JP5130874B2 - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、内層回路基板上に外層回路基板を１層以上積層して構成される多層配線基板の製造方法に関する。

近年の電気機器は小型化・軽量化が進み、これに用いられる配線基板においても、小型化及び高密度実装化が要求されている。従来のこの種の配線基板としては、例えば、絶縁層と導体層（配線層）とを交互に積み重ねて、多層配線基板を製造するビルドアップ法が知られている。

一般的なビルドアップ法について説明すると、内層絶縁基板上に回路パターンを形成してなる内層回路基板に、外層絶縁層及び導体層を順番に積層させると共に、外層絶縁層及び導体層に前記回路パターンに連通するビアを形成する。そして、無電解めっき等の手段によってビアの内周を導通化し、給電手段によって導体層及びビアの内周に通電しながら電解めっきを施す。こうして得られた電解めっき層の不要な部分をエッチング等によって除去することにより、所定の導体パターンが形成されて、多層配線基板が製造されるようになっている。

ところで、内層回路基板上に外層絶縁層をはじめとする必要部材を積層して外層基板を構成したとき、内層回路基板は外層基板に隠れてしまい、電解めっきを施すために外層基板の導体層に通電する場合には、外層基板側から行う必要があった。このため、例えば、外層基板の導体層に金属クリップ等を介して給電する方法や、いわゆるロールツーロール方式による製造方法では、給電ローラを外層基板の導体層の表面に接触させて給電させる方法などが採用されている。

例えば、下記特許文献１には、有機絶縁材料からなる絶縁層と導体材料からなる導体層（配線層）が交互に積層され、上下の導体層を接続するブラインドビアホールを有するフレキシブル多層配線基板の該ブラインドビアホールをめっき金属で埋めることにより形成する、ロールツーロール方式による連続電解めっき装置が開示されており、上下一対の給電ローラによって、導体層の上下両面を挟み込むようにして給電し、電解めっきを施すことが記載されている。
特開２００５−１０１０３５号公報

上記の電解めっきの際に、金属クリップ等の接続部が、めっき液中において外層基板の導体層に接続されている場合には、金属クリップ等の接続部にもめっきが施されるので、めっき層に凹凸が生じる結果となる。この場合、所定の導体パターンを形成すべく、フォトレジスト層を形成する場合に、弾き、気泡残存、むらなどの原因となり正常なパターン形成の障害となる。

また、内層基板上に外層基板が連続して形成されておらず、複数の島状に形成されている場合には、各島ごとに給電手段を接続しなければならず、煩雑で効率的ではなかった。なお、導体層が連続的に形成されている場合には、一部分をめっき液外に取り出しておき、その部分から給電を行うことも可能ではあるが、めっき液外に取り出した部分は、当然ながらめっきが施されないので、無駄な領域となってしまう。

更に、上記のロールツーロール方式による製造方法においては、巻き出しロールから巻き取りロールに搬送しつつ、連続して電解めっきを施すようになっているが、このとき、上記のように、外層基板が島状に形成されている場合には、外層基板の導体層に給電手段を個別に接続させることは容易ではなく給電が困難となる。

一方、連続した外層基板を積層させる場合には、上記特許文献１のように、搬送途中に設けた給電ローラにより外層基板の導体層に給電することが可能となる。しかしながら、この場合、導体層の外表面に給電ローラを接触させるようになっていて、給電ローラが導体層に連続的に接触する。給電ローラはカソード電圧が印加されている為金属イオンの析出に代表されるように特に汚れが付着蓄積しやすく、導体層や電解めっき層の傷発生や汚染転写などを引き起こす原因となる。その結果、導体層及びそれに積層された電解めっき層を適宜エッチングして形成される導体パターンの不良の原因となることがある。また、導体パターンを形成する部分に電解めっきを施して形成するセミアディティブ法により配線パターンを形成する場合には、部分的にレジスト層が形成された状態で導体層に給電ローラが接触する為、給電が不安定になるだけでなく、給電ローラとの接触によりレジスト層が損傷したり、逆に給電ローラがレジストの付着により汚染されたり、更には付着レジストの再転写が起こるなど、正常なパターン形成を阻害する多くの要因が発生する。

したがって、本発明の目的は、外層基板上及びビア内に電解めっきによる導体層を、作業性よく、均一にかつ傷等の不良を生じることなく形成できるようにした多層配線基板の製造方法を提供することにある。さらに本発明の目的は、ロールツーロール工程により、外層基板上に微細配線に対応する高品質な電解めっき導体層を連続的に形成できるようにした多層配線基板の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明は、内層絶縁基板の少なくとも片面に導体配線回路パターンが形成されてなる内層回路基板と、外層絶縁層の少なくとも片面に導体配線回路パターンが形成されてなる外層回路基板とを有し、前記内層回路基板の少なくとも片面に前記外層回路基板が１又は複数層積層されてなる多層配線基板の製造方法において、前記内層回路基板の少なくとも片面に前記外層絶縁層を積層する際に、前記内層回路基板の端部を前記外層絶縁層の端縁よりも外側に延出させ、この延出された端部に露出導体部を形成しておき、少なくとも前記外層絶縁層が積層された外層基板に前記内層回路基板の導体配線回路パターンに至る１個以上のビアを形成し、該ビアの内面に前記内層回路基板の導体配線回路パターンに接続する導通層を形成するとともに、露出導体部または露出導体部に電気的に接続された導体配線と外層基板表面とを接続する給電用導通層を形成し、前記内層回路基板の露出導体部より給電し該給電用導通層を通して通電することにより、前記ビア内面及び前記外層基板の表面に電解めっきを施すことを特徴とする多層配線基板の製造方法を提供するものである。

本発明によれば、内層回路基板の、外層絶縁層の端縁よりも外側に延出された端部に露出導体層を形成しておき、少なくとも前記外層絶縁層が積層された外層基板に形成したビアの内面に前記内層回路基板の導体配線回路パターンに接続する導通層を形成するとともに、内層回路基板の露出導体部または露出導体部に電気的に接続された導体配線と外層基板表面とを接続する給電用導通層を形成し、前記内層回路基板の露出導体部より給電し該給電用導通層を通して通電して、電解めっきを施すようにしたので、ビアの内面及び外層基板の表面に凹凸のない均一な電解めっき層を形成できる。また、給電手段が外層基板の表面に接触しないので、外層基板のパターン形成部に傷や汚染等が発生して不良の原因となることを防ぐことができる。更に、露出導体部または露出導体部に電気的に接続された導体配線と外層基板表面とを接続する給電用導通層を通して、外層基板表面の導体層または導通層、更にはビアの内面に形成された導通層に通電するので、外層基板が島状に分離していても、導体露出部より給電用導通層を介して通電することが可能となる。

本発明の好ましい態様においては、前記外層基板は外層絶縁層の外側表面に導体層を有しており、該導体層を貫通して、前記外層絶縁層に前記ビアを形成し、少なくとも前記ビアの内面に前記導通層を形成するとともに、露出導体部または露出導体部に電気的に接続された導体配線と外層基板表面の導体層とを接続する給電用導通層を形成する。この態様によれば、予め絶縁層上に導体層を形成したものを使用出来る為、少ない制約のもと最良の形成手段で導体層を形成したものを用いる事が出来、密着強度が高くかつ耐久性の良い欠陥の少ない外層導体配線を作りやすくなる。

本発明の別の好ましい態様によれば、前記外層基板は、外層絶縁層の外側表面に導体層を有しておらず、前記ビアを形成した後、該ビアの内面及び前記外層基板の表面に前記導通層を形成するとともに、外層基板表面に形成する導通層と連続し、露出導体部または露出導体部に電気的に接続された導体配線とを接続する給電用導通層を形成する。この態様によれば、外層基板として導体層の無い絶縁層を用いることができ、予め導体層を形成しておく必要が無い為、トータルの工程が簡素化できる。

本発明の別の好ましい態様においては、前記給電用導通層は、前記内層回路基板の露出導体部と接した外層基板の外周面の一部又は全体に形成され、前記内層回路基板の露出導体部より給電し外層基板の外周面の給電用導通層を介して通電する。この態様によれば、特別な手段を講じる事無く、ビア内の導通層形成工程と同時に給電用導通層を形成出来、露出導体部からの十分な巾の給電経路を得る事が出来る。

本発明の別の好ましい態様においては、前記露出導体部と電気的に接続された内層導体配線を有し、該内層導体配線と外層基板表面を通じるビアが形成されており、ビア内は該導体配線と外層基板表面を導通する給電用導通層が形成されており、前記内層回路基板の露出導体部より給電し該ビア内の給電用導通層を介して通電する。この態様によれば、ビア内の導通層形成工程と同時に露出導体部からの給電経路を得る事が出来、例えば内層基板の一方の面のみに形成された露出導体部から、内層基板の両方の面上に形成された外層基板に給電出来るなど多様な構成に対応する事が可能である。

本発明においては、前記内層回路基板の露出導体部より給電し給電用導通層を通して通電することにより、前記ビア内面及び前記外層基板の表面に電解めっきを施す工程はロールツーロール方式により行われ、基材は巻き取りロールから連続的に引き出されたテープからなり、テープ両側部に形成された前記露出導体部に当接する給電ローラを介して通電し、電解めっきを施すことが好ましい。この態様によれば、移動するテープに対して外層表面に接する事無く給電ローラによって通電することができるので、汚染や傷の発生を抑えて、特に外層表面の汚染や傷の発生を抑えて、生産性がよく処理品質が安定したロールツーロール方式に適用することができる。なお、ここでいう基材とは、前記工程において内層回路基板上に外層基板が積層され、導通層（給電用導通層を含む）形成まで処理された状態を指す。

