JP5129165B2 - ガリウム錯体を含むエレクトロルミネッセンス・デバイス - Google Patents

Description

本発明は、少なくとも1つのガリウム錯体または13族の金属の錯体を含む層と。異なるガリウム錯体を含む第2の層とを備えていて、望ましいエレクトロルミネッセンス特性を提供することのできる有機発光ダイオード（OLED）エレクトロルミネッセンス（EL）デバイスに関する。

有機エレクトロルミネッセンス（EL）デバイスは20年以上前から知られているが、性能が限られているため、望ましい多くの用途にとっての障害となっていた。最も単純な形態の有機ELデバイスは、正孔を注入するためのアノードと、電子を注入するためのカソードと、これら電極に挟まれていて、電荷の再結合をサポートして光を発生させる有機媒体とで構成されている。このようなデバイスは、一般に有機発光ダイオード、またはOLEDとも呼ばれる。初期の代表的な有機ELデバイスは、1965年3月9日に付与されたGurneeらのアメリカ合衆国特許第3,172,862号；1965年3月9日に付与されたGurneeのアメリカ合衆国特許第3,173,050号；Dresner、「アントラセンにおける二重注入エレクトロルミネッセンス」、RCA Review、第30巻、322ページ、1969年；1973年1月9日に付与されたDresnerのアメリカ合衆国特許第3,710,167号である。これらデバイスの有機層は、通常は多環芳香族炭化水素で構成されているために非常に厚かった（1μmよりもはるかに厚い）。その結果、動作電圧が非常に大きくなり、100Vを超えることがしばしばあった。

より最近の有機ELデバイスは、アノードとカソードに挟まれた極めて薄い層（例えば1.0μm未満）からなる有機EL素子を含んでいる。この明細書では、“有機EL素子”という用語に、アノードとカソードに挟まれたいろいろな層が含まれる。厚さを薄くして有機層の抵抗値を小さくすることで、デバイスがはるかに低電圧で動作できるようになった。アメリカ合衆国特許第4,356,429号に初めて記載された基本的な2層ELデバイス構造では、EL素子のアノードに隣接する一方の有機層は正孔を輸送するように特別に選択されているため、正孔輸送層と呼ばれ、他方の有機層は電子を輸送するように特別に選択されているため、電子輸送層と呼ばれる。有機EL素子の内部で注入された正孔と電子が再結合することで効率的なエレクトロルミネッセンスが出る。

正孔輸送層と電子輸送層の間に有機発光層（LEL）を含む3層有機ELデバイスも提案されている。それは例えば、 C. Tangら（J. Applied Physics、第65巻、3610ページ、1989年）によって開示されているものである。発光層は、一般に、ゲスト材料（ドーパントとしても知られる）をドープされたホスト材料からなる。さらに、アメリカ合衆国特許第4,769,292号には、正孔注入層（HIL）と、正孔輸送層（HTL）と、発光層（LEL）と、電子輸送／注入層（ETL）とを備える4層EL素子が提案されている。これらの構造によってデバイスの効率が向上した。

これら初期の発明以来、デバイスの材料がさらに改善された結果、色、安定性、輝度効率、製造しやすさなどの属性が向上した。それは例えばアメリカ合衆国特許第5,061,569号、第5,409,783号、第5,554,450号、第5,593,788号、第5,683,823号、第5,908,581号、第5,928,802号、第6,020,078号、第6,208,077号に特に開示されている。

白色光を出すELデバイスは非常に有用であることがわかっている。白色ELデバイスは、カラー・フィルタとともに用いてフル-カラー・ディスプレイ装置を製造することができる。白色ELデバイスは、他のマルチカラー・ディスプレイ装置または機能的カラー・ディスプレイ装置でカラー・フィルタとともに用いることもできる。このようなディスプレイ装置で使用される白色ELデバイスは製造が容易であり、ディスプレイの各画素で信頼できる白色光を発生させる。OLEDは白色と呼ばれるが、この用途では白色または灰白色に見える可能性がある。また、OLEDから出る光のCIE座標は、それぞれのカラー・フィルタを通過したスペクトル成分がその光に十分な強度で存在するという条件ほど重要でない。したがって白色OLEDデバイスで使用するための大きな輝度強度を提供する新しい材料が必要とされている。

多数のOLEDデバイスで最も一般的に用いられている材料の1つはトリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)（Alq）である。この金属錯体は優れた電子輸送材料であり、産業界で長年にわたって使用されてきた。しかしエレクトロルミネッセンス・デバイスの性能をさらに向上させるであろう新しい材料をAlqに代わって見いだすことが望ましかろう。

エレクトロルミネッセンス・デバイスで使用するために多くの新しい有機金属材料が研究されてきた。例えばアメリカ合衆国特許第6,420,057号と日本国特開2001/081453には、発光層に含まれる有機金属錯体が記載されている。これらの錯体は、金属-窒素イオン結合と、金属-窒素供与結合または金属-窒素配位結合とを含んでいる。アメリカ合衆国特許公開2003/068528と2003/059647には、阻止層および正孔輸送層としてそれぞれ使用される同様の材料が記載されている。日本国特開09/003447には、有用な電子輸送材料として、関連する有機金属錯体が報告されている。

2005年6月30日に出願されて譲受人に譲渡されたアメリカ合衆国特許出願シリアル番号第11/172,338号には、光を出さない層を備えていて、その層には、望ましいエレクトロルミネッセンス特性を提供できる金属錯体が含まれているELデバイスが記載されている。2006年1月18日に出願されて譲受人に譲渡されたアメリカ合衆国特許出願シリアル番号第11/334,532号には、金属ガリウムの錯体を含む層と、アルカリ金属材料を含む層とを備えていて、やはり望ましいエレクトロルミネッセンス特性を提供できるELデバイスが記載されている。

アメリカ合衆国特許公開2005/0179370には、互いに異なる電子輸送特性を持つ2つ以上の電子輸送層を備えるELデバイスが記載されている。カソード側の電子輸送層は、エネルギー・ギャップが隣接する（アノード側の）電子輸送層と同じであるかより大きいことが望ましいと報告されている。したがって、アメリカ合衆国特許公開2005/0179370の図5に示してあるように、カソード側のETLに含まれる材料は、最低空軌道（LUMO）のエネルギー・レベルがアノード側のETLに含まれる材料と同じであるかより大きく（より正に）なろう。しかしこのようにしても最も望ましいエレクトロルミネッセンス特性にはならない可能性がある。したがってこれらの改善にもかかわらず、より大きな輝度、低下した駆動電圧、改善された安定性のいずれかまたはすべてを提供できる材料の組み合わせが相変わらず必要とされている。

OLEDデバイスは、アノードと、発光層と、第1の層と、その第1の層に隣接している第2の層と、カソードとをこの順番で備えている。第1の層は、ガリウムを含有する第1の錯体を含んでおり、第2の層は、ガリウムを含有する第2の錯体を含んでいて、第2の錯体は第1の錯体よりも負のLUMOを有する。

一実施態様では、第1の層は、ガリウムまたは13族の別の金属を含有する追加の錯体も含んでいる。この錯体は、第2の層の他の錯体と同じLUMOかより正のLUMOを持つ。

別の一実施態様では、OLEDデバイスは、ガリウム以外の13族の金属を含有する第1の錯体を含んでおり、第2の層は、ガリウムを含有する錯体を含んでいて、そのガリウム錯体は、13族の金属を含有する第1の錯体よりも負のLUMOを有する。

このような材料は、輝度、駆動電圧、安定性のうちの1つ以上を改善することができる。

本発明は、全体として上記の通りである。本発明により、アノードと、発光層と、第1の層と、その第1の層に隣接している第2の層と、カソードとをこの順番で備えているOLEDデバイスが提供される。追加の層が存在していてもよい。第1の層は第1の錯体を含んでおり、その錯体として、ガリウム錯体または13族の別の金属の錯体が可能である、第2の層は、第1の層に含まれる第1の錯体よりもLUMOが負の第2のガリウム錯体を含んでいる。

本発明の一実施態様では、第1の錯体と第2の錯体は、最低空軌道（LUMO）のエネルギー・レベルが-2.0〜-3.0eVの範囲である。この範囲は-2.2〜-2.8eVであることが好ましく、-2.3〜-2.7eVであることが望ましい。

LUMOのエネルギー・レベルは、分子の酸化還元特性から推定することができる。酸化還元特性は、文献でよく知られた手続き、例えばサイクリック・ボルタンメトリー（CV）やオスターヤング矩形波ボルタンメトリー（SWV）で測定することができる。電気化学的測定に関する概説として、J.O. BockrisとA.K.N. Reddy、『現代の電気化学』、プレナム出版、ニューヨーク；A.J. BardとL.R. Faulkner、『電気化学的方法』、ジョン・ワイリー＆サンズ社、ニューヨークと、これらの中で引用されている参考文献を参照のこと。

LUMOのエネルギー・レベルは、分子軌道の計算から推定することもできる。典型的な計算は、ガウシャン98（ガウシャン社、ピッツバーグ、ペンシルヴェニア州）コンピュータ・プログラムに含まれているB3LYP法を利用して計算できる。B3LYP法で使用される基本セットは、以下のように定義される。すなわち、MIDI!（MIDI!が定義されているすべての原子に対して用いる）と、6-31G*（6-31G*で定義されているが、MIDI!では定義されていないすべての原子に対して用いる）と、LACV3PまたはLANL2DZという基本セットと擬ポテンシャル（MIDI!または6-31G*で定義されていない原子に対して用いられ、LACV3Pのほうが好ましい）である。残るすべての原子に関しては、公開されている任意の基本セットと擬ポテンシャルを用いることができる。MIDI!、6-31G*、LANL2DZは、ガウシャン98コンピュータ・コードに含まれているものが用いられ、LACV3Pは、Jaguar4.1（シュレーディンガー社、ポートランド、オレゴン州）コンピュータ・コードに含まれているものが用いられる。

第1の錯体と第2の錯体のLUMOの相対位置が極めて重要である。第2の錯体は、第1の錯体よりもLUMOが負でなければならない。一実施態様では、第1の錯体と第2の錯体のLUMOエネルギー値の差は、0.05eV以上である。この差は0.1eV以上であることが好ましく、0.2eV以上であることが望ましい。

一実施態様では、第1の層は発光層に隣接している。発光層はホスト材料を含んでいることが望ましく、好ましい一実施態様では、ホスト材料は第1の錯体よりもLUMOが負である。ホストのLUMOが第1の錯体のLUMOよりも大きかろうと小さかろうと、ホスト材料と第1の錯体の間のLUMO値の差は、0.2eV以下、または0.1eV以下であることが望ましく、0.05eV以下が望ましいことさえある。

望ましい一実施態様では、第1の層と第2の層の両方が電子輸送層である。本発明の1つの特徴によれば、第2の層はカソードに隣接している。別の1つの特徴によれば、第2の層は電子注入層に隣接している。電子注入層としては、アメリカ合衆国特許第5,608,287号、第5,776,622号、第5,776,623号、第6,137,223号、第6,140,763号に記載されているものがある。電子注入層は、一般に、仕事関数が4.0eV未満の材料からなる。仕事関数の定義は、『化学と物理学のCRCハンドブック』、第70版、1989〜1990年、CRC出版社、F-132ページに見いだすことができ、さまざまな金属に関する仕事関数のリストは、E-93ページとE-94ページに見いだすことができる。そのような金属の典型例は、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Sm、Gd、Ybなどである。電子を注入するのに仕事関数が小さなアルカリ金属またはアルカリ土類金属（例えばLi、Cs、Ca、Mg）を含む薄膜を使用できる。さらに、仕事関数が小さなこれらの金属をドープした有機材料も、電子注入層として有効に使用することができる。例は、LiまたはCsをドープしたAlqである。好ましい一実施態様では、電子注入層はアルカリ金属化合物（例えばLiF）を含んでいる。実際には、電子注入層は、0.1〜3.0nmの範囲の適切な厚さに堆積させた薄い層であることがしばしばある。インターフェイスの電子注入層がこの範囲の厚さだと、上に説明した非発光層に電子がうまく注入されるであろう。さらに別の一実施態様では、第2のガリウム含有層のカソード側に隣接する5〜25オングストロームの薄い層を設けて電圧を安定化させると同時に高い効率とデバイスの安定性を維持することが望ましい。適切な特性を有するあらゆる材料をこの薄い層で利用できるが、8-ヒドロキシキノリンおよびそれと同様の誘導体の金属錯体（特にトリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)（Alq））が非常に有用である。

