JP5105081B2 - 機能性溶液供給システムおよび機能性溶液供給方法 - Google Patents
機能性溶液供給システムおよび機能性溶液供給方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5105081B2 JP5105081B2 JP2008099888A JP2008099888A JP5105081B2 JP 5105081 B2 JP5105081 B2 JP 5105081B2 JP 2008099888 A JP2008099888 A JP 2008099888A JP 2008099888 A JP2008099888 A JP 2008099888A JP 5105081 B2 JP5105081 B2 JP 5105081B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sulfuric acid
- acid solution
- storage tank
- use side
- circulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 191
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 110
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 31
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 30
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 18
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 47
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 20
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 16
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 208000035404 Autolysis Diseases 0.000 description 4
- 206010057248 Cell death Diseases 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000028043 self proteolysis Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- -1 Peroxide sulfate Chemical class 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
- C25B1/01—Products
- C25B1/28—Per-compounds
- C25B1/30—Peroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
- C25B1/01—Products
- C25B1/28—Per-compounds
- C25B1/29—Persulfates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B15/00—Operating or servicing cells
- C25B15/02—Process control or regulation
- C25B15/021—Process control or regulation of heating or cooling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B15/00—Operating or servicing cells
- C25B15/08—Supplying or removing reactants or electrolytes; Regeneration of electrolytes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
該システムでは、洗浄機21の出液側と電解セル23の入液側とを冷却器24、貯留槽22を介して循環路31の往路で接続し、電解セル23の出液側と洗浄機21の入液側とを、加熱器25を介して上記循環路31の復路で接続しており、1ループで各機器が接続されている。
このシステムでは、ポンプやバルブが少なくて済むメリットがあるが、以下に述べる課題もある。
図2(b)のシステムでは、洗浄機21と貯留槽22とを循環路31aの往路で接続し、前記貯留槽22と洗浄機21とを、加熱器25を介して循環路31aの復路で接続する。また、貯留槽22と電解セル23とを冷却器26を介して循環路31bの往路で接続し、前記電解セル23と貯留槽22とを循環路31bの復路で接続する。貯留槽22には循環液の温度低下を防ぐための加熱器27を設置する。すなわち、循環路31aの往路と循環路31aの復路で形成されるループと、循環路31bの往路と循環路31bの復路で形成されるループの2ループで各機器が接続されている。
以上のように、従来技術では貯留槽をレジスト分解反応を副次的に進行させる反応場として用いていた。
しかし、洗浄機21からの循環液の全量を、貯留槽22を介して循環するので、貯留槽22の液温が低下した貯留液を洗浄機21に返送する際の加熱器25の負荷を下げるために、貯留槽22に別途加熱器27を設置する必要がある。すると貯留槽22の硫酸溶液が高温に保持されるため貯留槽22内に流入した過硫酸はすぐに自己分解してしまい、洗浄機21に高濃度の過硫酸溶液を供給することが困難であるという問題がある。
しかし、洗浄機21での単位時間当たり必要過硫酸量が多い場合、即ち半導体ウェハへのドーズ量が多い、レジスト厚さが厚い、処理時間を短くしたいなどの場合、高濃度の過硫酸溶液を短時間で製造するためには多数の電解セル23を設置することが必要になるという問題がある。
しかしながらこの場合にも、洗浄機21からの循環液の全量を、貯留槽22に循環するので、貯留槽22の液温が低下した貯留液を洗浄機21に返送する際の加熱器25の負荷を下げるために、貯留槽22に別途加熱器27を設置する必要がある。それゆえ貯留槽22の硫酸溶液が高温に保持されるため貯留槽22内に流入した過硫酸はすぐに自己分解してしまい、洗浄機21に高濃度の過硫酸溶液を供給することが困難であるという問題が依然として残っている。また、洗浄機21での単位時間当たり必要過硫酸量が多い場合、即ち半導体ウェハへのイオンドーズ量が多い、レジスト厚さが厚い、処理時間を短くしたいなどの場合、高濃度の過硫酸溶液を製造するためには、やはり多数の電解セル23を設置することが必要になるという問題も残っている。
該システムが、硫酸溶液を貯留する貯留槽と、硫酸溶液を電解する電解装置と、硫酸溶液を加温する加温手段と、硫酸溶液を冷却する冷却手段と、以下の3つの循環ラインとを備えることを特徴とする機能性溶液供給システム。
1.前記貯留槽から排出された硫酸溶液を、前記加温手段を介することなく前記電解装置を介して前記貯留槽に戻す第1の循環ライン
2.前記使用側から導入された硫酸溶液を、前記加温手段を介することなく前記冷却手段及び前記貯留槽をこの順に介して前記使用側に戻す第2の循環ライン
3.前記使用側から導入された硫酸溶液を、前記冷却手段及び前記貯留槽を介することなく前記加温手段を介して前記使用側に戻す第3の循環ライン
第7の本発明は、硫酸溶液を電解することにより機能性溶液を製造して使用側に供給する機能性溶液供給方法であって、硫酸溶液を貯留する貯留槽から硫酸溶液を排出して加温手段による加温を経ることなく電解し、電解後の硫酸溶液を前記貯留槽に戻す循環工程と、前記使用側から導入された硫酸溶液を、加温手段による加温を経ることなく、冷却手段により冷却した後に前記貯留槽に送液し、前記貯留槽から硫酸溶液を排出して前記使用側に戻す循環工程と、前記使用側から導入された硫酸溶液を、冷却手段による冷却を経ることなく、かつ前記貯留槽を経由させることなく加温手段により加温して前記使用側に戻す循環工程と、を有することを特徴とする。
第8の本発明の機能性溶液供給方法は、前記第7の本発明において、前記使用側から導入された硫酸溶液を前記貯留槽から前記使用側に戻す前記循環工程と、前記使用側から導入された硫酸溶液を前記貯留槽を経由させることなく前記使用側に戻す前記循環工程では、前記使用側に戻す直前で前記加温を経ていない硫酸溶液と前記加温がされた硫酸溶液とを合流させて前記使用側に戻すことを特徴とする。
1.前記貯留槽から排出された溶液を、前記加温手段を介することなく前記電解装置を介して前記貯留槽に戻す第1の循環ライン
2.使用側から導入された硫酸溶液を前記加温手段を介することなく、前記冷却手段及び前記貯留槽をこの順に介して使用側に戻す第2の循環ライン
3.前記使用側から導入された硫酸溶液を、前記冷却手段及び前記貯留槽を介することなく加温手段を介して前記使用側に戻す第3の循環ライン、
を備えているので、第1の循環ラインを設けることにより小さな電解能力で過硫酸を貯留槽内に高濃度に保持することができ、また第2、3の循環ラインを設けることにより過硫酸溶液を短時間で昇温することができるため、過硫酸が自己分解する前に高性能の機能性溶液として使用側に供給することができる。
また、本発明の機能性溶液供給方法によれば、硫酸溶液を電解することにより機能性溶液を製造して使用側に供給する機能性溶液供給方法であって、硫酸溶液を貯留する貯留槽から硫酸溶液を排出して加温手段による加温を経ることなく電解し、電解後の硫酸溶液を前記貯留槽に戻す循環工程と、前記使用側から導入された硫酸溶液を、加温手段による加温を経ることなく、冷却手段により冷却した後に前記貯留槽に送液し、前記貯留槽から硫酸溶液を排出して前記使用側に戻す循環工程と、前記使用側から導入された硫酸溶液を、冷却手段による冷却を経ることなく、かつ前記貯留槽を経由させることなく加温手段により加温して前記使用側に戻す循環工程と、を有することにより、高濃度過硫酸を含む硫酸溶液を貯留槽に貯液させることができ、過硫酸が自己分解する前に高性能の機能性溶液として使用側に供給することができる。
この実施形態では、使用側のバッチ式基板洗浄装置である洗浄機1と、硫酸溶液を貯液する貯留槽2と、硫酸溶液を電解する電解装置である電解セル3とを備えている。
そして、貯留槽2の排液側と電解セル3の入液側とは第1の循環ライン11の往路で接続され、電解セル3の排液側と貯留槽2の入液側とが第1の循環ライン11の復路で接続されている。すなわち、貯留槽2と電解セル3とが第1の循環ライン11で接続されて、硫酸溶液の循環が可能になっている。
また、洗浄機1の排液側と前記貯留槽2の入液側とは、第2の循環ライン12の往路で接続されており、さらに貯留槽2の排液側と洗浄機1の入液側とは、第2の循環ライン12の復路で接続されている。すなわち、洗浄機1と貯留槽2とは第2の循環ライン12で接続されて硫酸溶液の循環が可能になっている。
なお、第2の循環ライン12には、第3の循環ライン13が分岐した位置の下流側であって、貯留槽2の入液側に接続される位置の上流側に、冷却手段として冷却器4が介設されており、第3の循環ライン13には、前記第2の循環ライン12との分岐位置の下流側であって、前記第2の循環ライン12と合流する前の位置で加温手段としての加熱器5が介設されている。
貯留槽2では好適には40〜80℃とされた硫酸溶液が収容され、第1の循環ライン11を通して電解セル3との間で硫酸溶液を循環しつつ電解することで、過硫酸が生成して、高濃度過硫酸を含む硫酸溶液として貯留槽2に貯液される。なお、本発明としては電解セルの構成が特に限定されるものではないが、好適には少なくとも陽極にダイヤモンド電極を備えるものが望ましい。
貯留槽2に貯留された高濃度過硫酸を含む硫酸溶液は、第2の循環ライン12の復路を通して洗浄機1へと送液される。一方、洗浄機1で使用された硫酸溶液は、第2の循環ライン12の往路を通して冷却器4で貯留槽温度(40℃〜80℃程度)にまで冷却されつつ比較的小流量(少なくとも第1の循環ライン11の循環量より小流量)で貯留槽2に投入される。これにより貯留槽2内の過硫酸が洗浄機1からの硫酸溶液の導入によって希薄化されるのを防止する。また、硫酸溶液が冷却器4で冷却されることで、貯留槽2内の溶液温度が上昇して過硫酸の自己分解が進行するのを防止する。なお、冷却器4の構成は本発明としては特に限定されるものではなく、熱交換器などの適宜の冷却手段を用いることができる。
上記のように本発明においては貯留槽を過硫酸の高濃度の保持の目的で用いている。また洗浄を洗浄機内で完結するように機能性溶液の温度と過硫酸濃度を整えている。そのため従来技術とは異なり貯留槽内の温度を所定の低温に維持している。
図1(a)に対応するシステムを用いて運転を行った。なお、以降の実施例では、第1の循環路11をループ1、第2の循環路12をループ2、第3の循環路13をループ3という。
(運転条件)
ウエハ:300mmφ、レジスト厚さ=860nm
洗浄機1:温度=140℃、液容量=50L、処理枚数=50枚/バッチ
処理所要時間=10分/バッチ
洗浄液:硫酸濃度=85wt%
洗浄機1での過硫酸必要量=11.9g/分
ループ1:循環量=8L/分、電解セル3入口温度=50℃
電解セル3出口温度=75℃
ループ2:循環量=6L/分、冷却器4出口温度=19℃、貯留槽2温度=50℃
貯留槽2出口の過硫酸濃度=2.0g/L
(過硫酸循環量=12.0g/分)
ループ3:循環量=19L/分
ヒーター5出口温度=174℃、ヒーター5熱負荷=29.2kW
図1(b)に対応するシステムを用いて運転を行った。
(運転条件)
ウエハ:300mmφ、レジスト厚さ=860nm
洗浄機1:温度=140℃、液容量=50L、処理枚数=50枚/バッチ
処理所要時間=10分/バッチ
洗浄液:硫酸濃度=85wt%
洗浄機1での過硫酸必要量=11.9g/分
ループ1:循環量=8L/分
電解セル3入口温度=50℃、電解セル3出口温度=75℃
ループ2:循環量=1L/分、冷却器4出口温度=40℃、貯留槽2温度=72℃
貯留槽2出口の過硫酸濃度=11.9g/L
(過硫酸循環量=11.9g/分)
ループ3:循環量=24L/分
ヒーター5出口温度=143℃、ヒーター5熱負荷=3.8kW
図2(a)に対応するシステムを用いて運転を行った。
(運転条件)
実施例1と同じ。ただしループの番号とループの構成は必ずしも実施例に対応してない。(以下比較例も同様)
ループ1:循環量=8L/分
電解セル23入口温度=50℃、電解セル23出口温度=75℃
電解セル23出口の過硫酸濃度=1.49g/L
(過硫酸循環量=11.9g/分)
ヒーター25の出口温度=140℃、ヒーター25熱負荷=28.5kW
図2(b)に対応するシステムを用いて運転を行った。
(運転条件)
実施例1と同じ。
ループ1(循環路31b):
循環量=8L/分
電解セル23の入口温度=50℃、電解セル23の出口温度=76℃
電解セル23出口の過硫酸濃度=1.49g/L
(過硫酸循環量=11.9g/分)
冷却器26出口温度=50℃、貯留槽22温度=125℃
ループ2(循環路31a):
循環量=25L/分
ヒーター25出口温度=170℃、ヒーター25熱負荷=20kW
貯留槽22の出口の過硫酸濃度=0g/L
図2(c)に対応するシステムを用いて運転を行った。
(運転条件)
実施例1と同じ。
ループ1(循環路31、31b):
循環量=8L/分
電解セル23入口温度=50℃、電解セル23出口温度=76℃
電解セル23出口の過硫酸液量1.49g/L
(過硫酸循環量=11.9g/分)
冷却器26出口温度=50℃、貯留槽22温度=140℃
ループ2(循環路31a):
循環量=17L/分
ヒーター25出口温度=170℃、ヒーター25熱負荷=26kW
洗浄機21入口の過硫酸濃度=0.48g/L
図2(d)に対応するシステムを用いて運転を行った。
(運転条件)
実施例1と同じ。ただし循環量は、各ループが他のループと合流していない部分における循環量を示す。
ループ1(循環路31b):
循環量=3.2L/分
電解セル23入口温度=50℃、電解セル23出口温度=76℃
電解セル23出口の過硫酸濃度1.49g/L
(過硫酸循環量=4.8g/分)
貯留槽22温度=133℃
ループ2(循環路31):
循環量=4.8L/分
洗浄機21入口の過硫酸濃度=1.49g/L
(過硫酸循環量=7.2g/分)
ループ3(循環路31a):
循環量=21.8L/分
ヒーター25出口温度=155℃、ヒーター25熱負荷=23.4kW
貯留槽22出口の過硫酸濃度0g/L
2 貯留槽
3 電解セル
4 冷却器
5 加熱器
6 冷却器
7 冷却器
11 第1の循環ライン
12 第2の循環ライン
13 第3の循環ライン
Claims (8)
- 硫酸溶液を電解することにより機能性溶液を製造して使用側に供給する機能性溶液供給システムにおいて、
該システムが、硫酸溶液を貯留する貯留槽と、硫酸溶液を電解する電解装置と、硫酸溶液を加温する加温手段と、硫酸溶液を冷却する冷却手段と、以下の3つの循環ラインとを備えることを特徴とする機能性溶液供給システム。
1.前記貯留槽から排出された硫酸溶液を、前記加温手段を介することなく前記電解装置を介して前記貯留槽に戻す第1の循環ライン
2.前記使用側から導入された硫酸溶液を、前記加温手段を介することなく前記冷却手段及び前記貯留槽をこの順に介して前記使用側に戻す第2の循環ライン
3.前記使用側から導入された硫酸溶液を、前記冷却手段及び前記貯留槽を介することなく前記加温手段を介して前記使用側に戻す第3の循環ライン - 前記第2の循環ラインと前記第3の循環ラインは、前記使用側に戻す直前に合流していることを特徴とする請求項1に記載の機能性溶液供給システム。
- 前記第2の循環ラインと前記第3の循環ラインは前記使用側から導入された後に分岐していることを特徴とする請求項1または2に記載の機能性溶液供給システム。
- 前記第1の循環ラインには、前記貯留槽の下流側であって前記電解装置の上流側に、硫酸溶液を冷却する第2の冷却手段を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の機能性溶液供給システム。
- 前記第1の循環ラインには、前記電解装置の下流側であって前記貯留槽の上流側に、硫酸溶液を冷却する第2の冷却手段を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の機能性溶液供給システム。
- 前記使用側はバッチ式基板洗浄装置であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の機能性溶液供給システム。
- 硫酸溶液を電解することにより機能性溶液を製造して使用側に供給する機能性溶液供給方法であって、
硫酸溶液を貯留する貯留槽から硫酸溶液を排出して加温手段による加温を経ることなく電解し、電解後の硫酸溶液を前記貯留槽に戻す循環工程と、
前記使用側から導入された硫酸溶液を、加温手段による加温を経ることなく、冷却手段により冷却した後に前記貯留槽に送液し、前記貯留槽から硫酸溶液を排出して前記使用側に戻す循環工程と、
前記使用側から導入された硫酸溶液を、冷却手段による冷却を経ることなく、かつ前記貯留槽を経由させることなく加温手段により加温して前記使用側に戻す循環工程と、を有することを特徴とする機能性溶液供給方法。 - 前記使用側から導入された硫酸溶液を前記貯留槽から前記使用側に戻す前記循環工程と、前記使用側から導入された硫酸溶液を前記貯留槽を経由させることなく前記使用側に戻す前記循環工程では、前記使用側に戻す直前で前記加温を経ていない硫酸溶液と前記加温がされた硫酸溶液とを合流させて前記使用側に戻すことを特徴とする請求項7記載の機能性溶液供給方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008099888A JP5105081B2 (ja) | 2008-04-08 | 2008-04-08 | 機能性溶液供給システムおよび機能性溶液供給方法 |
EP09729203A EP2280409B1 (en) | 2008-04-08 | 2009-03-11 | Functional solution supply system |
KR1020107024802A KR101331458B1 (ko) | 2008-04-08 | 2009-03-11 | 기능성 용액 공급 시스템 |
US12/737,079 US8529748B2 (en) | 2008-04-08 | 2009-03-11 | Functional solution supply system |
PCT/JP2009/054631 WO2009125642A1 (ja) | 2008-04-08 | 2009-03-11 | 機能性溶液供給システム |
CN2009801219992A CN102057470B (zh) | 2008-04-08 | 2009-03-11 | 功能性溶液供给系统 |
TW098110659A TWI417422B (zh) | 2008-04-08 | 2009-03-31 | 功能性溶液供應系統及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008099888A JP5105081B2 (ja) | 2008-04-08 | 2008-04-08 | 機能性溶液供給システムおよび機能性溶液供給方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009253057A JP2009253057A (ja) | 2009-10-29 |
JP5105081B2 true JP5105081B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=41161777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008099888A Active JP5105081B2 (ja) | 2008-04-08 | 2008-04-08 | 機能性溶液供給システムおよび機能性溶液供給方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8529748B2 (ja) |
EP (1) | EP2280409B1 (ja) |
JP (1) | JP5105081B2 (ja) |
KR (1) | KR101331458B1 (ja) |
CN (1) | CN102057470B (ja) |
TW (1) | TWI417422B (ja) |
WO (1) | WO2009125642A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5668914B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2015-02-12 | 栗田工業株式会社 | 洗浄方法および洗浄システム |
US8992691B2 (en) * | 2011-04-05 | 2015-03-31 | International Business Machines Corporation | Partial solution replacement in recyclable persulfuric acid cleaning systems |
US20140001054A1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Tennant Company | System and Method for Generating and Dispensing Electrolyzed Solutions |
US9556526B2 (en) | 2012-06-29 | 2017-01-31 | Tennant Company | Generator and method for forming hypochlorous acid |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02106929A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Matsushita Electron Corp | フォトマスク洗浄装置 |
TW200417628A (en) * | 2002-09-09 | 2004-09-16 | Shipley Co Llc | Improved cleaning composition |
US20050139487A1 (en) * | 2003-05-02 | 2005-06-30 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Method for the oxidative treatment of components comprised of or containing elementary silicon and/or substantially inorganic silicon compounds |
CN1283836C (zh) * | 2004-03-18 | 2006-11-08 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 用于硅腐蚀的四甲基氢氧化铵腐蚀液及制备方法 |
JP4462146B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2010-05-12 | 栗田工業株式会社 | 硫酸リサイクル型洗浄システムおよび硫酸リサイクル型過硫酸供給装置 |
JP2006278838A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Kurita Water Ind Ltd | 硫酸リサイクル型洗浄システム |
JP4412301B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-02-10 | 栗田工業株式会社 | 洗浄システム |
CN101110376A (zh) * | 2006-07-21 | 2008-01-23 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 形成焊接凸块的方法及其刻蚀剂 |
JP4840582B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2011-12-21 | 栗田工業株式会社 | 過硫酸洗浄システム |
JP5024528B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2012-09-12 | 栗田工業株式会社 | 過硫酸供給システムおよび過硫酸供給方法 |
-
2008
- 2008-04-08 JP JP2008099888A patent/JP5105081B2/ja active Active
-
2009
- 2009-03-11 CN CN2009801219992A patent/CN102057470B/zh active Active
- 2009-03-11 EP EP09729203A patent/EP2280409B1/en not_active Not-in-force
- 2009-03-11 KR KR1020107024802A patent/KR101331458B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-11 US US12/737,079 patent/US8529748B2/en active Active
- 2009-03-11 WO PCT/JP2009/054631 patent/WO2009125642A1/ja active Application Filing
- 2009-03-31 TW TW098110659A patent/TWI417422B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110008208A (ko) | 2011-01-26 |
US20110120857A1 (en) | 2011-05-26 |
EP2280409A1 (en) | 2011-02-02 |
CN102057470A (zh) | 2011-05-11 |
TW200949018A (en) | 2009-12-01 |
JP2009253057A (ja) | 2009-10-29 |
CN102057470B (zh) | 2013-04-10 |
WO2009125642A1 (ja) | 2009-10-15 |
TWI417422B (zh) | 2013-12-01 |
US8529748B2 (en) | 2013-09-10 |
EP2280409B1 (en) | 2012-08-01 |
EP2280409A4 (en) | 2011-07-06 |
KR101331458B1 (ko) | 2013-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5024528B2 (ja) | 過硫酸供給システムおよび過硫酸供給方法 | |
JP5105081B2 (ja) | 機能性溶液供給システムおよび機能性溶液供給方法 | |
KR102073663B1 (ko) | 반도체 기판의 세정 방법 및 세정 시스템 | |
CN114318389A (zh) | 制氢设备和制氢设备的电解槽温度控制方法 | |
CN110344071B (zh) | 电还原co2装置和方法 | |
CN104871296A (zh) | 基板清洗液以及基板清洗方法 | |
JP4412301B2 (ja) | 洗浄システム | |
JP2006228899A (ja) | 硫酸リサイクル型洗浄システム | |
TWI419999B (zh) | 電解方法 | |
JP5126478B2 (ja) | 洗浄液製造方法および洗浄液供給装置ならびに洗浄システム | |
JP2006278687A (ja) | 硫酸リサイクル型枚葉式洗浄システム | |
JP5751426B2 (ja) | 洗浄システムおよび洗浄方法 | |
JP5024521B2 (ja) | 高温高濃度過硫酸溶液の生成方法および生成装置 | |
JP2016119359A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JP2006278915A (ja) | 硫酸リサイクル型洗浄システム | |
JP2016167560A (ja) | 電解硫酸溶液の製造方法および電解硫酸溶液製造装置 | |
JP4862981B2 (ja) | 硫酸リサイクル型洗浄システムおよびその運転方法 | |
CN108603299B (zh) | 过硫酸溶液制造供给装置及方法 | |
JP4557167B2 (ja) | 硫酸リサイクル型洗浄システム | |
JP2018184626A (ja) | 洗浄システム | |
JP2009027023A (ja) | ウェハ洗浄液の製造方法及び装置 | |
JP2007051340A (ja) | 硫酸リサイクル型過硫酸供給装置 | |
JPH01119679A (ja) | 化学銅めっき液の管理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120905 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120918 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5105081 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |