JP5099324B2 - 多孔質ZnO粒子結合自立膜及びその作製方法 - Google Patents

多孔質ZnO粒子結合自立膜及びその作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5099324B2
JP5099324B2 JP2007215015A JP2007215015A JP5099324B2 JP 5099324 B2 JP5099324 B2 JP 5099324B2 JP 2007215015 A JP2007215015 A JP 2007215015A JP 2007215015 A JP2007215015 A JP 2007215015A JP 5099324 B2 JP5099324 B2 JP 5099324B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zno
film
particle
substrate
bonded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007215015A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009046358A (ja
Inventor
佳丈 増田
一実 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority to JP2007215015A priority Critical patent/JP5099324B2/ja
Publication of JP2009046358A publication Critical patent/JP2009046358A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5099324B2 publication Critical patent/JP5099324B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

本発明は、多孔質ZnO結晶自立膜、その作製方法及びZnO膜部材に関するものであり、更に詳しくは、本発明は、水溶液中において合成したZnO結晶粒子を用いて、SnO被覆ガラス基板(FTO基板)上に作製したZnO粒子堆積膜、及びその加熱処理により合成した、ZnO自立膜に関するものである。本自立膜は、基板を必要とせずに、単独膜として得ることができるとともに、他の基板上に貼付(ペースト)することもできることで特徴付けられる。
本発明は、ZnO粒子から構成されており、粒子間の接触点が加熱によってネックを形成して結合しており、そのため、ZnO膜内に空隙が多く、多孔体となっており、また、連続した空隙が多く、ガスや溶液を透過させることができるZnO結晶自立膜であって、ZnO結晶自立膜として、あるいは任意の基板上にペーストして使用することができ、蛍光体、分子センサー、ガスセンサー、色素増感型太陽電池、フィルター、触媒等として好適に適用できる多孔質ZnO結晶自立膜を提供するものである。
多孔質ZnO膜は、例えば、ダイオキシンやビスフェノールA検知用の分子センサー電極や色素増感型太陽電池電極、各種ガスセンサー等への応用が期待されている。また、ガスや溶液を透過させることのできるZnO透過膜は、例えば、高効率フィルター、高効率触媒として求められている。これらのアプリケーションにおいて、感度などの特性は、ZnOの形態と比表面積に大きく依存する。そのため、ZnO粒子やZnO粒子膜の形態制御への要求は大きい。
また、ZnO自立膜は、次世代デバイス開発の観点から注目を集めている。ZnO膜は、通常、基板の上に形成されているが、その基板によって、ZnOの応用範囲が制約を受けている。例えば、基板により、ZnO膜内に応力が発生し、この応力により特性が低下する。
高価な基板の使用により、ZnO膜の製造コストが増加する。堅い基板を用いることにより、曲げ性(フレキシビリティー)を有するZnO膜を作製することができない。自立膜が合成されれば、それは、ポリマーフィルムや金属、紙などの任意の基板の上にペーストすることが可能となる。