一実施態様では、第1の錯体は、リガンドとして2-フェニルイミダゾール基を有するガリウム錯体である。第1の錯体は、リガンドとして独立に選択された3つの2-フェニルイミダゾール基を有するガリウム錯体であることが望ましい。これらのリガンドは同じでも異なっていてもよい。好ましい一実施態様では、リガンドは互いに同じである。

別の一実施態様では、第2の錯体は、リガンドとして2-フェニルベンゾイミダゾール基を有するガリウム錯体である。第2の錯体は、リガンドとして独立に選択された3つの2-フェニルベンゾイミダゾール基を有するガリウム錯体であることが望ましい。これらのリガンドは同じでも異なっていてもよい。好ましい一実施態様では、リガンドは互いに同じである。

さらに別の一実施態様では、第1の錯体と第2の錯体は、一般式（1）で表わされる。

一般式（1）の金属錯体におけるリガンドは、それぞれ互いに同じでも異なっていてもよい。一実施態様では、リガンドは互いに同じである。

それぞれのZ^aとZ^bは独立に選択され、不飽和複素環を完成させるのに必要な原子を表わす。例えばZ^aとZ^bは、5員または6員の不飽和複素環を完成させるのに必要な原子を表わす。一実施態様では、環は芳香族環である。適切な芳香族環の例は、ピリジン環基とイミダゾール環基である。

Z^aとZ^bは互いに直接結合している。Z^aとZ^bは、直接結合していることに加え、両者が合わさって縮合環系を形成することができる。しかし一実施態様では、Z^aとZ^bは互いに合わさってはいない。

Z^aとZ^bの代表例を以下に示す。

一般式（1）において、複素環の窒素に対するGaの結合はイオン結合である。イオン結合は、互いに反対の電荷に帯電した2つの原子または原子群の間の電気的引力である。この場合、金属Gaは正に帯電しており、1つの複素環の1つの窒素は負に帯電しているため、金属Gaとこの窒素が互いに結合する。しかし具体的な金属と複素環が何であるかに応じ、この結合が共有結合の性質を幾分か帯びることも可能であることを理解されたい。例えばプロトンが取り去られたイミダゾールは、金属とこのタイプのイオン結合を形成することができよう。

一般式（1）において、他の複素環の窒素に対するGaの結合は供与的である。供与結合（ドナー／アクセプタ結合とも呼ばれる）は、同じ原子（ここでは複素環の窒素）に由来する一対の共有電子が関与する結合である。例えばピリジン環は、2つの非共有電子を有する窒素を含んでおり、その電子を金属に与えて供与結合を形成することができる。

本発明の別の特徴によれば、第1のガリウム錯体と第2のガリウム錯体は一般式（2）で表わされる。

一般式（2）において、Z¹〜Z⁷のそれぞれは、NまたはC-Yを表わす。一実施態様では、Z¹〜Z³のうちの2つ以下、望ましくは1つ以下がNを表わす。別の一実施態様では、Z⁴〜Z⁷のうちの1つ以下がNを表わす。それぞれのYは、水素または独立に選択された置換基を表わす。置換基の例として、アルキル基（例えばメチル基）、芳香族基（例えばフェニル基）、シアノ置換基、トリフルオロメチル基などがある。2つのY置換基が合わさって環基（例えば縮合ベンゼン環基）を形成することもできる。本発明の1つの特徴によれば、Z⁴〜Z⁷はC-Yを表わす。

本発明のさらに別の特徴によれば、第1の錯体は一般式（3a）で表わされ、第2の錯体は一般式（3b）で表わされる。

一般式（3a）において、それぞれのr¹は同じでも異なっていてもよく、それぞれ置換基（例えばメチル基またはフェニル基）を表わし、nは0〜2である。一般式（3a）と一般式（3b）において、それぞれのr²、r³、r⁴は同じでも異なっていてもよく、それぞれ置換基を表わすが、隣り合った置換基が合わさって環基を形成してもよく、m、p、qは独立に0〜4である。

一般式（1）、（2）、（3a）、（3b）の材料は、適切なリガンドから調製することができる。そのリガンドは少なくとも1つのN-H基を含んでいて、そのN-H基からプロトンを奪って窒素アニオンにできることが望ましい。一実施態様では、このプロトンは、金属アルコキシド（例えばi-プロポキシドまたはメトキシド）によってプロトンが奪われるのに十分な酸性である。別の一実施態様では、このプロトンは、シクロペンタジエン・アニオンによってプロトンが奪われるのに十分な酸性である。

13族の原子は、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムとして定義される。これらのうちでアルミニウムとガリウムが本発明にとって最も有用である。

有用な1つの合成法は、適切なリガンドをガリウムアルコキシド溶液と反応させて一般式（1）、（2）、（3a）、（3b）の錯体を得る操作を含んでいる。例えばアメリカ合衆国特許第6,420,057号を参照のこと。別の有用な経路は、ガリウムシクロペンタジエニル錯体を適切なリガンドと反応させる操作を含んでいる。例えばトルエンなどの溶媒の中でトリス(シクロペンタジエニル)ガリウムをリガンドと反応させる（スキーム1）。置換された複素環リガンドは、置換基と複素環の正確な性質に応じて異性体の混合物である錯体を形成できることに注意されたい。

有用な錯体の代表例を以下に示す。

本発明の別の特徴によれば、第2の層は、第2の錯体に加え、アルカリ金属材料を含んでいる。その場合、アルカリ金属材料は、アルカリ金属元素を意味するか、またはその金属を含んでいて、その金属元素を層に添加した後に形成される反応生成物（その場合、金属はイオンの形態になっている可能性がある）を意味する。例えばアルカリ金属（例えばリチウム）をその層に添加することができる。本発明がいかにして機能するかに関して特定の理論に拘束されないとして、金属は第2の錯体と反応して新しい錯体を形成することができ、1個の電子の少なくとも一部がアルカリ金属から第2の錯体へと移動する。この新しい錯体では、アルカリ金属は、1個の正電荷の全体または一部を持ち、第2の錯体は、1個の負電荷の全体または一部を持つ。したがって“アルカリ金属材料”という用語には、このタイプの反応生成物も含まれることになろう。この実施態様では、この用語には、アルカリ金属イオンを含む塩または錯体（例えばフッ化リチウムまたはリチウムキノレート）が層に直接添加される場合は含まれない。

アルカリ金属は、Li、Na、K、Rb、Cs、Frである。好ましい一実施態様では、アルカリ金属材料は、Li、Na、K、Csのいずれかを含んでいる。アルカリ金属材料はLiを含んでいることが望ましい。

一実施態様では、アルカリ金属材料は、層の0.2〜5体積％のレベルで存在している。このレベルは2％未満であることが望ましい。好ましい別の一実施態様では、一般式（1）の金属錯体とアルカリ金属材料のモル比は1：5〜5：1である。この比は、1：1であること、例えば10％の誤差で1：1であることが望ましい。

ELデバイスは、発光層に蛍光材料またはリン光材料を含むことができる。別の特徴によれば、本発明のデバイスは、2つの発光層を備えている。それは例えば、白色光を青色光発光層と黄色光発光層を組み合わせることによって発生させる場合である。

望ましい一実施態様では、発光層は、1種類以上のホスト材料と1種類以上の発光材料を含んでいる。少なくとも1つのホスト材料がアントラセン誘導体であることが好ましい。一実施態様では、ホストは一般式（4）のアントラセンである。

一般式（4）において、W₁〜W₁₀は、独立に、水素または独立に選択された置換基を表わし、隣り合った2つの置換基が合わさって環を形成することができる。望ましい一実施態様では、W₉とW₁₀は、独立に選択されたナフチル基またはビフェニル基を表わす。W₉とW₁₀は、例えば1-ナフチル、2-ナフチル、4-ビフェニル、3-ビフェニルなどを表わすことができる。望ましい別の一実施態様では、W₉とW₁₀の少なくとも一方はアントラセン基を表わす。さらに好ましい一実施態様では、W₉とW₁₀は、独立に選択されたナフチル基またはビフェニル基を表わし、W₂は、芳香族基（例えばフェニル基またはナフチル基）を表わす。一実施態様では、アントラセン化合物の選択は、9,10-ジ-(2-ナフチル)アントラセン、2-t-ブチル-9,10-ジ-(2-ナフチル)アントラセン、9-(2-ナフチル)-10-(4-ビフェニル)アントラセン、9,10-ジ-(2-ナフチル)-2-フェニルアントラセンからなるグループの中からなされる。

アントラセン・ホストは、唯一のホストとして存在すること、または他のホスト材料と混合することができる。アントラセン・ホストは、他の非アントラセン・ホスト材料（例えばAlq）と混合することもできる。

有用なアントラセン・ホストの代表例を以下に示す。

一実施態様では、共同ホストが存在しており、それは正孔輸送材料である。例えば共同ホストは、第三級アミンにすること、またはそのような化合物の混合物にすることができる。有用な正孔輸送共同ホスト材料は、4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル（NPB）と4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ビフェニル（TNB）である。

別の一実施態様では、電子輸送材料である共同ホストが存在している。8-ヒドロキシキノリンおよびそれと同様の誘導体の金属錯体（金属キレート化オキシノイド化合物としても知られる）が有用な共同ホスト化合物の1つのクラスを構成する。特に有用なのは、13族の金属を含む錯体である。電子輸送共同ホストの有用な一例は、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)（Alq）である。

共同ホストは、存在しているときには、層の1〜50体積％のレベルであることがしばしばあり、この値は層の1〜20体積％である頻度が多く、一般に層の5〜15体積％である。

LELは発光材料を含んでおり、発光層の15体積％の量まで存在していることが望ましい。この量は一般に0.1〜10体積％であり、典型的には層の0.5〜8.0体積％である。

ホストとして用いる蛍光発光材料を選択する際の重要な1つの関係は、ホストと蛍光材料の励起一重項エネルギーの比較である。発光材料の励起一重項エネルギーはホスト材料の励起一重項エネルギーよりも低いことが非常に望ましい。励起した一重項状態のエネルギーは、発光する一重項状態と基底状態のエネルギー差として定義される。発光しないホストでは、基底状態としての同じ電子スピンの最低励起状態が発光状態と見なされる。

発光層は、発光材料の性質に応じて青から赤の範囲の光を出すことができる。R.W. Hunt、『写真、印刷、テレビにおける色の再現』、第4版、1987年、ファウンテン出版で定義されているように、青色光は一般に電磁スペクトルの可視領域の450〜480nmの範囲の波長を持ち、青-緑色光は480〜510nm、緑色光は510〜550nm、緑-黄色光は550〜570nm、黄色光は570〜590nm、オレンジ色光は590〜630nm、赤色光は630〜700nmの波長を持つ。これらの成分の適切な組み合わせによって白色光が発生する。

