JP5109742B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体発光装置に関し、特に導電性基板上に半導体発光機能層を有する半導体発光装置に関する。

半導体発光装置として例えば半導体発光ダイオードの需要が高まっている。特に、窒化物系半導体を発光機能層とする半導体発光ダイオードにおいては紫外〜緑色の波長の光を出力することができる。

近年、半導体発光ダイオードの基板に導電性基板を採用し、この導電性基板の表面上に窒化物系半導体からなる発光機能層を成膜する成膜技術の開発が進められている。導電性基板の採用は、素子設計の自由度が増すばかりか、価格の比較的安い基板材料を使用することができ、既存のシリコン半導体製造プロセスを利用することができるので、有利である。導電性基板には、珪素（Ｓｉ）基板、炭化珪素（ＳｉＣ）基板等が使用されている。

ところが、導電性基板の表面上に窒化物系半導体を形成し、結晶性の良い発光機能層を得ることが難しい。例えば、導電性基板の表面と発光機能層との界面又は発光機能層の初期層付近に電気抵抗の高い層が発生する。このような電気抵抗の高い層が発生した場合、半導体発光ダイオードの順方向電圧が増大し、半導体発光ダイオードの発光効率の低下、発熱の増加、寿命の低下が生じる。

下記特許文献１には、炭化珪素基板とその表面上に電気抵抗の高い層を介在して形成された発光機能層との間を金属短絡電極により電気的に接続し、この金属短絡電極を用いて電気抵抗の高い層をバイパスする半導体発光ダイオードが開示されている。この半導体発光ダイオードにおいては、上記順方向電圧の増大を抑制することができる。
特許第２７４１７０５号公報

しかしながら、上記特許文献１に開示されている半導体発光ダイオードにおいては、以下の点について配慮がなされていなかった。上記半導体発光ダイオードに採用された金属短絡電極は発光機能層の側面に形成されている。半導体発光ダイオードにおいては、発光機能層の上面から光が出力されるとともに、発光機能層の側面からも光が出力される。このため、発光機能層の側面から出力される光が金属短絡電極により遮蔽され、この発光機能層の側面から出力される光を有効に利用することができないので、半導体発光ダイオードの発光効率が低下する。

本発明は上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、導電性基板とその表面上に配設された半導体発光機能層との間の順方向電圧を減少することができ、かつ発光効率を向上することができる半導体発光装置を提供することである。

上記課題を解決するために、本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、半導体発光装置において、導電性基板と、導電性基板の一表面上に配設された第１の導電型の第１の半導体層、この第１の半導体層上に配設された第１の導電型とは逆の第２の導電型の第２の半導体層を有する半導体発光機能層とを備え、半導体発光機能層の第１の半導体層の周囲側面に沿ってそれぞれ交互に配設された、半導体発光機能層からその外部に光を出力する第１の光出力面及びこの第１の光出力面に対して交差する面を有し第１の光出力面から出力される光量に比べて少ない光量の光が出力される第２の光出力面と、第２の光出力面に沿って配設され、第１の半導体層と導電性基板の一表面との間を電気的に接続する配線とを備え、第１の光出力面は第１の半導体層の周囲側面に沿って交互に配設された凸側面及び凹側面であり、第２の光出力面は第１の光出力面の凸側面と凹側面との間の段差側面である。

また、第１の特徴に係る半導体発光装置において、第１の半導体層の第１の光出力面の面法線に対して、第１の光出力面において半導体発光機能層からその外部に光を出力可能な臨界角の角度範囲内に第２の光出力面が配設されていることが好ましい。

また、第１の特徴に係る半導体発光装置において、配線は、第１の半導体層から導電性基板にこれら双方の間の界面を通して至る電流経路の比抵抗値に対して、小さい比抵抗値を有する材料により構成されていることが好ましい。

本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、半導体発光装置において、一表面側に少なくとも導電体を有する導電性基板と、導電性基板の導電体の一表面上に配設された第１の導電型の第１の窒化物系半導体層、この第１の窒化物系半導体層上に配設された第１の導電型とは逆の第２の導電型の第２の窒化物系半導体層を有する半導体発光機能層とを備え、半導体発光機能層の第１の窒化物系半導体層の周囲側面に沿ってそれぞれ交互に配設された、半導体発光機能層からその外部に光を出力する第１の光出力面及びこの第１の光出力面に対して交差する面を有し第１の光出力面から出力される光量に比べて少ない光量の光が出力される第２の光出力面と、第２の光出力面に沿って配設され、第１の窒化物系半導体層と導電性基板の導電体の一表面との間を電気的に接続する配線とを備え、第１の光出力面は第１の窒化物系半導体層の周囲側面に沿って交互に配設された凸側面及び凹側面であり、第２の光出力面は第１の光出力面の凸側面と凹側面との間の段差側面である。