また、前記給電ローラを、めっき浴槽に対する導入部及び／又は導出部であって、めっき液に接触しない位置で、前記露出導体層に当接させることが好ましい。この態様によれば、給電ローラがめっき液に接触しないので耐久性が向上すると共に、めっき液に給電ローラが接触して、不必要なめっき層が形成されるのを防止できる。延いては、給電ローラの荒れによる給電不具合や外層基板表面の損傷を防止する事が出来る。

本発明の更に好ましい態様においては、前記導通層を形成する工程を、無電解金属めっき又はダイレクトプレーティングにより行う。この態様によれば、通電による電解めっきに必要な導通層を効率よく形成することができる。外層絶縁層の外側表面に導体層を有する外層基板を用いた場合には導通層はビア内面や外層基板外周面（給電経路は厚み方向）に形成されれば良く電流経路が短い為、電気抵抗はやや高いものの環境負荷の少なく工程が容易なダイレクトプレーティング法が特に好適であり、外層基板に導体層の無い外層絶縁層を用いた場合には外層基板表面の広い範囲に導通層を形成する必要がある為、電気抵抗が低い無電解金属めっきが特に好適に利用できる。

また、本発明においては、前記ビアを、穴あけ加工により形成し、該穴あけ加工で生じたビア内残渣のクリーニング処理を物理的洗浄で行うことが好ましい。これによれば、物理的洗浄を行うことにより、ビア内面に残った加工残渣を除去して、ビアの内面を清浄にすることができる。その結果、例えば、ビアの内面に導通層をしっかりと密着させた状態で形成することができる。

更に、前記物理的洗浄法は、ウェットブラスト法、２５０ｎｍ以下の深紫外光照射法、及びプラズマ処理法から選ばれたものであることが好ましい。これによれば、目的に応じて洗浄方法を適宜選択して、効率よくビアの洗浄を行うことができる。

また、本発明においては、内層絶縁基板の少なくとも片面に導体配線回路パターンが形成されてなる内層回路基板と、外層絶縁層の少なくとも片面に導体配線回路パターンが形成されてなる外層回路基板とを有し、前記内層回路基板の少なくとも片面に前記外層回路基板が１又は複数層積層されてなる多層配線基板の製造方法において、前記内層回路基板の少なくとも片面に前記外層絶縁層を積層する際に、前記内層回路基板の端部を前記外層絶縁層の端縁よりも外側に延出させ、この延出された端部に露出導体部を形成しておき、少なくとも前記外層絶縁層が積層された外層基板に前記内層回路基板の導体配線回路パターンに至る１個以上のビアを形成し、該ビアの内面に前記内層回路基板の導体配線回路パターンに接続する導通層を形成するとともに、前記内層回路基板の露出導体部と接した外層基板の外周面の一部又は全体に、露出導体部と外層基板表面とを接続する給電用導通層を形成し、巻き取りロールからテープからなる基材を連続的に引き出されたロールツーロール方式により、該テープを搬送しつつテープ両側部に形成された前記露出導体部に当接する給電ローラを介して前記内層回路基板の露出導体部より給電し該給電用導通層を通して通電することにより、前記ビア内面及び前記外層基板の表面に連続的に電解めっきを施すことが好ましい。この多層配線基板の製造方法により、何ら特別の手段を講じる必要がなく外周面に給電用導通層を形成できる。

また、本発明においては、内層絶縁基板の少なくとも片面に導体配線回路パターンが形成されてなる内層回路基板と、外層絶縁層の少なくとも片面に導体配線回路パターンが形成されてなる外層回路基板とを有し、前記内層回路基板の少なくとも片面に前記外層回路基板が１又は複数層積層されてなる多層配線基板の製造方法において、前記内層回路基板の少なくとも片面に前記外層絶縁層を積層する際に、前記内層回路基板の端部を前記外層絶縁層の端縁よりも外側に延出させ、この延出された端部に露出導体部を形成しておき、少なくとも前記外層絶縁層が積層された外層基板は外周面の一部が露出導体部に接する様に、露出導体部の一部を覆って積層し、外層基板に前記内層回路基板の導体配線回路パターンに至る１個以上のビアを形成し、該ビアの内面に前記内層回路基板の導体配線回路パターンに接続する導通層を形成するとともに、前記内層回路基板の露出導体部と接した外層基板の外周面の一部又は全体に、露出導体部と外層基板表面とを接続する給電用導通層を形成し、巻き取りロールからテープからなる基材を連続的に引き出されたロールツーロール方式により、該テープを搬送しつつテープ両側部に形成された前記露出導体部に当接する給電ローラを介して前記内層回路基板の露出導体部より給電し該給電用導通層を通して通電することにより、前記ビア内面及び前記外層基板の表面に連続的に電解めっきを施すことが好ましい。この多層配線基板の製造方法により、何ら特別の手段を講じる必要がなく外周面に給電用導通層を形成でき、内層の一部以外は内層の金属が除去されているため、剛性を押さえＲｔｏＲ搬送に優位である。

さらに、前記外層基板は外層絶縁層の外側表面に導体層を有しており、露出導体部と接しない外周面と露出導体部との距離が外層基板の厚みの１０倍以上ある部位を有し、前記導通層並びに給電用導通層をダイレクトプレーティング法により形成することが好ましい。この多層配線基板の製造方法を用いることにより、何ら特別の手段を講じる必要がなく外周面に給電用導通層を形成でき、内層の一部以外は内層の金属が除去されており、露出導体層に接しない外層基板と接する部位（内層絶縁層露出部）の抵抗値を高くすることで電解めっきを抑制し、剛性を抑えてＲｔｏＲ搬送に優位である。

本発明の多層配線基板の製造方法によれば、内層回路基板の、外層絶縁層の端縁よりも外側に延出された端部に形成された露出導体層より給電し給電用導通層を通して、前記ビアの内面及び前記外層基板の表面に通電して、電解めっきを施すようにしたので、ビアの内面及び外層基板の表面に凹凸のない均一な電解めっき層を形成でき、外層基板のパターン形成部に傷や汚染等が発生して不良の原因となることを防ぐことができ、更に、外層基板が島状に分離していても、給電用導通層を通して、前記ビア内面及び前記外層基板の表面に通電することが可能となる。

以下、図１〜８を参照して、本発明による多層配線基板の製造方法の一実施態様を説明する。但し、本発明は下記の実施態様により制限されるものではない。

図１には、本発明の多層配線基板の製造方法によって製造された、多層配線基板１の模式構成断面図が示されている。この実施態様における多層配線基板１は、内層絶縁基板１１の表裏両面に内層配線パターン１５，１５を形成してなる内層回路基板１０と、該内層回路基板１０の表裏両面に設けられた接着層２５，２５と、該接着層２５，２５を介して前記内層回路基板１０の表裏両側にそれぞれ積層された外層絶縁層３０,３０と、該外層絶縁層３０，３０の表面上にそれぞれ形成された外層配線パターン４０，４０とからなっている。

図１及び図６を参照して、多層配線基板１の各層の構成を更に詳細に説明する。まず、内層回路基板１０について説明すると、内層絶縁基板１１の表裏両面には、それぞれ導体配線１３，１３が形成されていて、これらにより所定の内層配線パターン１５が設けられている。また、内層絶縁基板１１の所定箇所には、丸孔状のビア１７（図６参照）が貫通して形成されており、このビア１７内に設けた接続部１８を介して、内層絶縁基板１１の表裏両面に形成された内層配線パターン１５，１５が電気的に接続されている。

上記内層回路基板１０は、代表的には、後述する樹脂フィルム等の絶縁材料からなる内層絶縁基板１１に、銅箔等の導体材料を貼り合わせて積層させた銅貼り積層板、いわゆるＣＣＬ（ｃｏｐｐｅｒ ｃｌａｄ ｌａｍｉｎａｔｅ）をコア基材として、これにサブトラクティブ法等によって、銅箔等の導体材料の不要な部分をエッチング処理して、必要な導体配線１３を残して、所定の内層配線パターン１５が形成された形状をなしている。なお、この内層回路基板１０は、前述したように、代表的にはエッチング処理を利用したサブトラクティブ法で形成されるが、電解めっきを利用したセミアディティブ法等で形成してもよく、特に限定されるものではない。なお、内層回路基板１０は、内層絶縁基板１１の片面だけに複数の導体配線１３からなる内層配線パターン１５を形成してもよいが、本実施態様のように、内層絶縁基板１１の表裏両面に複数の導体配線１３をそれぞれ設けて、これをビア１７内の接続部１８を介して、電気的に接続したものであると、高密度化
の点から特に有利である。なお、丸孔状のビア１７の内径は目的に応じて適宜設定されるが、１０〜１００μｍであることが高密度化の面から好ましく、２０〜１００μｍであることが安定したビア接続の面からより好ましい。また、丸穴状であることが応力分散の面から望ましいが設計に応じて丸以外の形状例えば角穴であっても良い。

上記の内層絶縁基板１１は、その材質は特に限定はしないが、合成樹脂を含んだ成分で形成されていて、その表裏面上に形成される内層配線パターン１５を構成する複数の導体配線１３は、金属材料から構成されるのが一般的である。内層絶縁基板１１としては、例えばポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、液晶フィルム、アラミド、ガラスエポキシ材等を用いる事ができ、特に絶縁層にポリイミドフィルムを用いたものは、耐熱性や寸法安定性に優れ、薄くて強度があり高密度化に適しているだけでなくフレキシビリティーもあるため適用範囲が広く好適である。また、内層絶縁基板１１にポリイミドを用いたＣＣＬとしては、ポリイミドフィルムに融着性ポリイミド層を介して銅箔を加熱圧着したものや、銅箔にポリイミド前駆体をキャストして加熱したもの、ポリイミドフィルムに表面処理を施した後に、シード層としてニクロムなどのシード層をスパッタした後、銅をスパッタしたもの、更にその上に電解銅めっきを行って銅箔層を形成したものなどが挙げられる。

