JP5118151B2 - 光電変換モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、光通信において変調された光信号を広帯域にわたって受信し、電気信号に変換して出力するための光電変換モジュールに関するものである。
従来、光通信では、大容量のデータを高速で且つ長距離伝送可能な光ファイバを伝送媒体として使用している。この光ファイバから送信されてくる光信号を、フォトダイオードなどの光電変換素子で電気信号に変換し、この電気信号を外部に出力する種々の光電変換モジュールが開発され、実用化されている。
ここで、一般的な光電変換モジュールについて説明する。光電変換モジュール101は、図25,図26に示すように、光ファイバ105から送信されてくる光信号を整える光学レンズ(光学窓)106と、光信号を電気信号に変換する光電変換素子108と、その電気信号を外部に出力する信号出力部121などを有する。光電変換素子108の出力電極108aと信号出力部121の中心導体121aが金属ワイヤ115により電気的に接続され、電気信号がモジュール101の外部へ出力される。
図27,図28に示す光電変換モジュール101Aにおいては、光電変換素子108と信号出力部121との間に増幅器130が設けられている。この増幅器130は、光電変換された単相の電気信号を増幅する増幅器である。光電変換素子108の出力電極108aと増幅器130の入力電極130aが金属ワイヤ132により電気的に接続され、増幅器130の出力電極130bが信号出力部121の中心導体121aに金属ワイヤ133により電気的に接続されている。
上記の図25,図26に示す光電変換モジュール101においては、光電変換素子108の出力電極108aと信号出力部121の中心導体121aとを金属ワイヤ115で直接接続している。図27,図28に示す光電変換モジュール101Aにおいては、光電変換素子108の出力電極108aと増幅器130の入力電極130aとを金属ワイヤ132で直接接続し、増幅器130の出力電極130bと信号出力部121の中心導体121aとを金属ワイヤ133で直接接続している。各金属ワイヤ132,133は、インダクタンス成分を有し、光電変換素子108の出力電極108a、増幅器130の出力電極130b及び信号出力部121の特性インピーダンスと比較して高いインピーダンスになる。そのため、特に高周波帯域においてはインピーダンスの不整合による電気信号の反射が発生し、高周波特性が劣化するという問題があった。
そこで、特許文献1に記載の光電変換モジュール102においては、図29に示すように、変換された電気信号をモジュール102の外部へ出力する伝送線路基板140を有し、増幅器130と伝送線路基板140との間に、インピーダンス整合回路110が組み込まれた基板120が設けられている。このインピーダンス整合回路110は、キャパシタンス成分を有する平行平板マイクロチップコンデンサ112と、増幅器130とコンデンサ112およびコンデンサ112と伝送線路基板140を夫々電気的に接続するインダクタンス成分を有する金ワイヤ114とを備えている。
上記インピーダンス整合回路110の等価回路が図30に示されている。このコンデンサ112のサイズと材質を変更することにより、キャパシタンス成分112aを調整し、金ワイヤ114の長さを変更することでインダクタンス成分114aを調整する。こうして、伝送線路基板140に対するインピーダンス整合を図ることができ、光電変換モジュール102の高周波反射減衰量特性を改善することができ、電気信号の伝送特性を改善することができる。
特開2002−353493号公報
特許文献1の光電変換モジュール102のインピーダンス整合回路110の等価回路が、図30に示すように一段のローパスフィルタと同様の回路であるから、高周波帯域における伝送損失が大きくなり、伝送特性の平坦性が損なわれる虞がある。そこで、伝送特性を改善するためキャパシタンス成分112aとインダクタンス成分114aを一層大きな値に設定する必要があるが、そうすると、位相の線形性が保持されず群遅延の劣化を招く虞がある。
本発明の目的は、インピーダンス不整合による反射減衰量を低減させ且つ高周波帯域内の伝送特性の平坦性を向上させ得る光電変換モジュールを提供すること、位相の線形性を保持することにより群遅延特性を安定化させ得る光電変換モジュールを提供すること等である。
