JP5534610B2 - Cu−Co−Si系合金条 - Google Patents
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Description
従って、本発明は、良好な曲げ加工性および繰り返し曲げ加工性と導電性を有するCu−Co−Si系合金条の提供を目的とする。
すなわち、本発明のCu−Co―Si系合金条は、0.7〜3.0質量%のCo、0.1〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避不純物から成り、双晶境界頻度が40〜70%であり、圧延直角方向の結晶粒径のアスペクト比が0.45〜0.88である。
(組成)
本発明は、0.5〜3.0質量%のCo、0.1〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避不純物から成り、双晶境界頻度が40〜70%であるCu−Co−Si系合金条である。
(A)Co濃度
Co含有量を0.5〜3.0質量%とし、好ましくは1.0〜2.5質量%とする。Coが0.5%未満であると、必要な強度が不充分になる。一方、Coが3.0%を超えると、熱間圧延にて割れが発生する。
(B)Si濃度
Si含有量を0.1〜1.0質量%とし、好ましくは0.2〜0.6質量%とする。Siが0.1%未満であると、十分な強度が得られない。Siが1.0%を超えると、導電性が低下する。
(C)上記以外の添加元素
上記Cu−Co−Si系合金条には、合金の強度、耐熱性、耐応力緩和性等を改善する目的で、更にCr、Ni、Mg、Sn、Zn、Zr及びMnの群から選ばれる一種以上を合計で0.1〜2.0質量%含有することができる。これら元素の総量が0.1%未満では所望の特性が得られず、総量が2.0%を超えると所望の特性は得られるものの、導電性や曲げ加工性が低下する。
本発明の合金条は、双晶境界頻度が40〜70%である。双晶境界頻度が40%未満の場合、曲げ性が劣化する。本発明の合金条の成分系で双晶境界頻度が70%を超えるものは工業的に製造困難なため、上限は70%とする。
ここで、双晶境界とは、双晶関係にある2つの結晶の境界を指し、この境界を境に2つの結晶は鏡面対称の関係にある。対応粒界理論によれば双晶境界はΣ3の結晶粒界に相当する。双晶境界は境界間の原子の整合性が良い為、境界近傍において不均一変形が起こりにくく、曲げ変形時、境界近傍を基点とする割れやしわが発生しにくい。
双晶境界頻度とは、結晶粒界と双晶境界を合わせた全境界中の双晶境界の割合を言う。双晶の発生頻度は積層欠陥エネルギーと関係があり、積層欠陥エネルギーが低いほど、双晶境界頻度は高くなる。
そこで、本発明者は、本発明の合金条の双晶境界頻度を上昇させるため、製造工程と双晶境界頻度の関係について鋭意調査を行なった結果、溶体化処理の前に実施される冷間圧延の条件が重要であることを見出した。圧延では一対のロール間に材料を繰返し通過(パス)させ、目標の板厚に仕上げてゆく。この一連のパスにおいて、溶体化処理前の冷間圧延の最終パス及び最終パスより1つ前のパスで、1パス当たりの加工度を上昇させ、圧延速度を高速化した仕上圧延を行なう。その後、金属組織が完全再結晶し、かつ著しい粗大化が起こらない所定の条件で溶体化処理を行なうと、40%以上の高い双晶境界頻度が得られる。
溶体化処理後の金属組織を均一な等軸粒に制御することで、曲げ性がさらに改善される。つまり、本発明の合金条の組成は黄銅に比べ、Znを含まないか、Zn量が少ないため、再結晶後の組織は混粒になりやすい。また、熱間圧延時の途中パスにて再結晶が終了すると、圧延方向に伸長した粗大結晶粒が残留し、金属組織の等軸化を阻害する。従って、熱間圧延の終了温度と加工度を制御することで、結晶粒が均一となるのを阻害する粗大結晶粒を低減することができ、動的再結晶により金属組織が等軸化する。