青色または青-緑色の光を出す多くの材料が従来技術で知られており、本発明を実施する際に利用することが考えられる。青色発光体の特に有用なクラスとして、ペリレンとその誘導体（例えば1つ以上の置換基（例えばアルキル基またはアリール基）を有するペリレン核）が挙げられる。発光材料として用いるのが望ましいペリレン誘導体は、2,5,8,11-テトラ-t-ブチルペリレンである。

蛍光材料の別の有用なクラスとして、青色または青-緑色の光を発生させるジスチリルアレンの誘導体（例えばジスチリルベンゼン、ジスチリルビフェニル）があり、その中にはアメリカ合衆国特許第5,121,029号に記載されている化合物が含まれる。青色または青-緑色の光を出すジスチリルアレンの誘導体のうちで特に有用なのは、ジアリールアミノ基で置換されたもの（ジスチリルアミンとしても知られる）である。例として、以下に示す一般式（5a）と（5b）がある（ただしそれぞれのR^a〜R^hは同じでも異なっていてもよく、個別に、水素または1個以上の置換基を表わす）。例えば置換基としてアルキル基（メチル基など）またはアリール基（フェニル基など）が可能である。

有用なジスチリルアミンの代表例は、以下に示す青色発光体または青緑色発光体である。

2004年10月29日にMargaret J. Helberらによって「エレクトロルミネッセンス・デバイスのための有機素子」という名称で出願されて譲受人に譲渡されたアメリカ合衆国特許出願シリアル番号第10/977,839号には、別の有用な青色発光材料と青-緑色発光材料が記載されている。

一実施態様では、発光材料は一般式（6）で表わされる。

一般式（6）において、Ar¹〜Ar⁶は独立に選択されたアリール基であり、それぞれ、フェニル基、縮合芳香族環（例えばナフチル、アントラニル、フェナントリル）、1つ以上の炭素原子が窒素、酸素、イオウのいずれかで置換されている複素芳香族環、1価の結合をした芳香族環（例えばビフェニル）を表わすことができ、Ar¹〜Ar⁶は、置換されていなくても、環上で水素を有する位置がさらに置換されていてもよい。さらに、Ar³とAr⁴は、直接に、または別の原子を通じて結合し、炭素環または複素環を形成することができる。Ar⁵とAr⁶は、直接に、または別の原子を通じて結合し、炭素環または複素環を形成することができる。Ar⁷は、フェニル、縮合芳香族炭素環基、複素環基のいずれかである。Ar⁷は、置換されていなくても、環上で水素を有する位置がさらに置換されていてもよい。上記一般式において、kは1、2、3のいずれかである。有用な材料の代表例を以下に示す。

発光体の別の有用なクラスは、ホウ素原子を含んでいる。ホウ素を含む望ましい発光材料として、アメリカ合衆国特許公開2003/0198829、2003/0201415、2005/0170204に記載されているものがある。適切な発光材料は、青色光または青-緑色光を出すものも含め、構造式（7）で表わされる。

構造式（7）において、Ar^aとAr^bは、独立に、5員または6員の芳香族環基（例えばピリジン基）を形成するのに必要な原子を表わす。Z^aとZ^bは、独立に選択された置換基（例えばフルオロ置換基）を表わす。構造式（7）において、wは、NまたはC-Yを表わす。ただしYは、水素または置換基を表わす。置換基は、例えば、芳香族基（フェニル基など）、トリル基、アルキル基（メチル基など）、シアノ置換基、トリフルオロメチル置換基である。

有用なホウ素含有蛍光材料の代表例を以下に示す。

特に断わらない限り、“置換された”または“置換基”という用語は、水素以外のあらゆる基または原子を意味する。さらに、特に断わらない限り、ある化合物が置換可能な水素を有することが明らかになった場合、または“基”という用語が用いられている場合、この用語には置換されていない形態が含まれるだけでなく、この明細書に記載した任意の1個または複数個の置換基でさらに置換された形態も、デバイスが機能する上で必要な性質をその置換基が失わせない限りは含まれるものとする。置換基は、ハロゲンにすること、または1個の原子（炭素、ケイ素、酸素、窒素、リン、イオウ、セレン、ホウ素）によって分子の残部と結合させることが好ましい。置換基としては、例えば、ハロゲン（クロロ、ブロモ、フルオロなど）；ニトロ；ヒドロキシル；シアノ；カルボキシルや；さらに置換されていてもよい基が可能である。さらに置換されていてもよい基としては、アルキル（直鎖アルキル、分岐鎖アルキル、環式アルキルが含まれ、例えばメチル、トリフルオロメチル、エチル、t-ブチル、3-(2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシ)プロピル、テトラデシルなどがある）；アルケニル（例えばエチレン、2-ブテン）；アルコキシ（例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、2-メトキシエトキシ、s-ブトキシ、ヘキシルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、テトラデシルオキシ、2-(2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシ)エトキシ、2-ドデシルオキシエトキシ）；アリール（例えばフェニル、4-t-ブチルフェニル、2,4,6-トリメチルフェニル、ナフチル）；アリールオキシ（例えばフェノキシ、2-メチルフェノキシ、α-ナフチルオキシ、β-ナフチルオキシ、4-トリルオキシ）；カーボンアミド（例えばアセトアミド、ベンズアミド、ブチルアミド、テトラデカンアミド、α-(2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシ)アセトアミド、α-(2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシ)ブチルアミド、α-(3-ペンタデシルフェノキシ)-ヘキサンアミド、α-(4-ヒドロキシ-3-t-ブチルフェノキシ)-テトラデカンアミド、2-オキソ-ピロリジン-1-イル、2-オキソ-5-テトラデシルピロリン-1-イル、N-メチルテトラデカンアミド、N-スクシンイミド、N-フタルイミド、2,5-ジオキソ-1-オキサゾリジニル、3-ドデシル-2,5-ジオキソ-1-イミダゾリル、N-アセチル-N-ドデシルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、ベンジルオキシカルボニルアミノ、ヘキサデシルオキシカルボニルアミノ、2,4-ジ-t-ブチルフェノキシカルボニルアミノ、フェニルカルボニルアミノ、2,5-(ジ-t-ペンチルフェニル)カルボニルアミノ、p-ドデシル-フェニルカルボニルアミノ、p-トリルカルボニルアミノ、N-メチルウレイド、N,N-ジメチルウレイド、N-メチル-N-ドデシルウレイド、N-ヘキサデシルウレイド、N,N-ジオクタデシルウレイド、N,N-ジオクチル-N'-エチルウレイド、N-フェニルウレイド、N,N-ジフェニルウレイド、N-フェニル-N-p-トリルウレイド、N-(m-ヘキサデシルフェニル)ウレイド、N,N-(2,5-ジ-t-ペンチルフェニル)-N'-エチルウレイド、t-ブチルカーボンアミド）；スルホンアミド（例えばメチルスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、p-トリルスルホンアミド、p-ドデシルベンゼンスルホンアミド、N-メチルテトラデシルスルホンアミド、N,N-ジプロピルスルファモイルアミノ、ヘキサデシルスルホンアミド）；スルファモイル（例えばN-メチルスルファモイル、N-エチルスルファモイル、N,N-ジプロピルスルファモイル、N-ヘキサデシルスルファモイル、N,N-ジメチルスルファモイル、N-[3-(ドデシルオキシ)プロピル]スルファモイル、N-[4-(2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシ)ブチル]スルファモイル、N-メチル-N-テトラデシルスルファモイル、N-ドデシルスルファモイル）；カルバモイル（例えばN-メチルカルバモイル、N,N-ジブチルカルバモイル、N-オクタデシルカルバモイル、N-[4-(2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシ)ブチル]カルバモイル、N-メチル-N-テトラデシルカルバモイル、N,N-ジオクチルカルバモイル）；アシル（例えばアセチル、(2,4-ジ-t-アミルフェノキシ)アセチル、フェノキシカルボニル、p-ドデシルオキシフェノキシカルボニル、メトキシカルボニル、ブトキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル、エトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、3-ペンタデシルオキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル）；スルホニル（例えばメトキシスルホニル、オクチルオキシスルホニル、テトラデシルオキシスルホニル、2-エチルヘキシルオキシスルホニル、フェノキシスルホニル、2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシスルホニル、メチルスルホニル、オクチルスルホニル、2-エチルヘキシルスルホニル、ドデシルスルホニル、ヘキサデシルスルホニル、フェニルスルホニル、4-ノニルフェニルスルホニル、p-トリルスルホニル）；スルホニルオキシ（例えばドデシルスルホニルオキシ、ヘキサデシルスルホニルオキシ）；スルフィニル（例えばメチルスルフィニル、オクチルスルフィニル、2-エチルヘキシルスルフィニル、ドデシルスルフィニル、ヘキサデシルスルフィニル、フェニルスルフィニル、4-ノニルフェニルスルフィニル、p-トリルスルフィニル）；チオ（例えばエチルチオ、オクチルチオ、ベンジルチオ、テトラデシルチオ、2-(2,4-ジ-t-ペンチルフェノキシ)エチルチオ、フェニルチオ、2-ブトキシ-5-t-オクチルフェニルチオ、p-トリルチオ）；アシルオキシ（例えばアセチルオキシ、ベンゾイルオキシ、オクタデカノイルオキシ、p-ドデシルアミドベンゾイルオキシ、N-フェニルカルバモイルオキシ、N-エチルカルバモイルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ）；アミン（例えばフェニルアニリノ、2-クロロアニリノ、ジエチルアミン、ドデシルアミン）；イミノ（例えば1(N-フェニルイミド)エチル、N-スクシンイミド、3-ベンジルヒダントイニル）；ホスフェート（例えばジメチルホスフェート、エチルブチルホスフェート）；ホスフィト（例えばジエチルホスフィト、ジヘキシルホスフィト）；複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基（どの基も置換されていてよく、炭素原子と少なくとも1個のヘテロ原子（酸素、窒素、イオウ、リン、ホウ素からなるグループの中から選択する）からなる3〜7員の複素環を含んでいて、例えば、2-フリル、2-チエニル、2-ベンゾイミダゾリルオキシ、2-ベンゾチアゾリルがある）；第四級アンモニウム（例えばトリエチルアンモニウム）；第四級ホスホニウム（例えばトリフェニルホスホニウム）；シリルオキシ（例えばトリメチルシリルオキシ）がある。

望むのであれば、置換基それ自体がさらに上記の置換基で1回以上置換されていてもよい。使用する具体的な置換基は、当業者が、特定の用途にとって望ましい性質が実現されるように選択することができ、例えば、電子求引基、電子供与基、立体基などが挙げられる。1つの分子が2つ以上の置換基を持てる場合には、特に断わらない限り、その置換基を互いに結合させて環（例えば縮合環）を形成することができる。一般に、上記の基と、その基に対する置換基は、48個までの炭素原子（一般には1〜36個であり、通常は24個未満である）を含むことができるが、選択した具体的な置換基が何であるかにより、それよりも多くすることも可能である。

本発明の目的のためには、複素環の定義に、配位結合または供与結合を含む環も含まれる。配位結合の定義は、『グラントとハックーの化学事典』、91ページに見いだすことができる。要するに、配位結合は、電子が豊富な原子（例えばOやN）が一対の電子を電子が欠乏した原子（例えばAlやB）に与えるときに形成される。

当業者であれば、特定の基が電子供与基であるか電子受容基であるかを十分に判断できよう。電子供与特性と電子受容特性の最も一般的な指標はハメットσ値である。水素はハメットσ値がゼロであるのに対し、電子供与基は負のハメットσ値を持ち、電子受容基は正のハメットσ値を持つ。『ランゲの化学ハンドブック』、第12版、マグロウ・ヒル社、1979年、表3-12、3-134〜3-138ページ（参考としてこの明細書に組み込まれているものとする）に、一般的に遭遇する多数の基のハメットσ値が掲載されている。ハメットσ値は、フェニル環置換に基づいて割り当てられるが、電子供与基と電子受容基を定性的に選択するための実用的なガイドとなる。

