JPH054534U - レーザダイオードチツプキヤリア - Google Patents

レーザダイオードチツプキヤリア

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JPH054534U
JPH054534U JP006646U JP664691U JPH054534U JP H054534 U JPH054534 U JP H054534U JP 006646 U JP006646 U JP 006646U JP 664691 U JP664691 U JP 664691U JP H054534 U JPH054534 U JP H054534U
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JP
Japan
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laser diode
electrode
chip carrier
diode chip
submount
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Application number
JP006646U
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English (en)
Inventor
健之 増田
竜夫 八田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH054534U publication Critical patent/JPH054534U/ja
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    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光ファイバ通信の高速伝送用に適するよう
な、電気−光変換時の周波数応答特性の優れているレー
ザダイオードチップキャリアを得る。 【構成】 レーザダイオードチップキャリアの第１の電
極２及び第２の電極３をレーザダイオード１のハンダ付
け面の反対の面にまで形成する。サブマウント５を階段
形にし、第１の電極２と第２の電極３との段差をレーザ
ダイオード１の高さに等しくする。第２の電極上に薄膜
抵抗１０を実装する。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
この考案は、光ファイバ通信に光源として用いてレーザダイオードを回路部品 として取り扱う際の最小単位であるレーザダイオードチップキャリアに関するも のである。
【０００２】
【従来の技術】
図３は従来のレーザダイオードチップキャリアを示す断面図であり、図におい て１は上面がカソードで下面がアノードのレーザダイオード、２はレーザダイオ ード１のアノードとハンダ付けにより結合されたメタライズを施した第１の電極 、３はレーザダイオード１のカソードと結ばれるメタライズを施した第２の電極 、４はレーザダイオード１のカソードと第２の電極３とを結ぶ第１のボンディン グワイヤ、５は第１の電極２および第２の電極３を持つサブマウント、６はレー ザダイオード１のアノードと電気的に接続された接地面、７はレーザダイオード １のアノードと接地面６を接続するための第２のボンディングワイヤ、８はレー ザダイオード１のカソードに外部より給電するための第３のボンディングワイヤ である。
【０００３】 次に動作について説明する。電気信号は第３のボンディングワイヤ８、第２の 電極３と第１のボンディングワイヤ４を経て、レーザダイオード１のカソードに 給電される。また、レーザダイオード１のアノードは第１の電極２と第２のボン ディングワイヤ７とを経て接地面６に接地される。従って、レーザダイオード１ は電気信号によって強度変調されたレーザ発光をする。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】
従来のレーザダイオードチップキャリアは以上のように構成されているので、 レーザダイオード、サブマウント及び外部回路との各接続にはボンディングワイ ヤを用いる必要があり、ボンディングワイヤのインダクタンスにより、電気−光 交換時の周波数応答特性が悪くなり、高速伝送用には適さないという問題点があ った。
【０００５】 この考案は上記のような課題を解消するためになされたもので、電気−光変換 時の周波数応答特性を改善できるとともに、レーザダイオードチップキャリアの 特性インピーダンスと給電系の特性インピーダンスの整合を高周波領域までとる ことができるレーザダイオードチップキャリアを得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この考案に係るレーザダイオードチップキャリアは、レーザダイオードチップ キャリアのアノード側及びカソード側両方の電極のメタライズをサブマウントの レーザダイオードを取り付ける面からその反対の面まで施し、アノードとカソー ドを同一平面上にとれるようにしたものである。
【０００７】 また、サブマウントのアノード側の電極の面よりカソード側の電極の面を高く し、段差をレーザダイオードの高さに等しくしたものである。
【０００８】
【作用】
この考案におけるレーザダイオードチップキャリアは、レーザダイオードを実 装するための最小単位であるレーザダイオードチップキャリアと外部回路の接続 にハンダ付けを用いることにより、ボンディングワイヤによるインダクタンスの 影響をなくすことができる。さらに、サブマウントの形状を変えボンディングワ イヤの長さを短くすると、ボンディングワイヤのインダクタンスが小さくなり、 以上のことから電気−光変換時の周波数応答特性が向上する。
【０００９】 また、カソード側のメタライズを施した電極上にインピーダンス整合のための 薄膜抵抗を実装したものである。
【００１０】 また、薄膜抵抗を実装することにより、従来外部に整合回路を形成していた場 合よりもさらに高周波領域までレーザダイオードチップキャリアの特性インピー ダンスと給電系の特性インピーダンスの整合をとることができる。
【００１１】
【実施例】
実施例１． 図１はこの考案の一実施例を示す断面図であり、図において１は上面がカソー ドで下面がアノードのレーザダイオード、２はレーザダイオード１のアノードを ハンダ付により結合されたメタライズを施した第１の電極であり、レーザダイオ ードをハンダ付けした面から反対の面にまで形成されている。３はレーザダイオ ード１のカソードと結ばれるメタライズを施した第２の電極であり、第１の電極 ２と同様に反対面にまで電極が形成されている。４はレーザダイオード１のカソ ードと第２の電極３とを結ぶ第１のボンディングワイヤであり、極力長さを短く する。５は第１の電極２及び第２の電極３を持つサブマウントであり、レーザダ イオード１の高さ分だけ第２の電極３の面を第１の電極２の面より高くした点が 従来の実施例と異なっている。９は基板であり、基板上にレーザダイオードチッ プキャリアをハンダ付けする。１０は第２の電極３上に実装された薄膜抵抗であ る。
【００１２】 前記のように構成されたレーザダイオードチップキャリアにおいては、直接基 板９にハンダ付けできることによりボンディングワイヤが第１のボンディングワ イヤ４の１本のみとなり、さらに、第１のボンディングワイヤ４は従来より短く なっている。従って電気信号はレーザダイオード１のカソードには基板９の給電 系のパターンより直接第２の電極３と第１のボンディングワイヤ４を経て給電す ることができ、また、レーザダイオード１のアノードは第１の電極２を経て基板 ９のグランドに接地することができる。これによって、レーザダイオード１は電 気信号によって強度変調された高周波的に優れたレーザ発光をする。
【００１３】 また、薄膜抵抗１０がレーザダイオード１と近い位置に実装されているために 、その間の分布定数回路がより高周波領域まで無視することができ、上記レーザ ダイオードチップキャリアの特性インピーダンスと給電系の特性インピーダンス との整合をより高周波領域までとることができる。
【００１４】 実施例２． 上記実施例１では基板９を用いたが、図２に示すように接地面１１上に上記レ ーザダイオードチップキャリアの第１の電極２のみをハンダ付けし、第２の電極 ３には別に給電系の基板１２をハンダ付けする方法でも同様の動作を期待できる 。
【００１５】
【考案の効果】
この考案は以上説明したように構成されているので、以下に記載されるような 効果を奏する。
【００１６】 レーザダイオードチップキャリアの電極をハンダ付けして実装することができ 、ボンディングワイヤの長さを短くできるので、インダクタンスが小さくなり、 電気−光変換時の周波数応答特性が向上する。
【００１７】 サブマウント自体に薄膜抵抗が実装されているため、レーザダイオードチップ キャリアの特性インピーダンスと給電系の特性インピーダンスとの整合を高周波 領域までとることができ反射が防げる。
【００１８】 表面実装チップ部品であるので、ハンダ付けで基板などへ容易に組み込むこと ができる。
【００１９】 ボンディングワイヤを１本に減らしたために、ワイヤをボンディングする作業 が１回で済む。
【図面の簡単な説明】
【図１】この考案の実施例１を示す断面図である。
【図２】この考案の実施例２を示す断面図である。
【図３】従来のレーザダイオードチップキャリアを示す
断面図である。
【符号の説明】
１ レーザダイオード ２ 第１の電極 ３ 第２の電極 ４ 第１のボンディングワイヤ ５ サブマウント １０ 薄膜抵抗

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光を放出するレーザダイオードを、サブ
    マウントに搭載したレーザダイオードチップキャリアに
    おいて、上記サブマウントのメタライズを施した電極を
    上記サブマウントの反対面にまで形成し、アノードとカ
    ソードの電極が同一平面上にとれるようにしたことを特
    徴とするレーザダイオードチップキャリア。
  2. 【請求項２】 サブマウントの形状を階段型にし、階段
    の段差をレーザダイオードの高さと等しくなるようにし
    たことを特徴とする請求項第１項記載のレーザダイオー
    ドチップキャリア。
  3. 【請求項３】 レーザダイオードの近傍に薄膜抵抗を実
    装したことを特徴とする請求項第１項記載のレーザダイ
    オードチップキャリア。
JP006646U 1991-02-18 1991-02-18 レーザダイオードチツプキヤリア Pending JPH054534U (ja)

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Family

ID=11644139

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JP006646U Pending JPH054534U (ja) 1991-02-18 1991-02-18 レーザダイオードチツプキヤリア

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Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227724A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置
US9329077B2 (en) 2013-02-13 2016-05-03 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor photodetector device

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