なお、再結晶は熱間圧延中に生じ、熱間圧延の最終パス中に再結晶が起きれば金属組織は等軸粒となる。又、溶体化処理時も再結晶は起こるが、熱間圧延の条件が不良なために残留した粗大組織は、溶体化時の再結晶でも等軸化されず残留することがある。
具体的には、溶体化処理後に金属組織を均一な等軸粒とした場合、最終冷間圧延の加工度が30〜60%であることから、最終製品における圧延平行方向及び直角方向の結晶粒径のアスペクト比b/a及びd/cがいずれも0.45〜0.88になる。より好ましくは、b/aが0.45〜0.8であり、d/cが0.65〜0.88である。
ここで、図2に示すように、圧延平行方向RDに平行な断面から見て、結晶粒径のアスペクト比はb/a(a:RD方向の結晶粒径の長さ、b:圧延方向(厚み方向)の結晶粒径の長さ)で表される。又、圧延直角方向TDに平行な断面から見て、結晶粒径のアスペクト比はd/c(z:TD方向の結晶粒径の長さ、d:圧延方向(厚み方向)の結晶粒径の長さ)で表される。
アスペクト比b/a及び/又はd/cが0.45未満であるか0.88を超えると、曲げ加工時にひずみが局部的に集中し、せん断帯が形成され、曲げ加工性が劣化する場合がある。
合金条の引張強さ(JIS−Z2241)が通常500MPa以上、好ましくは550MPa以上であると、電気・電子部品材料として好適に使用できる。
合金条の導電率(JIS−H0505)は40%IACS以上、更に好ましくは50%IACS以上であると、電気・電子部品材料として好適に使用できる。導電率が40%IACS未満では、通電部品として使用した時の発熱が大きくなり、所望の効果が得られない。
合金条の曲げ性は、繰返し曲げ試験にて評価した。1.5回以上であると電気・電子部品材料として好ましい。
本発明の合金条の表面に、例えばSnめっきを施し、0.3〜2.0μmのSn層を設けると、コネクタ等での電気接続時の信頼性がより良好となるので好ましい。Snめっき方法は公知の湿式めっき等で行うことができる。
本発明の合金条の平均結晶粒径は、好ましくは12μm以下、更に好ましくは7μm以下である。
本発明の銅合金条は、溶解鋳造、均質化焼鈍、熱間圧延、面削の後、複数回の冷間圧延、焼鈍を繰返し、さらに溶体化処理、時効処理、及び最終冷間圧延を行って製造することができる。
又、溶体化処理の条件としては、溶体化処理温度850〜1080℃、溶体化処理時間5〜20秒とするのがよい。上記範囲より溶体化処理温度が低い、又は溶体化処理時間が短い場合、組織に未再結晶部が残存し、双晶境界頻度が低下するため、繰返し曲げ性が劣化することがある。上記範囲より溶体化処理温度が高い、又は溶体化処理時間が長い場合、結晶粒の著しい粗大化が起こり、双晶境界頻度が低下し、繰返し曲げ性が劣化することがある。
[双晶境界頻度] 各銅合金板について、FESEM(Field Emission Scanning Electron Microscope)によるEBSP(Electron Backscattering Pattern)法で測定した。
[アスペクト比] 各銅合金板について、図1に示すように、圧延平行方向RDの沿う断面及び圧延直下方向TDに沿う断面の結晶粒径をJIS-H0501の切断法に準じ測定し、以下のようにRD及びTD方向の結晶粒径のアスペクト比をそれぞれ求めた。図1に示すように、圧延平行方向RDに平行な断面から見て、結晶粒径のアスペクト比はb/a(a:RD方向の結晶粒径の長さ、b:圧延方向(厚み方向)の結晶粒径の長さ)で表される。又、圧延直角方向TDに平行な断面から見て、結晶粒径のアスペクト比はd/c(z:TD方向の結晶粒径の長さ、d:圧延方向(厚み方向)の結晶粒径の長さ)で表される。
[曲げ加工性] MBR/tについては、長手方向が圧延方向に平行となるように採取した短冊試験片(幅10mm×長さ30mm×厚さ0.15または0.25mm)について、試験片の長手方向に直角な方向を曲げ軸として、90°W曲げ試験(JIS H3130)を行い、割れの発生しない最小曲げ半径(mm)をMBR(Minimum Bend Radius)とし、板厚t(mm)との比MBR/tにより評価した。