これにより、ZnOデバイスの応用範囲を拡大することが可能となる。例えば、高温焼成を必要とするZnO膜からなる分子センサーを、低耐熱性ポリマーフィルムの上に形成することも可能となる。このポリマーフィルム上へのZnO膜形成により、曲げ性を有する分子センサーが可能となるとともに、軽量化、低コスト化が実現できる。
本発明者らは、先行特許において、ZnO結晶自立膜の合成を提案している(特許文献1)。本特許において合成されるZnO膜は、薄いナノシートZnOの集積膜であり、気相面が緻密で、一方の液相面がナノシートで囲まれた多孔質となっている。このシートは、ナノシートで構成されているため、機械的強度が弱く、また、ガスや溶液を通過することができないため、フィルターや触媒として使用が比較的困難であり、更に、気液界面を用いているため、大面積化には、克服すべき技術課題を残している。
酸化物などの膜は、気相法、液相法などにより作製されているが、いずれも、シリコン基板や単結晶基板上などに成膜するものであり、基板から独立した膜を得る手法としては、単結晶基板の切り出し法等に限られる。しかし、窓材や透明フィルムとして使用する際には、自立膜としての作製が必要である。また、低耐熱性基板などの任意の基板上に成膜するためには、自立膜を合成し、ペーストすることが求められている。更に、高価格な単結晶基板を使用せずに、直接、自立膜あるいはそのペーストによる成膜を実現することで、低コスト化、及び工程の短縮が求められている。また、従来材は、高いコストのため、応用範囲が限られる。
特に、現在、ZnO結晶粒子が粒子接触部分のネッキングにより連続膜となったZnO自立膜の作製例はない。これが作製可能になれば、ZnO膜内に多くの連続した空隙を有しているZnO膜が得られ、そのため、ガスや溶液を透過させることもできるようになる。
また、ZnO自立膜も、従来材は、特定の形態を有するZnO自立膜に限られている。例えば、ZnOは、各種ガスセンサーや、色素増感型太陽電池向けの材料として注目を集めている。これらのデバイスにおける感度は、基材物質の比表面積や導電率に大きく依存するため、高比表面積や高導電率を有するZnO粒子やZnO膜の開発が求められている。しかし、特定の形状のZnO自立膜しか合成例はなく、ZnOの結晶構造の制約を受けて、特定の形態しか合成できない。
ZnOは、CO、NH、NO、HS、H、エタノール、SF、C10、及びガソリンなどの各種ガスセンサーや、色素増感型太陽電池向けの材料として注目を集めている。これらのデバイスにおける感度は、基材物質の比表面積に大きく依存するため、高比表面積を有するZnO粒子やZnO膜の開発が求められている。
最近、酸化亜鉛粒子の形態制御により高比表面積酸化亜鉛粒子膜を形成しようとする試みが、例えば、先行技術文献に見られるように、幾つか提案されている(非特許文献1、2)。センサーや太陽電池に関するこれらの研究例において、六角柱状ZnOのロッドやワイヤーが報告されている。これは、ZnOが六方晶の結晶構造を有するため、過飽和度の低い条件において、六角柱状に結晶成長しやすいことに起因している。
また、酸化物膜の特性向上のためには、内部微細構造や表面微細構造の制御が必要であるが、それらの制御技術も十分には開発されていない。更に、酸化物膜を基板からの制約を受けずに使用する際には自立膜として作製する必要があるが、自立膜の作製例は、報告例が少ない。
また、デバイスに合わせて各種基板上の成膜が必要となるため、任意の基板上へ転写可能な膜の形成が望まれているが、これに関する報告例も少ない。水溶液プロセスでの自立膜あるいは転写可能膜の形成を可能にすることにより、低耐熱性ポリマーフィルムへのZnO結晶膜の形成も可能となる。また、基板の制約を受けないため、残留応力の低い膜を形成することができる。
特願2007−001141号 M.Law,L.E.Greene,J.C.Johnson,R.Saykally,P.D.Yang,Nature Materials 2005,4,455 Y.Masuda,N.Kinoshita,F.Sato,K.Koumoto,Crystal Growth & Design 2006,6,75