一方、内層配線パターン１５を形成する導体配線１３の導体材料としては、銅、アルミニウム、金、銀、ニッケル、ステンレスなどの金属箔、金属めっき層（好適には蒸着金属下地層−金属めっき層あるいは化学金属めっき層等の多くの公知技術が適用できる）などを用いることができ、箔の形状で前記内層絶縁基板１１上に積層しているもの、或いは、前記内層絶縁基板１１の表面にスパッタリングなどの方法により積層しているもの、更に電解めっき層を積層したものなどがあげられるが、いずれの場合も銅を主成分とした金属を用いるのが最も一般的である。なお、内層絶縁基板１１上に積層される上記導体材料が、５〜３５μｍと比較的厚手の箔の場合は、サブトラクティブ法に用いられ、同導体材料が、０．５〜５μｍの極薄箔の場合は、セミアディティブ法、或いは、両面の導体配線１３，１３を、ビア１７を介して接続する場合など電解金属めっきを積み上げて用いる場合に適している。また、除去可能なキャリア層を有する極薄銅箔をポリイミドフィルムに融着層を介して加熱圧着したものも用いることも可能であり、特に０．５〜３μｍの極薄銅箔の場合には電解銅めっきを積み上げても導体の総厚を抑える事が出来る為、４０μｍピッチ以下の微細配線の形成に適している。

内層絶縁基板１１又はそれに導体層や配線パターンを形成した内層回路基板１０としては、本製造方法に問題なく使用できるものであればどのような形態でも用いることができるが、テープ形状、ロール状のテープ形状、フィルム状、シート状などのものを用いることが好ましい。特に、後述する直径２５０ｍｍ程度のロール１０１，１０７（図８参照）に巻き取り可能である長尺状の基板が好ましく採用される。更に詳しくは、内層回路基板１０を構成する内層絶縁基板１１の厚みが５〜１５０μｍであって、後述する外層絶縁層３０の厚みが５〜５０μｍである、フレキシブル性を有する基板を用いて、図８に示すロールツーロール法による連続処理を行うことが生産性を高め、かつ安定した品質を保つために好ましい。

図１に示すように、上記内層回路基板１０の表裏両面には、外層絶縁層３０，３０が接着層２５，２５を介して接続されるようになっている。この接着層２５は、液状の接着樹脂を前記内層回路基板１０上に塗布や、印刷、コーティング等の方法で形成したり、或いは、予め接着樹脂をフィルム状に形成したボンディングシートを、ラミネートやプレス等で内層回路基板１０上に形成してもよく、特に限定されるものではない。なお、この実施態様における外層基板５５’では、接着層２５は、外層絶縁層３０の表面側に導体層４５が貼り合わされてなる、いわゆる片面ＣＣＬの裏面側に、ボンディングシートとして貼り合わされている（図２（ｂ）参照）。また、接着樹脂としては、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系、シロキサン系等が用いられ、熱可塑性により充填接着するものや熱可塑性と熱硬化性とを併用するものが採用される。ここで熱硬化性とは必ずしも熱架橋成分などを有していなくとも、加熱によるゲル化や自然架橋により実質的に熱可塑性を失う物も効果は同等であり含まれる。熱可塑性と熱硬化性とを併用するものは、熱可塑性を利用して真空中で短時間加熱プレスして内層配線間の充填を確実に行い、その後まとめて所定時間オーブンで加熱硬化するとプレス装置の占有時間が短く十分な密着強度を得られ有利である。また、この接着層２５の厚さとしては、前記内層回路基板１０と後述する外層絶縁層３０とを貼り合せることができるものであれば、どのような厚みでもよいが、５〜１５０μｍのものが好ましく用いられる。

次に、上記接着層２５，２５を介して内層回路基板１０の表裏両面に外層絶縁層３０，３０、及び、この外層絶縁層３０，３０の表面上にそれぞれ積層されて形成された外層配線パターン４０について説明する。外層絶縁層３０としては、前述した内層回路基板１０を構成する内層絶縁基板１１と同様に、例えば、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、液晶フィルム、アラミド、ガラスエポキシ材等が用いられる。この外層絶縁層３０の厚さとしては、前述したように、図８に示すロールツーロール法を採用する観点から、５〜５０μｍであることが好ましい。

一方、各外層絶縁層３０,３０上に形成される外層配線パターン４０は、この実施態様の場合、外層絶縁層３０，３０の表面上に所定パターンでそれぞれ形成された導体層４５，４５と、この導体層４５，４５上に形成されためっき導体層５０，５０とから構成されている。また、各外層絶縁層３０の所定箇所には、丸孔状のビア４７が貫通するようにしてそれぞれ設けられており、更にこのビア４７は、接着層２５，２５を貫通して、内層回路基板１０の表裏両面に設けた内層配線パターン１５，１５にそれぞれ至る深さで形成されている。そして、ビア４７の内周には導通層５２が形成されるとともに、ビア４７内には導体層４５上から連続しためっき導体層５０が形成されていて、その一端部が前記内層配線パターン１５に当接し、外層配線パターン４０と内層配線パターン１５とが電気的に接続されている。なお、丸孔状のビア４７の内径は適宜設定され、１０〜１００μｍであることが高密度化の面から好ましく、２０〜１００μｍであることが安定したビア接続の面からより好ましい。また、丸穴状であることが応力分散の面から望ましいが設計に応じて丸以外の形状例えば角穴であっても良い。また、この実施態様においては、ビア４７は各外層絶縁層３０に対して高密度化のため複数形成されており、外層配線パターン４０は、内層回路基板１０の内層配線パターン１５に対して、複数箇所で電気的に接続されている。

各導体層４５は、前記内層回路基板１０の導体配線１３の導電材料と同様、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、ニッケル、ステンレスなどの金属箔などが用いられ、好ましくは０．５〜３５μｍの厚さとされており、後述するめっき導体層５０の厚さと合わせて３〜３５μｍが高配線密度が形成しやすく、電気的、機械的特性を確保する面から好ましい。なお、この実施態様では、図２（ｂ）に示すように、外層絶縁層３０の表面側に導体層４５を貼着してなる、いわゆる片面ＣＣＬが用いられている。また、同外層絶縁層３０の裏面側には、前述したように、ボンディングシートとして接着層２５が貼着されている。

なお、ここでは外層絶縁層３０，３０と接着層２５，２５を個別に準備する方法について記載したが、内層基板に積層した状態で基板の設計上の必要特性を保つ事が出来れば接着層２５が外層絶縁層３０を兼ねても良い。銅箔に接着樹脂層を形成したいわゆる樹脂付銅箔（ＲＣＣ）などを用いる事も可能である。

また、上記導体層４５の表面に積層されためっき導体層５０は、金、銀、銅、ニッケル等の各種めっきが施されるが、この実施態様では、銅めっきが施されるようになっている。この銅めっきからなるめっき導体層５０は、１〜２５μｍの厚さに施されており、前述した導体層４５の厚さと合わせて概ね３〜３５μｍとなるように施されている。

次に上記構成からなる多層配線基板１を、本発明の多層配線基板の製造方法によって製造する工程について説明する。図２〜５には、本発明の製造方法の一実施例を工程順に表わす模式構成断面図が示されている。

この製造方法では、図８に示す製造装置１００が用いられる（給電ローラ部は簡略化して露出導体部と接する部分のみ示してある）。この製造装置１００は、所定のテープ材料（この実施態様では、テープ状の内層回路基板１０に後述する積層体５５を積層した基材）が巻回される巻き出しロール１０１と、電解めっきを施すためのめっき浴槽１０３と、該めっき浴槽１０３のテープ材料搬送方向の前後に複数配設され、テープ材料に電気を供給するための上下一対の給電ローラ１０５,１０５と、テープ材料を巻き取るための巻き取りロール１０７とを備えている。すなわち、内層回路基板１０上に接着層２５、外層絶縁層３０及び導体層４５からなる外層基板５５’が形成されてビア４７の加工が施され、導通層５２（給電用導通層５２Ａを含む）が形成された状態の、巻き出しロール１０１に巻回されたテープ材料を、連続的に搬送しながら電解めっきを施して、巻き取りロール１０７にて巻き取って目的のめっき導体層５０を形成する、いわゆるロールツーロール方式が採用される。なお、特に図示しないが、めっき浴槽１０３の上流及び／又は下流側では洗浄や乾燥など必要に応じた副次的処理が搬送しながら施される。

図７には、製造装置１００の要部断面図の詳細が示されているが、上下一対の給電ローラ１０５,１０５は、搬送されるテープ材料（この実施態様では、内層回路基板１０上に外層基板５５’が形成されたもの）の幅方向の左右両側に配設されていると共に、更に内層回路基板１０に積層された外層基板５５’の周縁部から突出した露出導体部２０,２０（後述する）を挟み込むように配置されている。すなわち、各給電ローラ１０５は、導体層４５,４５には接触せずに、内層回路基板１０の左右両側に突出した位置に設けた、各露出導体部２０にそれぞれ接触するようになっている。

また、各給電ローラ１０５は、回動自在に支持されていると共に、その内の一つ又は複数が図示しない搬送手段によって回動するようになっており、テープ材料を所定搬送速度で所定量ずつ送り出すことが可能となっている。更に、図７に示すように、下方の給電ローラ１０５にカソード電極が接続されていると共に、上方の給電ローラ１０５には後述するガイド１０６を介して同じくカソード電極が接続されていて、前記露出導体部２０がカソード側（陰極側）となるように印加されるようになっている。また、テープ材料の左右に位置する給電ローラ１０５のうち、上方に位置する給電ローラ１０５,１０５の外側には、ガイド１０６,１０６がそれぞれ配設されている。このガイド１０６は、その下端部が、内層回路基板１０の両側面を通って、下方に位置する給電ローラ１０５,１０５に至る長さで延設されており、テープ材料を搬送する際に、テープ材料の横ずれが防止されて、搬送径路からテープ材料が外れることなく、搬送されるようになっている。