適切な電子供与基の選択は、-R'、-OR'、-NR'(R")の中から行なうことができる。ただしR'は、炭素原子を6個まで含む炭化水素であり、R"は、水素またはR'である。電子供与基の具体例として、メチル、エチル、フェニル、メトキシ、エトキシ、フェノキシ、-N(CH₃)₂、-N(CH₂CH₃)₂、-NHCH₃、-N(C₆H₅)₂、-N(CH₃)(C₆H₅)、-NHC₆H₅などがある。

適切な電子受容基の選択は、シアノ置換基、α-ハロアルキル置換基、α-ハロアルコキシ置換基、アミド置換基、スルホニル置換基、カルボニル置換基、カルボニルオキシ置換基、オキシカルボニル置換基のうちで炭素原子を10個まで含むものの中から行なうことができる。具体例として、-CN、-F、-CF₃、-OCF₃、-CONHC₆H₅、-SO₂C₆H₅、-COC₆H₅、-CO₂C₆H₅、-OCOC₆H₅などがある。

デバイスの一般的構造

本発明は、小分子材料、オリゴマー材料、ポリマー材料、またはこれらの組み合わせを用いた多くのOLEDデバイス構造で利用することができる。このような構造には、単一のアノードと単一のカソードを備える非常に単純な構造から、より複雑なデバイス（複数のアノードとカソードが直交アレイをなして画素を形成するパッシブ・マトリックス・ディスプレイや、各画素が例えば薄膜トランジスタ（TFT）で独立に制御されるアクティブ・マトリックス・ディスプレイ）までが含まれる。

本発明をうまく実現することのできる有機層の構造が多数ある。OLEDにとっての必須の条件は、アノードと、カソードと、アノードとカソードの間に位置する有機発光層とが存在していることである。追加の層を使用できるが、それについては後でさらに詳しく説明する。

小分子デバイスにとって特に有用な典型的な構造は図に示したものであり、基板101と、アノード103と、正孔注入層105と、正孔輸送層107と、発光層109と、第1の電子輸送層110と、第2の電子輸送層111と、電子注入層112と、カソード113からなる。これらの層について以下に詳しく説明する。基板をカソードに隣接した位置にすることや、基板が実際にアノードまたはカソードを構成することも可能であることに注意されたい。アノードとカソードに挟まれた有機層を、便宜上、有機EL素子と呼ぶ。また、有機層を合計した厚さは、500nm未満であることが望ましい。

OLEDのアノードとカソードは、導電体160を通じて電圧／電流源150に接続されている。OLEDは、アノードとカソードの間に、アノードがカソードと比べて正の電位となるように電圧を印加することによって動作する。正孔はアノードから有機EL素子に注入され、電子はカソードから有機EL素子に注入される。ACモードではACサイクル中にポテンシャル・バイアスが逆転して電流が流れないわずかな期間があるため、OLEDをACモードで動作させるときにデバイスの安定性向上を実現できることがときにある。AC駆動のOLEDの一例が、アメリカ合衆国特許第5,552,678号に記載されている。

基板

本発明のOLEDデバイスは、支持用基板101の上に形成されて、カソードまたはアノードが基板と接触できるようになっているのが一般的である。基板は、複数の材料層を含む複合構造にすることができる。これは、TFTがOLED層の下に設けられているアクティブ・マトリックス基板で一般的である。それでも基板の少なくとも画素化された発光領域は、ほぼ透明な材料でできている必要がある。基板と接触する電極は、通常、底部電極と呼ばれる。底部電極はアノードであることが一般的だが、本発明がこの構成に限定されることはない。基板は、どの方向に光を出したいかに応じ、透過性または不透明にすることができる。透光特性は、基板を通してEL光を見る上で望ましい。その場合には、透明なガラスまたはプラスチックが一般に用いられる。EL光を上部電極を通じて見るような用途では、底部支持体の透過特性は、光透過性、光吸収性、光反射性のいずれでもよい。この場合に用いる基板としては、ガラス、プラスチック、半導体材料、シリコン、セラミック、回路板材料などがある。このような構成のデバイスでは、透光性のある上部電極を設ける必要がある。

アノード

望むエレクトロルミネッセンス光（EL）をアノードを通して見る場合には、アノードは、興味の対象となる光に対して透明か、実質的に透明である必要がある。本発明で用いられる透明なアノード用の一般的な材料は、インジウム-スズ酸化物（ITO）、インジウム-亜鉛酸化物（IZO）、スズ酸化物だが、他の金属酸化物（例えばアルミニウムをドープした亜鉛酸化物、インジウムをドープした亜鉛酸化物、マグネシウム-インジウム酸化物、ニッケル-タングステン酸化物）も可能である。これら酸化物に加え、金属窒化物（例えば窒化ガリウム）、金属セレン化物（例えばセレン化亜鉛）、金属硫化物（例えば硫化亜鉛）をアノードとして用いることができる。EL光をカソードだけを通して見るような用途ではアノードの透光特性は重要でないため、あらゆる導電性材料（透明なもの、不透明なもの、反射性のもの）を使用することができる。この用途での導電性材料の例としては、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム、白金などがある。典型的なアノード用材料は、透光性であろうとそうでなかろうと、仕事関数が4.1eV以上である。望ましいアノード用材料は、一般に、適切な任意の手段（例えば蒸着、スパッタリング、化学蒸着、電気化学的手段）で堆積させる。アノードは、よく知られているフォトリソグラフィ法を利用してパターニングすることができる。場合によっては、アノードを研磨した後に他の層を付着させて表面の粗さを小さくすることで、短絡を最少にすること、または反射性を大きくすることができる。

正孔注入層（HIL）

必ずしも必要ではないが、正孔注入層105をアノード103と正孔輸送層107の間に設けると有用であることがしばしばある。正孔注入材料は、後に続く有機層の膜形成能力を向上させ、正孔を正孔輸送層に容易に注入できるようにする機能を持つ。正孔注入層で使用するのに適した材料としては、アメリカ合衆国特許第4,720,432号に記載されているポルフィリン化合物や、アメリカ合衆国特許第6,208,075号に記載されているプラズマ堆積させたフルオロカーボン・ポリマーや、いくつかの芳香族アミン（例えばm-MTDATA（4,4',4"-トリス[(3-メチルフェニル)フェニルアミノ]トリフェニルアミン））などがある。有機ELデバイスにおいて有用であることが報告されている別の正孔注入材料は、ヨーロッパ特許第0 891 121号と第1 029 909号に記載されている。

有用な別の正孔注入材料は、アメリカ合衆国特許第6,720,573号に記載されている。例えば以下の材料が、そのような用途にとって有用である可能性がある。

正孔輸送層（HTL）

有機ELデバイスの正孔輸送層107は、少なくとも1種類の正孔輸送化合物（例えば芳香族第三級アミン）を含んでいる。芳香族第三級アミンは、炭素原子（そのうちの少なくとも1つは芳香族環のメンバーである）だけに結合する少なくとも1つの3価窒素原子を含んでいる化合物であると理解されている。芳香族第三級アミンの1つの形態は、アリールアミン（例えばモノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミン、ポリマー・アリールアミン）である。モノマー・トリアリールアミンの例は、Klupfelらによってアメリカ合衆国特許第3,180,730号に示されている。1個以上のビニル基で置換された他の適切なトリアリールアミン、および／または少なくとも1つの活性な水素含有基を含む他の適切なトリアリールアミンは、Brantleyらによってアメリカ合衆国特許第3,567,450号と第3,658,520号に開示されている。

芳香族第三級アミンのより好ましい1つのクラスは、アメリカ合衆国特許第4,720,432号と第5,061,569号に記載されているように少なくとも2つの芳香族第三級アミン部分を有するものである。そのような化合物として、構造式（A）で表わされるものがある。

構造式（A）において、Q₁とQ₂は、独立に選択された芳香族第三級アミン部分であり、Gは、炭素-炭素結合の結合基（例えば、アリーレン基、シクロアルキレン基、アルキレン基など）である。一実施態様では、Q₁とQ₂の少なくとも一方は、多環式縮合環構造（例えばナフタレン）を含んでいる。Gがアリール基である場合には、Q₁とQ₂の少なくとも一方は、フェニレン部分、ビフェニレン部分、ナフタレン部分のいずれかであることが好ましい。

構造式（A）に合致するとともに2つのトリアリールアミン部分を含むトリアリールアミンの有用な1つのクラスは、構造式（B）で表わされる。

構造式（B）において、R₁とR₂は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、アルキル基のいずれかを表わすか、R₁とR₂は、合わさって、シクロアルキル基を完成させる原子を表わし；
R₃とR₄は、それぞれ独立にアリール基を表わし、そのアリール基は、構造式（C）に示したように、ジアリール置換されたアミノ基によって置換されている。

構造式（C）において、R₅とR₆は、独立に選択されたアリール基である。一実施態様では、R₅とR₆のうちの少なくとも一方は、多環式縮合環構造（例えばナフタレン）を含んでいる。

芳香族第三級アミン基の別のクラスは、テトラアリールジアミンである。望ましいテトラアリールジアミンとして、構造式（C）に示したように、アリーレン基を通じて結合した2つのジアリールアミノ基が挙げられる。有用なテトラアリールジアミン基として、一般式（D）で表わされるものがある。

構造式（D）において、それぞれのAreは、独立に選択されたアリーレン基（例えばフェニレン部分またはアントラセン部分）であり、nは1〜4の整数である。Ar、R₇、R₈、R₉は、独立に選択されたアリール基である。典型的な一実施態様では、Ar、R₇、R₈、R₉のうちの少なくとも1つは多環式縮合環構造（例えばナフタレン）である。

上記の構造式（A）、（B）、（C）、（D）のさまざまなアルキル部分、アルキレン部分、アリール部分、アリーレン部分は、それぞれ、置換されていてもよい。典型的な置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ベンゾ、ハロゲン（例えばフッ化物）などがある。さまざまなアルキル部分とアルキレン部分は、一般に、1〜6個の炭素原子を含んでいる。シクロアルキル部分は、3〜10個の炭素原子を含むことができるが、一般には5個、または6個、または7個の炭素原子を含んでいる（例えばシクロペンチル環構造、シクロヘキシル環構造、シクロヘプチル環構造）。アリール部分とアリーレン部分は、通常は、フェニル部分とフェニレン部分である。

