JP5105620B2 - 膜形成方法および膜形成装置 - Google Patents
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
「反応性熱CVD法による多結晶SiGe薄膜の低温成長技術の開発」東京工業大学大学院理工学研究科附属像情報工学研究施設半那研究室[平成20(2008)年6月12日検索]インターネット(URL:http://www.isl.titech.ac.jp〜hanna/cvd.html)
請求項3に係る発明は、前記基板がガラスまたはプラスチックスよりなり、前記複数ガスがこのガラスまたはプラスチックスの軟化または相変化の温度または支持温度よりも高い温度であることを特徴とする請求項1または2記載の膜形成方法である。
1a 基板表面
1b 基板裏面
2a 高温ガスビーム
2b 高温ガス
2c 高温ガス
3 ガス吹付装置
3a 吹出孔
4 支持台
4a 熱媒体
4b 真空チャック溝
5 停滞層
6 高温ガスルーム
7 堆積性のガス(シランガス)
9 合流用ヘッダ
9a 合流用ヘッダのアパーチャ(吹出口)
10 高温ガスビーム
11,11A,11B 膜形成装置
12 基板
12a 基板表面
12b 基板裏面
13 支持台
13a 支持台表面
13b 真空チャック吸着用の複数の溝
13c 熱媒体
14 ガス吹付装置
15 外ケーシング
16 内ケーシング
17,17a,17b 加熱装置
18a 第1ガス導入口
18b 第2ガス導入口
18c 第3ガス導入口
19 電力線
20 第3の内側ガス導入管
21,22 一対の排気管
23 排気空間
24 カーボン中央板
25,26 左右一対のカーボン側板
27,28 左右一対の溝
27a,28a 左右一対の上部溝
29 第1の上部ガス導入縦孔
30 第2の上部ガス導入縦孔
31 第1の下部ガス吹出縦孔
32 第2の下部ガス吹出縦孔
35 第1ガス吹出孔
36 第2ガス吹出孔
37 第3ガス吹出孔
39 加熱用ランプ挿入孔
40 加熱用ランプ
41 温度センサ
42 高温領域
50 移動装置
51 基台
52 昇降台
53 ネジ
54 移動ネジ
55 軸受
56 モータ
60 合流用ヘッダ
60a 合流用ヘッダのアパーチャー(吹出口)
Claims (12)
- 支持台上に密着して支持された基板の表面上に、基板より高温の複数ガスを一つのガスビームに合流させてほぼ垂直に吹き付け、
前記支持台が冷却可能に構成され、
前記複数ガスは、加熱された複数の溝および複数の連通溝を経て前記基板の表面上に吹き付けられ、
前記複数の溝は、第1の方向に延在し、当該第1の方向と一平面内で直交する第2の方向に並べて配置され、
前記複数の連通溝は、前記第2の方向に延在し、前記第1の方向に並べて配置され、前記複数の溝のうち隣り合うもの同士を接続し、
前記複数の連通溝のうち前記溝から前記第2の方向の一方側に延在するものと、当該複数の連通溝のうち当該溝から当該第2の方向の他方側に延在するものと、は前記第1の方向において位置がずれて配置されることを特徴とする膜形成方法。 - 前記複数ガスは、堆積性を有する膜形成用の熱分解ガスを含むことを特徴とする請求項1記載の膜形成方法。
- 前記基板がガラスまたはプラスチックスよりなり、前記複数ガスがこのガラスまたはプラスチックスの軟化または相変化の温度または支持温度よりも高い温度であることを特徴とする請求項1または2記載の膜形成方法。
- 前記複数ガスを一つのガスビームに合流させて前記基板の表面上に吹き付ける角度を、当該基板の表面の垂直に対して±10°以内にすることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の膜形成方法。
- 基板およびこの基板を密着して支持する移動可能な支持台と、
所要の複数ガスを通す複数ガス通路およびこれらのガス通路のガスを所要の高温に加熱する加熱装置およびこれらの複数の高温ガスとこれら複数の高温ガスにより囲まれた高温空間に吐出された堆積性を有する膜形成用の熱分解ガスとを合流させて一つのガスビーム状に絞って前記基板表面にほぼ垂直に吹き付ける吹出孔を備えたガス吹付装置と、
を具備し、
前記支持台が冷却可能に構成され、
前記複数ガス通路は、前記加熱装置により加熱される複数の溝と、複数の連通溝と、を有し、
前記複数の溝は、第1の方向に延在し、当該第1の方向と一平面内で直交する第2の方向に並べて配置され、
前記複数の連通溝は、前記第2の方向に延在し、前記第1の方向に並べて配置され、前記複数の溝のうち隣り合うもの同士を接続し、
前記複数の連通溝のうち前記溝から前記第2の方向の一方側に延在するものと、当該複数の連通溝のうち当該溝から当該第2の方向の他方側に延在するものと、は前記第1の方向において位置がずれて配置されることを特徴とする膜形成装置。 - 前記所要の複数ガスは、窒素,水素,アルゴン,ヘリウム,酸素のいずれか1つ、またはこれらの2種以上の混合ガスを含むことを特徴とする請求項5記載の膜形成装置。
- 前記所要の複数ガスは、シリコンまたはカーボンまたはゲルマニュームを含む膜形成用の熱分解ガスを含むことを特徴とする請求項5または6記載の膜形成装置。
- 前記所要の複数ガスは、シラン(SiH 4 、Si 2 H 6 )またはハロゲン化シランと、これらと反応するN 2 O,NO 2 を含む酸化ガス、あるいはNH 3 を含む窒化ガスのいずれか、または両者を含むことを特徴とする請求項5から7のいずれか1項記載の膜形成装置。
- 前記ガス吹付装置を複数台並設し、これらガス吹付装置の並設方向に前記支持台を移動可能に構成したことを特徴とする請求項5から8のいずれか1項記載の膜形成装置。
- 前記基板がガラスまたはプラスチックスよりなり、前記高温ガスがこのガラスまたはプラスチックスの軟化温度または支持温度よりも高い温度であることを特徴とする請求項5から9のいずれか1項記載の膜形成装置。
- ガスを所要の高温に加熱する加熱装置が断熱材で囲われていることを特徴とすることを徴とする請求項5から10のいずれか1項記載の膜形成装置。
- 前記基板がデバイスを形成したシリコン基板であり、前記高温ガスが前記デバイスの最後の膜形成工程時の温度以上の高温であることを特徴とする請求項5から11のいずれか1項記載の膜形成装置。
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