JP5099524B2 - 窒化物半導体発光素子とその製造方法 - Google Patents
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(参考としての従来の掘り込み基板)
まず、本発明の実施形態1に関連する参考として、従来の掘り込み基板上にそのまま窒化物半導体積層構造を成長させた場合が説明される。この場合、図3(a)に示された窒化物半導体基板31上において、図4に示された複数の窒化物半導体薄層41−49がMOCVDで堆積される。
図6(a)から(f)の模式的断面図は、本実施形態1おいて使用される処理基板の作製過程を図解している。まず、図6(a)において、窒化物半導体基板60の上面を覆うように、厚さ1μmのSiO2等の膜61がスパッタ法で成膜される(この成膜法は、電子ビーム蒸着、プラズマCVDなどであってもよい)。その後、図6(b)では、一般的なフォトリソグラフィを利用して、[0001]方向に平行なストライプ状ウインドウが幅5μmでかつ周期400μmでレジスト層62内に形成される。なお、図6(b)においては、図面の簡略のために1つのストライプ状ウインドウのみが示されている。ここでのストライプ状ウインドウの周期は、作製される半導体レーザ素子のリッジストライプ方向と垂直な方向における素子幅で決められる。すなわち、レーザ素子の幅を200μmにしたい場合には、ストライプ状ウインドウの周期も200μmに設定すればよい。
本実施形態1では、結晶成長抑制膜の形成方法としてECRスパッタ装置を用いている。しかし、EB蒸着などを用いた場合には、掘り込みの側面部上において結晶成長抑制膜の厚さが極端に薄くなって連続膜状に形成されないか、または結晶成長抑制膜全く形成されないことがある。このような状況は、掘り込み領域の側面の傾斜角を調整することによって回避することができる。すなわち、図3(a)に示した傾斜角γが、掘り込み領域のエッチング条件を制御することによって、90度より大きくされ得る。このように側面部の傾斜角γを90度より大きくすることによって、その側面部において効率よく結晶成長抑制膜を形成することが可能になる。
図1(a)において、リッジストライプ12と結晶成長抑制膜10bとの間の距離dは40μmに設定されている。
結晶成長抑制膜を有しない従来の掘り込み基板と本実施形態1による処理基板との各基板上に堆積された窒化物半導体層に関して、X線回折装置にて2θ/ωスキャンを行いってX線強度プロファイルが測定された。
図10は本実施形態1による処理基板を用いて作製された窒化物半導体ウエハの表面モフォロジーを示し、図11は従来の掘り込み基板を用いて作製された窒化物半導体ウエハの表面モフォロジーを示している。図10(a)はウエハ表面の光学顕微鏡写真であって、2本の黒線は基板の掘り込み領域上に残存するくぼみであり、これらの黒線の間隔は掘り込み領域の周期である400μmに対応している。図10(b)は、図10(a)に対応する掘り込み領域の近傍を示す模式的断面図である。同様に、図11(a)は図10(a)と同じ倍率の光学顕微鏡写真であり、図11(b)は図11(a)に対応する掘り込み領域の近傍を示す模式的断面図である。
掘り込み領域は、図5に示すように窒化物半導体基板表面でストライプ状に加工された溝または凹部を意味する。掘り込み領域の深さは、図5中の符合fで示されているように、基板表面から溝の底部までの距離となる。クラックを有効に抑止するための掘り込み深さは、0.1μm以上15μm以下であることが必要である。溝が浅過ぎれば結晶成長抑制膜ですぐに埋ってしまうので0.1μm以上の深さが必要であり、15μm以上の深さではプロセス時間が長くなる。
結晶成長抑制膜の厚さに関して、掘り込み領域の溝が結晶成長抑制膜で完全に埋ってしまった状態では、クラックの発生が防止され得ないので好ましくない。図7(a)における厚さt1は、掘り込み深さf(図5中の符合fを参照)の半分以下であること好ましい。また厚さt2は、掘り込み領域の開口幅g(図5中のgを参照)の半分以下であることが好ましい。厚さt1とt2がこれらの値より大きければ、掘り込み領域が確保できず、クラックの抑制効果がなくなり、またクラッド層の組成変動が大きくなる。t1とt2の関係としては、t1≧t2の場合が、結晶成長抑制膜の剥がれなどの不良が減少する観点から好ましい。
結晶成長抑制膜の厚さが10−50nm程度に薄い場合、窒化物半導体層を700℃から1000℃程度の成長温度で成膜を行った際に、基板である窒化物半導体と混ざり合いって混晶化する。この現象が、図12の模式的断面図を参照して説明される。
結晶成長抑制膜としては、アルミニウム窒化物膜、アルミニウム酸窒化物膜、アルミニウムとガリウムの窒化物膜が好ましい。これらの材料の結晶成長抑制膜を用いることによって、結晶成長層におけるクラックの抑制効果、表面モフォロジーの改善効果、クラッド層のAl組成変動抑制効果のすべてにおいて高い効果を得ることができる。上記材料は窒化物半導体層と同じ結晶構造をとり得るので、結晶成長抑制膜の領域とそれ以外の領域とで結晶構造が連続的になって好ましい。これらの理由により、上記の好ましい効果が得られるものと考えられる。
図7(a)、(b)および(c)のいずれのパターンの結晶成長抑制膜を利用した場合においても、図9に示すような組成変動を抑制する効果が得られた。なお、t4の範囲としては、0μm<t4≦30μmであることが好ましい。
本発明の実施形態2は基本的には実施形態1に類似しているが、本実施形態2ではGaN基板の{1−100}主面において、<11−20>方向に平行であって5μm幅と3μm深さを有するストライプ状掘り込み領域が400μm周期で気相エッチングによって形成された。結晶成長抑制膜としては、AlOxN1-x(x=0.1)が用いられた。結晶成長抑制膜の形状としては図7(b)の形状が用いられ、この場合の距離t3は0.5μmに設定された。このような処理基板を用いた本実施形態2の場合でも、レーザ素子におけるクラック発生の抑制、表面モフォロジーの改善、AlGaN層における組成変動の抑制などの効果が得られる。
本発明の実施形態3も基本的には実施形態1に類似しているが、本実施形態3ではGaN基板の主面が{11−20}面であり、<1−100>方向に平行であって5μm幅と3μm深さを有するストライプ状掘り込み領域が400μm周期で気相エッチングによって形成された。結晶成長抑制膜としては、AlNが用いられた。結晶成長抑制膜の形状としては図7(c)の形状が用いられ、この場合の厚さt4は2μmに設定された。このような処理基板を用いた本実施形態3の場合でも、レーザ素子におけるクラック発生の抑制、表面モフォロジーの改善、AlGaN層における組成変動の抑制などの効果が得られる。
本発明の実施形態4も基本的には実施形態1に類似しているが、本実施形態4ではGaN基板の{11−20}主面において、<0001>方向に平行であって5μm幅と3μm深さを有するストライプ状掘り込み領域が400μm周期で気相エッチングによって形成された。結晶成長抑制膜としては、SiO2が用いられた。結晶成長抑制膜の形状としては図7(a)の形状が用いられ、この場合の厚さt1は0.3μmで厚さt2は0.1μmであった。このような処理基板を用いた本実施形態4の場合でも、レーザ素子におけるクラック発生の抑制、表面モフォロジーの改善、AlGaN層における組成変動の抑制などの効果が得られる。
本発明の実施形態5も基本的には実施形態1に類似しているが、本実施形態5ではGaN基板の主面が{11−22}半極性面であり、<−1−123>方向に平行であって5μm幅と3μm深さを有するストライプ状掘り込み領域が400μm周期で気相エッチングによって形成された。結晶成長抑制膜としては、Al2O3が用いられた。結晶成長抑制膜の形状としては図7(a)の形状が用いられ、この場合の厚さt1は0.3μmで厚さt2は0.1μmであった。このような処理基板を用いた本実施形態5の場合でも、レーザ素子におけるクラック発生の抑制、表面モフォロジーの改善、AlGaN層における組成変動の抑制などの効果が得られる。
Claims (14)
- 掘り込み領域が形成された主面を有する窒化物半導体基板と、前記掘り込み領域上に形成された結晶成長抑制膜と、前記結晶成長抑制膜および前記基板の前記主面を覆うように堆積された複数の窒化物半導体層を含み、前記結晶成長抑制膜がアルミニウム窒化物またはアルミニウム酸窒化物であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体基板の前記主面が半極性面または無極性面であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体基板の前記主面が{1−100}面であることを特徴とする請求項2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記掘り込み領域が前記結晶成長抑制膜で埋め込まれていないことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記結晶成長抑制膜の厚さが前記掘り込み領域の深さの半分以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記掘り込み領域の底部上に形成されている前記結晶成長抑制膜の厚さt1が、前記掘り込み領域の側部上に形成されている前記結晶成長抑制膜の厚さt2より大きいことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記複数の窒化物半導体層内に光導波路構造が形成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記光導波路構造と前記結晶成長抑制膜との間の距離が10μm以上であることを特徴とする請求項7に記載の窒化物半導体発光素子。
- 窒化物半導体基板の一主面に掘り込み領域を形成し、前記掘り込み領域上に結晶成長抑制膜を形成し、そして前記結晶成長抑制膜および前記基板の前記主面を覆うように複数の窒化物半導体層を堆積させる工程を含み、前記結晶成長抑制膜がアルミニウム窒化物またはアルミニウム酸窒化物であることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 掘り込み領域が形成された主面を有する窒化物半導体基板と、前記掘り込み領域に形成された結晶成長抑制領域と、前記結晶成長抑制領域および前記基板の前記主面を覆うように堆積された複数の窒化物半導体層を含み、前記結晶成長抑制領域はアルミニウムとガリウムを含む窒化物またはアルミニウムとガリウムを含む酸窒化物からなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体基板の前記主面が半極性面または無極性面であることを特徴とする請求項10に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体基板の前記主面が{1−100}面であることを特徴とする請求項11に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記複数の窒化物半導体層内に光導波路構造が形成されていることを特徴とする請求項10から12のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 窒化物半導体基板の一主面に掘り込み領域を形成し、前記掘り込み領域上に結晶成長抑制領膜を形成し、そして前記結晶成長抑制膜および前記基板の前記主面を覆うように複数の窒化物半導体層を堆積させるとともに前記結晶成長抑制膜が結晶成長抑制領域に変化する工程を含み、前記結晶成長抑制膜がアルミニウム窒化物またはアルミニウム酸窒化物であることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
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