正孔輸送層は、単一の芳香族第三級アミン化合物で形成すること、またはそのような化合物の混合物で形成することができる。特に、トリアリールアミン（例えば構造式（B）を満たすトリアリールアミン）をテトラアリールジアミン（例えば構造式（D）に示したもの）と組み合わせて使用することができる。トリアリールアミンをテトラアリールジアミンと組み合わせて用いる場合には、テトラアリールジアミンは、トリアリールアミンと電子注入・輸送層に挟まれた層として配置される。有用な芳香族第三級アミンの代表例としては、以下のものがある。
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン（TAPC）
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)-4-フェニルシクロヘキサン
4,4'-ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル
ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-フェニルメタン
N,N,N-トリ(p-トリル)アミン
4-(ジ-p-トリルアミノ)-4'-[4-(ジ-p-トリルアミノ)-スチリル]スチルベン
N,N,N',N'-テトラ-p-トリル-4,4'-ジアミノビフェニル
N,N,N',N'-テトラフェニル-4,4'-ジアミノビフェニル
N,N,N',N'-テトラ-1-ナフチル-4,4'-ジアミノビフェニル
N,N,N',N'-テトラ-2-ナフチル-4,4'-ジアミノビフェニル
N-フェニルカルバゾール
4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ビフェニル
4,4"-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]p-テルフェニル
4,4'-ビス[N-(2-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4'-ビス[N-(3-アセナフテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
4,4'-ビス[N-(9-アントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4"-ビス[N-(1-アントリル)-N-フェニルアミノ]-p-テルフェニル
4,4'-ビス[N-(2-フェナントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4'-ビス[N-(8-フルオランテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4'-ビス[N-(2-ピレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4'-ビス[N-(2-ナフタセニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4'-ビス[N-(2-ペリレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4'-ビス[N-(1-コロネニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
2,6-ビス(ジ-p-トリルアミノ)ナフタレン
2,6-ビス[ジ-(1-ナフチル)アミノ]ナフタレン
2,6-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ナフタレン
N,N,N',N'-テトラ(2-ナフチル)-4,4"-ジアミノ-p-テルフェニル
4,4'-ビス｛N-フェニル-N-[4-(1-ナフチル)-フェニル]アミノ｝ビフェニル
4,4'-ビス[N-フェニル-N-(2-ピレニル)アミノ]ビフェニル
2,6-ビス[N,N-ジ(2-ナフチル)アミノ]フルオレン
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
4,4',4"-トリス[(3-メチルフェニル)フェニルアミノ]トリフェニルアミン

有用な正孔輸送材料の別のクラスとして、ヨーロッパ特許第1,009,041号に記載されている多環式芳香族化合物がある。3個以上のアミン基を有する芳香族第三級アミンを使用できる（その中にオリゴマー材料も含まれる）。さらに、ポリマー正孔輸送材料を使用することができる。それは、例えば、ポリ(N-ビニルカルバゾール)（PVK）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、コポリマー（例えばポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)／ポリ(4-スチレンスルホネート)（PEDOT/PSSとも呼ばれる））などである。

発光層（LEL）

発光層についてはすでに説明した。有用なデバイスは2つ以上の発光層を備えている。有機EL素子の発光層（LEL）は蛍光材料またはリン光材料を含むことができ、この領域で電子-正孔対の再結合が起こる結果としてエレクトロルミネッセンスが生じる。発光層は単一の材料で構成できるが、より一般的には、1種類または複数のゲスト発光材料をドープしたホスト材料からなる。光は主として発光材料から発生し、任意の色が可能である。発光層内のホスト材料は、以下に示す電子輸送材料、または上記の正孔輸送材料、または正孔-電子再結合をサポートする別の単一の材料または組み合わせた材料にすることができる。発光材料は、通常は強い蛍光染料とリン光化合物（例えばWO 98/55561、WO 00/18851、WO 00/57676、WO 00/70655に記載されている遷移金属錯体）の中から選択される。発光材料は一般にホスト材料の0.01〜10質量％の割合で組み込まれる。

ホスト材料と発光材料としては、小さな非ポリマー分子またはポリマー材料（例えばポリフルオレン、ポリビニルアリーレン（例えばポリ(p-フェニレンビニレン、PPV)））が可能である。ポリマーの場合には、小分子発光材料をポリマーからなるホストに分子として分散させること、または発光材料を少量成分と共重合させてホスト・ポリマーに添加することができる。

すでに説明したように、発光材料を選択する際の重要な1つの関係は、その分子の最高被占軌道と最低空軌道のエネルギー差として定義されるバンドギャップ電位の比較である。ホストから発光材料に効率的にエネルギーが移動するための必要条件は、発光材料のバンドギャップがホスト材料のバンドギャップよりも小さいことである。リン光発光体の場合には、ホストの三重項エネルギー・レベルが十分に高くてホストから発光材料にエネルギーが移動できることも重要である。

有用であることが知られているホスト材料および発光材料としては、アメリカ合衆国特許第4,768,292号、第5,141,671号、第5,150,006号、第5,151,629号、第5,405,709号、第5,484,922号、第5,593,788号、第5,645,948号、第5,683,823号、第5,755,999号、第5,928,802号、第5,935,720号、第5,935,721号、第6,020,078号に開示されているものなどがある。

8-ヒドロキシキノリンの金属錯体と、それと同様の誘導体（一般式E）は、エレクトロルミネッセンスをサポートすることのできる有用なホスト材料の1つのクラスを形成し、波長が500nmよりも長い光（例えば緑、黄、オレンジ、赤）を出させるのに特に適している。

一般式（E）において、Mは金属を表わし；nは1〜4の整数であり；Zは、現われるごとに独立に、縮合した少なくとも2つの芳香族環を有する核を完成させる原子を表わす。

以上の説明から、金属は、一価、二価、三価、四価の金属が可能であることが明らかである。金属としては、例えばアルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウムなど）、アルカリ土類金属（マグネシウム、カルシウムなど）、土類金属（アルミニウム、ガリウムなど）、遷移金属（亜鉛、ジルコニウムなど）が可能である。一般に、キレート化金属として有用であることが知られている任意の一価、二価、三価、四価の金属を使用することができる。

Zは、縮合した少なくとも2つの芳香族環を持っていてそのうちの少なくとも一方はアゾール環またはアジン環である複素環の核を完成させる。必要な場合には、必要なその2つの環に追加の環（例えば脂肪族環と芳香族環の両方）を縮合させることができる。機能の向上なしに分子が大きくなることを避けるため、環の原子数は、通常は18個以下に維持する。

有用なキレート化オキシノイド化合物の代表例としては、以下のものがある。
CO-1：アルミニウムトリスオキシン［別名、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)；Alq］；
CO-2：マグネシウムビスオキシン［別名、ビス(8-キノリノラト)マグネシウム(II)］；
CO-3：ビス[ベンゾ｛f｝-8-キノリノラト]亜鉛(II)；
CO-4：ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)-μ-オキソ-ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)；
CO-5：インジウムトリスオキシン［別名、トリス(8-キノリノラト)インジウム］；
CO-6：アルミニウムトリス(5-メチルオキシン)［別名、トリス(5-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)］；
CO-7：リチウムオキシン［別名、(8-キノリノラト)リチウム(I)］；
CO-8：ガリウムオキシン［別名、トリス(8-キノリノラト)ガリウム(III)］；
CO-9：ジルコニウムオキシン［別名、テトラ(8-キノリノラト)ジルコニウム(IV)］。

アントラセンの誘導体（一般式F）は、エレクトロルミネッセンスをサポートすることのできる有用なホスト材料の1つのクラスを形成し、波長が400nmよりも長い光（例えば青、緑、黄、オレンジ、赤）を出させるのに特に適している。アメリカ合衆国特許第6,465,115号とWO 2004/018587に開示されている非対称なアントラセン誘導体も有用なホストである。

一般式（F）において、R¹とR²は、独立に選択されたアリール基（例えばナフチル、フェニル、ビフェニル、トリフェニル、アントラセン）を表わす。R³とR⁴は、それぞれの環上の1個以上の置換基を表わす。この場合の各置換基は、以下に示すグループの中から個別に選択される。
グループ1：水素、または炭素原子が1〜24個のアルキル；
グループ2：炭素原子が5〜20個のアリールまたは置換されたアリール
グループ3：アントラセニル、ピレニル、ペリレニルの縮合芳香族環を完成させるのに必要な4〜24個の炭素原子；
グループ4：フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル、または他の複素環系の縮合ヘテロ芳香族環を完成させるのに必要な、5〜24個の炭素原子からなるヘテロアリールまたは置換されたヘテロアリール；
グループ5：炭素原子が1〜24個のアルコキシルアミノ、アルキルアミノ、アリールアミノ；
グループ6：フッ素またはシアノ。

アントラセンの有用な1つのクラスは9,10-ジ-(2-ナフチル)アントラセンの誘導体（一般式G）である。

一般式（G）において、R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶は、それぞれの環上の1個以上の置換基を表わす。この場合の各置換基は、以下に示すグループの中から個別に選択される。
グループ1：水素、または炭素原子が1〜24個のアルキル；
グループ2：炭素原子が5〜20個のアリールまたは置換されたアリール
グループ3：アントラセニル、ピレニル、ペリレニルの縮合芳香族環を完成させるのに必要な4〜24個の炭素原子；
グループ4：フリル、チエニル、ピリジル、キノリニル、または他の複素環系の縮合ヘテロ芳香族環を完成させるのに必要な、5〜24個の炭素原子からなるヘテロアリールまたは置換されたヘテロアリール；
グループ5：炭素原子が1〜24個のアルコキシルアミノ、アルキルアミノ、アリールアミノ；
グループ6：フッ素またはシアノ。

発光層で用いるアントラセン材料の代表例として、2-(4-メチルフェニル)-9,10-ジ-(2-ナフチル)-アントラセン、9-(2-ナフチル)-10-(1,1'-ビフェニル)-アントラセン、9,10-ビス[4-(2,2-ジフェニルエテニル)フェニル]-アントラセンと、以下に示す化合物がある。

ベンズアゾール誘導体（一般式H）はエレクトロルミネッセンスをサポートすることのできる有用なホスト材料の別のクラスを形成し、波長が400nmよりも長い光（例えば青、緑、黄、オレンジ、赤）を出させるのに特に適している。

一般式（H）において、nは3〜8の整数であり；Zは、O、NR、Sのいずれかであり；RとR'は、個別に、水素；炭素原子が1〜24個のアルキル（例えばプロピル、t-ブチル、ヘプチルなど）；アリール、またはヘテロ原子で置換されたアリールで炭素原子が5〜20個のもの（例えばフェニル、ナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルや、これら以外の複素環系）；ハロ（例えばクロロ、フルオロ）；縮合芳香族環を完成させるのに必要な原子のいずれかである。Lは、アルキル、アリール、置換されたアルキル、置換されたアリールのいずれかからなる結合単位であり、複数のベンズアゾールを互いに共役または非共役に結合させる。有用なベンズアゾールの一例は、2,2',2"-(1,3,5-フェニレン)トリス[1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール]である。

アメリカ合衆国特許第5,121,029号に記載されているように、ジスチリルアリーレン誘導体も有用なホストである。カルバゾール誘導体はリン光発光体のための特に有用なホストである。

有用な蛍光発光材料としては、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン、キナクリドンの誘導体や、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス(アジニル)アミンホウ素化合物、ビス(アジニル)メタン化合物、カルボスチリル化合物などがある。

有用なリン光材料が報告されているのは、WO 00/57676、WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/15645、アメリカ合衆国特許出願公開2003/0017361、WO 01/93642、WO 01/39234、アメリカ合衆国特許第6,458,475号、WO 02/071813、アメリカ合衆国特許第6,573,651号、アメリカ合衆国特許出願公開2002/0197511、WO 02/074015、アメリカ合衆国特許第6,451,455号、アメリカ合衆国特許出願公開2003/0072964、2003/0068528、アメリカ合衆国特許第6,413,656号、第6,515,298号、第6,451,415号、第6,097,147号、アメリカ合衆国特許出願公開2003/0124381、2003/0059646、2003/0054198、ヨーロッパ特許第1 239 526号、第1 238 981号、第1 244 155号、アメリカ合衆国特許出願公開2002/0100906、2003/0068526、2003/0068535、日本国特開2003/073387、2003/073388、アメリカ合衆国特許出願公開2003/0141809、2003/0040627、日本国特開2003/059667、2003/073665、アメリカ合衆国特許出願公開2002/0121638である。