本発明によれば、導電性基板とその表面上に配設された半導体発光機能層との間の順方向電圧を減少することができ、かつ発光効率を向上することができる半導体発光装置を提供することができる。

次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

また、以下に示す実施の形態はこの発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態は、窒化物系半導体により半導体発光機能層が構成された半導体発光ダイオードを半導体発光装置とし、この半導体発光装置に本発明を適用した例を説明するものである。

［半導体発光装置の構成］
図１乃至図３に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光装置１は、導電性基板２と、導電性基板２の一表面２Ａ上に配設された第１の導電型の第１の半導体層３１、この第１の半導体層３１上に配設された第１の導電型とは逆の第２の導電型の第２の半導体層３３を有する半導体発光機能層３とを備え、半導体発光機能層３の第１の半導体層３１の周囲側面に沿ってそれぞれ交互に配設された、半導体発光機能層３からその外部に光を出力する第１の光出力面３１１、３１２及びこの第１の光出力面３１１、３１２に対して交差する面を有し第１の光出力面３１１、３１２から出力される光量に比べて少ない光量の光が出力される第２の光出力面３１３と、第２の光出力面３１３に沿って配設され、第１の半導体層３１と導電性基板２の一表面２Ａとの間を電気的に接続する配線６とを備える。

導電性基板２は、少なくとも一表面２Ａ側の一部に導電性を有し、半導体発光機能層３の直接的な結晶成長基板又はバッファ層を介して半導体発光機能層３の間接的な結晶成長基板として使用される。第１の実施の形態において、導電性基板２には例えば単結晶珪素（Ｓｉ）基板、炭化珪素（ＳｉＣ）基板等を使用することができる。単結晶珪素基板は、全体的に抵抗値を減少する不純物が活性化されて全体的に導電性を備えていてもよいし、一表面２Ａ部分に抵抗値を低減する不純物が活性化されて部分的に導電性を備えていてもよい。また、導電性基板２には、絶縁性基板上に珪素等の導電層を有する基板、すなわち一表面２Ａ部分に少なくとも導電性を有する基板を使用することができる。図２に示すように、導電性基板２の平面形状は第１の実施の形態において方形状により構成されている。具体的には、この導電性基板２の平面形状は例えば一辺を３００μｍとする正方形状により構成されている。

半導体発光機能層３は、第１の実施の形態において、導電性基板２の一表面２Ａ上のバッファ（緩衝）層３０を介して配設された第１の半導体層３１と、この第１の半導体層３１上に配設された活性層３２と、この活性層３２上に配設された第２の半導体層３３とを備える。ここで、第１の実施の形態において、第１の導電型はｎ型であり、第２の導電型はｐ型である。

バッファ層３０は例えば窒化物系半導体により構成される。第１の実施の形態において、このバッファ層３０は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層と窒化ガリウム（ＧａＮ）層とを交互に繰返し積層した多層構造により構成されている。繰り返し積層された１つの層のＡｌＮ層の厚さは例えば０．５ｎｍ−５．０ｎｍに設定される。繰り返し積層された１つの層のＧａＮ層の厚さは例えば５ｎｍ〜５５００ｎｍに設定される。なお、バッファ層３０はＡｌＮ層とＧａＮ層との多層構造に限定されるものではなく、ＡｌＮ層の代わりに例えば窒化インジウムアルミニウム（ＡｌＩｎＮ）、窒化ガリウムアルミニウム（ＡｌＧａＮ）及び窒化ガリウムインジウムアルミニウム（ＡｌＩｎＧａＮ）のいずれかから選択された窒化物系半導体層に置き換えることができる。また、バッファ層３０のＧａＮ層の代わりに例えば窒化ガリウムインジウム（ＩｎＧａＮ）、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮのいずれかから選択された窒化物系半導体層に置き換えることができる。また、バッファ層３０は、ＡｌＮ層の単層、ＧａＮ層の単層等、窒化物系半導体の単層構造により構成してもよい。