本発明に係る光電変換モジュールは、光ファイバにより送信されて来る光信号を電気信号に変換する光電変換素子と、光電変換された電気信号を外部に出力する信号出力部を有する光電変換モジュールにおいて、前記光電変換素子の出力電極と前記信号出力部の間に設けられたインピーダンス整合回路と、このインピーダンス整合回路を組み込んだ基板を設け、前記インピーダンス整合回路は、前記基板の表面に隙間をあけて形成された複数の金属被膜と、これら金属被膜のうち隣接する金属被膜同士を電気的に接続する複数の金属接続線とを有する。
前記光電変換モジュールにおいて、光ファイバにより送信されてくる光信号を光電変換素子に導入し、この光信号を光電変換素子により電気信号に変換し、変換された電気信号を基板に組み込まれたインピーダンス整合回路を介して信号出力部から外部に出力する。
前記インピーダンス整合回路は、複数の金属被膜と、隣接する金属被膜同士を電気的に接続する複数の金属接続線を有し、金属被膜はキャパシタンス成分を有し、金属接続線はインダクタンス成分を有するので、複数の金属被膜のキャパシタンス成分と複数の金属接続線のインダクタンス成分を適宜調整することで、信号出力部に対するインピーダンス整合が可能となる。
本発明の上記の構成に加えて、次のような種々の構成を適宜採用してもよい。
(1)前記インピーダンス整合回路は、前記光電変換素子の出力電極と、この出力電極に隣接する前記金属被膜とを接続する金属ワイヤを含む(請求項2)。
(2)前記光電変換素子の出力電極に、光電変換された電気信号を増幅する増幅器が接続され、前記インピーダンス整合回路は、前記増幅器の出力電極と前記信号出力部との間に設けられた(請求項3)。
(3)前記インピーダンス整合回路は、前記増幅器の出力電極と、この出力電極に隣接する前記金属被膜とを接続する金属ワイヤを含む(請求項4)。
(4)前記複数の金属被膜のうち隣接する金属被膜の間の隙間において、前記基板の表面にアイソレーション用溝を形成した(請求項5)。
(5)前記アイソレーション用溝に、前記基板を形成する母材よりも低い誘電率の誘電体を充填した(請求項6)。
(6)前記金属接続線は金属ワイヤからなる(請求項7)。
(7)前記金属接続線は前記金属被膜と一体の線状金属被膜からなる(請求項8)。
(8)請求項9に係る光電変換モジュールは、光ファイバにより送信されて来る光信号を電気信号に変換する光電変換素子と、光電変換された電気信号を外部に出力する信号出力部を有する光電変換モジュールにおいて、前記光電変換素子の出力電極と前記信号出力部の間に設けられたインピーダンス整合回路と、このインピーダンス整合回路を組み込んだ基板を設け、前記インピーダンス整合回路は、前記基板の表面に形成され且つ前記信号出力部に直接接続されたマイクロストリップ状の金属被膜を有する。
請求項1の発明によれば、インピーダンス整合回路の複数の金属被膜は、キャパシタンス成分を有し、隣接する金属被膜同士を接続する複数の金属接続線はインダクタンス成分を有するため、これら金属被膜のサイズと膜厚と基板の材質を適宜調整し、複数の金属接続線の太さと長さを適宜調整することで、信号出力部に対するインピーダンス整合を確実に行うことができる。このため、高周波の電気信号の伝送損失を抑制でき、反射減衰量特性を改善することができる。
特に、複数の金属被膜と複数の金属接続線により複数段のローパスフィルタと同様のインピーダンス整合回路を構成するので、一段のインピーダンス整合回路と比較して、高周波帯域の伝送損失を改善し、伝送特性の平坦性を向上させることができる。しかも、個々のキャパシタンス成分とインダクタンス成分の値を低く抑えることが可能となり、電気信号の位相の線形性を保持させやすく、群遅延特性を安定させ、伝送に伴う電気信号の波形の歪みを極力抑えることができる。
請求項2の発明によれば、金属ワイヤの長さや太さを適宜調整することで、インダクタンス成分の値を調整できる。
請求項3の発明によれば、光電変換素子により変換された単相の電気信号を増幅器により増幅すると共に、単相信号を作動信号に変換し外部に出力することができる。
請求項4の発明によれば、金属ワイヤの長さや太さを適宜調整することで、インダクタンス成分を調整できる。
請求項5の発明によれば、前記複数の金属被膜のうち隣接する金属被膜の間の隙間において、前記基板の表面にアイソレーション用溝を形成したので、隣接する金属被膜同士のアイソレーションを保持することができる。