このような状況の中で、本発明者らは、上記従来技術に鑑みて、ZnO自立膜を作製する技術を開発することを目標として鋭意研究を重ねた結果、溶液反応を用いて作製したZnO粒子堆積膜を利用することにより所期の目的を達成し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は、上記従来の事情に鑑みてなされたものであり、ZnO自立膜を提供し、かつ、その作製方法を提供することを解決すべき課題としている。すなわち、本発明は、ZnO結晶粒子を基板上に堆積させたZnO粒子堆積膜、粒子間の接触点をネック形成により結合させて連続膜化したZnO粒子結合膜、ZnO粒子結合自立膜、それらの作製方法、及び該ZnO自立膜を用いたZnO膜部材を提供することを目的とするものである。
上記課題を解決するための本発明は、以下の技術的手段から構成される。
(1)ZnO結晶粒子が基板上に堆積したZnO結晶粒子堆積膜の粒子間の接触点がネックを形成して結合したZnO粒子結合膜であって、
上記ZnO結晶粒子堆積膜は、1)粒子堆積膜中にオープンポアが連続してつながった形状を有し、2)粒子堆積膜表面が多針体粒子で覆われている粒子形態を有し、3)粒子中心から成長した針状結晶を有し、4)針状結晶の長手方向がc軸方向であり、5)ZnO結晶の少なくても10−10,0002,10−11面からの回折線に帰属できる回折線を有するXRDパターンを示し、
上記ZnO粒子結合膜は、白色の多孔質膜であり、上記ZnO結晶粒子堆積膜を構成するZnO粒子が互いに結合して連続膜を形成した構造を有することを特徴とするZnO粒子結合膜。
(2)前記(1)に記載のZnO粒子結合膜を自立させたZnO粒子結合自立膜であって、1)ZnO粒子からなる多孔質膜であり、2)基板面と反対側の空気面は自立膜全面に渡って平坦な表面を有し、3)この表面は粒子が互いに結合した連続膜であり、4)ZnO結晶の10−10,0002,10−11,10−12,11−20,10−13,20−20,11−22,20−21,0004,20−22,10−14,20−23面からの回折線に帰属できる回折線を有するXRDパターンを示す結晶相を有する、ことを特徴とするZnO粒子結合自立膜。
(3)基板が、ガラス、金属、セラミックス、ポリマー、又は紙の基板である、前記(1)に記載のZnO粒子結合膜。
(4)基板が、平板状、繊維、粒子、又は複雑形状の形態を有する、前記(1)に記載のZnO粒子結合膜。
(5)前記(2)に記載のZnO粒子結合自立膜を基板の上に貼付(ペースト)したZnO膜であって、1)ZnO膜内に多くの連続した空隙を有し、2)基板の曲げ性に対応した曲げ性(フレキシビリティー)を有する、ことを特徴とするZnO膜。
(6)前記(1)に記載のZnO粒子結合膜を作製する方法であって、酸化亜鉛が析出する亜鉛含有溶液からなる反応系を用いて、基板上にZnO粒子を沈降、堆積させることにより作製したZnO結晶粒子堆積膜を加熱処理して粒子間の接触点を加熱、溶融させてネックを形成させることにより連続膜を作製することを特徴とするZnO粒子結合膜の作製方法。
(7)反応系に、エチレンジアミン又はアンモニアを添加してZnO粒子を沈降、堆積させる、前記(6)に記載のZnO粒子結合膜の作製方法。
(8)前記(2)に記載のZnO粒子結合自立膜を作製する方法であって、前記(6)に記載の方法によりZnO結晶粒子堆積膜を加熱処理して作製したZnO粒子結合膜を基板より剥離してZnO自立膜とすることを特徴とするZnO粒子結合自立膜の作製方法。
(9)加熱処理を行う際に、ガラス基板の溶融変形及びSnO接合絶縁層を用いてZnO自立膜を作製する、前記(8)に記載のZnO粒子結合自立膜の作製方法。
(10)前記(2)に記載のZnO粒子結合自立膜又は該自立膜を基板の上に貼付(ペースト)したZnO膜を構成要素として含むことを特徴とするZnO膜部材。
(11)部材が、蛍光体、分子センサー、ガスセンサー、色素増感型太陽電池、フィルター、又は触媒である、前記(10)に記載のZnO膜部材。
次に、本発明について更に詳細に説明する。
本発明は、ZnO結晶粒子が基板上に堆積したZnO結晶粒子堆積膜であって、粒子堆積膜中にオープンポアが連続してつながった形状を有しており、粒子堆積膜表面が多針体粒子で覆われている粒子形態を有し、粒子中心から成長した針状結晶を有し、針状結晶の長手方向がc軸方向であり、図3のXRDパターンを示す、ことを特徴とするものである。