また、導電性基板２の一表面２Ａ上への第１の半導体層３１、活性層３２、第２の半導体層３３の各層のエピタキシャル成長性が良好な場合には、バッファ層３０を省略することができる。更に、バッファ層３０とその上に配設される第１の半導体層３１とが同一導電型のｎ型により構成される場合に、これらのバッファ層３０と第１の半導体層３１とは同一導電型になるので、双方を合わせて１つの第１の半導体層３１とみなすことができる。つまり、第１の実施の形態に係る半導体発光装置１においては、バッファ層３０を実効的に省略することができる。

半導体発光機能層３の第１の半導体層３１はバッファ層３０と活性層３２との間に配設されたｎ型クラッド層である。このｎ型クラッド層は活性層３１のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する。第１の半導体層３１には例えばｎ型ＧａＮ等の窒化物系半導体層が使用される。なお、ｎ型クラッド層は、必ずしもＧａＮ層に限定されるものではなく、それ以外のＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ等の別の窒化物半導体層に置き換えることができる。第１の実施の形態において、バッファ層３０及び第１の半導体層３１を含めた合計の膜厚は例えば２．６μｍ−５．２μｍに設定されている。

活性層３２は、ダブルヘテロ接合ＬＥＤを構成するために、第１の半導体層（ｎ型クラッド層）３１と第２の半導体層（ｐ型クラッド層）３３との間に配設される。活性層３２は例えばＩｎＧａＮ等の窒化物系半導体層により構成されている。活性層３２の膜厚は例えば５０ｎｍ−１００ｎｍに設定されている。

なお、図１中、活性層３２は、概略的に１つの層により表されているが、実際には多重量子井戸構造（ＭＱＷ）により構成されている。また、活性層３２は、単一量子井戸構造（ＳＱＷ）又は単一の半導体層により構成することができる。更に、第１の半導体層３１と第２の半導体層３３とを直接接合し、活性層３２を省略することができる。

第２の半導体層３３はｐ型クラッド層である。このｐ型クラッド層は活性層３２のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する。第２の半導体層３３には例えばｐ型ＧａＮ等の窒化物系半導体層が使用される。なお、ｐ型クラッド層は、必ずしもＧａＮ層に限定されるものではなく、それ以外のＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ等の別の窒化物系半導体層に置き換えることができる。第１の実施の形態において、第２の半導体層３３の膜厚は例えば０．１５μｍ−０．６０μｍに設定されている。

第２の半導体層３３上には光透過性導電膜４、第１の電極５のそれぞれが順次配設されている。光透過性導電膜４は、第２の半導体層３３に低抵抗で（オーミック的に）接続されている。光透過性導電膜４には例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層を使用することができる。また、光透過性導電膜４には例えば金（Ａｕ）−ニッケル（Ｎｉ）合金膜を使用することができる。この光透過性導電膜４は半導体発光機能層３に流れる電流分布の均一化を図る機能を有する。なお、電流分布の均一化が要求されない場合には、光透過性導電膜４を省略することができる。第１の電極５は第１の実施の形態においてアノード電極として使用される。第１の電極５には例えばＡｕ層を使用することができる。

この第１の電極５に対応する第２の電極７は、図１に示すように、導電性基板２の一表面２Ａに対向する他の一表面（裏面）２Ｂに配設されている。第２の電極７はカソード電極として使用され、第２の電極７には例えばＡｕ層又はアルミニウム（Ａｌ）層を使用することができる。

半導体発光機能層３の第１の半導体層３１の周囲側面に配設された第１の光出力面３１１は、周囲側面に沿って隣り合う第１の光出力面３１２よりも半導体発光機能層３の外側に突出した凸側面である。これに対して、第１の光出力面３１２は逆に第１の光出力面３１１よりも半導体発光機能層３の内側に窪んだ凹側面である。この第１の光出力面３１１、３１２は半導体発光機能層３の周囲側面に沿って交互に配設されている。第１の実施の形態において、第１の光出力面３１１及び３１２は第１の半導体層３１の周囲側面に配設されるとともに、バッファ層３０の側面周囲にも第１の光出力面３１１と同様の凸側面及び第１の光出力面３１２の凹側面が配設されている。

第２の光出力面３１３は第１の光出力面３１１の凸側面と第１の光出力面３１２の凹側面との間の段差側面である。ここで、第２の光出力面３１３の「第１の光出力面３１１、３１２から出力される光量に比べて少ない光量の光が出力される」とは、「第１の光出力面３１１、３１２から出力される光の光量に比べて少ない光量から光量ゼロまでの間の光が出力される」という意味で使用されている。