請求項6の発明によれば、前記基板を形成する母材よりも低い誘電率の誘電体を充填したので、隣接する金属被膜同士のアイソレーションを強く保持することができる。
請求項7の発明によれば、前記金属接続線は金属ワイヤからなるので、金属ワイヤの長さや太さを適宜調整することで、金属ワイヤのインダクタンス成分の値を調整できる。
請求項8の発明によれば、前記金属接続線は前記金属被膜と一体の線状金属被膜からなるので、線状金属被膜の長さや幅、膜厚などを適宜調整することで、線状金属被膜のインダクタンス成分を調整でき、インピーダンス整合を確実に行うことができると共に、線状金属被膜と横長形状の金属被膜を一度の工程で基板上に形成することができるので製造時間を短縮することができる。
請求項9の発明によれば、インピーダンス整合回路を組み込んだ基板を設け、このインピーダンス整合回路は、基板の表面に形成され且つ信号出力部に直接接続されたマイクロストリップ状の金属被膜を有するので、次の効果を奏する。
前記金属被膜がマイクロストリップ状で構成されることで容易に特性インピーダンスを近似的に計算することができ、また、金属被膜が信号出力部に直接接続されることで接続部のインダクタンス成分を低減させることができるので、信号出力部とのインピーダンス整合を確実に行うことができる。このため、高周波の電気信号の伝送損失を抑制でき、反射減衰量特性を改善することができる。
前記マイクロストリップ状の構成は、金属被膜のキャパシタンス成分とインダクタンス成分を安定させることができるので、高周波帯域内の伝送特性の平坦性が向上し、位相の線形性が保持させやすく群遅延特性を安定させることができる。このため、伝送に伴う電気信号の波形の歪みを極力抑えることができる。
さらに、前記光電変換素子の出力電極から信号出力部にインピーダンス整合回路を介して信号を外部へ出力させる構成なので、従来の伝送線路基板などの伝送経路の構成部品を削減でき、光電変換素子から信号出力部までの経路を短縮することができるので、特性のバラツキを抑えることができるうえ、部品数が減少して構造が簡単化し、製作コストを低減することができる。
請求項10の発明によれば、前記インピーダンス整合回路は、前記光電変換素子の出力電極と、前記金属被膜とを接続する金属ワイヤを含むので、金属ワイヤの長さや太さを適宜調整することで、インダクタンス成分の値を調整できる。
請求項11の発明によれば、前記光電変換素子用の出力電極に、光電変換された電気信号を増幅する増幅器が接続され、前記インピーダンス整合回路は、前記増幅器の出力電極と前記信号出力部との間に設けられたので、光電変換素子により変換された単相の電気信号を増幅器により増幅すると共に、単相信号を作動信号に変換し外部に出力することができる。
請求項12の発明によれば、前記インピーダンス整合回路は、前記増幅器の出力電極と、前記金属被膜とを接続する金属ワイヤを含むので、金属ワイヤの長さや太さを適宜調整することで、インダクタンス成分を調整できる。
本発明の実施例1に係る光電変換モジュールの平面図である。 図1のII−II線断面図である。 インピーダンス整合回路の等価回路の図である。 光電変換モジュールの反射減衰量特性を示す線図である。 光電変換モジュールの伝送損失特性を示す線図である。 光電変換モジュールの群遅延特性を示す線図である。 実施例2に係る光電変換モジュールの平面図である。 図7のVIII−VIII線断面図である。 実施例3に係るインピーダンス整合回路の平面図である。 図9のX−X線断面図である。 光電変換モジュールの反射減衰量特性を示す線図である。 光電変換モジュールの伝送損失特性を示す線図である。 光電変換モジュールの群遅延特性を示す線図である。 実施例4に係るインピーダンス整合回路の平面図である。 図14のXV−XV線断面図である。 実施例4のインピーダンス整合回路の変更例の平面図である。 図16のXVII −XVII 線断面図である。 実施例5に係る光電変換モジュールの平面図である。 図18のXIX −XIX 線断面図である。 光電変換モジュールの反射減衰量特性を示す線図である。 光電変換モジュールの伝送損失特性を示す線図である。 光電変換モジュールの群遅延特性を示す線図である。 実施例6に係る光電変換モジュールの平面図である。 図23のXXIV−XXIV線断面図である。 従来の光電変換モジュールの平面図である。 図25のXXVI−XXVI線断面図である。 従来の別の光電変換モジュールの平面図である。 図27のXXIIX −XXIIX 線断面図である。 特許文献1に記載された光モジュールの平面図である。 図29のインピーダンス整合回路の等価回路の図である。
1,1A,1B,1C,1D,1E 光電変換モジュール
5 光ファイバ
8 光電変換素子
8a 出力電極
10,10B,10C,10D,10E インピーダンス整合回路
12 金属被膜
13 金属被膜
15 金属ワイヤ
20,20B,20C,20D,20E 基板
21,21B,21C,21D,21E 信号出力部
22 リード線
本発明の光電変換モジュールは、光通信において光ファイバにより送信されてくる光信号を広帯域にわたって受信して電気信号に変換して外部に出力するものであり、特に複数段のローパスフィルタと同様の構造のインピーダンス整合回路を備えたものである。
以下、この光電変換モジュール1について図面に基づいて説明する。
図1,図2に示すように、この光電変換モジュール1は、光ファイバ5により送信されてくる光信号を電気信号に変換し出力するモジュールである。この光電変換モジュール1は、パッケージ3と、光学レンズ6(光学窓)と、光信号を光電変換する光電変換素子8と、光電変換素子8の出力電極8aと信号出力部21との間に設けられインピーダンス整合回路10と、このインピーダンス整合回路10を組み込んだ基板20と、光電変換された電気信号を外部に出力する信号出力部21等を有する。
光電変換素子8は、一般的なフォトダイオード素子であり、パッケージ3に固定されている。この光電変換素子8は、光ファイバ5により送信されて来る光信号を光学レンズ6を介して受光面で受け、光電変換して出力電極8aから電気信号を出力する。
この光電変換素子8の出力電極8aは、インピーダンス整合回路10の入力側においてこの出力電極8aに隣接する金属被膜12と金属ワイヤ9にて電気的に接続されている。
インピーダンス整合回路10は、基板20の上面に形成された複数の金属被膜12,13と、隣接する金属被膜12を電気的に接続する複数の金属ワイヤ15(金属接続線に相当する)と、金属ワイヤ9とを有する。
金属被膜12,13は、例えばNi、Au、Ag、Al、Cuなどから選択される金属被膜であって、その膜厚は例えば5〜100μmである。金属被膜12は、左右方向に細長い長方形(例えば、左右長が1.20mm、幅が0.15mm)に形成され、複数の金属被膜12は、例えば0.05mm程度の幅の適当な隙間11をあけて平行に形成されている。金属被膜13は、円形の下端部を金属被膜側へ突出させた形状に形成され、複数の金属被膜12の幅方向中心部を結ぶ延長線上に設けられている。
信号出力部21は、リード線(中心導体)22と、リード線22の外周を覆う溶融ガラスから形成された誘電体23から構成されている。このリード線22は誘電体23を介してパッケージに固定され、リード線22の先端部22aが、基板20と金属被膜13の中心部を貫通して上面側に突出し、その先端部22aが、金属被膜13にハンダ等により電気的に直接接続されている。尚、誘電体23は、例えば、ポリエチレンなどの合成樹脂材料などから形成されたものでも良い。
金属ワイヤ9,15は、例えばAuのボンディングワイヤで構成することができるが、これに限定される訳ではない。金属ワイヤ9は、光電変換素子8の出力電極8aを、この出力電極8aに隣接する金属被膜12に電気的に接続している。金属ワイヤ15は隣接する金属被膜12同士を電気的に接続している。
金属被膜12はグランドに対するキャパシタンス成分12aであって、金属被膜12のサイズや膜厚および基板20の材質に依存するキャパシタンス成分12aを有する(図3参照)。金属被膜13もグランドに対するキャパシタンス成分を有する。この金属被膜13では、その直径を大きくするほどインダクタンス成分を減少させることができる。
金属ワイヤ15は、長さや太さに依存するインダクタンス成分15aを有し、金属ワイヤ9も同様のインダクタンス成分を有している(図3参照)。
このインピーダンス整合回路10の等価回路は、図3に示すように、複数の金属被膜12のキャパシタンス成分12aがグランドに対して並列に接続され、複数の金属ワイヤ9,15のインダクタンス成分9a,15aが直列に接続された多段のローパスフィルタと同様の回路となっている。
信号部出力部21に対するインピーダンス整合を行うには、複数の金属被膜12のキャパシタンス成分12aを調整し、金属ワイヤ9,15のインダクタンス成分9a,15aを調整し、金属被膜13のキャパシタンス成分を調整することにより、所定の特性インピーダンスの値(例えば50Ω)に設定する。
基板20は、例えば、フェノール樹脂(ベークライト)、ガラス繊維やエポキシ樹脂などを主剤とする誘電体材料で構成されたものであって、基板上に種々の回路パターンをプリント可能な一般的なものである。この基板20はパッケージ3に固定されている。尚、パッケージ3は金属製の材料で形成されたものである。
次に、光電変換モジュール1の特性について説明する。
インピーダンス整合回路10を有する光電変換モジュール1の反射減衰量特性が図4に図示され、伝送損失特性が図5に図示され、群遅延特性が図6に図示されている。
この測定に供したインピーダンス整合回路10においては、金属被膜12の数は4、金属被膜12のサイズは左右長が1.2mm、幅が0.15mm、隙間11の大きさは0.05mmであり、基板20の厚さ0.25mm、基板20を構成する材料の比誘電率は9.8である。
この光電変換モジュール1にインピーダンス整合回路10を設けることにより、反射減衰量特性については、インピーダンス整合回路を設けない場合と比較して信号出力部21に対するインピーダンス整合を確実に行えるため、反射減衰量特性を、例えば、信号周波数5GHzでは15dB、10GHzでは9dB、15GHzでは5dB改善することができる(図4参照)。
伝送損失特性については、インピーダンス整合回路10が多段のローパスフィルタと同様の回路であるので、伝送帯域内の伝送特性を平坦化できることから、伝送損失を、例えば、信号周波数10GHzでは2dB、15GHzでは3.4dB改善することができる(図5参照)。
群遅延特性については、金属被膜12のキャパシタンス成分と、金属ワイヤ9,15のインダクタンス成分を適宜調整することにより、位相の線形性を保持でき群遅延特性を安定化させることができる。例えば、信号周波数1GHzから20GHzの周波数帯域内で、群遅延を12psの変動幅から7psの変動幅に改善することができる(図6参照)。このように、インピーダンス整合回路10を設けることで、反射減衰量特性や伝送損失特性および群遅延特性を格段に改善することができる。
次に、この光電変換モジュール1の作用、効果について説明する。
この光電変換モジュール1は、光通信の受信側において、先ず、光ファイバ5を伝送してくる光信号を、光学レンズ6などの光学系を介して効率良く光電変換素子8に導入させる。次に、この光電変換素子8により光信号を効率良く電気信号に変換し、その電気信号をインピーダンス整合回路10を介して信号出力部21に伝送させ、この信号出力部21から光電変換モジュール1の外部へ出力する。
ここで、このインピーダンス整合回路10では、複数の金属被膜12のキャパシタンス成分と、複数の金属ワイヤ9,15のインダクタンス成分と、金属被膜13のキャパシタンス成分を前述のように調整し、ネットワークアナライザやスミスチャートなどを使用して最適なインピーダンス値(例えば、50Ω又は75Ω)に調整することで、信号出力部21に対するインピーダンス整合を適正に行うことができる。こうして、高周波の電気信号の伝送損失を低減でき、反射減衰量特性を改善することができる。
複数の金属被膜12と金属ワイヤ9,15により多段のローパスフィルタと同様の回路を構成するので、一段のローパスフィルタと比較して、高周波帯域内の伝送特性の平坦性を向上させることができると共に、個々のキャパシタンス成分およびインダクタンス成分の値を低く抑えることが可能となり、電気信号の位相の線形性を保持させやすく、群遅延特性を安定させることができる。こうして、伝送に伴う電気信号の波形の歪みを極力抑えることができる。
次に、実施例2の光電変換モジュール1Aについて説明する。
図7,図8に示すように、この光電変換モジュール1Aにおける実施例1と同様の構成要素に同一の参照符号を付して説明を省略する。この光電変換モジュール1Aにおいては、光電変換素子8と2つの信号出力部21の間に、1つの増幅器30と、2つのインピーダンス整合回路10が設けられている。
光電変換素子8の出力電極8aに、光電変換された電気信号を増幅する増幅器30が接続されている。この増幅器30は、光電変換素子8により変換された単相の電気信号を増幅すると共にその単相の信号を差動信号に変換し、2つの信号出力部21から光電変換モジュール1の外部に出力することができる。
この増幅器30はパッケージ3に固定され、増幅器30の入力電極30aは、光電変換素子8の出力電極8aに金属ワイヤ32で接続され、2つの出力電極30bは、2つのインピーダンス整合回路10の入力側の金属被膜12に金属ワイヤ33で接続されている。インピーダンス整合回路10は、増幅器30の出力電極30bと、この出力電極30bに隣接する金属被膜12とを接続する金属ワイヤ33を含むので、金属ワイヤ33の長さや太さを適宜調整することで、そのインダクタンス成分を調整することができる。
次に、実施例3の光電変換モジュール1Bのインピーダンス整合回路10Bについて説明する。図9,図10に示すように、この光電変換モジュール1Bにおける実施例1と同様の構成要素に同一の参照符号を付して説明を省略する。
インピーダンス整合回路10Bは、複数の金属被膜12と、複数の金属ワイヤ15(金属接続線に相当する)とを有し、実施例1の光電変換素子8又は実施例2の際増幅器30に相当する信号入力部35と信号出力部21Bとの間に設けられている。このインピーダンス整合回路10Bは基板20Bに組み込まれている。複数の金属被膜12と複数の金属ワイヤ15については、実施例1と同様である。
このインピーダンス整合回路10Bの入力側の金属被膜12は、信号入力部35に金属ワイヤ45で電気的に接続され、インピーダンス整合回路10Bの出力側の金属被膜12は、信号出力部21Bのリード線22の先端部22aに金属ワイヤ46で電気的に接続されている。これら金属ワイヤ45,46は、インピーダンス整合回路10Bに含まれる。このインピーダンス整合回路10Bの等価回路は、実施例1と同様に、多段のローパスフィルタと同様の回路になっている。基板20Bは、パッケージ3に固定され、複数の金属被膜12のうち隣接する金属被膜12の間の隙間11において基板20Bの表面にアイソレーション用溝47が形成されている。
ここで、この光電変換モジュール1Bの特性について説明する。
インピーダンス整合回路10Bが設けられた光電変換モジュール1Bの反射減衰量特性が図11に図示され、伝送損失特性が図12に図示され、群遅延特性が図13に図示されている。尚、この測定に供したインピーダンス整合回路10Bにおいて、アイソレーション用溝47の幅は0.25mm、深さは0.05mmである。金属被膜12と金属ワイヤ15については、実施例1と同様である。
この光電変換モジュール1Bにインピーダンス整合回路10Bを設けたことにより、インピーダンス整合回路10Bを設けない場合と比較して、信号出力部21に対するインピーダンス整合を確実に行えるため、反射減衰量特性を改善することができる。例えば、信号周波数5GHzでは14dB、10GHzでは13dB、15GHzでは4dB改善することができる(図11参照)。
伝送損失特性については、インピーダンス整合回路10Bが多段のローパスフィルタと同様の回路になっているので、伝送帯域内の伝送特性を平坦化でき、伝送損失を低減することができる。例えば、信号周波数10GHzでは2.6dB、15GHzでは3dB改善することができる(図12参照)。
群遅延特性については、金属被膜12のキャパシタンス成分と、金属ワイヤ15,45,46のインダクタンス成分を適宜調整することにより、位相の線形性を保持でき群遅延特性を安定化させることができる。例えば、信号周波数1GHzから20GHzの周波数帯域内で、群遅延12psの変動幅から6psの変動幅に改善することができる(図13参照)。こうして、複数の金属被膜12を有するインピーダンス整合回路10Bを設けることで、反射減衰量特性と、伝送損失特性と、群遅延特性を改善することができる。
この光電変換モジュール1Bの作用および効果について説明する。
基板の表面にアイソレーション用溝47を形成したので、隣接する金属被膜12同士のアイソレーションを強化することができる。基板20Bが、信号出力部21Bとハンダなどの導電性材料で直接接続されていないため、個々の部品の製作が容易になり、インピーダンス整合回路10Bが組み込まれた基板20Bとして単体での市販が可能となる。他の効果については、実施例1と略同様の効果を奏するため説明は省略する。
ここで、前記のインピーダンス整合回路10Bにおいて、このアイソレーション用溝47に、基板20Bを形成する材料よりも低い誘電率の誘電体(例えば、アルミナ等)を充填することが望ましい。その場合、隣接する金属被膜12同士のアイソレーションを一層強化することができる。