また、本発明は、上記ZnO結晶粒子堆積膜の粒子間の接触点がネックを形成して結合したZnO粒子結合膜であって、ZnO粒子が互いに結合して連続膜を形成した構造を有する、白色多孔質膜である、ことを特徴とするものである。また、本発明は、上記ZnO粒子結合膜を自立させたZnO粒子結合自立膜であって、基板面と反対側の空気面は自立膜全面に渡って平坦な表面を有しており、この表面は粒子が互いに結合した連続膜であり、ZnO粒子からなる多孔質膜であり、図6のXRDパターンを示す、ことを特徴とするものである。
また、本発明は、上記ZnO粒子結合自立膜を任意の基板の上にペーストしたZnO膜であって、ZnO膜内に多くの連続した空隙を有しており、基板の曲げ性に対応した曲げ性(フレキシビリティー)を有する、ことを特徴とするものである。
また、本発明は、上記ZnO結晶粒子堆積膜を作製する方法であって、酸化亜鉛が析出する亜鉛含有溶液からなる反応系を用いて、基板上にZnO粒子を沈降、堆積させることによりZnO結晶粒子堆積膜を作製することを特徴とするものである。
また、本発明は、上記ZnO粒子結合膜を作製する方法であって、上記ZnO結晶粒子堆積膜を加熱処理して粒子間の接触点を加熱、溶融させてネックを形成させることにより連続膜を作製することを特徴とするものである。更に、本発明は、上記ZnO粒子結合自立膜を作製する方法であって、上記の方法によりZnO結晶粒子堆積膜を加熱処理して作製したZnO粒子結合膜を基板より剥離してZnO自立膜とすることを特徴とするものである。
本発明は、水溶液中でのZnO結晶粒子堆積膜の形成を行った後、加熱処理を行い、ガラス基板の溶融変形及びSnO接合絶縁層を用いて、ZnO自立膜を合成することを最も主要な特徴とする。水溶液中での結晶粒子堆積膜の形成においては、水溶液中での硝酸亜鉛とエチレンジアミンの化学反応によりZnO結晶粒子を合成すると同時に、沈降させて、基板上にZnO結晶粒子堆積膜を形成する。
加熱は、例えば、950℃、1時間乃至それと同等の条件、すなわち、720〜1126℃、5分〜24時間で大気中にて行う。この加熱温度では、ZnO及びSnOは溶融しない。一方、ガラスは溶融し、上に凸のドーム形状へと変形する。この変形により、ZnO膜と基板との間に応力が発生する。この応力により、基板上のZnOを剥離しやすくしている。また、ガラスやSnOの変更などにより、この温度範囲、時間範囲以外で行うこともできる。
また、SnO層は、溶融しないため、ZnOと固着しない。SnO層が存在しない場合、溶融したガラスとZnOが固着してしまう。また、SnOは表面に凹凸構造を有しており、この凹凸構造は、加熱によっても維持される。
この凹凸構造により、ZnO膜とSnO膜との接触点を減少させることができる。接触点を減少させることにより、ZnOとSnO膜との間の結合強度を減少させることで、ZnO膜は剥離しやすくなる。
亜鉛含有溶液には、後記する実施例の硝酸亜鉛の他、酢酸亜鉛水溶液、有機酸亜鉛水溶液等の亜鉛含有水溶液を用いることができる。また、ZnOが析出する反応系であれば、有機溶液等の、非水溶液反応系も用いることができる。また、ZnOが析出する反応系であれば、水熱反応等も用いることができる。
実施例の様に、硝酸亜鉛を原料として用いた際には、エチレンジアミンに代えて、アンモニア等を用いることができる。また、エチレンジアミン等を添加せず、温度や原料濃度、pHを変化させて、ZnOを析出させることもできる。温度も、原料濃度、添加剤、pH等に合わせて、水溶液の凝固点以上かつ沸点以下(およそ0−99℃)の範囲で調整することができる。
SnO表面コーティング以外に、加熱温度において溶融しない表面コーティングを用いることができる。ガラス以外に、加熱温度において溶融する基板を用いることができる。SnO表面コーティングを用いないこともできる。ガラス以外に、金属、セラミックス、ポリマー、紙等の種々の基板を用いることができる。また、平板上基板以外に、複雑形状基材、繊維基材、粒子基材等も用いることができる。