有用な蛍光材料とリン光材料の代表例として以下のものがあるが、これですべてではない。

電子輸送層（ETL）

一実施態様では、電子輸送層は少なくとも2つの層に分割される（例えば図の第1の電子輸送層110と第2の電子輸送層111）。第1の層は第1のガリウム錯体を含んでおり、第2の層は第2のガリウム錯体を含んでおり、第2の錯体は、第1の錯体よりも負のLUMOを持つ。有用な第1の電子輸送層と第2の電子輸送層についてはすでに説明した。追加の電子輸送層が存在していてもよい。本発明による有機ELデバイスの追加の電子輸送層を形成するのに好ましい薄膜形成材料として金属キレート化オキシノイド化合物があり、その中にはオキシンそのもの（一般に8キノリノールまたは8-ヒドロキシキノリンとも呼ばれる）のキレートも含まれる。このような化合物は電子を注入して輸送するのを助け、高性能を示し、容易に薄膜の形態になる。ここで考慮するオキシノイド系化合物の例は、すでに説明した一般式（E）を満たす化合物である。

他の電子輸送材料として、アメリカ合衆国特許第4,356,429号に開示されているさまざまなブタジエン誘導体と、アメリカ合衆国特許第4,539,507号に記載されているさまざまな複素環式蛍光剤がある。一般式（H）を満たすベンズアゾールも有用な電子輸送材料である。トリアジンも電子輸送材料として有用であることが知られている。さらに別の有用な材料は、ヨーロッパ特許第1,480,280号、第1,478,032号、第1,469,533号に記載されているシラシクロペンタジエン誘導体である。置換された1,10-フェナントロリン化合物が、例えば日本国特開2003-115387、2004-311184、2001-267080、WO 2002/043449に開示されている。有用な電子輸送材料として、ピリジン誘導体が日本国特開2004-200162に記載されている。

電子注入層（EIL）

有用な電子注入層についてはすでに説明した。

カソード

アノードだけを通して発光を見る場合には、本発明で使用するカソードは、ほぼ任意の導電性材料で構成することができる。望ましい材料は優れた膜形成特性を有するため、下にある有機層との接触がよくなり、低電圧で電子の注入が促進され、優れた安定性を得ることができる。有用なカソード材料は、仕事関数が小さな（4.0eV未満）金属または合金を含んでいることがしばしばある。有用な1つのカソード材料は、アメリカ合衆国特許第4,885,221号に記載されているように、銀が1〜20％の割合で含まれたMg：Ag合金からなる。適切なカソード材料の別のクラスとして、カソードと、有機層（例えば電子輸送層（ETL））に接する薄い電子注入層（EIL）とを備えた構成の二層があり、EILの上にはより厚い導電性金属層を被せる。その場合、EILは、仕事関数が小さな金属または金属塩を含んでいることが好ましく、そうなっている場合には、より厚い被覆層は仕事関数が小さい必要がない。このような1つのカソードは、アメリカ合衆国特許第5,677,572号に記載されているように、LiFからなる薄い層と、その上に載るより厚いAl層からなる。他の有用なカソード材料のセットとしては、アメリカ合衆国特許第5,059,861号、第5,059,862号、第6,140,763号に開示されているものがあるが、これだけに限定されるわけではない。

カソードを通して発光を見る場合、カソードは、透明であるか、ほぼ透明である必要がある。このような用途のためには、金属が薄いか、透明な導電性酸化物を使用するか、このような材料の組み合わせを使用する必要がある。光学的に透明なカソードは、アメリカ合衆国特許第4,885,211号、第5,247,190号、日本国特許第3,234,963号、アメリカ合衆国特許第5,703,436号、第5,608,287号、第5,837,391号、第5,677,572号、第5,776,622号、第5,776,623号、第5,714,838号、第5,969,474号、第5,739,545号、第5,981,306号、第6,137,223号、第6,140,763号、第6,172,459号、ヨーロッパ特許第1 076 368号、アメリカ合衆国特許第6,278,236号、第6,284,393号に、より詳細に記載されている。カソード材料は、一般に、適切な任意の方法（例えば蒸着、スパッタリング、化学蒸着）によって堆積させる。必要な場合には、よく知られた多数の方法でパターニングすることができる。方法としては、例えば、スルー-マスク蒸着、アメリカ合衆国特許第5,276,380号とヨーロッパ特許第0 732 868号に記載されている一体化シャドウ・マスキング、レーザー・アブレーション、選択的化学蒸着などがある。

他の有用な有機層とデバイスの構造

層109と110を場合によってはまとめて単一の層にし、発光と電子輸送の両方をサポートする機能を担わせることができる場合がある。発光材料が正孔輸送層に含まれていてよいことも従来技術で知られている。その場合、正孔輸送層がホストとして機能する。多数の発光材料を1つ以上の層に添加し、例えば青色発光材料と黄色発光材料、またはシアン色発光材料と赤色発光材料、または赤色発光材料と緑色発光材料と青色発光材料を組み合わせて白色発光OLEDを作ることができる。白色発光デバイスは、例えば、ヨーロッパ特許第1 187 235号、アメリカ合衆国特許出願公開2002/0025419、ヨーロッパ特許第1 182 244号、アメリカ合衆国特許第5,683,823号、第5,503,910号、第5,405,709号、第5,283,182号に記載されている。白色発光デバイスに適切な構成のフィルタを取り付けて着色光を発生させることができる。

従来技術で知られている追加の層（例えば電子阻止層、正孔阻止層）を本発明のデバイスで使用することができる。正孔阻止層は、発光層と電子輸送層の間に用いることができる。電子阻止層は、正孔輸送層と発光層の間に用いることができる。これらの層は、例えばアメリカ合衆国特許出願公開2002/0015859に記載されているように、一般に発光効率を向上させるのに用いられる。

本発明は、例えばアメリカ合衆国特許第5,703,436号と第6,337,492号に記載されているようないわゆる積層デバイス構造で使用することができる。

有機層の堆積

上記の有機材料は、その有機材料の形態に適した任意の手段で堆積させることが好ましい。小分子の場合には、昇華を通じてうまく堆積するが、他の手段で（例えば溶媒から）堆積させることもできる（そのとき、場合によっては結合剤も用いて膜の形成を改善する）。材料がポリマーである場合には、溶媒堆積が通常は好ましい。昇華によって堆積させる材料は、タンタル材料からなることの多い昇華用“ボート”から蒸発させること（例えばアメリカ合衆国特許第6,237,529号に記載されている）や、まず最初にドナー・シートにコーティングし、次いで基板のより近くで昇華させることができる。混合材料を含む層では、別々の昇華用ボートを用いること、または材料をあらかじめ混合し、単一のボートまたはドナー・シートからコーティングすることができる。パターニングした堆積は、シャドウ・マスク、一体化シャドウ・マスク（アメリカ合衆国特許第5,294,870号）、ドナー・シートからの空間的に限定された染料熱転写（アメリカ合衆国特許第5,688,551号、第5,851,709号、第6,066,357号）、インクジェット法（アメリカ合衆国特許第6,066,357号）を利用して実現することができる。

本発明の材料を堆積させる好ましい1つの方法は、アメリカ合衆国特許出願公開2004/0255857とアメリカ合衆国特許出願シリアル番号第10/945,941号に記載されている。この方法では、異なる蒸発源を用いて本発明のそれぞれの材料を蒸発させる。第2の好ましい方法では、温度制御された材料供給路に沿って材料が計量供給されるフラッシュ気化が利用される。好ましいこのような方法は、譲受人に譲渡された以下の特許出願：アメリカ合衆国特許出願シリアル番号第10/784,585号、第10/805,980号、第10/945,940号、第10/945,941号、第11/050,924号、第11/050,934号に記載されている。この第2の方法を利用し、異なる蒸発源からそれぞれの材料を蒸発させること、または複数の固体材料を混合した後に同じ蒸発源を用いて蒸発させることができる。

封止

たいていのOLEDデバイスは、水分と酸素の一方または両方に敏感であるため、一般に不活性雰囲気（例えば窒素やアルゴン）中で、乾燥剤（例えばアルミナ、ボーキサイト、硫酸カルシウム、粘土、シリカゲル、ゼオライト、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、硫酸塩、ハロゲン化金属、過塩素酸塩）とともに密封される。封止と乾燥のための方法としては、アメリカ合衆国特許第6,226,890号に記載されている方法などがある。さらに、障壁層（例えばSiO_x）、テフロン（登録商標）、交互に積層された無機層／ポリマー層が、封止法として知られている。

光学的最適化

本発明のOLEDデバイスでは、特性の向上を望むのであれば、よく知られたさまざまな光学的効果を利用することが可能である。例示すると、層の厚さを最適化して光の透過を最大にすること、誘電体ミラー構造を設けること、反射性電極の代わりに光吸収性電極にすること、グレア防止または反射防止のコーティングをディスプレイの表面に設けること、偏光媒体をディスプレイの表面に設けること、カラー・フィルタ、中性フィルタ、色変換フィルタをディスプレイの表面に設けることなどがある。フィルタ、偏光装置、グレア防止用または反射防止用コーティングは、特にカバーの上に、またはカバーの一部として設けることもできる。

本発明の実施態様は、より大きな輝度収率、より低い駆動電圧、より大きな電力効率、より長い動作寿命、製造しやすさなどの利点を提供することができる。本発明において有用なデバイスの実施態様は、広い範囲の色相を提供することができる。その中には、（マルチカラー・ディスプレイにするため直接的な、またはフィルタを通じた）白色光の発生に役立つ色相も含まれる。本発明の実施態様は、エリア照明装置も提供することができる。

本発明とその利点を以下の特別な実施例によってさらに説明する。“パーセンテージ”または“パーセント”という用語と“％”という記号は、デバイスの本発明による層と他の素子に含まれる全材料のうちの特定の第1の化合物または第2の化合物の体積パーセント（または薄膜の厚さモニタで測定した厚さの比）を表わす。第2の化合物が2種類以上存在している場合には、その第2の材料の合計体積は、本発明の層に含まれる全材料のパーセンテージとして表わすこともできる。

例１：Inv-2の合成

Inv-2を以下の手続き（反応式1）に従って調製した。乾燥ボックスの中で作業し、0.334g（1.26ミリモル）のトリス(シクロペンタジエニル)ガリウムを100mlの反応フラスコの中に入れ、15mlのトルエンに溶かした。3当量の固体2-(2-ピリジル)イミダゾールを添加すると、オレンジ色の沈殿物が形成された。ロダバイズ・アダプタを用いてフラスコを密封した。この反応フラスコを乾燥ボックスから取り出し、油浴の中に入れ、3時間にわたって85℃に加熱した。油浴を除去した後、反応混合物を撹拌しながら一晩放置した。

溶媒を真空中で除去すると、淡い黄色の固形物が残った。ペンタンで洗浄した後、粗生成物を607mg分離した。高真空昇華システムを用いてこの粗生成物を310℃で昇華させると、生成物（Inv-2）が290mg得られた。Inv-2の構造をNMRと質量スペクトル分析によって確認した。

