JP5112909B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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請求項2に記載の成膜装置によれば、シャッターが連通孔を閉じることから、成膜室と収容室との間の流路抵抗を増幅できる。すなわち、この成膜装置は、触媒線を用いた成膜処理を実行する際に、成膜室から収容室への成膜ガスの漏洩を抑制できる。そして、この成膜装置は、シャッターが触媒線の直線部分を前記成膜室へ配置することを可能とする開放スリットとを有することから、折り曲げられた触媒線を、成膜室と収容室との間で円滑に昇降できる。したがって、この成膜装置は、触媒線を用いた成膜室における成膜処理と、触媒線を退避させた成膜室におけるクリーニング処理とを円滑に実行できる。
請求項7に記載の成膜方法は、基板を成膜室へ搬入して加熱される触媒線と成膜ガスとの接触によって前記基板に薄膜を成膜する成膜方法であって、前記成膜室の上側には、端子を収容する収容室が連結され、前記成膜室における上側には、前記成膜室を上下方向へ貫通する貫通孔が形成され、前記貫通孔は前記成膜室と前記収容室との間を連通し、前記収容室には、前記触媒線が移動可能な連通孔が形成されて前記触媒線の直線部分が前記成膜室に配置された状態で前記連通孔を覆うブロックが設けられ、前記成膜室内には、前記触媒線の直線部分が前記成膜室に配置された状態で前記連通孔を覆う閉位置と前記連通孔を開放する開位置とに移動するシャッターが設けられ、前記シャッターを前記開位置に配置して前記連通孔を開けて、前記収容室に収容された端子を第一位置から第二位置へ下降させることにより、前記端子から下方へ延びる直線部分を有して折り曲げられた前記触媒線の一部を前記成膜室へ移動し、その後、前記シャッターを前記閉位置に配置して前記連通孔を前記シャッターで閉じてから前記成膜室へ成膜ガスを供給することにより前記基板に前記薄膜を成膜する工程と、前記シャッターを前記開位置に配置して前記連通孔を開けて、前記端子を前記第二位置から前記第一位置へ上昇させることにより、前記触媒線を前記収容室へ収容し、その後、前記シャッターを前記閉位置に配置して前記連通孔を前記シャッターで閉じてから前記成膜室へクリーニングガスを供給することにより前記成膜室をクリーニングする工程と、を有することを要旨とする。
(半導体装置の製造装置10)
図1において、半導体装置の製造装置10は、クラスター形式の製造装置であり、搬送チャンバ11には、基板Sを収容する2つのロードロックチャンバ(以下単に、LLチャンバ12という。)と、基板Sに成膜処理を施すための複数の触媒CVDチャンバ13とが連結されている。
次に、触媒CVDチャンバ13について以下に説明する。図2(a)は触媒CVDチャンバ13を示す側断面図であり、図2(b)は図2(a)のA−A断面図である。なお、以下では、搬送チャンバ11から触媒CVDチャンバへ向かう水平方向をY方向とし、鉛直方向上方をZ方向、これらY方向及びZ方向と直交する方向をX方向と言う。
される基板Sを受けて該基板Sを静電気的に吸着するとともに、吸着した基板Sの温度を室温に維持する。
とき、昇降機構35の駆動量に応じた位置へ昇降する。なお、本実施形態においては、ホルダ34の位置であって、最も下方にある位置(図2(a)に示す実線位置)を第二位置とし、ホルダ34の位置であって、最も上方にある位置(図2(a)に示す二点鎖線位置)を第一位置と言う。
37は、触媒線36における各直線部分36bを出し入れすると共に、触媒線36の外周を、それぞれ対応する開放スリット37aと連通孔33hとによって囲み、連通孔33hの下側の殆どを遮蔽面37sで覆う。
図4において、制御部40は、第一排気部22及び第二排気部32を駆動して成膜室21及び退避室31を所定圧力に減圧する。次いで、制御部40は、静電チャック28、ホルダ34、及びシャッター37をそれぞれ初期位置、すなわち搬送位置、第一位置、及び開位置に配置し、ゲートバルブGV2を閉じる。
止させ、回動機構29を駆動して静電チャック28を搬送位置へ回動させる。そして、制御部40は、静電チャック28に基板Sの吸着を解除させ、静電チャック28の上にある基板Sを搬送ロボット14に搬出させて成膜処理を終了する。以後同様に、制御部40は、複数の基板Sに対して上記成膜処理を繰り返して実行する。
(1)上記実施形態の触媒CVDチャンバ13は、成膜室21と退避室31との間を連通して触媒線36を移動可能にする連通孔33hと、連通孔33hを覆うように退避室31に設けられて、触媒線36のシリサイド化を防止するためのブロック33とを有する。
したがって、触媒CVDチャンバ13によれば、退避室31に設けられたブロック33により、成膜室21と退避室31との間の流路抵抗を増幅でき、成膜室21から退避室31への成膜ガスの漏洩を抑制できる。その結果、触媒CVDチャンバ13は、触媒線36のシリサイド化を防止することができ、触媒線36を用いた成膜室21における成膜処理と、触媒線36を退避させた成膜室21におけるクリーニング処理とを円滑に実行できる。