水溶液中において合成したZnO結晶粒子を用いて、SnO被覆ガラス基板上にZnO粒子堆積膜を形成させ、その加熱処理により、ZnO自立膜を合成する。加熱時におけるガラス基板のドーム形状への溶融変形により、ZnOと基板間に応力を生じさせ、ZnO膜を剥離しやすくする。また、SnO層が、950℃では溶融しないため、ZnO膜とガラス基板の固着を防いでいる。また、SnO表面が凹凸形状であることにより、ZnO膜と基板との接触点を減少させ、付着力を弱く抑え、剥離しやすくしている。
本自立膜は、基板を必要とせずに、単独膜として得ることができるとともに、他の基板上に貼付(ペースト)することもできる。また、本自立膜は、ZnO粒子から構成されており、粒子間の接触点が加熱によってネックを形成して結合している。そのため、ZnO膜内に空隙が多く、多孔体となっている。また、連続した空隙が多く、ガスや溶液を透過させることができる。
本発明により、次のような効果が奏される。
(1)水溶液中において合成したZnO結晶粒子を用いて、例えば、SnO被覆ガラス基板上にZnO粒子堆積膜を形成させ、その加熱処理により、ZnO自立膜を合成することができる。
(2)本自立膜は、基板を必要とせずに、単独膜として得ることができるとともに、他の基板上に貼付(ペースト)することもできる。
(3)また、本自立膜は、ZnO粒子から構成されており、粒子間の接触点が加熱によってネックを形成して結合しているため、ZnO膜内に空隙が多く形成され、多孔体となっている。
(4)本自立膜は、連続した空隙が多く、ガスや溶液を透過させることができる。
(5)本発明は、ZnO結晶自立膜として、あるいは任意の基板上にペーストして使用することができ、蛍光体、分子センサー、ガスセンサー、色素増感型太陽電池、フィルター、触媒等として利用できる多孔質ZnO結晶自立膜を提供できる。
次に、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
本実施例では、ZnO結晶粒子が粒子接触部分のネッキングにより連続膜となったZnO自立膜を作製した。図1に、ZnO自立膜形成の模式図を示す。
(1)水溶液中におけるZnO結晶粒子の合成
硝酸亜鉛(Zinc nitrate hexahydrate(Zn(NO・6HO,>99.0%,MW297.49,Kanto Chemical Co.,Inc.))、エチレンジアミン(ethylenediamine(HNCHCHNH,>99.0%,MW60.10,Kanto Chemical Co.,Inc.))を、それぞれ、15mMとなるように、60℃の蒸留水に溶解した。
その後、水溶液を60℃で6時間、無撹拌で保持した後、water bathの加熱をとめ、更に42時間water bathにて放冷した。この放冷により、数時間後には、水溶液の温度は室温の25℃まで冷却された。基板上の堆積膜を、950℃にて1時間、大気中にて加熱した(図1)。
ZnOの融点は1975℃である。SnOの融点は1127℃である。ガラスの融点(メーカー保証の、溶融開始温度)は、720−730℃である。ガラスが溶融し、FTO及びZnOが溶融しないように、950℃を選択した。また、ZnOの緻密化が起こらない温度とした。
基板が溶融により変形する様に、ガラス基板を選択した。ZnO膜と基板との間に応力を発生させ、ZnO膜を剥離しやすくするために、基板をドーム状に変形させた(図1)。また、その際、ガラス基板とZnO膜が固着しないように、溶解しないFTO層を、ZnOとガラスの間に挟むため、FTOコーティングガラスを使用した。また、ZnO膜との接触点を減らすため、凹凸表面を有するFTOを使用した。
(2)水溶液中での粒子堆積膜形成
エチレンジアミンの添加とともに、ZnO粒子の生成により溶液は白濁した。ZnO粒子は徐々に沈降し、溶液底部の基板上に堆積した(図1)。溶液は反応開始1時間後に薄白色となり、6時間後には透明になった。堆積膜は基板全面に渡り、白色を呈していた。図2に、ZnO結晶粒子堆積膜の写真を示す。
次に、この堆積膜についてXRDによる評価を行った。図3に、ZnO結晶粒子堆積膜のXRDパターンを示す。堆積膜のXRDにおいて、2θ=31.7,34.3,36.2,47.5 and 56.5°に回折線が観察され、これらは、ZnO結晶の10−10,0002,10−11,10−12,11−20面からの回折に帰属された(ICSD No.26170,JCPDS No.65−3411)(図3)。
