との間に、銅または銅合金からなる中間層が設けられ、かつ前記合金層上に、スズまたはスズ合金からなる最表層が設けられていることを特徴とする、請求項1または2記載の電気電子部品用銅合金材料。
- 請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の銅合金材料が加工されてなる電気電子部品。
- ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を合計で0.4〜5.0mass%含有し、ケイ素を0.1〜1.5mass%含有し、残部が銅及び不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなり、均質化熱処理した鋳塊を850〜1020℃で熱間圧延し、800℃以下まで水冷または空冷して500〜800℃で合計の加工率が40%以上の高温圧延を行って得た基体上に、
ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を含有する下地めっき層と、銅または銅合金からなる銅めっき層と、スズまたはスズ合金からなるスズめっき層をこの順に形成し、その後250〜800℃で0.1〜120秒の加熱溶融処理によって前記スズめっき層を溶融させて、前記銅めっき層の構成元素と前記スズめっき層の構成元素からなる合金層を形成する、電気電子部品用銅合金材料の製造方法であって、
前記加熱溶融処理後の前記基体のEBSD法結晶方位測定におけるcube方位{0 0 1}<1 0 0>から20°以内である領域の面積率が5%以上であることを特徴とする、電気電子部品用銅合金材料の製造方法。 - ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を合計で0.4〜5.0mass%含有し、ケイ素を0.1〜1.5mass%含有し、スズ、亜鉛、銀、マンガン、ホウ素、リン、マグネシウム、クロム、鉄、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種を合計で0.005〜2.0mass%含有し、残部が銅及び不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなり、均質化熱処理した鋳塊を850〜1020℃で熱間圧延し、800℃以下まで水冷または空冷して500〜800℃で合計の加工率が40%以上の高温圧延を行って得た基体上に、
ニッケルまたはコバルトの少なくとも一方を含有する下地めっき層と、銅または銅合金からなる銅めっき層と、スズまたはスズ合金からなるスズめっき層をこの順に形成し、その後250〜800℃で0.1〜120秒の加熱溶融処理によって前記スズめっき層を溶融させて、前記銅めっき層の構成元素と前記スズめっき層の構成元素からなる合金層を形成する、電気電子部品用銅合金材料の製造方法であって、
前記加熱溶融処理後の前記基体のEBSD法結晶方位測定におけるcube方位{0 0 1}<1 0 0>から20°以内である領域の面積率が5%以上であることを特徴とする、電気電子部品用銅合金材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011526771A JP5144814B2 (ja) | 2009-08-10 | 2010-08-10 | 電気電子部品用銅合金材料 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009185921 | 2009-08-10 | ||
JP2009185921 | 2009-08-10 | ||
PCT/JP2010/063587 WO2011019042A1 (ja) | 2009-08-10 | 2010-08-10 | 電気電子部品用銅合金材料 |
JP2011526771A JP5144814B2 (ja) | 2009-08-10 | 2010-08-10 | 電気電子部品用銅合金材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011019042A1 JPWO2011019042A1 (ja) | 2013-01-17 |
JP5144814B2 true JP5144814B2 (ja) | 2013-02-13 |
Family
ID=43586217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011526771A Active JP5144814B2 (ja) | 2009-08-10 | 2010-08-10 | 電気電子部品用銅合金材料 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5144814B2 (ja) |
WO (1) | WO2011019042A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9493858B2 (en) | 2011-08-13 | 2016-11-15 | Wieland-Werke Ag | Copper alloy |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5534610B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-07-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Cu−Co−Si系合金条 |
CN103732768B (zh) * | 2011-08-05 | 2016-08-17 | 古河电气工业株式会社 | 二次电池集电体用压延铜箔及其制造方法 |
JP6196757B2 (ja) * | 2012-07-12 | 2017-09-13 | Jx金属株式会社 | コルソン合金及びその製造方法 |
JP2015086452A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 銅合金線、銅合金撚線、被覆電線、ワイヤーハーネス及び銅合金線の製造方法 |
JP6696895B2 (ja) | 2014-03-31 | 2020-05-20 | 古河電気工業株式会社 | 圧延銅箔、圧延銅箔の製造方法、フレキシブルフラットケーブル、フレキシブルフラットケーブルの製造方法 |
JP2017014624A (ja) * | 2016-09-05 | 2017-01-19 | Jx金属株式会社 | コルソン合金及びその製造方法 |