例２：電気化学的酸化還元電位と推定エネルギー・レベル

LUMO値とHOMO値は、一般に、電気化学的な方法で実験的に決定される。モデルCHI660電気化学分析装置（CHインスツルメンツ社、オースチン、テキサス州）を使用して電気化学的を行なった。サイクリック・ボルタンメトリー（CV）とオスターヤング矩形波ボルタンメトリー（SWV）を利用して興味の対象となる化合物の酸化還元特性を明らかにした。ガラス状炭素（GC）からなるディスク電極（A=0.071cm²）を作用電極として使用した。GC電極は、0.05μmのアルミナ・スラリーで研磨した後、ミリ-Q脱イオン水の中で超音波洗浄し、次いでアセトンを用いてリンスし、再びミリ-Q脱イオン水の中で超音波洗浄した。電極を最終的にクリーンにして電気化学的処理によって活性化した後、使用した。白金ワイヤーを補助電極として用い、SCEを準参照電極として用いて標準的な3電極電気化学的セルを完成させた。フェロセン（Fc）を内標準（1：1アセトニトリル／トルエン、0.1MのTBAFの中で飽和カロメル電極（SCE）を基準にしてE_Fc=0.50V）として使用した。アセトニトリルとトルエンの混合物（50％/50％v/vすなわち1：1）を有機溶媒系として用いた。サポート用電解質であるテトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム（TBAF）をイソプロパノールの中で2回再結晶させ、真空下で乾燥させた。使用したどの溶媒も、含水量が極めて少ないグレードであった（水が20ppm未満）。テスト溶液を高純度窒素ガスで約5分間にわたってパージして酸素を除去し、実験中は窒素ブランケットが溶液の上部に被さった状態を維持した。すべての測定を25±1℃という周囲温度で実施した。可逆的電極プロセスまたは準可逆的電極プロセスに関してはアノード・ピーク電位（Ep, a）とカソード・ピーク電位（Ep, c）を平均することによって、または不可逆的プロセスに関しては（SWVにおける）ピーク電位に基づき、酸化還元電位を決定した。LUMO値とHOMO値は以下の式から計算される。

可逆的プロセスまたは準可逆的プロセスに関してSCEを基準とした正式な還元電位：
E^0/ _還元 = (E_pa + E_pc)/2
E^0/ _酸化 = (E_pa + E_pc)/2

Fcを基準とした正式な還元電位：
Fcに対するE^0/ _還元= (SCEに対するE^0' _還元 ) - E_Fc
Fcに対するE^0/ _酸化= (SCEに対するE^0' _酸化 ) - E_Fc
ただしE_Fcはフェロセンの酸化電位E_酸化である。

LUMO値とHOMO値の予想される下限：
LUMO = HOMO_Fc - (Fcに対するE^0/ _還元 )
HOMO = HOMO_Fc - (Fcに対するE^0/ _酸化 )
ただしHOMO_Fc（フェロセンの最高被占軌道）は-4.8eVである。

酸化還元電位の推定値と、HOMO値およびLUMO値を表1にまとめてある。

例３：デバイス1-1〜1-3の製造

比較用デバイス1-1を以下のようにして構成した。

1．アノードとしてインジウム-スズ酸化物（ITO）層を21.5nmの厚さにコーティングしたガラス基板に対し、市販の洗剤の中で超音波処理し、脱イオン水の中でリンスし、トルエン蒸気の中で脱脂し、酸素プラズマに約1分間にわたって曝露するという操作を順番に実施した。

2．アメリカ合衆国特許第6,208,075号に記載されているようにしてCHF₃をプラズマ支援堆積させることにより、ITOの上に厚さ1nmのフルオロカーボン（CF_x）からなる正孔注入層（HIL）を堆積させた。

3．次に、一般式（D）に従うと考えられる市販の第2の正孔注入材料からなる層を85nmの厚さに堆積させた。

4．その後、正孔輸送材料である4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル（NPB）からなる層を10nmの厚さに堆積させた。

5．次に、ホスト材料9,10-ジ(2-ナフチル)-2-フェニルアントラセン（HM-1）に対応していて0.75％の発光材料D-1を含む厚さ40nmの発光層（LEL）を堆積させた。

6．15nmのトリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)（Alq）に対応する電子輸送層（ETL）をLELの上に真空蒸着した。

7．フッ化リチウムからなる厚さ0.5nmの電子注入層をETLの上に真空蒸着した後、150nmのアルミニウム層を真空蒸着してカソード層を形成した。

上記の一連の操作によってELデバイスの堆積が完了する。次に、このデバイスを周囲の環境から保護するため、乾燥グローブ・ボックスの中で窒素雰囲気中にて乾燥剤としての硫酸カルシウムとともに密封する。

比較用デバイス1-2はデバイス1-1と同様にして製造したが、電子輸送層においてAlqの代わりにInv-1にした点が異なっている。本発明のデバイス1-3もデバイス1-1と同様にして製造したが、電子輸送層が、LELの上に1nmの厚さに堆積させたInv-2からなる第1の層（ETL-1）と、それに続いて堆積させたInv-1からなる14nmの層に対応する第2の層（ETL）とに対応する二層からなる点が異なっている（表2a参照）。電子輸送層の合計の厚さは各デバイスで15nmであった。

デバイスの輝度効率と色を20mA/cm²の動作電流でテストした。その結果を、表2bに、輝度収率（cd/A）と効率（W/A）の形態で示してある。デバイスの効率は、そのデバイスが1アンペアの入力電流によって発生させる放射束（単位はワット）である。ただし放射束は、デバイスが単位時間に発生させる光のエネルギーである。光の強度は、通常はデバイスの面に垂直に測定され、角度依存性はランバートの法則によると仮定する。デバイスから発生する光の色は、1931 CIE（国際照明委員会）座標で示してある。駆動電圧はボルトで示してある。

デバイスの安定性は、デバイスの初期光出力が周囲温度（約23℃）で1000cd/m²という条件でデバイスを動作させることによって測定した。光出力をモニタし、表2bに、輝度が初期値の80％に達するまでに要する時間の長さ（T₈₀）を示してある。

表2bから、本発明のデバイス1-3は、比較用デバイス1-1と比べて輝度が大きく、駆動電圧が低く、安定性が改善されていることがわかる。本発明のデバイス1-3は、比較用デバイス1-2と比べても安定性が優れている。

例４：デバイス2-1〜2-8の製造

比較用デバイス2-1を以下のようにして構成した。

1．アノードとしてインジウム-スズ酸化物（ITO）層を21.5nmの厚さにコーティングしたガラス基板に対し、市販の洗剤の中で超音波処理し、脱イオン水の中でリンスし、トルエン蒸気の中で脱脂し、酸素プラズマに約1分間にわたって曝露するという操作を順番に実施した。

2．アメリカ合衆国特許第6,208,075号に記載されているようにしてCHF₃をプラズマ支援堆積させることにより、ITOの上に厚さ1nmのフルオロカーボン（CF_x）からなる正孔注入層（HIL）を堆積させた。

3．次に、一般式（D）に従うと考えられる市販の第2の正孔注入材料からなる層を85nmの厚さに堆積させた。

4．その後、正孔輸送材料である4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル（NPB）からなる層を10nmの厚さに堆積させた。

5．次に、ホスト材料9,10-ジ(2-ナフチル)-2-フェニルアントラセン（HM-1）に対応していて0.75％の発光材料D-1を含む厚さ40nmの発光層（LEL）を堆積させた。

6．30nmのトリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)（Alq）に対応する電子輸送層（ETL）をLELの上に真空蒸着した。

7．フッ化リチウムからなる厚さ0.5nmの電子注入層をETLの上に真空蒸着した後、150nmのアルミニウム層を真空蒸着してカソード層を形成した。

上記の一連の操作によってELデバイスの堆積が完了する。次に、このデバイスを周囲の環境から保護するため、乾燥グローブ・ボックスの中で窒素雰囲気中にて乾燥剤としての硫酸カルシウムとともに密封する。

比較用デバイス2-2と2-3はデバイス2-1と同様にして製造したが、電子輸送層においてAlqの代わりにそれぞれInv-1、Inv-2にした点が異なっている。本発明のデバイス2-4〜2-8もデバイス2-1と同様にして製造したが、電子輸送層が二層からなる点が異なっている。この二層は、LELの上に1nmの厚さに堆積させたInv-2からなる第1の層（ETL-1）（この層の厚さに関しては表3aを参照のこと）と、ETL-1層の上にやはり表3aに示した厚さで堆積させた第2の層（ETL）に対応する。電子輸送層の合計の厚さは各デバイスについて30nmであった。フッ化リチウムからなる厚さ0.5nmの電子注入層をETLの上に真空蒸着した後、150nmのアルミニウム層を真空蒸着してカソード層を形成した。次に、これらのデバイスを周囲の環境から保護するため、乾燥グローブ・ボックスの中で窒素雰囲気中にて乾燥剤としての硫酸カルシウムとともに密封した。

デバイス2-1〜2-8をデバイス1-1と同様にして調べた。その結果を表3bに示す。

表3bから、本発明のデバイス2-4〜2-8は、デバイス2-1と比べて輝度が大きく、駆動電圧が低いことがわかる。本発明のデバイスは、異なる2つのガリウム錯体からなる二層構造の電子輸送層を有するため、ガリウム材料からなる単層を有するデバイス2-2および2-3と比べて安定性が向上している。

例５：デバイス3-1〜3-4の製造

比較用デバイス3-1を以下のようにして構成した。

1．アノードとしてインジウム-スズ酸化物（ITO）層を21.5nmの厚さにコーティングしたガラス基板に対し、市販の洗剤の中で超音波処理し、脱イオン水の中でリンスし、トルエン蒸気の中で脱脂し、酸素プラズマに約1分間にわたって曝露するという操作を順番に実施した。

2．アメリカ合衆国特許第6,208,075号に記載されているようにしてCHF₃をプラズマ支援堆積させることにより、ITOの上に厚さ1nmのフルオロカーボン（CF_x）からなる正孔注入層（HIL）を堆積させた。

3．その後、正孔輸送材料である4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル（NPB）からなる層を7.5nmの厚さに堆積させた。

4．次に、ホスト材料である9-(4-ビフェニル)-10-(2-ナフチル)アントラセン（HT-2）に対応していて7％の発光材料D-2を含む厚さ20nmの発光層（LEL）を堆積させた。

5．35nmのトリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)（Alq）に対応する電子輸送層（ETL）をLELの上に真空蒸着した。

6．フッ化リチウムからなる厚さ0.5nmの電子注入層をETLの上に真空蒸着した後、150nmのアルミニウム層を真空蒸着してカソード層を形成した。

上記の一連の操作によってELデバイスの堆積が完了する。次に、このデバイスを周囲の環境から保護するため、乾燥グローブ・ボックスの中で窒素雰囲気中にて乾燥剤としての硫酸カルシウムとともに密封する。

比較用デバイス3-2と3-3はデバイス3-1と同様にして製造したが、電子輸送層においてAlqの代わりにそれぞれInv-1、Inv-2にした点が異なっている。本発明のデバイス3-4もデバイス3-1と同様にして製造したが、電子輸送層が、LELの上に5nmの厚さに堆積させたInv-2からなる第1の層（ETL-1）と、ETL-1の上に30nmの厚さに堆積させたInv-1からなる第2の層（ETL）とに対応する二層からなる点が異なっている。各デバイスの電子輸送層の合計は35nmであった（表4a参照）。デバイス3-2〜3-4では、ドーパントD-2は7体積％ではなく6体積％のレベルであった。

デバイス3-1〜3-4をデバイス1-1と同様にして調べた。その結果を表4bに示してある。

本発明のデバイス3-4は、異なるガリウム錯体からなる2つの電子輸送層を備えており、比較用デバイスと比べて輝度が大きく、駆動電圧が低い。

例６：デバイス4-1〜4-9の製造

比較用デバイス4-1は、デバイス1-1とまったく同じ方法で製造し、LELに含まれる発光材料としてD-1を含んでいる。どちらも電子輸送層は15nmのAlqからなる。デバイス4-2、4-3、4-4も同様にして製造したが、電子輸送層が、それぞれ30nmのAlq、Inv-2、Inv-1である点が異なっている（表5a参照）。デバイス4-5〜4-9に関しては、電子輸送層は、LELの上に堆積させたETL-1と、その後ETL-1層の上に堆積させた層であるETLとに対応する二層であった。ETL-1とETLの組成と厚さ、ならびに電子輸送層全体の厚さは、表5aに示してある。フッ化リチウムからなる厚さ0.5nmの電子注入層をETLの上に真空蒸着した後、150nmのアルミニウム層を真空蒸着してカソード層を形成した。次に、これらのデバイスを周囲の環境から保護するため、乾燥グローブ・ボックスの中で窒素雰囲気中にて乾燥剤としての硫酸カルシウムとともに密封した。