また、前記めっき浴槽１０３中には、この実施態様の場合、硫酸中に硫酸銅、塩素イオンならびに表面を平滑にする為の添加剤を溶解した電解銅めっき液が貯留されており、更に、めっき浴槽１０３中には、前記給電ローラ１０５をカソード側に印加した電源の、アノード側（陽極側）の電極が配置されており、めっき液をアノード側に印加するようになっている。

再び、図２に戻って説明すると、図２（ａ）に示すように、内層回路基板１０は、前述したように、内層絶縁基板１１の表裏両面に複数の導体配線１３からなる内層配線パターン１５がそれぞれ形成されており、これがビア１７を介して電気的に接続された形状をなしている。また、本発明において、この内層回路基板１０は、図２（ｂ）に示すように、接着層２５、外層絶縁層３０及び導体層４５を積層してなる積層体５５よりも大きくなるように形成され（すなわち、外層絶縁層３０及び導体層４５よりも大きい）、外層基板５５’すなわち外層絶縁層３０及び導体層４５の左右両側の周縁部から、所定長さだけ突出した形状をなしている。そして、この突出した部分には、図１に示す製品完成状態においては、切断されて除去される露出導体部２０が、内層絶縁基板１１の左右両側位置であって、その表裏両面に各々設けられている。また、内層回路基板１０の左右両端には、外層絶縁層３０にビア４７や外層配線パターン４０を形成する際に基準として用いることができる、アライメントマーク２２，２２が形成されている。また、前記ロールツーロール方式においては、一般的に内層基板の左右両端にアライメントマークと共に搬送や位置決めなどの目的でいわゆるスプロゲットホール１４（図６参照）が形成されており、この領域を露出導体部とすれば新たに領域を必要とせず好ましい。

次に、図２（ｂ）に示すように、外層絶縁層３０の表面側に所定パターンを形成する前の導体層４５が積層されていると共に、その裏面側にボンディングシートとして接着層２５が貼着された積層体５５を、内層回路基板１０の表裏両側の所定位置に配置する。このとき、各積層体５５は、内層回路基板１０のアライメントマーク２２，２２を覆うことなく、内層配線パターン１５，１５の少なくとも一部を覆うように配置する。ここでは、外層基板５５’の外周面の一部が露出導体部に接する様に、露出導体部２０，２０の一部を覆って積層体５５を積層する。

なお、本明細書において積層体５５は内層回路基板１０に積層され一体化した状態を表す場合は外層基板５５’と称し、外層基板５５’は導体層を有する場合も有しない場合も含み、外層配線パターンを形成した場合も含むが、外層配線パターンが完成した状態のものは特に外層回路基板と呼ぶ。

上記状態で、図２（ｃ）に示すように、積層体５５,５５によって内層回路基板１０を挟み込んで、内層回路基板１０の表裏両面に接着層２５，２５を介して、外層絶縁層３０及び導体層４５が積層される。なお、図２（ｃ）では、内層回路基板１０両面の内層配線パターン１５，１５の全部を覆うように、積層体５５,５５を積層しているが、内層配線パターン１５の一部を覆うように積層体５５,５５を積層してもよく、内層回路基板１０の片面は、その内層配線パターン１５の一部を覆い、同内層回路基板１０の残る片面は全部覆ってもよい。

また、図２（ｂ）,（ｃ）に示すように、積層体５５は、接着層２５、外層絶縁層３０及び導体層４５とから構成されていればよく、例えば、
１）接着層２５、外層絶縁層３０及び導体層４５とを予め積層した基材、
２）接着層２５と、片面に導体層４５を有する外層絶縁層３０とを別々のフィルムとしたもの、
３）接着層２５を予め内層回路基板１０に設けて、片面に導体層４５を有する外層絶縁層３０を上記接着層２５に積層したもの、
４）導体層４５の内側に接着層２５と外層絶縁層３０とを兼ねた接着性樹脂層を形成したもの、
などを用いることができる。

なお、この実施態様においては、外層絶縁層３０の表面側に導体層４５を貼着してなる、いわゆる片面ＣＣＬが用いられて、これが接着層２５を介して内層回路基板１０に積層されるようになっている。ここで内層回路基板１０への積層は、内層回路基板１０の少なくとも一方の内層配線パターン１５形成面上に、接着層２５、外層絶縁層３０、導体層４５の順に重なるように積層すればよく特に制限はないが、例えば、内層回路基板１０の内層配線パターン１５形成面上に液状の接着剤を塗布し、外層絶縁層３０側が接するように、前記ＣＣＬを重ねてプレス硬化すればよい。又は、ボンディングシートをＣＣＬの外層絶縁層３０と内層絶縁基板１１との間に、内層配線パターン１５の一部或いは全部を覆うように重ね合わせ、真空中で加熱プレスしても良い。特に、予めＣＣＬの外層絶縁層３０側にボンディングシートを、例えば、ロールラミネーターで積層しておき、必要に応じて外形加工したものを内層回路基板１０に仮貼りして、真空中にて加熱プレスすると、正確かつ効率的で多様な積層体５５を積層する事ができる。また、内層回路基板１０及び積層体５５ともに、ロールツーロール搬送の場合は真空中で、内層回路基板１０にロールラミネーターで連続的に積層してもよい。逆に、真空中で内層回路基板１０にロールラミネーターでボンディングシートを積層したものに、ＣＣＬの外層絶縁層３０側がボンディングシートに接するようにロールラミネーターやプレス装置で積層してもよい。なお、内層回路基板１０の表裏両面に積層体５５,５５を積層する場合は、上記方法を繰り返しても良いし、途中まで例えば仮貼りまであるいは真空中での加熱プレスまでを表裏個々に行い、以降の工程は同時に行っても良い。また、内層回路基板１０及び積層体５５ともに、ロールツーロール搬送の場合は、両面同時に真空中でロールラミネーターにて連続積層してもよい。なお、接着層の追加加熱硬化を必要に応じてオーブン中などで行うことができる。

以上説明した工程が、本発明における、内層絶縁基板の回路パターン形成面に回路パターンの一部又は全部を覆うように、絶縁層及び導体層を積層する、第１の工程をなしている。

次に、上記工程により内層回路基板１０に積層体５５を積層させたら、内層回路基板１０の左右両端に設けたアライメントマーク２２,２２を基準として、図３（ａ）に示すように、外層基板５５’（接着層２５、外層絶縁層３０、及び導体層４５）の所定箇所に、丸孔状のビア４７,４７をそれぞれ形成する。また、この実施態様においては、各外層基板５５’に、内層回路基板１０のアライメントマーク２２とは別のアライメントマーク５７を形成する。このとき、ビア４７の形成と同時にアライメントマーク５７を形成すると、後述する導体パターン４０を形成する際に、導体パターン４０の位置精度を高める事が出来るため好ましい。なお、上記ビア４７を形成する場合は、導体層４５に先に穴を開け、次に外層絶縁層３０及び接着層２５に穴を開ける２ステップでも良いし、導体層４５、外層絶縁層３０及び接着層２５に一度に穴を開けるワンステップでもよい。

また、上記のビア４７やアライメントマーク５７の形成は、公知の方法で形成することができ、特にレーザー光を用いて加工することが好ましい。ここで用いるレーザー光は炭酸ガスレーザー（波長９．３〜１０．６μｍ）、ＹＡＧレーザー（波長１０６４ｎｍ）、ＹＡＧレーザーの高調波（３倍波：波長３５５ｎｍ、４倍波：波長２６６ｎｍ）に代表される紫外線レーザーなどが上げられ、また各種ガスによるエキシマレーザー（波長はガス種で異なる）を用いてもよい。

前記炭酸ガスレーザーは、現状大きなパワーを得る事が容易であるが、金属の吸収する波長帯とは異なる光である。そのため、金属を直接加工する場合には黒化処理などの表面処理を行う。すなわち、外層基板５５’の導体層４５表面を黒化処理し、その後、ビア４７を形成する部位に、ビーム径を絞り込んだパルスレーザー光を照射して、導体層４５と外層絶縁層３０並びに接着層２５を除去して、ビア４７を順次形成する。或いは、ビア４７を形成する部位を選択的に黒化処理して、レーザー光をスキャンして導体層４５と外層絶縁層３０並びに接着層２５を除去してもよい。ここで導体層４５、外層絶縁層３０、接着層２５は一度に除去してもよいが、熱ダメージを軽減する必要がある場合には、まず導体層４５を主体として除去し、次にレーザー光のパワー密度を下げて外層絶縁層３０と接着層２５を除去することができる。また別の方法としては、ビア４７を形成する部位の導体層４５をエッチングなどで選択的に除去し、レーザー光をスキャンして接着層２５と外層絶縁層３０を除去してもよい。