JP6793005B2 (ja) * | 2016-10-27 | 2020-12-02 | Dowaメタルテック株式会社 | 銅合金板材およびその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62185847A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 熱・電気高伝導用高力銅合金とその製造法 |
JPH11222641A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 導電性ばね用銅合金及及びその製造方法 |
JP2006152392A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kobe Steel Ltd | 曲げ加工性に優れた高強度銅合金板およびその製造方法 |
JP2006283059A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Kobe Steel Ltd | 曲げ加工性に優れた高強度銅合金板及びその製造方法 |
JP2007063624A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Nikko Kinzoku Kk | 挿抜性及び耐熱性に優れる銅合金すずめっき条 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3798260B2 (ja) * | 2001-05-17 | 2006-07-19 | 株式会社神戸製鋼所 | 電気電子部品用銅合金及び電気電子部品 |
-
2010
- 2010-08-10 WO PCT/JP2010/063587 patent/WO2011019042A1/ja active Application Filing
- 2010-08-10 JP JP2011526771A patent/JP5144814B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62185847A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 熱・電気高伝導用高力銅合金とその製造法 |
JPH11222641A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-17 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 導電性ばね用銅合金及及びその製造方法 |
JP2006152392A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kobe Steel Ltd | 曲げ加工性に優れた高強度銅合金板およびその製造方法 |
JP2006283059A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Kobe Steel Ltd | 曲げ加工性に優れた高強度銅合金板及びその製造方法 |
JP2007063624A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Nikko Kinzoku Kk | 挿抜性及び耐熱性に優れる銅合金すずめっき条 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9493858B2 (en) | 2011-08-13 | 2016-11-15 | Wieland-Werke Ag | Copper alloy |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2011019042A1 (ja) | 2013-01-17 |
WO2011019042A1 (ja) | 2011-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4885332B2 (ja) | 銅合金板材およびその製造方法 | |
JP5170916B2 (ja) | 銅合金板材及びその製造方法 | |
JP5144814B2 (ja) | 電気電子部品用銅合金材料 | |
JP4875768B2 (ja) | 銅合金板材およびその製造方法 | |
JP5391169B2 (ja) | 電気電子部品用銅合金材およびその製造方法 | |
JP4948678B2 (ja) | 銅合金板材、これを用いたコネクタ、並びにこれを製造する銅合金板材の製造方法 | |
JP4615628B2 (ja) | 銅合金材料、電気電子部品および銅合金材料の製造方法 | |
JP5916964B2 (ja) | 銅合金板材、コネクタ、および銅合金板材の製造方法 | |
JP4408275B2 (ja) | 強度と曲げ加工性に優れたCu−Ni−Si系合金 | |
JP5972484B2 (ja) | 銅合金板材、銅合金板材からなるコネクタ、および銅合金板材の製造方法 | |
JP5503791B2 (ja) | 銅合金板材およびその製造方法 | |
JP3962751B2 (ja) | 曲げ加工性を備えた電気電子部品用銅合金板 | |
JP2011017072A (ja) | 銅合金材料 | |
JPWO2010013790A1 (ja) | 電気電子部品用銅合金材料とその製造方法 | |
JP5619389B2 (ja) | 銅合金材料 | |
JP5916418B2 (ja) | 銅合金板材およびその製造方法 | |
WO2010134210A1 (ja) | 銅合金板材およびその製造方法 | |
JPWO2010016428A1 (ja) | 電気・電子部品用銅合金材 | |
JP4439003B2 (ja) | 強度と曲げ加工性に優れたチタン銅合金及びその製造方法 | |
JP5339995B2 (ja) | Cu−Zn−Sn系合金板及びCu−Zn−Sn系合金Snめっき条 | |
JP5117602B1 (ja) | たわみ係数が低く、曲げ加工性に優れる銅合金板材 | |
KR20210117252A (ko) | 구리 합금 판재 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121113 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121122 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151130 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5144814 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |