JPH0520358U - レーザダイオードチツプキヤリア - Google Patents
レーザダイオードチツプキヤリアInfo
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- JPH0520358U JPH0520358U JP6573391U JP6573391U JPH0520358U JP H0520358 U JPH0520358 U JP H0520358U JP 6573391 U JP6573391 U JP 6573391U JP 6573391 U JP6573391 U JP 6573391U JP H0520358 U JPH0520358 U JP H0520358U
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- Japan
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- laser diode
- chip carrier
- strip line
- diode chip
- cathode
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ファイバ通信の高速伝送に適するような、
電気一光変換時の周波数応答特性の優れているレーザダ
イオードチップを得る。 【構成】 レーザダイオードチップキャリアのアノード
電極側半分を導体９とし、カソード電極側をストリップ
線路基板１１とする。ストリップ線路基板１１のストリ
ップ線路１０上に薄膜抵抗１２を実装する。
電気一光変換時の周波数応答特性の優れているレーザダ
イオードチップを得る。 【構成】 レーザダイオードチップキャリアのアノード
電極側半分を導体９とし、カソード電極側をストリップ
線路基板１１とする。ストリップ線路基板１１のストリ
ップ線路１０上に薄膜抵抗１２を実装する。
Description
【０００１】
この考案は、光ファイバ通信に光源として用いてレーザダイオードを回路部品 として取り扱う際の最小単位であるレーザダイオードチップキャリアに関するも のである。
【０００２】
図５．は従来のレーザダイオードチップキャリアを示す断面図であり、図にお いて１は上面がカソードで下面がアノードのレーザダイオード、２はレーザダイ オード１のアノードとハンダ付けにより結合されたメタライズを施したアノード 電極、３はレーザダイオード１のカソードと結ばれるメタライズを施したカソー ド電極、４はレーザダイオード１のカソードとカソード電極３とを結ぶ第１のボ ンディングワイヤ、５はアノード電極２およびカソード電極３を持つチップキャ リア、６はレーザダイオード１のアノードと電気的に接続された接地面、７はレ ーザダイオード１のアノードと接地面６を接続するための第２のボンディングワ イヤ、８はレーザダイオード１のカソードに外部より給電するための第３のボン ディングワイヤである。
【０００３】 次に動作について説明する。電気信号は第３のボンディングワイヤ８、カソー ド電極３と第１のボンディングワイヤ４を経て、レーザダイオード１のカソード に給電される。また、レーザダイオード１のアノードはアノード電極２と第２の ボンディングワイヤ７とを経て接地面６に接地される。従って、レーザダイオー ド１は電気信号によって強度変調されたレーザ発光をする。
【０００４】
従来のレーザダイオードチップキャリアは以上のように構成されているので、 レーザダイオード、チップキャリア及び外部回路との各接続にはボンディングワ イヤを用いる必要があり、ボンディングワイヤのインダクタンスや浮遊容量によ り、電気一光変換時の周波数応答特性が悪くなり、高速伝送用には適さないとい う問題点があった。
【０００５】 この考案は上記のような課題を解消するためになされたもので、電気一光変換 時の周波数応答特性を改善できるとともに、レーザダイオードチップキャリアの 特性インピーダンスと給電系の特性インピーダンスの整合を高周波領域までとる ことができるレーザダイオードチップキャリアを得ることを目的とする。
【０００６】
この考案に係るレーザダイオードチップキャリアは、レーザダイオードチップ キャリアのレーザダイオードが搭載されるアノード電極側半分を導体としたもの である。
【０００７】 また、レーザダイオードチップキャリアのレーザダイオードのカソードと電気 的に接続されるカソード電極側を適当なインピーダンスのストリップ線路基板と したものである。
【０００８】 さらに、ストリップ線路基板のレーザダイオードの近傍のストリップ基板上に インピーダンス整合のための薄膜抵抗を実装したものである。
【０００９】
この考案におけるレーザダイオードチップキャリアは、レーザダイオードを実 装するための最小単位であるレーザダイオードチップキャリアと接地面との接続 にハンダ付けを用いることにより、ボンディングワイヤによるインダクタンス及 び浮遊容量の影響を除くことができ、電気一光変換時の周波数応答特性が向上す る。
【００１０】 また、レーザダイオードチップキャリアのレーザダイオードのカソードと電気 的に接続されるカソード電極側にストリップ線路基板を用い、ストリップ線路上 に薄膜抵抗を実装することにより、従来外部にインピーダンス整合回路を形成し ていた場合よりもさらに高周波領域までレーザダイオードチップキャリアの特性 インピーダンスと給電回路の特性インピーダンスとの整合をとることができる。
【００１１】
実施例１． 図１．は、この考案の一実施例を示す断面図であり、図において１は上面がカ ソードで下面がアノードのレーザダイオード、９はレーザダイオード１のアノー ドとハンダ付けにより結合された導体、１０は適当なインピーダンスをもつスト リップ線路、１１は上面がストリップ線路、下面は全面にメタライズを施したス トリップ線路基板であり、導体９とストリップ線路基板１１をロウ付け等で結合 し、チップキャリアを構成する点が従来の実施例と異なっている。４はレーザダ イオード１のカソードとストリップ線路基板１１とを結ぶ第１のボンディングワ イヤ、６はレーザダイオードチップキャリアをハンダ付けする接地面、８はレー ザダイオード１のカソードに外部より給電するための第３のボンディングワイヤ 、１２はストリップ線路１０上に実装された薄膜抵抗である。
【００１２】 前記のように構成されたレーザダイオードチップキャリアにおいては、直接接 地面６にハンダ付けできることにより、レーザダイオード１のアノードから接地 面６までのボンディングワイヤによるインダクタンス及び浮遊容量の影響を除く ことができる。従って、電気信号はレーザダイオード１のカソードには第１のボ ンディングワイヤを経て給電することができ、また、レーザダイオード１のアノ ードは直接接地される。これによって、レーザダイオード１は電気信号によって 強度変調された高周波的に優れたレーザ発光をする。
【００１３】 さらに、上記レーザダイオードチップキャリアのレーザダイオード１のカソー ド給電側にストリップ線路基板１１を用い、ストリップ線路１０上に薄膜抵抗１ ２が実施されているために、上記レーザダイオードチップキャリアの特性インピ ーダンスが高周波領域まで適当な値で安定し、上記レーザダイオードチップキャ リアの特性インピーダンスと給電系の特性インピーダンスとの整合をより高周波 領域までとることができる。
【００１４】 実施例２． 上記実施例１では、導体９とストリップ線路基板１１の高さが等しいものを示 したが、図２．に示すように、導体９を階段状にし、ストリップ線路基板１１の 下面をロウ付け等で固定する方法のものでも良い。
【００１５】 実施例３． また、上記実施例１では、レーザダイオード１を接地面６に平行な面にハンダ 付けする方法のものを示したが、図３．に示すように、導体９をストリップ線路 基板１１の高さよりも高くし、接地面６に垂直な面にハンダ付けする方法のもの でも良い。この場合、上記実施例１よりボンディングワイヤ４の長さを短かくで きるという利点がある。
【００１６】 実施例４． さらに、図４．に示すように、導体９を階段状にし、ストリップ線路基板１１ の下面をロウ付け等で固定し、レーザダイオード１を接地面に垂直な面にハンダ 付けする方法のものでも良い。
【００１７】 ところで、上記説明では、この考案をレーザダイオードへの利用の場合につい て述べたが、発光ダイオード、フォトダイオード、アバランシ・フォトダイオー ドへも転用できる。
【００１８】
この考案は以上説明したように構成されているので、以下に記載されるような 効果を奏する。
【００１９】 レーザダイオードのアノードをハンダ付けにより直接ハンダ付けできるので、 ワイヤボンディングによるインダクタンス及び浮遊容量の影響が除け、電気一光 変換時の周波数応答特性が向上する。
【００２０】 また、ストリップ線路基板を用い、ストリップ線路上に薄膜抵抗が実装されて いるため、レーザダイオードチップキャリアの特性インピーダンスと給電系の特 性インピーダンスとの整合を高周波領域までとることができ、電気的反射が防げ る。
【００２１】 レーザダイオードの接地時のボンディングワイヤが無くなったために、ワイヤ をボンディングする作業が減る。
【図１】この考案の実施例１を示す断面図である。
【図２】この考案の実施例２を示す断面図である。
【図３】この考案の実施例３を示す断面図である。
【図４】この考案の実施例４を示す断面図である。
【図５】従来のレーザダイオードチップキャリアを示す
断面図である。
断面図である。
１ レーザダイオード ９ 導体 １０ ストリップ線路 １１ ストリップ線路基板 １２ 薄膜抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 1/00 Ｂ 4241−5Ｊ
Claims (3)
- 【請求項１】 光を放出するレーザダイオードを、チッ
プキャリアに搭載したレーザダイオードチップキャリア
において、上記チップキャリアの上記レーザダイオード
が搭載されるアノード電極側半分を導体としたことを特
徴とするレーザダイオードチップキャリア。 - 【請求項２】 上記チップキャリアの上記レーザダイオ
ードのカソードと電気的に接続されるカソード電極側を
ストリップ線路基板としたことを特徴とする請求項第１
項記載のレーザダイオードチップキャリア。 - 【請求項３】 上記ストリップ線路基板の上記レーザダ
イオードの近傍のストリップ線路上に薄膜抵抗を実装し
たことを特徴とする請求項第１項記載のレーザダイオー
ドチップキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6573391U JPH0520358U (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | レーザダイオードチツプキヤリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6573391U JPH0520358U (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | レーザダイオードチツプキヤリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0520358U true JPH0520358U (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=13295522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6573391U Pending JPH0520358U (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | レーザダイオードチツプキヤリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0520358U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009072163A1 (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Kyosemi Corporation | 光電変換モジュール |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184895A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Nec Corp | レーザダイオード・チップキャリア |
| JPH02249256A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-10-05 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH02278782A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Nec Corp | 半導体発光素子用ヒートシンク |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP6573391U patent/JPH0520358U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184895A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Nec Corp | レーザダイオード・チップキャリア |
| JPH02249256A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-10-05 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH02278782A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-15 | Nec Corp | 半導体発光素子用ヒートシンク |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009072163A1 (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Kyosemi Corporation | 光電変換モジュール |
| JP5118151B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2013-01-16 | 京セミ株式会社 | 光電変換モジュール |
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