図２に示すように、第１の実施の形態において、第１の半導体層３１のバッファ層３０側の下層部分及びバッファ層３０の平面形状は方形状により構成されている。第１の半導体層３１の活性層３２側の上層部分、活性層３２及び第２の半導体層３３の平面形状は第１の半導体層３１の下層部分及びバッファ層３０の平面形状に比べて小さい相似形の方形状により構成されている。具体的には、例えば第１の半導体層３１の下層部分及びバッファ層３０の平面形状は一辺を２５０μｍ−２８０μｍとする正方形状により構成され、例えば第１の半導体層３１の上層部分、活性層３２及び第２の半導体層３３の平面形状は一辺を２００μｍ−２８０μｍとする正方形状により構成されている。第１の半導体層３１の下層部分と上層部分との間には平坦部分（第１の半導体層３１の下層部分の上面）を有する。

１つの第１の光出力面３１１の半導体発光機能層３の側面周囲に沿う長さは例えば２０μｍ−５０μｍに設定され、１つの第１の光出力面３１２の半導体発光機能層３の側面周囲に沿う長さは例えば２０μｍ−１００μｍに設定されている。また、第２の光出力面３１３の半導体発光機能層３の側面周囲に沿う長さ（第１の光出力面３１１とそれに隣り合う第１の光出力面３１２との間の段差側面の長さ）は例えば３μｍ−２０μｍに設定されている。

第１の実施の形態において、図２及び図３に示すように、半導体発光機能層３の中心点ＣＰから半導体発光機能層３の右辺中央に配設された第１の光出力面３１１に仮想的に引き出された破線に対して、この第１の光出力面３１１がなす角度α１は９０度（垂直）に設定されている。この仮想的に引き出された破線はこの第１の光出力面３１１の面法線に相当する。第１の光出力面３１１とそれに隣接する第１の光出力面３１２との間は第１の実施の形態において平行である。

ここでは図示していないが、少なくとも半導体発光機能層３の表面は光透過性を有する封止材により被覆される。封止材には例えばエポキシ系樹脂を使用することができる。半導体発光機能層３は窒化物系半導体により構成されているので例えばＧａＮ層の場合２．５の屈折率を有する。半導体発光機能層３を封止する封止材は例えばエポキシ系樹脂により構成した場合１．５の屈折率を有する。つまり、このような条件下においては、第１の光出力面３１１からその外部に出力可能な光は、半導体発光機能層３の内部から第１の光出力面３１１に臨界角αｃの範囲内において入射される光であり、第１の光出力面３１１の面法線に対して±３７度の角度範囲内において入射される光である。この臨界角αｃは、半導体発光機能層３の屈折率並びに封止材の屈折率の変化に応じて変わる。

図３に示すように、第２の光出力面３１３は前述の第１の光出力面３１１の面法線に対してこの臨界角αｃの角度範囲内に維持された状態おいて第１の光出力面３１１、３１２のそれぞれと交差して配設されている。第１の実施の形態において、第２の光出力面３１３は第１の光出力面３１１、３１２のそれぞれに対して９０度の角度において交差されている。換言すれば、第２の光出力面３１３は第１の光出力面３１１の面法線に対して平行に配設されている。

なお、第２の光出力面３１３は、臨界角αｃの角度範囲内に設定されていればよいので、図４に示すように、臨界角αｃの角度範囲内であって具体的には第１の光出力面３１１に対して５３度以上の公差角度α２において交差するように配設されてもよい。

配線６は、このように構成される第１の光出力面３１１とそれに隣り合う第１の光出力面３１２との間の第２の光出力面３１３の表面上に、半導体発光機能層３の内部から第１の光出力面３１１、３１２のそれぞれを通して出力される光を遮蔽しないように配設され、第１の半導体層３１と導電性基板２の一表面２Ａとの間を電気的に短絡する。基本的には、配線６は、第１の半導体層３１の側面と導電性基板２の一表面２Ａとの間であって第２の光出力面３１３の表面上に配設されていればよいが、第１の実施の形態においては第１の半導体層３１の下層部分の上面上にも配設されている。配線６は、第１の半導体層３１から導電性基板２にこれら双方の間の界面を通して至る電流経路の比抵抗値に対して、小さい比抵抗値を有する材料により構成されている。具体的には、配線６には例えばＡｌ層を使用することができ、例えばこのＡｌ層の膜厚は１００ｎｍ−２００ｎｍに設定されている。また、配線６には、バリアメタル層として機能する例えばチタン（Ｔｉ）層上にＡｌ層を積層した複合膜、Ｔｉ層上にＡｕ層を積層した複合膜、合金層、導電性を有する多結晶Ｓｉ層等を使用することができる。

