JP5118151B2 - 光電変換モジュール - Google Patents
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Description
(1)前記インピーダンス整合回路は、前記光電変換素子の出力電極と、この出力電極に隣接する前記金属被膜とを接続する金属ワイヤを含む(請求項2)。
(2)前記光電変換素子の出力電極に、光電変換された電気信号を増幅する増幅器が接続され、前記インピーダンス整合回路は、前記増幅器の出力電極と前記信号出力部との間に設けられた(請求項3)。
(3)前記インピーダンス整合回路は、前記増幅器の出力電極と、この出力電極に隣接する前記金属被膜とを接続する金属ワイヤを含む(請求項4)。
(5)前記アイソレーション用溝に、前記基板を形成する母材よりも低い誘電率の誘電体を充填した(請求項6)。
(6)前記金属接続線は金属ワイヤからなる(請求項7)。
(7)前記金属接続線は前記金属被膜と一体の線状金属被膜からなる(請求項8)。
請求項3の発明によれば、光電変換素子により変換された単相の電気信号を増幅器により増幅すると共に、単相信号を作動信号に変換し外部に出力することができる。
請求項5の発明によれば、前記複数の金属被膜のうち隣接する金属被膜の間の隙間において、前記基板の表面にアイソレーション用溝を形成したので、隣接する金属被膜同士のアイソレーションを保持することができる。
請求項7の発明によれば、前記金属接続線は金属ワイヤからなるので、金属ワイヤの長さや太さを適宜調整することで、金属ワイヤのインダクタンス成分の値を調整できる。
5 光ファイバ
8 光電変換素子
8a 出力電極
10,10B,10C,10D,10E インピーダンス整合回路
12 金属被膜
13 金属被膜
15 金属ワイヤ
20,20B,20C,20D,20E 基板
21,21B,21C,21D,21E 信号出力部
22 リード線
図1,図2に示すように、この光電変換モジュール1は、光ファイバ5により送信されてくる光信号を電気信号に変換し出力するモジュールである。この光電変換モジュール1は、パッケージ3と、光学レンズ6(光学窓)と、光信号を光電変換する光電変換素子8と、光電変換素子8の出力電極8aと信号出力部21との間に設けられインピーダンス整合回路10と、このインピーダンス整合回路10を組み込んだ基板20と、光電変換された電気信号を外部に出力する信号出力部21等を有する。
この光電変換素子8の出力電極8aは、インピーダンス整合回路10の入力側においてこの出力電極8aに隣接する金属被膜12と金属ワイヤ9にて電気的に接続されている。
金属ワイヤ15は、長さや太さに依存するインダクタンス成分15aを有し、金属ワイヤ9も同様のインダクタンス成分を有している(図3参照)。
インピーダンス整合回路10を有する光電変換モジュール1の反射減衰量特性が図4に図示され、伝送損失特性が図5に図示され、群遅延特性が図6に図示されている。
この測定に供したインピーダンス整合回路10においては、金属被膜12の数は4、金属被膜12のサイズは左右長が1.2mm、幅が0.15mm、隙間11の大きさは0.05mmであり、基板20の厚さ0.25mm、基板20を構成する材料の比誘電率は9.8である。
この光電変換モジュール1は、光通信の受信側において、先ず、光ファイバ5を伝送してくる光信号を、光学レンズ6などの光学系を介して効率良く光電変換素子8に導入させる。次に、この光電変換素子8により光信号を効率良く電気信号に変換し、その電気信号をインピーダンス整合回路10を介して信号出力部21に伝送させ、この信号出力部21から光電変換モジュール1の外部へ出力する。
図7,図8に示すように、この光電変換モジュール1Aにおける実施例1と同様の構成要素に同一の参照符号を付して説明を省略する。この光電変換モジュール1Aにおいては、光電変換素子8と2つの信号出力部21の間に、1つの増幅器30と、2つのインピーダンス整合回路10が設けられている。
インピーダンス整合回路10Bが設けられた光電変換モジュール1Bの反射減衰量特性が図11に図示され、伝送損失特性が図12に図示され、群遅延特性が図13に図示されている。尚、この測定に供したインピーダンス整合回路10Bにおいて、アイソレーション用溝47の幅は0.25mm、深さは0.05mmである。金属被膜12と金属ワイヤ15については、実施例1と同様である。