ＹＡＧレーザーの高調波に代表される紫外線レーザー光は、金属が吸収する波長帯に属するため、金属の直接加工が可能である。また、主に有機物からなる外層絶縁層３０や接着層２５の分子結合を直接切断する効果が寄与すると考えられ、主に熱的に除去している炭酸ガスレーザーに比べて加工形状が良い。また、ＹＡＧに代表される固体励起レーザーはビーム形状が良く、更に高調波は紫外光と波長が短いためビームを絞り込む事が可能で、内径５０μｍ以下の小径のビア４７を形成するのに適している。ビア４７を形成する方法としては、外層基板５５’の導体層４５表面からビア４７を加工する部位に、小径に絞り込んだレーザー光のパルスを照射し、導体層４５、外層絶縁層３０及び接着層２５を除去し、ビア４７を形成する。このとき、パルスは複数ショット照射してもよいし、ビーム径に比べて大きな穴の場合には、ショット毎に例えばスパイラル状に走査しても良い。また、導体層４５、外層絶縁層３０、接着層２５は一度に除去してもよいが、ダメージを軽減する必要がある場合には、まず導体層４５を主体として除去し、次にレーザー光のパワー密度を下げて接着層２５と外層絶縁層３０を除去してもよく、導体層４５除去後に残った導体をマスクにして、焦点を外したレーザー光を照射して、外層絶縁層３０と接着層２５を除去すると、特に良好な穴形状を得る事ができる。この操作を穴毎に位置を変えて順次繰返し加工する。

エキシマレーザーはガスレーザーであり、ガス種により発振波長は異なるものの深紫外光を出し、マスクを用いて照射することで、導体層４５、外層絶縁層３０、接着層２５を除去して微小径の穴加工が可能であるが、ランニングコストがかかる為高価な製品用となる。

また、内層回路基板１０の表裏両面に、積層体５５,５５を形成した場合は、上記のビア４７の穴加工を、表裏毎に繰り返せばよい。

更に、ここでは外層基板５５’の導体層４５、外層絶縁層３０、接着層２５を除去して、内層回路基板１０の内層配線パターン１５の表面までの加工、すなわち標準的ブラインドビアの形成について記載したが、内層回路基板１０の裏面側までのビア、或いは内層回路基板１０の裏面側の外層基板５５’の導体層４５裏面までのビア、更には貫通孔としてもよく、レーザー光のパワーやショット数で適切に調整すればよい。

また、積層体５５の導体層４５がキャリア層を伴った極薄金属箔の場合、キャリア層を剥離してからビア４７を形成してもよいし、剥離する前に形成してもよい。前者の場合、比較的弱いレーザーパワーで金属箔の加工が可能なため、良好な穴形状を得やすく、後者はキャリアごと除去するためレーザーパワーは必要であるが、金属箔表面が保護されている為、レーザー加工による表面の汚染を防止できる。

以上説明した工程が、本発明における、絶縁層及び導体層に回路パターンに連通する孔状のビアを一個又は複数個形成する、第２の工程をなしている。

上述のようにして、図３（ａ）に示すように、外層基板５５’にビア４７を形成した後は、各アライメントマーク５７内、及び、各ビア４７内を、過マンガン酸塩溶液などの化学的な洗浄や、ウェットブラスト法などの物理的洗浄により洗浄する。これは、いわゆるデスミア工程と呼ばれるもので、内層回路基板１０の内層配線パターン１５と、積層体５５の導体層４５とを電気的に接続するための、めっき導体層５０及び導通層５２の密着性を上げるためになされ、レーザー加工によって生じた特にビア４７内の汚染を除去するものである。前記汚染は主としてレーザーで溶融した接着層２５の樹脂成分、外層絶縁層３０の樹脂成分並びにこれらの変質物、更には溶融した導体層４５のかすが付着してなり、特にビア４７の形成により、内層配線パターン１５が露出した部分における樹脂成分による汚染は、導通層５２やめっき導体層５０の密着性を低下させて、電気的接続不良の原因となる。また、外層絶縁層３０と接着層２５は異なる成分を有する場合、化学的デスミア工程においては、いずれか一方が過剰に侵食されると密着不良や後工程での気泡残りなどにより導通不良の原因となる。これらの不具合防止のため、この実施態様では、ビア４７の穴内の洗浄は物理的に行う。物理的洗浄では化学的な作用が無いために、一方が過剰に侵食される事を防止する事ができる。もちろん、硬度などの違いによる微小な差はあるが、物理的な除去量も微小であるため実質的に問題ない。

具体的な物理洗浄の方法としては、エキシマ光に代表される２５０ｎｍ以下の深紫外光の照射、プラズマ処理、ドライブラスト処理、ウェットブラスト処理があげられる。プラズマ処理は、低圧下でガスを放電させて発生したプラズマにより樹脂をエッチングするものであり、煩雑な真空工程が必要であり、また樹脂のエッチング速度が遅いため激しい汚染には対応できない。ドライブラスト処理は、高圧の空気と共に研磨粉を吹付けて研磨する方法であり、細かな穴内も処理可能であるが噴射後の失速があり研磨力がやや弱く、また粉塵が大量に発生する為に、クリーンルームでの使用に難がある。ウェットブラスト処理は、砥粒と水を混合したスラリーを高圧のエアーでスプレーする方法であり、細かな穴内も処理され、また水に不溶のアルミナ粒子、ジルコニア粒子など硬度が高く研磨力の高い砥粒を用いて、微細な水滴とともに吹付けられ失速も少ない。このため十分な研磨力を発生する事ができ、物理的洗浄方法として特に望ましい。

前記のウェットブラスト装置としては、例えば、ビア４７、アライメントマーク５７を形成した図３（ａ）に示す被処理体を、載置するために磁石で形成された載置部と、前記被処理体上に載置されると共に、砥粒を混入した液体を通過させる所望形状の窓孔を有し、前記載置部に着磁される材料で形成されたマスクとを備えた、装置が挙げられる。そして、前記のウェットブラスト装置において、マスクとして、前記磁石に着磁される金属部材の下側に被処理体の上面に当接するウレタンゴムなどのゴム部材を設け、この金属部材及びゴム部材には前記砥粒を混入した液体を通過させる所望形状の窓孔が形成されているマスクを備えたものが好ましい。このようなウェットブラスト装置は、例えば特開平９−２９５２６６号公報に記載されている。

ウェットブラスト法においては、穴あけ加工で生じたバリの除去と、ビア４７、アライメントマーク５７内のクリーニング処理とを同時に行うことが好ましく、例えば、砥粒を混入した液（好ましくは砥粒を５〜２０容量％を含むもの）、好適にはアルミナ粒子、ジルコニア粒子など硬度が高く研磨力の高い直径が１〜１０μｍ程度の砥粒を用いて、砥粒と水などの液体とを被処理体の孔に向けて加工エアーとともに約１０ｍ〜約３００ｍ／秒程度、好ましくは約２０〜約１００ｍ／秒、さらに好ましくは約３０〜約７０ｍ／秒の流速で高圧噴射して被処理体を処理することができる。なお、内層回路基板１０の表裏両面に、外層基板５５’を形成した場合は、空中に担持して両面同時に上記物理洗浄を行うか表裏繰り返せばよい。

上記のようにして、アライメントマーク５７内及びビア４７内の清掃を行ったら、後述する電気めっきに先立って、導体層４５と内層回路基板１０の内層配線パターン１５とを導通させるための、導通化処理を行う。すなわち、図３（ｂ）に示すように、少なくとも各ビア４７の内周面と、代表的には内層回路基板１０の表裏両面に積層された外層基板５５’の外周面の一部または全体に、無電解金属めっきやダイレクトプレーティング等により、導通層５２を生成させることにより、導体層４５と内層回路基板１０の内層配線パターン１５を導通させると同時に、導体層４５と露出導体部２０を導通させる給電用導通層５２Ａを形成し、電解めっきの好ましい給電経路を形成する。ここでは内層回路基板１０の表裏両面に積層された外層基板５５’の外周面に給電用導通層５２Ａを形成して外層基板５５’表面の導体層４５と露出導体部２０を電気的に接続して電解めっき時の給電経路を形成している。なお、ここでは導通層５２のうち専ら露出導体部２０から外層基板５５’表面への給電経路を確保する為に用いられる導通層を区別して特に給電用導通層５２Ａと表している。図１４（ａ）に給電部の拡大図を示す。このとき露出導体部２０上に外層基板５５’の外周面のすべてが接しても良いが、図６に示すように露出導体部２０上に外層基板５５’の外周面の一部が接しており、少なくとも接した部分の外周面に給電用導通層５２Ａを形成してもよい。ロールツーロール搬送の場合は剛性を抑え搬送をスムーズに行えるため特に後者が好ましい。更に、電解めっき（後述）後の剛性も抑える為に、露出導体部と接しない外層基板外周面や内層絶縁基板露出部は予め保護処理をしたり不活性化処理をするなどの方法で給電用導通層５２Ａの形成を制限し電解めっきの析出を抑制しても良い。あるいは、露出導体部と接しない外周面と露出導体部との間（即ち内層絶縁基板表面が露出した部位）の距離を、外層基板５５’の厚みやビアの深さに比べて十分広く取り（例えば１０倍以上に）、給電用導通層の導電性を適切に抑制すれば、外層基板の外周面及びビア内周面といった給電経路の必要な部位は経路が短距離であるために十分低抵抗が得られる一方、内層絶縁基板表面が露出した部位は距離が長いため導通層が形成されても高抵抗となって電解めっきの析出が抑制され同様の効果が得られる。この場合、ダイレクトプレーティングにより導通層を形成すると適度な抵抗を得やすく特に適している。

給電用導通層５２Ａを形成する別の形態としては、露出導体部に電気的に接続された導体配線と外層表面とを通じるビアを形成し、ビア内側面に給電用導通層５２Ａを形成して外層表面の導体層に給電経路を形成しても良い。図１４（ｂ）は内層基板の片面に形成された露出導体部より引き回された導体配線に外層表面と連通するビアを形成し、ビア内側面に給電用導通層５２Ａを形成するとともに、内層基板に予め形成されたビアにより裏面配線を露出導体部に電気的に接続させ、該裏面配線と裏面外層表面とを連通させるビアを形成し該ビア内周面に給電用導通層５２Ａを形成する事によって表裏外層表面の導体層に電解めっき用の給電を可能にするものである。図１４（ｃ）は内層基板の片面の露出導体部より引き回された導体配線に表裏の外層表面と連通するビアを形成し、両方のビア内周面に給電用導通層５２Ａを形成する事によって表裏外層表面の導体層に電解めっき用の給電を可能にするものである。