デバイスの色、安定性、輝度効率、電圧を、デバイス1-1と同様にして調べた。その結果を表5bに示してある。

本発明のデバイス4-5の電子輸送層は二層からなり、その二層のカソード側にあるInv-1と、アノード側にあるInv-2に対応している。Inv-1はInv-2よりも負のLUMOを有する（表1）。デバイス4-5は、電子輸送層に単一の材料しか含まない比較用デバイス4-1〜4-4と比べて電圧が低いか、輝度が大きいか、その両方である。

デバイス4-6では、二層が逆転しており、二層のアノード側の材料であるInv-1が、カソード側の材料であるInv-2よりも負のLUMOを有する。その結果、このデバイスではデバイス4-5と比べて輝度が失われ、電圧が上昇する。比較用デバイス4-6の安定性は非常に悪い。

デバイス4-7と4-9では、ETL-1層でアルミニウム錯体が使用され、ETLではLUMOがより負のガリウム錯体が使用されている。デバイス4-5および4-8（ETLとETL-1の両方にガリウム錯体が含まれる）と比較すると、ETL-1において別の13族の金属の錯体（例えばトリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)）で置き換えることによって輝度が低下し、電圧が上昇する。しかしETLにガリウム錯体だけが含まれるデバイス4-4と比べると、ETL-1に13族の金属の錯体が追加されて存在していることで効率または安定性に関していくらかの利点がある。

例７：デバイス5-1〜5-6の製造

比較用デバイス5-1を以下のようにして構成した。

1．アノードとしてインジウム-スズ酸化物（ITO）層を21.5nmの厚さにコーティングしたガラス基板に対し、市販の洗剤の中で超音波処理し、脱イオン水の中でリンスし、トルエン蒸気の中で脱脂し、酸素プラズマに約1分間にわたって曝露するという操作を順番に実施した。

2．アメリカ合衆国特許第6,208,075号に記載されているようにしてCHF₃をプラズマ支援堆積させることにより、ITOの上に厚さ1nmのフルオロカーボン（CF_x）からなる正孔注入層（HIL）を堆積させた。

8．次に、一般式（D）に従うと考えられる市販の第2の正孔注入材料からなる層を85nmの厚さに堆積させた。

9．その後、正孔輸送材料である4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル（NPB）からなる層を10nmの厚さに堆積させた。

10．次に、ホスト材料9,10-ジ(2-ナフチル)-2-フェニルアントラセン（HM-1）に対応していて1.0％の発光材料D-1を含む厚さ40nmの発光層（LEL）を堆積させた。

11．15nmのトリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)（Alq）に対応する電子輸送層（ETL）をLELの上に真空蒸着した。

12．フッ化リチウムからなる厚さ0.5nmの電子注入層をETLの上に真空蒸着した後、150nmのアルミニウム層を真空蒸着してカソード層を形成した。

上記の一連の操作によってELデバイスの堆積が完了する。次に、このデバイスを周囲の環境から保護するため、乾燥グローブ・ボックスの中で窒素雰囲気中にて乾燥剤としての硫酸カルシウムとともに密封する。

比較用デバイス5-2はデバイス5-1と同様にして製造したが、電子輸送層においてAlqの代わりにInv-1にした点が異なっている。本発明のデバイス5-3もデバイス5-1と同様にして製造したが、電子輸送層が、Inv-1をInv-2と同時に1：4の質量比でLELの上に厚さ5nmで堆積させた第1の層（ETL-1）と、それに続くInv-1からなる25nmの層に対応する第2の層（ETL）の二層からなる点が異なっている（表6a参照）。

比較用デバイス5-4はデバイス5-1と同様にして製造したが、Alq層の厚さを15nmに減らした点が異なっている。比較用デバイス5-5はデバイス5-4と同様にして製造したが、電子輸送層においてAlqの代わりにInv-1にした点が異なっている。本発明のデバイス5-6もデバイス5-1と同様にして製造したが、電子輸送層が、Inv-1をInv-39と同時に3：2の質量比でLELの上に厚さ5nmで堆積させた第1の層（ETL-1）と、それに続くInv-1からなる10nmの層に対応する第2の層（ETL）の二層からなる点が異なっている（表6a参照）。

デバイスの輝度効率と色を20mA/cm²の動作電流でテストした。その結果を、表6bに、輝度収率（cd/A）と効率（W/A）の形態で示してある。デバイスの効率は、そのデバイスが1アンペアの入力電流によって発生させる放射束（単位はワット）である。ただし放射束は、デバイスが単位時間に発生させる光のエネルギーである。光の強度は、通常はデバイスの面に垂直に測定され、角度依存性はランバートの法則によると仮定する。デバイスから発生する光の色は、1931 CIE（国際照明委員会）座標で示してある。駆動電圧はボルトで示してある。

デバイスの安定性は、デバイスの初期光出力が周囲温度（約23℃）で1000cd/m²という条件でデバイスを動作させることによって測定した。光出力をモニタし、表6bに、輝度が初期値の80％に達するまでに要する時間の長さ（T₈₀）を示してある。

表6bから、本発明のデバイス5-3は、比較用デバイス5-1および5-2と比べて輝度が大きく、電圧が低く、安定性が向上していることがわかる。

表6cから、本発明のデバイス5-6は、比較用デバイス5-4と比べて輝度が大きく、電圧が低く、安定性が向上していることがわかる。比較用デバイス5-5と比べても、デバイスの安定性に関してわずかな改善が達成される。

例８：デバイス5-7と5-8の製造

比較用デバイス5-7を以下のようにして構成した。

8．アノードとしてインジウム-スズ酸化物（ITO）層を21.5nmの厚さにコーティングしたガラス基板に対し、市販の洗剤の中で超音波処理し、脱イオン水の中でリンスし、トルエン蒸気の中で脱脂し、酸素プラズマに約1分間にわたって曝露するという操作を順番に実施した。

9．アメリカ合衆国特許第6,208,075号に記載されているようにしてCHF₃をプラズマ支援堆積させることにより、ITOの上に厚さ1nmのフルオロカーボン（CF_x）からなる正孔注入層（HIL）を堆積させた。

10．次に、一般式（D）に従うと考えられる市販の第2の正孔注入材料からなる層を85nmの厚さに堆積させた。

11．その後、正孔輸送材料である4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル（NPB）からなる層を10nmの厚さに堆積させた。

12．次に、ホスト材料9,10-ジ(2-ナフチル)-2-フェニルアントラセン（HM-1）に対応していて1.0％の発光材料D-1を含む厚さ40nmの発光層（LEL）を堆積させた。

13．5nmのトリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)（Alq）に対応する電子輸送層（ETL-1）をLELの上に真空蒸着した。

14．10nmのInv-1に対応する第2の電子輸送層（ETL-2）をETL-1の上に真空蒸着した。

15．フッ化リチウムからなる厚さ0.5nmの電子注入層をETLの上に真空蒸着した後、150nmのアルミニウム層を真空蒸着してカソード層を形成した。

上記の一連の操作によってELデバイスの堆積が完了する。次に、このデバイスを周囲の環境から保護するため、乾燥グローブ・ボックスの中で窒素雰囲気中にて乾燥剤としての硫酸カルシウムとともに密封する。

本発明のデバイス5-8はデバイス5-7と同様にして製造したが、電子輸送層においてETL-1が、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)（Alq）とInv-2の質量比4：1の混合物からなる点が異なっている。

これらのデバイスをデバイス1-1と同様にして調べた。その結果を表7bに示してある。

表7bから、本発明のデバイス5-7と5-8は、比較用デバイス5-4と比べて輝度が大きく、駆動電圧が低いことがわかる。本発明のデバイス5-8は、Alqとガリウム錯体からなる電子輸送層を備えているため、デバイス5-4よりも外部量子効率が大きく、デバイスの安定性T₈₀も改善されている。

例９：デバイス6-1〜6-3の製造

比較用デバイス6-1はデバイス5-4と同様にして製造したが、発光層がホスト材料HM-2と5％のドーパントD-2からなる点が異なっている。

本発明のデバイス6-2はデバイス6-1と同様にして製造したが、電子輸送層が、LELの上に厚さ5nmに堆積させたAlqからなる第1の層（ETL-1）と、それに続くInv-1からなる10nmの層に対応する第2の層（ETL）の二層からなる点が異なっている。本発明のデバイス6-3はデバイス6-2と同様にして製造したが、第2のETL材料をInv-40にした点が異なっている。

これらのデバイスをデバイス1-1と同様にして調べた。その結果を表8bに示してある。

本発明のデバイス6-2と6-3は、電圧と効率が改善されている。さらに、デバイス6-2は寿命T₈₀が改善されているのに対し、デバイス6-3は寿命が比較用デバイス6-1と同程度である。

この明細書の中で引用した特許とそれ以外の刊行物のあらゆる内容は、参考としてこの明細書に組み込まれているものとする。本発明を好ましいくつかの実施態様を特に参照して詳細に説明してきたが、本発明の精神と範囲の中でさまざまなバリエーションや変形が可能であることが理解されよう。

本発明によるOLEDデバイスの一実施態様の概略断面図である。

符号の説明

101 基板
103 アノード
105 正孔注入層（HIL）
107 正孔輸送層（HTL）
109 発光層（LEL）
110 第1の電子輸送層（ETL-1）
111 第2の電子輸送層（ETL）
112 電子注入層（EIL）
113 カソード
150 電圧/電流源
160 導電体

Claims (8)

1. アノードと、発光層と、第１の層と、その第１の層に隣接している第２の層と、カソードとをこの順番で備えていて、第１の層が、ガリウムを含有する第１の錯体を含んでおり、第２の層が、ガリウムを含有する第２の錯体を含んでいて、第２の錯体が第１の錯体よりも負のLUMOを有し、そして第１の錯体は下記一般式（3a）で表わされ、かつ、第２の錯体は下記一般式（3b）で表わされることを特徴とするＯＬＥＤデバイス。
   

   

   （上式中、それぞれのr ¹ は同じでも異なっていてもよく、それぞれ置換基を表わし、nは0〜2であり、それぞれのr ² 、r ³ 、r ⁴ は同じでも異なっていてもよく、それぞれ置換基を表わすが、隣り合った置換基が合わさって環基を形成してもよく、m、p、qは独立に０〜４である。）
2. 第１の層が、第２の層のガリウム錯体とLUMOが同じかより正のLUMOを持つ第２のガリウム錯体も含む、請求項１に記載のデバイス。
3. 第１の錯体と第２の錯体のLUMO値の差が0.1eV以上である、請求項１に記載のデバイス。
4. 第１の層が発光層に隣接している、請求項１に記載のデバイス。
5. 上記発光層がホスト材料を含んでおり、そのホスト材料のLUMO値が、第１の錯体のLUMO値よりも負である、請求項１に記載のデバイス。
6. 上記発光層がホスト材料を含んでおり、そのホスト材料と第１の錯体のLUMO値の差が0.1eV以下である、請求項１に記載のデバイス。
7. 第２の層が電子注入層に隣接している、請求項１に記載のデバイス。
8. 上記発光層が、アントラセン基を有するホスト材料を含む、請求項１に記載のデバイス。

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