・上記実施形態の触媒線36は、下方に延びる直線部分36bを有して下端で折り曲げられた形状を呈するが、これに限らず、触媒線36は、下方に延びる直線部分36bの上
端や中間部で折り曲げられた形状であっても良い。
Claims (7)
- 加熱される触媒線と成膜ガスとの接触によって基板に薄膜を成膜する成膜室を備えた成膜装置であって、
前記成膜室の上側に連結して端子を収容する収容室を備え、
前記触媒線が、前記端子から前記成膜室へ延びる直線部分を有して折り曲げられて、タングステン、白金、イリジウム、タンタル、グラファイト、モリブデン、ニクロムからなる群から選択される少なくともいずれか一つの高融点金属からなり、
前記成膜室における上側には、前記成膜室を上下方向へ貫通する貫通孔が形成され、前記貫通孔は前記成膜室と前記収容室との間を連通し、
前記収容室に設けられ、前記触媒線が移動可能な連通孔が形成されて前記触媒線の直線部分が前記成膜室に配置された状態で前記貫通孔を覆うブロックと、
前記成膜室内に設けられ、前記触媒線の直線部分が前記成膜室に配置された状態で前記連通孔を覆うシャッターと、をさらに備える
ことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1に記載の成膜装置であって、
前記シャッターは、前記触媒線の直線部分を出し入れ可能な開放スリットを有することを特徴とする成膜装置。 - 請求項1又は2に記載の成膜装置であって、
前記触媒線の直線部分が前記成膜室に配置された状態で前記連通孔を覆う前記シャッターの位置を閉位置とし、
前記連通孔を開放する前記シャッターの位置を開位置とし、
成膜ガスとクリーニングガスとを選択的に前記成膜室へ供給するガス供給部と、
前記シャッターの駆動を制御する制御部と、を備え、
前記ガス供給部が前記成膜ガスを供給する場合には、前記シャッターを前記開位置に配置し、前記端子を移動して前記連通孔を通して前記触媒線の直線部分を前記成膜室に配置し、その後、前記シャッターを前記閉位置に配置して前記連通孔を前記シャッターで覆い、
前記ガス供給部が前記クリーニングガスを供給する場合には、前記シャッターを前記開
位置に配置し、前記端子を移動して前記触媒線の全体を前記収容室へ収容し、その後、前記シャッターを前記閉位置に配置して前記連通孔を前記シャッターで再び覆う
ことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載の成膜装置であって、
前記薄膜は、シリコン酸化物とシリコン窒化物の少なくともいずれか一方であり、
前記シャッターは、石英、アルミナ、イットリア、ジルコニア、ダイアモンドライクカーボンからなる群から選択されるいずれか一つの絶縁体からなることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1〜4のいずれか1つに記載の成膜装置であって、
前記触媒線は、上下方向を含む一つの面に沿ったU字状、V字状、W字状、Y字状、コ字状からなる群から選択されるいずれか一つの形状を呈し、
前記連通孔は、前記面に沿って前記ブロックを貫通する孔であること
を特徴とする成膜装置。 - 請求項1〜5のいずれか1つに記載の成膜装置であって、
前記触媒線は、前記端子から下方に延びる直線部分の下端で折り曲げられた形状を呈することを特徴とする成膜装置。 - 基板を成膜室へ搬入して加熱される触媒線と成膜ガスとの接触によって前記基板に薄膜を成膜する成膜方法であって、
前記成膜室の上側には、端子を収容する収容室が連結され、
前記成膜室における上側には、前記成膜室を上下方向へ貫通する貫通孔が形成され、前記貫通孔は前記成膜室と前記収容室との間を連通し、
前記収容室には、前記触媒線が移動可能な連通孔が形成されて前記触媒線の直線部分が前記成膜室に配置された状態で前記貫通孔を覆うブロックが設けられ、
前記成膜室内には、前記触媒線の直線部分が前記成膜室に配置された状態で前記連通孔を覆う閉位置と前記連通孔を開放する開位置とに移動するシャッターが設けられ、
前記シャッターを前記開位置に配置して前記連通孔を開けて、前記収容室に収容された端子を第一位置から第二位置へ下降させることにより、前記端子から下方へ延びる直線部分を有して折り曲げられた前記触媒線の一部を前記収容室から前記成膜室へ移動し、その後、前記シャッターを前記閉位置に配置して前記連通孔を前記シャッターで閉じてから前記成膜室へ成膜ガスを供給することにより前記基板に前記薄膜を成膜する工程と、
前記シャッターを前記開位置に配置して前記連通孔を開けて、前記端子を前記第二位置から前記第一位置へ上昇させることにより、前記触媒線を前記収容室へ収容し、その後、前記シャッターを前記閉位置に配置して前記連通孔を前記シャッターで閉じてから前記成膜室へクリーニングガスを供給することにより前記成膜室をクリーニングする工程と、を有することを特徴とする成膜方法。
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