図4に、ZnO結晶粒子堆積膜のSEM像、図5に、その拡大SEM像を示す。ZnO粒子の堆積によりZnO厚膜が形成されたため、粒子集積膜中において、数μmの大きなオープンポアから、数十ナノメーターの小さなオープンポアまでが形成されており、これらのポアが連続してつながった形状を有していた(図4)。粒子形態の詳細を更に評価した。粒子堆積膜表面は、多針体粒子で覆われていた(図5)。
多くの針状結晶が粒子中心から成長した形状を有していた。粒子サイズは、1−2μmであった。針状結晶は細い針状結晶の集積体であり、そのため、大きな針の側面は、ひだのアレイで覆われていた。大きな針状結晶の角は六角形を有しており、その先端は多数の凹凸を持つ丸いV型を有していた。
これらのことより、ZnO粒子の高い結晶性とc軸方向が示されていることが分かる。ZnO粒子において、大きな針状結晶や細い針状結晶の長手方向がc軸方向であると考えられる。
(3)ZnO自立膜
FTO基板上のZnO粒子堆積膜を、大気中にて、950℃にて1時間加熱した(図1)。粒子は加熱により結合し、連続膜を形成した。ガラス基板はドーム状に溶融変形して、ZnO膜との間に応力を発生させた。この応力により、ZnOを剥離しやすくした。
FTOは、加熱処理においても、表面の凹凸構造を維持した。FTO層によって、ZnO膜とガラス基板との固着を防いだ。また、FTO表面の凹凸構造によって、ZnO膜との接触点を減少させて剥離しやすくした。
本プロセスにおいて、FTO層は、結合絶縁層として機能している。これらにより、ZnO厚膜を基板から剥離し、自立膜を形成することに成功した。ZnO自立膜は、ZnO粒子が互いに結合して連続膜を形成している白色多孔質膜である。
ZnO単結晶は大きなバンドギャップにより可視光領域では透明であるが、ZnO自立膜は、ZnO粒子膜の微細構造による可視光の散乱のため、白色を呈していた。注射器の先端をZnO自立膜にあて、水を押し出したところ、ZnO自立膜は、水を透過した。
(4)結晶相
作製した自立膜をガラス基板上にペーストし、XRDによる評価を行った。図6に、ZnO結晶自立膜のXRDパターンを示す。ZnO膜は2θ=31.74,34.39,36.22,47.52,56.56,62.9,66.4,67.9,69.1,72.5,77.0,81.3,89.6°に強い回折線を示した(図6)。
これらのピークは、それぞれZnOの10−10,0002,10−11,10−12,11−20,10−13,20−20,11−22,20−21,0004,20−22,10−14,20−23面からの回折線に帰属された(ICSD No.26170,JCPDS No.65−3411)。
回折線の相対強度は、加熱前のZnOや無配向ZnO粒子の相対強度と同様であった。これは、ZnOが加熱処理においても、その結晶性及び形態を維持していることを示している。平均結晶子サイズを、シェラーの式を用いて、XRDピークの半値幅より見積もった。
10−10面、0002面及び10−11面に垂直方向の結晶子サイズは、それぞれ、38,38or29nmと見積もられ、加熱前の値(24,36or26nm)よりごく僅か大きな値であった。これは、高温での僅かな結晶成長によるものと考えられる。また、2θ=22−23°に、ガラス由来のブロードなピークが観察された。
(5)ZnO自立膜の形態
図7に、ZnO結晶自立膜の空気面のSEM像を示す。b−dは、aの拡大図である。ZnO自立膜は、空気面と、FTO基板と接触していた基板面では、それぞれ異なった形態を有していた。空気面は自立膜全面に渡って平坦な表面を有していた(図7a)。この表面は、粒子が互いに結合した連続膜であった(図7b)。粒子間の接触箇所には加熱処理によりネックが形成されていた(図7c)。
ZnO粒子の大きな針状結晶は、平滑な表面を有する六角柱状形態を有していた(図7d)。ナノサイズのステップが大きな針状結晶の側面及び先端面から観察された。ステップのラインは、大きな針状結晶の外形の結晶面と平行であった。加熱前にZnOの大きな針状結晶から観察された小さな針状結晶のひだは、加熱により、ナノサイズのステップ及びテラスを持つ平滑な表面へと結晶成長したものと考えられる。