次に、実施例4の光電変換モジュール1Cのインピーダンス整合回路10Cについて説明する。図14と図15に示すように、インピーダンス整合回路10Cは、複数の金属被膜51と、金属被膜51間に形成された隙間53と、隣接する金属被膜51を接続する複数の線状の接続線被膜52(金属接続線に相当する)であって金属被膜51と一体の複数の接続線被膜52と、金属ワイヤ55,56などを有し、これらは基板20C上に一体的に形成されている。金属被膜51は前記金属被膜12と同様のものであり、接続線被膜52は前記金属ワイヤ15と同様の機能を奏するものである。
インピーダンス整合回路10Cの入力側の金属被膜51は、実施例1の光電変換素子8又は実施例2の増幅器30に相当する信号入力部35に金属ワイヤ55で接続され、インピーダンス整合回路10Cの出力側金属被膜51は、信号出力部21Cのリード線22の先端部22aに金属ワイヤ56で接続されている。これら金属ワイヤ55,56は、インピーダンス整合回路10Cに含まれている。
この光電変換モジュール10Cの作用および効果について説明する。
接続線被膜52の幅や膜厚を適宜調整することにより、接続線被膜52のインダクタンス成分を調整できる。複数の金属被膜51と複数の接続線被膜52を同一工程で基板20C上に一体的に形成できるので、部品数を削減して製作コストを低減できる。また、信号出力部21Cが基板20Cに直接接続されていないため、構造が簡単になる。
次に、前記のインピーダンス整合回路10Cを部分的に変更した変更例について説明する。図16,図17に示すように、複数の金属被膜51のうち隣接する金属被膜51の間の隙間53において、基板20Cの表面に複数のアイソレーション用溝57が形成される。このアイソレーション用溝57により隣接する金属被膜51同士のアイソレーションを強化できる。さらに、これらアイソレーション用溝57に、基板20Cを形成する材料よりも低い誘電率の誘電体(例えば、アルミナ等)を充填することが望ましい。その場合、隣接する金属被膜51同士のアイソレーションを一層強化することができる。
次に、実施例5に係る光電変換モジュール1Dのインピーダンス整合回路10Dについて説明する。但し、実施例1と同様のものに同一の参照符号を付して説明を省略する。
図18,図19に示すように、インピーダンス整合回路10Dは、マイクロストリップ状の金属被膜61と金属ワイヤ62を有する。この金属被膜61は基板20Dの表面に形成され且つ信号出力部21Dに直接接続されている。金属ワイヤ62は、光電変換素子8の出力電極8aと金属被膜61とを電気的に接続している。
このマイクロストリップ状の金属被膜61の出力側には、略円形の接続部61aが形成され、基板20Dを貫通した信号出力部21Dのリード線の先端部22aにハンダなどで直接接続されている。この接続部61aの直径を大きくするほど接続部61aのインダクタンス成分を減少させることができる。基板20Dの幅は金属被膜61の幅の3倍以上にすることが望ましい。
ここで、光電変換モジュール1Dの特性について説明する。
インピーダンス整合回路10Dを組み込んだ光電変換モジュール1Dの反射減衰量特性が図20に図示され、伝送損失特性が図21に図示され、群遅延特性が図22に図示されている。尚、この測定に供したインピーダンス整合回路10Dにおいて、金属被膜61の幅は0.24mm、特性インピーダンス約50Ω、接続部61aの直径は0.4mmである。基板20Dの厚さ0.25mm、基板20Dを構成する材料の比誘電率は9.8である。
この光電変換モジュール1Dにインピーダンス整合回路10Dを設けたことにより、反射減衰量特性については、インピーダンス整合回路10Dを設けないものと比較して信号出力部21に対するインピーダンス整合を確実に行える。例えば、反射減衰量を、信号周波数5GHzでは6dB、10GHzでは4dB、15GHzでは3dB改善することができる(図20参照)。
伝送損失特性について、マイクロストリップ状の金属被膜61はキャパシタンス成分やインダクタンス成分が安定しているので、伝送帯域内の伝送特性を平坦化できる。伝送損失を、例えば、信号周波数10GHzでは1.8dB、15GHzでは2.5dB改善することができる(図21参照)。
群遅延特性について、マイクロストリップ状の金属被膜61は、位相の線形性を保持でき群遅延特性を安定させやすい。例えば、1GHzから20GHzの周波数帯域内で、群遅延を12psの変動幅から3psの変動幅に改善することができる(図22参照)。このように、インピーダンス整合回路10Dを設けることにより、反射減衰量特性、伝送損失特性および群遅延特性をかなり改善することができる。