なお、図３（ｂ）においては、給電用導通層５２Ａを含めた導通層５２が、各アライメントマーク５７の内周面、外層基板５５’の外周面及び各ビア４７の内周面だけに形成されているが、導体層との密着性やパターン形成時のエッチング性等の特性に問題がなければ導体層４５上に施されても良い。

上記導通化工程は、前述したように、一般的な無電解金属めっき工程やダイレクトプレーティング工程によって行い、これらは両面同時処理が可能である。

無電解金属めっきにはニッケル、銅など既知の各種プロセスが適用可能であるが、導体層４５の厚付けに多用される電解銅めっきとの密着性が優れる事から、配線基板のビアめっきは主に無電解銅めっきが適している。

ダイレクトプレーティング法に用いられる材料としては、グラファイト系やパラジウム系などがあり、工程が短く薬液管理が比較的容易であり、特に望ましいプロセスである。特に外層絶縁層３０にポリイミドを用いた場合は、パラジウム−スズコロイド触媒を用いてパラジウム−スズの皮膜を得られる、ダイレクトプレーティング法を採用することにより、密着性に優れ環境に対する悪影響も少なくて好適である。

パラジウム−スズコロイド系のダイレクトプレーティング法では、モノエタノールアミン、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤等を用いて、穴内の金属及びポリイミドフィルム及び接着層表面を脱脂すると共に、表面状態をコロイドが吸着しやすい状態に整えて、次いで過硫酸ソ−ダ等を用いてソフトエッチングを行った後、塩化ナトリウム、塩酸等にプレディップする。これらの工程の後、パラジウム−スズコロイドの液に浸漬するアクチベーティング工程でパラジウム−スズ被膜を形成し、最後に炭酸ソーダ、炭酸カリ及び銅イオンを含む、アルカリアクセラレーター浴及び酸性アクセラレーター浴で活性化する際に、活性化に用いるアルカリ性アクセラレーター浴に還元剤を添加すれば良い。上記工程によりパラジウムを主成分とする導電皮膜が形成される。なお、本工程は液中で基材を処理する事により両面同時に処理されるようになっている。

以上のようにして、内層配線パターン１５と導体層４５とを導通化させると共に露出導体部２０からの導体層４５への給電経路を形成した後、内層回路基板１０の導体が露出した部分及び表裏両面に積層された外層基板５５’の導体層ならびに導通層形成部に対して電気めっきを施す。すなわち、図３（ｂ）、図７及び図８に示すように、外層基板５５’の左右両側の周縁部から突出した、内層回路基板１０両側の突出部分に設けた各露出導体部２０を、上下一対ずつ左右に設けた給電ローラ１０５,１０５によりそれぞれ挟み込んで、各給電ローラ１０５を各露出導体部２０に接触させる。すると、カソード電極に接続された給電ローラ１０５を介して、内層回路基板１０の露出導体部２０がカソード側に印加され、同露出導体部２０に外層基板５５’外周面の給電用導通層５２Ａを介して導通する外層基板５５’表面の導体層４５、さらにはこの導体層に導通するビア４７内の導通層５２及びビア底がカソード側に印加される。

その状態で、アノード電極が配設されてイオン化した電解銅めっき液が貯留された図８の１０３に示すめっき浴槽中に、内層回路基板１０及びその両面に積層された外層基板５５’からなるテープを導入すると、前記給電ローラ１０５によりカソード側に印加された、内層回路基板１０の導体が露出した部分及び外層基板５５’の導通層５２や導体層４５表面に、銅イオンが付着してめっき導体層５０が形成される。その結果、内層配線パターン１５が、ビア４７の内周面に形成されためっき導体層５０を介して、外層基板５５’の導体層４５及び導体層上に形成されためっき導体層５０に導通する。そして、このめっき導体層５０及びその下地となっている導体層４５をパターン化することによって、後述する外層配線パターン４０が形成される。

このように、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、内層回路基板１０を外層基板５５’よりも大きく形成して外層基板５５’の周縁部から少なくとも一部を突出させて、この突出した部分に露出導体部２０を設けて、露出導体部２０または露出導体部に電気的に接続された導体配線と外層基板５５’表面の導体層４５を接続する給電用導通層５２Ａを形成し、この露出導体部２０に給電ローラ１０５からなる給電手段を接続して、これから電気を供給し、少なくとも導体層４５の外表面、及びビア４７の内周面に電解めっきを施すことにより、内層配線パターン１５と外層配線パターン４０とを電気的に接続するようになっている（図３（ｃ）参照）。すなわち、導体層４５や上のめっき導体層５０に直接的に給電ローラ１０５を接触させるのではなく、露出導体部２０を介して導体層４５に給電するようになっているので、導体層４５や上に形成されためっき導体層５０を損傷させたり汚染させたりすることを防止することができ、内層配線パターン１５と外層配線パターン４０とを電気的に確実に接続することができるとともに、パターン形成時の欠陥発生を抑えることが出来る。

さらに、本発明の製造方法によれば、前記ビア４７内面及び前記外層基板５５’の表面に電解めっきを施す工程はロールツーロール方式により行われ、基材は巻き出しロール１０１から連続的に引き出されたテープからなり、その両側部に形成された前記露出導体部２０に当接する給電ローラ１０５を介して通電し、電解めっきを施す。すなわち、移動するテープに対して外層表面に接する事無く給電ローラによって通電することができるので、生産性がよく処理品質が安定したロールツーロール工程においても外層基板５５’表面の汚染や傷の発生を抑えて高精細な配線パターン形成に適しためっき導体層５０を形成することが出来る。

なお、上記電気めっき工程においては、給電する際の電流密度は０．１〜５０Ａ／ｄｍ２に設定され、特に０．５〜１０Ａ／ｄｍ２に設定されることが所謂ブツやざらつきを防止して良好なめっき仕上がりを得られる。このとき、導体層４５とめっき導体層５０の合計の厚みを概ね２０μｍ以下にすると、後述するエッチングに際してサイドエッチングの影響を抑えることが出来るため、６０μｍピッチ以下のファインピッチパターンが容易に形成することができる。特に導体層４５に０．５〜３μｍの極薄銅箔を用いて導体層４５とめっき導体層５０の合計の厚みを概ね１０μｍ以下にすると４０μｍピッチ以下の微細配線の形成が容易である。なお、前記電解めっき液中に、含リン銅からなるアノードボールを両面の対向する位置に設置して、アノード電流とともに銅イオンを供給してもよい。また、本工程も、内層回路基板１０の表裏両面に積層された外層基板５５’が、両面同時に処理される（図８参照）。

次に図４（ａ）に示すように、内層回路基板１０の表裏両面の外層基板５５’の、前記電解めっき工程により形成されためっき導体層５０,５０の外表面に対して、アライメントマーク５７,５７を覆うことなく、レジスト層６０,６０をそれぞれ積層する。このレジスト層６０は、外層配線パターン４０を形成するために必要なもので、一般的にはフォトレジストを使用する。フォトレジストは、代表的には液状のものを塗布乾燥させる場合と、ドライフィルムタイプのものをラミネートする場合があり、一般的に前者はポジ型が多く、後者はネガ型が多い。ドライフィルムタイプのレジストの方が、形成工程が容易で、ビア４７の保護も確実であるので、特に適している。ドライフィルムレジストは一方の面が保護フィルム、他方の面がキャリア保護フィルムで覆われた状態でロール状に巻かれているのが一般的である。そして、ロールラミネーターのロール部で保護フィルムを剥がしつつ、その剥がした側を、各めっき導体層５０,５０の表面に重ね合わせて、適切な温度と圧力を印加しつつ貼り付ける。ここで、ビア４７内部は、ビア４７周辺を覆ういわゆるテンティングによって保護される。

上記のようにしてレジスト層６０を積層した後、外層基板５５’に形成したアライメントマーク５７,５７を基準として、目的とする導体パターンが描かれたフォトマスクを位置合わせして、例えば、高圧水銀ランプを光源とした投影露光機や密着露光機によって露光することにより、導体パターンがレジスト層６０に転写される。例えばネガ型のドライフィルムレジストを用いる場合には、導体パターンを形成する部位のフォトマスクが、光が透過するように描かれており、適切な露光量を照射することにより、レジスト層６０に導体パターンが感光される。そして、フォトレジストの保護キャリアフィルムを剥離して、例えば炭酸ソーダ水溶液をスプレーで噴射して現像することにより、不用なレジスト層６０が除去されて、図４（ｂ）に示すように、目的とする導体パターンとされたレジスト層６０のみを残存させる。ネガ型のフォトレジストの場合は、未露光部の即ちパターンを形成しない部位の、レジスト層６０が除去され、目的のレジスト層６０を得る。

このとき、内層回路基板１０に設けたアライメントマーク２２を基準として、フォトマスクを用いて露光し現像してもよいが、外層基板５５’に設けたアライメントマーク５７を基準として露光現像することにより、アライメントマーク２２を利用するよりも、途中工程や保管環境による外層基板５５’がある部分と無い部分での基材の伸縮の違いの影響を受けにくくなり、外層配線パターン４０の位置精度を向上させることができるため好ましい。