基板の表面にアイソレーション用溝47を形成したので、隣接する金属被膜12同士のアイソレーションを強化することができる。基板20Bが、信号出力部21Bとハンダなどの導電性材料で直接接続されていないため、個々の部品の製作が容易になり、インピーダンス整合回路10Bが組み込まれた基板20Bとして単体での市販が可能となる。他の効果については、実施例1と略同様の効果を奏するため説明は省略する。
接続線被膜52の幅や膜厚を適宜調整することにより、接続線被膜52のインダクタンス成分を調整できる。複数の金属被膜51と複数の接続線被膜52を同一工程で基板20C上に一体的に形成できるので、部品数を削減して製作コストを低減できる。また、信号出力部21Cが基板20Cに直接接続されていないため、構造が簡単になる。
図18,図19に示すように、インピーダンス整合回路10Dは、マイクロストリップ状の金属被膜61と金属ワイヤ62を有する。この金属被膜61は基板20Dの表面に形成され且つ信号出力部21Dに直接接続されている。金属ワイヤ62は、光電変換素子8の出力電極8aと金属被膜61とを電気的に接続している。
インピーダンス整合回路10Dを組み込んだ光電変換モジュール1Dの反射減衰量特性が図20に図示され、伝送損失特性が図21に図示され、群遅延特性が図22に図示されている。尚、この測定に供したインピーダンス整合回路10Dにおいて、金属被膜61の幅は0.24mm、特性インピーダンス約50Ω、接続部61aの直径は0.4mmである。基板20Dの厚さ0.25mm、基板20Dを構成する材料の比誘電率は9.8である。
マイクロストリップ状の金属被膜61を有するので、導体幅や膜厚などから特性インピーダンスを近似的に計算することができる。金属被膜61が信号出力部21Dに直接接続されているので、接続部61aのインダクタンス成分を十分に低減させることができる。そのため、金属被膜61のサイズを適宜調整することにより、信号出力部21Dに対するインピーダンス整合を確実に行うことができ、高周波の電気信号の伝送損失を抑制でき、反射減衰量特性を改善することができる。
図23,図24に示すように、この光電変換モジュール1Eにおいて、光学レンズ6、光電変換素子8、光電変換された電気信号を増幅する増幅器30については、実施例2と同様であるので、同様のものに同一符号を付して説明を省略する。
1)インピーダンス整合回路の複数の金属被膜数と複数の金属接続線の数量・形状は、必ずしも一定である必要はなく要求される仕様に応じてその数量・形状を適宜変更しても良い。
2)当業者ならば本発明の趣旨を逸脱しない範囲で前記実施例に種々の変更を付加した形態で実施することができ、本発明はそれらの変更形態も包含するものである。
Claims (5)
- 光ファイバにより送信されて来る光信号を電気信号に変換する光電変換素子と、光電変換された電気信号を外部に出力する信号出力部を有する光電変換モジュールにおいて、
前記光電変換素子又は光電変換素子に接続された増幅器と前記信号出力部の間に設けられたインピーダンス整合回路と、このインピーダンス整合回路を組み込んだ基板を設け、
前記インピーダンス整合回路は、前記基板の表面に隙間をあけて形成された複数の金属被膜と、これら金属被膜のうち隣接する金属被膜同士を電気的に接続する複数の金属接続線と、最も入力側の前記金属被膜を前記光電変換素子又は光電変換素子に接続された増幅器に接続する金属ワイヤとを有することを特徴とする光電変換モジュール。 - 複数の金属被膜のうち隣接する金属被膜の間の隙間において、前記基板の表面にアイソレーション用溝を形成したことを特徴とする請求項1に記載の光電変換モジュール。
- 前記アイソレーション用溝に、前記基板を形成する母材よりも低い誘電率の誘電体を充填したことを特徴とする請求項5に記載の光電変換モジュール。
- 前記金属接続線は金属ワイヤからなることを特徴とする請求項1に記載の光電変換モジュール。
- 前記金属接続線は前記金属被膜と一体の線状金属被膜からなることを特徴とする請求項1に記載の光電変換モジュール。
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