[導電率] 各銅合金板について、JIS−H0505に準拠し、ダブルブリッジ装置を用いた四端子法により求めた体積抵抗率から%IACSを算出した。
高周波誘導炉で電気銅を溶解し、溶湯表面を木炭被覆した後、表12に示す合金元素を添加し所望の組成に溶湯を調整した。鋳込温度1250℃で鋳造を行い、得られたインゴットを1000℃で3時間加熱後、熱間圧延の最終パスの加工度が35%になる様に、板厚11mmまで圧延し、熱間圧延終了温度を650℃以上に調整した。熱間圧延板の表層に生じた酸化スケールを面削にて除去後、冷間圧延で板厚0.30mmまで加工した。この冷間圧延では最終パスおよび最終パスより1つ前のパスの平均加工度が35%、圧延速度が250mpmとなる様に圧延条件を調整した。得られた圧延板試料につき、表2に示す温度で20秒間の溶体化処理を施した後、510℃で10時間の時効処理を施し、最終冷間圧延で0.25mmの板材に仕上げた。
一方、Coが0.5質量%未満である比較例11の場合、発明例に比べて強度(引張強さ)が低下した。
Siが1.0質量%を超えた比較例12の場合、導電性が劣化した。
Coが3.5質量%を超えた比較例13の場合、熱延割れが発生し、試料を作製できなかった。
高周波誘導炉で電気銅を溶解し、溶湯表面を木炭被覆した後、合金元素を添加しCu−2%Co−0.45%Siに溶湯を調整した。鋳込温度1250℃で鋳造を行い、得られたインゴットを980℃で3時間加熱後、熱間圧延の終了温度および熱間圧延の最終パスの加工度を表2のように調整し、板厚11mmに仕上げた。その後、表面の酸化スケールを面削にて除去後、表2に示す条件で冷間圧延を行ない、板厚を0.18mmに仕上げた。この銅合金板を表2に示す条件で溶体化処理後、510℃×10hの時効処理を行ない、最終冷間圧延で板厚0.15mmの試料に仕上げた。
なお、表中の冷間圧延の平均加工度及び圧延速度は、溶体化処理前の冷間圧延の最終パス及び最終パスより1つ前のパスの値である。
一方、冷間圧延の平均加工度が32%未満である比較例31の場合、及び圧延速度が220mpm未満である比較例33の場合、双晶境界頻度が40%未満となり、繰返し曲げ回数も1.5回未満に劣化した。
冷間圧延の平均加工度が40%を超えた比較例32の場合、及び圧延速度が320mpmを超えた比較例34の場合、圧延時(溶体化前の圧延時)に耳割れが発生して破断し、試料を作製できなかった。
溶体化処理温度が850℃未満である比較例35の場合、及び溶体化処理時間が5秒未満である比較例36の場合、組織に未再結晶部が残存し、双晶境界頻度が40%未満となり、繰返し曲げ回数も1.5回未満に劣化した。
溶体化処理時間が20秒を超えた比較例37の場合、結晶粒の著しい粗大化が起こり、双晶境界頻度が40%未満となり、繰返し曲げ回数も1.5回未満に劣化した。
熱間圧延の最終加工度が30〜55%の範囲内である発明例67の場合、双晶境界頻度が同程度であるが熱間圧延の最終加工度が上記範囲を外れた発明例70,71に比べ、結晶粒径のアスペクト比d/cがより好ましい範囲(0.65〜0.88)となり、繰返し曲げ性もより一層向上した。
Claims (4)
- 0.7〜3.0質量%のCo、0.1〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避不純物から成り、双晶境界頻度が40〜70%であり、
圧延直角方向の結晶粒径のアスペクト比が0.45〜0.88であるCu−Co−Si系合金条。 - 更にCr、Mg、Sn、Zn、Zr及びMnの群から選ばれる1種以上を合計で0.1〜2.0質量%含有する請求項1に記載のCu−Co−Si系合金条。
- 圧延平行方向の結晶粒径のアスペクト比が0.45〜0.88である請求項1〜2のいずれかに記載のCu−Co−Si系合金条。
- 表面に0.3〜2.0μmのSn層が設けられている請求項1〜3のいずれかに記載のCu−Co−Si系合金条。
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