［半導体発光装置の製造方法］
前述の第１の実施の形態に係る半導体発光装置１の製造方法は以下の通りである。ここでは、前述の図１乃至図３を参照しつつ、製造方法を簡単に説明する。

まず、導電性基板２の一表面２Ａ上に半導体発光機能層３が形成される。導電性基板２はこの時点ではウエーハ状態であり、半導体発光機能層３は導電性基板２の一表面２Ａ上の全面に形成される。半導体発光機能層３のバッファ層３０、第１の半導体層３１、活性層３２．第２の半導体層３３のそれぞれは例えばＭＯＶＰＥ（metal organic vapor phase epitaxy）法、ＭＢＥ（molecular beam epitaxy）法等のエピタキシャル成長法により成膜される。

引き続き、半導体発光機能層３上に光透過性導電膜４が形成される。光透過性導電膜４は例えば蒸着法、めっき法、スパッタリング法のいずれかの成膜法により成膜される。

次に、光透過性導電膜４、半導体発光機能層３の第２の半導体層３３、活性層３２、第１の半導体層３１の上層部分がパターンニングされる。このパターンニングは、例えばフォトリソグラフィ技術により形成されたマスクを使用し、異方性エッチングにより行われる。

次に、半導体発光機能層３の第１の半導体層３１の下層部分及びバッファ層３０がパターンニングされる。このパターンニングは、例えばフォトリソグラフィ技術により形成されたマスクを使用し、等方性エッチング、いわゆるメサエッチングにより行われる。このメサエッチングにより、第１の半導体層３１の下層部分並びにバッファ層３０の輪郭形状が決定されるとともに、第１の光出力面３１１、３１２及び第２の光出力面３１３が形成される。すなわち、第１の光出力面３１１、３１２及び第２の光出力面３１３の形成には特に製造工程を追加する必要がなく、第１の光出力面３１１、３１２及び第２の光出力面３１３は半導体発光装置１の製造プロセスに含まれるメサエッチング工程を利用しこのメサエッチング工程と同一製造工程において形成される。

次に、半導体発光機能層３の第２の光出力面３１３上に配線６が形成される。配線６の形成方法には例えばリフトオフ法を使用することができる。リフトオフ法は、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて配線６の形成領域以外にマスクを形成し、蒸着法、めっき法、スパッタリング法等の指向性の強い成膜法により配線６を形成し、この後にマスク及びその上の不必要な配線６を取り除く方法である。

引き続き、光透過性導電膜４上に第１の電極５が形成され、導電性基板２の他の一表面２Ｂ上に第２の電極７が形成される。これら一連の製造工程が終了すると、第１の実施の形態に係る半導体発光装置１が完成する。

このように構成される第１の実施の形態に係る半導体発光装置１においては、半導体発光機能層３の第１の半導体層３の周囲に沿って第１の光出力面３１１、３１２及び第２の光出力面３１３を備え、第２の光出力面３１３上に配線６を備えたので、導電性基板２とその一表面２Ａ上に配設された半導体発光機能層３の第１の半導体層３１との間の順方向電圧を配線６により減少することができ、かつ半導体発光機能層３の側面の第１の光出力面３１１及び３１２から遮蔽されることなく光を出力することができ、発光効率を向上することができる。

（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態は、前述の第１の実施の形態に係る半導体発光装置１の半導体発光機能層３の周囲側面の形状を変えた例を説明するものである。

［表示装置及び導光体の構成］
第２の実施の形態に係る半導体発光装置１は、図５に示すように、一辺中央から角に近づくに従い、半導体発光機能層３の側面周囲に配設される第１の光出力面３１１及び３１２と第２の光出力面３１３との交差角度を変化させている。すなわち、第２の光出力面３１３は半導体発光機能層３の中心点ＣＰから放射状に広がる仮想的な破線にできる限り平行になるように配設され、第２の光出力面３１３における不必要な光の遮蔽を減少することができる。

このように構成される第２の実施の形態に係る半導体発光装置１においては、前述の第１の実施の形態に係る半導体発光装置１により得られる効果に加えて、更に半導体発光機能層３の角部分に配設された配線６の光の遮蔽を減少することができるので、より一層発光効率を向上することができる。