上記工程にて、レジスト層６０を目的とする導体パターンに形成した後、図５（ａ）に示すように、内層回路基板１０及び表裏両面に積層された外層基板５５’に形成された不要なめっき導体層５０と導体層４５を取り除くべく、エッチングを行う。すなわち、レジスト層６０により被覆されためっき導体層５０及び導体層４５を除いて、それ以外のめっき導体層５０及び導体層４５を除去する。このエッチングは、例えば、塩化第二鉄溶液に代表されるエッチング液をスプレーにより噴射したり、或いは、エッチング液に浸漬したりして、不要なめっき導体層５０及び導体層４５を除去し、その結果、図５（ａ）に示すように、目的とするパターンで形成された、導体層４５及びめっき導体層５０からなる、外層配線パターン４０,４０が形成される。

上記工程にて、所望の外層配線パターン４０を形成した後、図５（ｂ）に示すように、エッチングマスクとして利用したレジスト層６０を、例えば、水酸化ナトリウム溶液などの強アルカリ剥離液で除去し外層回路基板が完成する。このレジスト除去は、剥離液への浸漬やスプレー噴射により行う。剥離液には有機溶剤系を用いることも可能であるが、ベーパー対策や環境対策が必要であるため、無機アルカリ水溶液であることが望ましい。また、ポジ型レジストを用いる場合は剥離処理に先立ち紫外線照射を行うと確実に剥離する事が出来る。

以上説明したように、この実施態様では、サブトラクティブ法により、外層配線パターン４０を形成したが、セミアディティブにより外層配線パターン４０を形成してもよい。すなわち、外層配線パターン４０を形成したくない部分に、レジスト層６０を形成した後、このレジスト層６０が形成されていない導体パターンを形成する部分に、電解めっきを施して、めっき導体層５０を形成することにより、所望の外層配線パターン４０を形成する方法である。この場合、前述した導通化工程した後、レジスト層形成、露光工程、現像工程の各工程を上記工程と同様に行う。その後、上記電解めっき工程同様に露出導体部２０より給電用導通層５２Ａを介して給電し、めっき導体層５０を形成して、外層配線パターン部及びビア内部のめっき導体層５０を同時に形成しつつ、ビア４７を介して内層回路基板１０の内層配線パターン１５と外層配線パターン４０を電気的に接続させる。そして、上記レジスト剥離工程を行った後に、フラッシュエッチングにより、露出した不要な導体層４５を除去して、外層配線パターン４０を形成するものである。ここで、フラッシュエッチングは、例えば硫酸過酸化水素水や過硫酸塩、薄い塩化第二鉄水溶液に代表される弱いエッチング液をスプレー噴射や浸漬することで実施でき、これらの液は適切な添加剤を加えたものが多数市販されており適切な液を選定使用すればよい。

以上のようにして、図５（ｂ）に示すように、目的の外層配線パターン４０からレジスト層６０を除去した後、内層回路基板１０の外層回路基板の周縁部から突出した部分や製品に不要な部位を、適宜切断して除去することにより、図１に示す４層構造の多層配線基板１を製造することができる。

なお、上記工程としては、金型を用いて製品形状に打抜いても良いし、レーザー加工により切断してもよい。また、ここでは、４層構造形成直後に外形加工を行っているが、実際に使用する際に切断されていればよく、パターン保護層形成後やニッケル金めっきや錫めっきなどの電極めっき後、更には部品搭載後に切断してもよく、実装上都合が良い時点で切断すればよい。特に、ロールツーロール搬送においてはＩＣチップなどの部品を搭載後、更にはチップ保護部材も搭載して部品として使用可能な状態で個片に切断することも可能である。

なお、ここでは内層基板として両面配線基板の例を記載したが、予め作製された多層配線板を内層基板として同様の工程にて更に多層化する場合も効果は同じであり、本発明の範疇である。

図９〜１３には、本発明の多層配線基板の製造方法の他の実施態様が示されている。なお、前記実施形態の多層配線基板の製造方法と、実質的に同一部分には同符号を付してその説明を省略する。

この実施形態によって製造される多層配線基板１ａは、図９に示すように、外層絶縁層３０の表面上にあらかじめ導体層４５が積層されておらず、前記ビア導通の為の導通化処理において外層絶縁層３０表面も同時に導通化したうえでめっき導体層５０からなる導体層を形成してなり、これが外層配線パターン４０をなしている点が、前記実施形態によって製造される多層配線基板１とは異なっている。

図１０〜１３には、その製造方法が工程順に示されているが、その工程は前述した製造方法とほぼ同一である。工程順に説明すると、まず、図１０（ａ）に示すように、内層絶縁基板１１の表裏両面にビア１７を介して電気的に接続された内層配線パターン１５,１５が形成された内層回路基板１０の表裏両面に、図１０（ｂ）に示すように、裏側にボンディングシートとして接着層２５が貼着された外層絶縁層３０,３０からなる積層体５５Ａを配置する。

積層体５５Ａは接着層２５と外層絶縁層３０から構成されていればよく、例えば、
１）接着層２５と、外層絶縁層３０とを予め積層した基材、
２）接着層２５と、外層絶縁層３０とを別々のフィルムとしたもの、
３）接着層２５を予め内層回路基板１０に設け、接着層２５に外層絶縁層３０を積層したもの、
４）接着層２５と外層絶縁層３０とを兼ねた接着性樹脂をシート状にしたもの
などを用いることができる。

上記状態で、図１０（ｃ）に示すように、内層回路基板１０の両内層配線パターン１５,１５を覆うようにして、外層絶縁層３０,３０にて挟み込んで適宜加圧することにより、内層回路基板１０の表裏両面に接着層２５,２５を介して外層絶縁層３０，３０が積層され、外層基板５５Ａ’が形成される。

上記工程後、図１１（ａ）に示すように、内層配線と外層配線の導通化のためのビア４７をレーザー等により形成する。このとき、ビア４７の形成と同時に、アライメントマーク５７を形成すると、後述する導体パターン４０の位置精度を高める事ができ好適である。

その後、少なくともビア４７内を、化学的または物理的に好ましくは物理的洗浄により洗浄する。なお、この実施形態においては、前記実施形態と比べて、導体層４５が予め形成されていないため、比較的弱いエネルギーでビア４７を形成することができ、特に外層絶縁層３０並びに接着層２５に、例えばガラス繊維のような無機物による補強が無い場合は、特に弱いエネルギーで加工が可能である。この場合、ビア４７内の加工残渣は少なく、また固着性も弱いため、エキシマ光に代表される２５０ｎｍ以下の深紫外光の照射や、プラズマ処理法による物理的洗浄が、外層絶縁層３０の表面を荒らす事が少ないため好ましく採用される。

上記のようにビア４７内の清掃を行ったら、電解めっきを施す前工程として、前述した発明に準じた導通化処理を施す。すなわち、図１１（ｂ）に示すように、外層基板５５Ａ’の表面と外周面、ならびに各ビア４７の内周面を、無電解金属めっき等によって、導通層５２を生成して、外層基板５５Ａ’の表面に、内層回路基板１０の内層配線パターン１５と導通した外層配線の土台を形成する。この時、外層基板５５Ａ’表面の導通層５２は給電用導通層５２Ａにより露出導体部２０と導通しており、電解めっきの好ましい給電経路が形成される。ここでは内層回路基板１０の表裏両面に積層された外層基板５５Ａ’の外周面に形成された給電用導通層５２Ａにより外層基板５５Ａ’表面の導通層５２と露出導体部２０を電気的に接続して電解めっき時の給電経路を形成している。

給電用導通層５２Ａを形成する別の形態としては、前記実施形態と同様に露出導体部に電気的に接続された導体配線に外層基板５５Ａ’表面と連通したビアを形成し、ビア内側面に給電用導通層５２Ａを形成して外層表面の導通層５２への給電経路を形成しても良い。

なお、アライメントマーク５７の内周面、アライメントマーク２２の内周面は導通層を形成させても、任意の保護手段により形成させなくてもよい。

上記の無電解金属めっきにはニッケル、銅など既知の各種プロセスが適用可能であるが、バリア層あるいは緩衝層としての無電解ニッケルめっきや無電解金属酸化物めっきなどを行った上に続いて無電解銅めっきを行うと、外層絶縁層３０との密着性を高めて、更に密着性を保持できるので好ましい。無電解銅めっきは触媒を付与して銅イオンを還元析出させる方法などがあり、また緩衝層にニッケルなどの金属を用いた場合には金属の表面を銅に置き換える置換銅めっきを用いる事が出来る。特に、外層絶縁層３０の表面にセラミック変性又は擬セラミック変性したポリイミドフィルムを用いた場合には、無電解金属酸化物めっきや無電解ニッケルめっきに続いて無電解銅めっきを行う方法が、密着性の保持と信頼性の高さから特に好ましい。

