JP5121530B2 - 基板、プローブカード・アセンブリ用基板および基板の製造方法 - Google Patents
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Description
11 基体
12 ビア導体
14 介在層
17 導体パターン層
21 メッキ層
Claims (7)
- 基体のビアホール内に導体ペーストを充填する工程と、
前記ビアホールを覆うように前記基体に重ねられた樹脂製シートに圧力を加えることによって、前記導体ペーストの端部に窪みを形成する工程と、
前記導体ペーストを硬化させることによって、ビア導体を形成する工程と、
前記ビア導体の窪みの内側に金属材料からなる介在層を形成する工程と、
前記介在層上および前記基体の前記表面上に導体パターン層を形成する工程と、
を有する基板の製造方法。 - 前記介在層がメッキ層であることを特徴とする請求項1記載の製造方法。
- 前記導体パターン層が活性金属を含んでいることを特徴とする請求項1記載の製造方法。
- 前記窪みの深さが5μm〜200μmの範囲に含まれることを特徴とする請求項1記載の製造方法。
- 前記圧力が2MPa〜20MPaの範囲に含まれることを特徴とする請求項4記載の製造方法。
- ビアホールが設けられた表面を有する基体と、
窪みを含む端部を有しており、前記ビアホール内に形成されたビア導体と、
前記ビア導体の前記窪みの内側に形成された金属材料からなる介在層と、
前記介在層上および前記基体の前記表面上に形成された導体パターン層と、
を備えており、
前記導体パターン層が、活性金属を含む第1のパターン層と、前記第1のパターン層上に形成された第2のパターン層とを備えており、
前記介在層がニッケルを含んでいることを特徴とする基板。 - 請求項6に記載された基板と、
前記導体パターン層に電気的に接続されており、前記基板上に設けられた接触構造と、
を備えたプローブカード・アセンブリ用基板。
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