（その他の実施の形態）
上記のように、本発明を第１の実施の形態並びに第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。本発明は様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術に適用することができる。例えば、前述の実施の形態においては、半導体発光装置１の半導体発光機能層３の周囲側面の全域に第１の光出力面３１１、第２の光出力面３１３、第１の光出力面３１２のそれぞれを順次繰り返し配設したが、本発明においては、半導体発光機能層３の周囲側面の角部にのみ第２の光出力面３１３を備え、この第２の光出力面３１３上に配線６を配設することができる。

また、前述の実施の形態において、配線６は導電性基板２と第１の半導体層３１との間を電気的に短絡しているが、本発明においては、配線６は、バッファ層３０と第１の半導体層３１との間を短絡するものとして構成し、このバッファ層３０と第１の半導体層３１との間にのみ配設してもよい。

また、前述の実施の形態において、導電性基板２にはＳｉ基板、ＳｉＣ基板を使用する例を説明したが、本発明は、これらの基板に限定されるものではなく、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板、ＡｌＮ基板、ＡｌＧａＮ基板、ＺｎＯ基板等の導電性酸化化合物基板を使用することができる。更に、本発明は、導電体の単一基板に限定されるものではなく、絶縁基板上に上記Ｓｉ、ＳｉＣや導電性酸化化合物を積層した導電性基板を使用してもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光装置の断面図（図２に示すＦ１−Ｆ１切断線で切った断面図）である。 第１の実施の形態に係る半導体発光装置の平面図である。 第１の実施の形態に係る半導体発光装置の要部拡大平面図である。 第１の実施の形態の変形例に係る半導体発光装置の要部拡大平面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る半導体発光装置の平面図である。

符号の説明

１…半導体発光装置
２…導電性基板
３…半導体発光機能層
３０…バッファ層
３１…第１の半導体層
３２…活性層
３３…第２の半導体層
３１１、３１２…第１の光出力面
３１３…第２の光出力面
４…光透過性導電膜
５…第１の電極
６…薄膜配線
７…第２の電極

Claims (4)

1. 導電性基板と、
   前記導電性基板の一表面上に配設された第１の導電型の第１の半導体層、この第１の半導体層上に配設された前記第１の導電型とは逆の第２の導電型の第２の半導体層を有する半導体発光機能層と、を備え、
   前記半導体発光機能層の前記第１の半導体層の周囲側面に沿ってそれぞれ交互に配設された、前記半導体発光機能層からその外部に光を出力する第１の光出力面及びこの第１の光出力面に対して交差する面を有し前記第１の光出力面から出力される光量に比べて少ない光量の光が出力される第２の光出力面と、
   前記第２の光出力面に沿って配設され、前記第１の半導体層と前記導電性基板の一表面との間を電気的に接続する配線と、
   を更に備え、前記第１の光出力面は前記第１の半導体層の前記周囲側面に沿って交互に配設された凸側面及び凹側面であり、前記第２の光出力面は前記第１の光出力面の凸側面と凹側面との間の段差側面であることを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記第１の半導体層の前記第１の光出力面の面法線に対して、前記第１の光出力面において前記半導体発光機能層からその外部に光を出力可能な臨界角の角度範囲内に前記第２の光出力面が配設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記配線は、前記第１の半導体層から前記導電性基板にこれら双方の間の界面を通して至る電流経路の比抵抗値に対して、小さい比抵抗値を有する材料により構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
4. 一表面側に少なくとも導電体を有する導電性基板と、
   前記導電性基板の前記導電体の一表面上に配設された第１の導電型の第１の窒化物系半導体層、この第１の窒化物系半導体層上に配設された前記第１の導電型とは逆の第２の導電型の第２の窒化物系半導体層を有する半導体発光機能層と、を備え、
   前記半導体発光機能層の前記第１の窒化物系半導体層の周囲側面に沿ってそれぞれ交互に配設された、前記半導体発光機能層からその外部に光を出力する第１の光出力面及びこの第１の光出力面に対して交差する面を有し前記第１の光出力面から出力される光量に比べて少ない光量の光が出力される第２の光出力面と、
   前記第２の光出力面に沿って配設され、前記第１の窒化物系半導体層と前記導電性基板の前記導電体の一表面との間を電気的に接続する配線と、
   を更に備え、前記第１の光出力面は前記第１の窒化物系半導体層の前記周囲側面に沿って交互に配設された凸側面及び凹側面であり、前記第２の光出力面は前記第１の光出力面の凸側面と凹側面との間の段差側面であることを特徴とする半導体発光装置。

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