擬セラミック変性したポリイミドフィルム上に無電解金属めっきを行う方法は、例えば特開２００５−２２５２２８に示された方法により行い、具体的には、
１）脱脂・表面調整工程として、例えば、表面調整剤で２５〜８０℃、１５秒〜３０分浸漬処理し、
２）触媒付与工程として、例えば、センシタイザー、例えば塩化錫等の水溶性第１錫塩の１〜５０ｇ／Ｌ、塩酸等の酸５〜１００ｍＬ含有し、ｐＨ１〜５の溶液を用いてセンシタイジング、水洗、キャタリスト、例えば塩化Ｐｄ等の水溶性Ｐｄ塩０．０１〜１ｇ／Ｌ、塩酸等の酸０．０１〜１ｍＬ／Ｌを含有し、ｐＨ１〜５のパラジウム活性化溶液に１０〜５０℃で５秒〜５分浸漬、あるいは／及び水溶性Ａｇ塩（硝酸銀等）０．１〜２ｇ／Ｌ、ｐＨ５〜８の銀活性化溶液に１０〜５０℃で５秒〜５分浸漬して、触媒付与し、
３）無電解めっき用下地処理層形成工程として、亜鉛イオン（硝酸亜鉛等）を０．００１〜５ｍｏｌ／Ｌ、インジウムイオン（硝酸インジウム等）を０．００００１〜０．１ｍｏｌ／Ｌ各々含有する処理液に５０〜９０℃、１分以上浸漬することによって処理して、亜鉛含有酸化インジウム下地層形成し、その後、一般的な無電解銅めっき工程により導通化層を形成し、具体的には、
４）触媒付与工程として、例えば、水溶性Ｐｄ塩（塩化Ｐｄ等）などの水溶性金属塩の濃度０．０１〜１ｇ／Ｌ、ｐＨ１〜５の水溶液に、１０〜８０℃で、５秒〜５分間、浸漬、スプレー、塗布法で接触し、
５）無電解金属めっき工程として、例えば、硫酸銅等の水溶性金属塩０．０１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、ホルムアルデヒド等の還元剤０．１〜１ｍｏｌ／Ｌ、ＥＤＴＡ等の錯化剤０．０１〜１ｍｏｌ／Ｌ含有し、ｐＨ９〜１４の溶液に、１０〜７０℃で５〜６０分間浸漬することにより、擬セラミック変性したポリイミドフィルム上に無電解金属めっきが施されるようになっている。

上記工程後、図１１（ｂ）に示すように、上下一対の給電ローラ１０５,１０５からなる給電手段によって、外層基板５５Ａ’の左右両側の周縁部から突出した露出導体部２０,２０を挟み込んで、各露出導体部２０に各給電ローラ１０５を接触させ、この給電ローラ１０５を介して電気を供給する。すると、電流が露出導体部２０に接した外層外周面の給電用導通層５２Ａを介して、外層基板５５Ａ’表面及び各ビア４７の内周面に形成された導通層５２、ビア底である内層導体露出部にカソード側の電圧が印加され、めっき浴槽１０３中の銅イオンが各面上に付着して、めっき導体層５０が形成される（図１１（ｃ）参照）。

このように、この実施形態の多層配線基板の製造方法においても、内層回路基板１０を外層基板５５Ａ’よりも大きく形成して、外層基板５５Ａ’の周縁部から少なくとも一部を突出させてこの突出した部分に露出導体部２０を設け、外層基板５５Ａ’の表面ならびに各ビア４７の内周面に導通層５２を生成して、外層基板の表面に内層配線パターン１５と導通した外層配線の土台を形成し、また外層基板表面の導通層５２は給電用導通層５２Ａにより露出導体部２０と導通しており、この露出導体部２０に給電ローラ１０５からなる給電手段を接続して、これから電気を供給して、少なくとも外層基板５５Ａ’外表面、及び各ビア４７の内周面にめっき導体層５０からなる導体層を形成することができる。外層基板５５Ａ’表面の導通層や上に形成されためっき導体層５０に直接的に給電ローラ１０５を接触させるのではなく、露出導体部２０を介して外層基板５５Ａ’表面の導通層５２に給電するようになっているので、外層基板５５Ａ’表面の導通層５２や上に形成されためっき導体層５０を損傷させたり汚染させたりすることを防止することができ、内層配線パターン１５と外層配線パターン４０とを電気的に確実に接続することができるとともに、パターン形成時の欠陥発生を抑えることが出来る。

上記工程後、図１２（ａ）に示すように、めっき導体層５０上にレジスト層６０を積層させて、これをフォトマスクを用いて露光して目的のパターンとした後、現像して図１２（ｂ）に示すように不要なレジスト層６０を除去する。その工程後、図１３（ａ）に示すように、不要なめっき導体層５０及び導通層５２をエッチングして取り除いて、目的とする導体パターン４０を形成する。更に、図１３（ｂ）に示すように、エッチングマスクとして使用したレジスト層６０を、強アルカリ剥離液で除去し、内層回路基板１０及び外層回路基板の不要な部分を切断して除去することにより、図９に示す多層配線基板１ａを製造することができる。

ここではサブトラクティブ法により、外層配線パターン４０を形成したが、もちろん前記同様にセミアディティブ法により外層配線パターン４０を形成してもよい。この場合、前述した無電解金属めっき等によって、導通層５２（給電用導通層５２Ａを含む）を形成した後、レジスト層形成、露光工程、現像工程の各工程を上記工程と同様に行う。その後、上記電解めっき工程同様に露出導体部２０より給電用導通層５２Ａを介して給電し、めっき導体層５０を形成して、外層配線パターン部及びビア内部のめっき導体層５０を同時に形成しつつ、ビア４７を介して内層回路基板１０の内層配線パターン１５と外層配線パターン４０を電気的に接続させる。そして、上記レジスト剥離工程を行った後に、フラッシュエッチングにより、露出した不要な導通層５２を除去して、外層配線パターン４０を形成するものである。

本発明の一実施形態による多層配線基板の製造法により製造された、多層配線基板の模式構成断面図である。 同多層配線基板の製造方法の最初の工程を示す模式構成断面図である。 同多層配線基板の製造方法において、図２で示す工程の次の工程を示す模式構成断面図である。 同多層配線基板の製造方法において、図３で示す工程の次の工程を示す模式構成断面図である。 同多層配線基板の製造方法において、図４で示す工程の次の工程を示す模式構成断面図である。 同多層配線基板の製造方法の要部平面図である。 同多層配線基板の製造方法に用いられる製造装置の要部断面図である。 同製造装置の概略構成図である。 本発明の他の実施形態による多層配線基板の製造法により製造された、多層配線基板の模式構成断面図である。 同多層配線基板の製造方法の最初の工程を示す模式構成断面図である。 同多層配線基板の製造方法において、図１０で示す工程の次の工程を示す模式構成断面図である。 同多層配線基板の製造方法において、図１１で示す工程の次の工程を示す模式構成断面図である。 同多層配線基板の製造方法において、図１２で示す工程の次の工程を示す模式構成断面図である。 本発明の給電用導通層形成部の拡大図である。

符号の説明

１,１ａ 多層配線基板
１０ 内層回路基板
１１ 内層絶縁基板
１３ 導体配線
１４ スプロケットホール
１５ 回路パターン
１７ ビア
１８ 接続部
２０ 露出導体部
２２ アライメントマーク
２５ 接着層
３０ 外層絶縁層
４０ 導体パターン
４５ 導体層
４７ ビア
５０ めっき導体層
５２ 導通層
５２Ａ 給電用導通層
５５ 積層体
５５’外層基板
５５Ａ 積層体
５５Ａ’ 外層基板
５７ アライメントメーク
６０ レジスト層
１００ 製造装置
１０１ 巻き出しロール
１０３ めっき浴槽
１０５ 給電ローラ
１０６ ガイド
１０７ 巻き取りロール

Claims (8)

1. 内層絶縁基板の少なくとも片面に導体配線回路パターンが形成されてなる内層回路基板と、外層絶縁層の少なくとも片面に導体配線回路パターンが形成されてなる外層回路基板とを有し、前記内層回路基板の少なくとも片面に前記外層回路基板が１又は複数層積層されてなる多層配線基板の製造方法において、
   前記内層絶縁基板は、巻取りロールから連続的に引き出されたテープ状をなし、前記内層回路基板の少なくとも片面に、外側表面に導体層を有する前記外層絶縁層を積層する際に、前記内層回路基板の両端部を前記外層絶縁層の端縁よりも外側に延出させ、この延出された両端部に露出導体部を形成しておき、
   前記外層絶縁層が積層された外層基板に、前記導体層を貫通して、前記内層回路基板の導体配線回路パターンに至る１個以上のビアを形成し、該ビアの内面に前記内層回路基板の導体配線回路パターンに接続する導通層を形成するとともに、前記露出導体部または前記露出導体部に電気的に接続された導体配線と前記外層基板表面の前記導体層とを接続する給電用導通層を形成し、
   めっき浴槽に対する導入部及び／又は導出部であって、めっき液に接触しない位置で、前記内層絶縁基板の両端部に形成された前記露出導体層に給電ローラを当接させて該両端部を前記給電ローラで支持し、
   前記給電ローラを介して前記内層回路基板の露出導体部より給電し前記給電用導通層を通して通電することにより、前記ビア内面及び前記外層基板の表面に電解めっきを施すことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 前記給電用導通層は、前記内層回路基板の露出導体部と接した外層基板の外周面の一部又は全体に形成され、前記内層回路基板の露出導体部より給電し外層基板の外周面の給電用導通層を介して通電する請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
3. 前記露出導体部と電気的に接続された内層導体配線を有し、該内層導体配線と外層基板表面を通じるビアが形成されており、ビア内は該導体配線と外層基板表面を導通する給電用導通層が形成されており、前記内層回路基板の露出導体部より給電し該ビア内の給電用導通層を介して通電する請求項１又は２に記載の多層配線基板の製造方法。
4. 前記導通層を形成する工程を、無電解金属めっき又はダイレクトプレーティングにより行う請求項１〜３のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。
5. 前記ビアを、穴あけ加工により形成し、該穴あけ加工で生じたビア内残渣のクリーニング処理を物理的洗浄で行う請求項１〜４のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。
6. 前記物理的洗浄法は、ウェットブラスト法、２５０ｎｍ以下の深紫外光照射法、及びプラズマ処理法から選ばれたものである請求項５記載の多層配線基板の製造方法。
7. 前記内層絶縁基板の両端部には、アライメントマーク及びスプロケットホールが形成されており、前記内層絶縁基板の両端部の露出導体部は、前記アライメントマーク及びスプロケットホールが形成された領域に設けられている請求項１〜６のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。
8. 前記内層絶縁基板の前記露出導体部上に前記外層基板の外周面の一部が接しており、少なくとも接した部分の外周面に前記給電用導通層が形成されている請求項１〜７のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。

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