この光電変換モジュール1Dの作用および効果について説明する。
マイクロストリップ状の金属被膜61を有するので、導体幅や膜厚などから特性インピーダンスを近似的に計算することができる。金属被膜61が信号出力部21に直接接続されているので、接続部61aのインダクタンス成分を十分に低減させることができる。そのため、金属被膜61のサイズを適宜調整することにより、信号出力部21Dに対するインピーダンス整合を確実に行うことができ、高周波の電気信号の伝送損失を抑制でき、反射減衰量特性を改善することができる。
マイクロストリップ状の金属被膜61のキャパシタンス成分とインダクタンス成分を安定させることができるので、高周波帯域内の伝送特性の平坦性が向上し、位相の線形性が保持させやすく群遅延特性を安定させることができる。このため、伝送に伴う電気信号の波形の歪みを極力抑えることができる。
次に、実施例6に係る光電変換モジュール1Eについて説明する。
図23,図24に示すように、この光電変換モジュール1Eにおいて、光学レンズ6、光電変換素子8、光電変換された電気信号を増幅する増幅器30については、実施例2と同様であるので、同様のものに同一符号を付して説明を省略する。
この増幅器30の2つの出力電極30bは、2つのインピーダンス整合回路10Eの金属被膜65に金属ワイヤ66で夫々接続されている。各インピーダンス整合回路10Eは、マイクロストリップ状の金属被膜65と、増幅器30の出力電極30bと金属被膜65とを接続する金属ワイヤ66などで構成されている。
金属被膜65の端部には略円形の接続部61aが形成され、基板20Eを貫通した信号出力部21Eのリード線の先端部22aにハンダなどで直接接続されている。金属被膜65の導体幅や長さを適宜調整することにより、金属被膜65のキャパシタンス成分を調整でき、また、金属ワイヤ66の長さや太さを調整することにより、金属ワイヤ66のインダクタンス成分を調整でき、信号出力部21に対するインピーダンス整合を確実に行うことができる。実施例6によれば、実施例5の光電変換モジュール1と略同様の作用、効果が得られる。
次に、前記実施例を部分的に変更した変更例について説明する。
1)インピーダンス整合回路の複数の金属被膜数と複数の金属接続線の数量・形状は、必ずしも一定である必要はなく要求される仕様に応じてその数量・形状を適宜変更しても良い。
2)当業者ならば本発明の趣旨を逸脱しない範囲で前記実施例に種々の変更を付加した形態で実施することができ、本発明はそれらの変更形態も包含するものである。
この光電変換モジュールは、光通信における種々の受信側の光電変換モジュールに適用可能であり、多段ローパスフィルタやマイクロストリップ状の金属被膜が組み込まれたインピーダンス整合回路を設けるため、インピーダンス不整合による反射減衰量を低減させ、高周波帯域内の伝送特性の平坦性を向上させると共に位相の線形性を保持することによって群遅延特性を安定化させる。

Claims (5)

  1. 光ファイバにより送信されて来る光信号を電気信号に変換する光電変換素子と、光電変換された電気信号を外部に出力する信号出力部を有する光電変換モジュールにおいて、
    前記光電変換素子又は光電変換素子に接続された増幅器と前記信号出力部の間に設けられたインピーダンス整合回路と、このインピーダンス整合回路を組み込んだ基板を設け、
    前記インピーダンス整合回路は、前記基板の表面に隙間をあけて形成された複数の金属被膜と、これら金属被膜のうち隣接する金属被膜同士を電気的に接続する複数の金属接続線と、最も入力側の前記金属被膜を前記光電変換素子又は光電変換素子に接続された増幅器に接続する金属ワイヤとを有することを特徴とする光電変換モジュール。
  2. 複数の金属被膜のうち隣接する金属被膜の間の隙間において、前記基板の表面にアイソレーション用溝を形成したことを特徴とする請求項1に記載の光電変換モジュール。
  3. 前記アイソレーション用溝に、前記基板を形成する母材よりも低い誘電率の誘電体を充填したことを特徴とする請求項5に記載の光電変換モジュール。
  4. 前記金属接続線は金属ワイヤからなることを特徴とする請求項1に記載の光電変換モジュール。
  5. 前記金属接続線は前記金属被膜と一体の線状金属被膜からなることを特徴とする請求項1に記載の光電変換モジュール。
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