図8に、ZnO結晶自立膜の基板面のSEM像を示す。b−dは、aの拡大図である。ZnO膜の基板面もまた、自立膜全面に渡って平滑な表面であった(図8a)。しかし、粒子の密度は、空気面よりも低いものであった(図8b)。これは、粒子膜の形成プロセスと関連しているものと考えられる。ZnO粒子堆積膜の形成初期において、まず、大きな粒子や凝集した粒子が堆積したものと考えられる。
その後、小さな粒子が堆積して、ZnO膜表面を覆ったものと考えられる。そのため、ZnO自立膜は、空気面と基板面で異なった形態を有していたものと考えられる。粒子は、加熱によりネックを形成して互いに結合した(図8c)。粒子表面は、加熱に伴う結晶成長により、平坦な表面を有していた。
また、ZnO粒子を形成している大きな針状結晶の側面及び先端面からは、ナノサイズのステップ及びテラスから構成される縞模様が観察された(図8d)。ZnO自立膜の下部を固定して54°の角度に傾け、自立膜先端をSEMにより観察した。図9に、ZnO結晶自立膜の破断面のSEM像を示す。bは、aの拡大図である。。ZnO膜は高い強度を有しており、下部の固定のみで自立させることができた。
膜厚は、およそ8.5μmと見積もられた(図9a)。自立膜はZnO粒子からなる多孔質膜であった。粒子の結合により自立膜を形成しており、連続したオープンポアが膜を透過している様子が観察された。ZnO自立膜は、多針体ZnO粒子で囲まれた多くの空間と連続オープンポアを有していた。
(6)FTO基板の形態・FTO層の効果
FTO基板は、厚いガラス基板と、表面凹凸構造を有する薄いFTO(FドープSnO)層から形成されている。SnOの融点は、1127℃であり、ガラスの融点は720−730℃である。ガラスは950℃の加熱により溶融し、上に凸のドーム形状へと変形した(図1)。
ガラス基板の変形によりZnO膜と基板との間に応力が発生する。この応力により、ZnO膜の剥離が促進された。一方、ガラス基板上のFTO層は、高い融点のため、950℃での加熱では溶融しない。図10に、加熱前後の基板表面のSEM像を示す。aは、加熱前、bは加熱後である。通常、膜は溶融した基板と固着してしまうが、このプロセスでは、FTO層がZnO膜とガラス基板との固着を防いでいる。
FTO層は、結合絶縁層(固着防止層)として機能しているのである。また、FTOは加熱処理においても、表面凹凸構造を維持していた。この表面凹凸構造により、ZnO膜と基板との接触点を減少させており、このことが、ZnO膜の基板への結合強度を減少させ、自立膜として剥離しやすくしている。
以上詳述したように、本発明は、多孔質ZnO粒子結合自立膜及びその作製方法に係るものであり、本発明により、水溶液中において合成したZnO結晶粒子を用いて、例えば、SnO被覆ガラス基板上にZnO粒子堆積膜を形成させ、その加熱処理により、ZnO自立膜を合成することができる。本自立膜は、基板を必要とせずに、単独膜として得ることができるとともに、他の基板上に貼付(ペースト)することもできる。また、本自立膜は、ZnO粒子から構成されており、粒子間の接触点が加熱によってネックを形成して結合しているため、ZnO膜内に空隙が多く形成され、多孔体となっている。本自立膜は、連続した空隙が多く、ガスや溶液を透過させることができる。
本発明は、ZnO結晶自立膜として、あるいは任意の基板上にペーストして使用することができ、蛍光体、分子センサー、ガスセンサー、色素増感型太陽電池、フィルター、触媒等として利用できる多孔質ZnO結晶自立膜を提供するものとして有用である。
ZnO自立膜形成の模式図を示す。 ZnO結晶粒子堆積膜の写真を示す。 FTO基板上に形成したZnO結晶粒子堆積膜のXRDパターンを示す。 ZnO結晶粒子堆積膜のSEM像を示す。 図4の拡大SEM像を示す。 ZnO結晶自立膜のXRDパターンを示す。 ZnO結晶自立膜の空気面のSEM像(a)を示す。(b−d)は(a)の拡大SEM像である。 ZnO結晶自立膜の基板面のSEM像(a)を示す。(b−d)は(a)の拡大SEM像である。 ZnO結晶自立膜の破断面のSEM像(a)を示す。(b)は(a)の拡大SEM像である。 加熱前後の基板表面のSEM像を示す。(a)は加熱前、(b)は加熱後である。

Claims (11)

  1. ZnO結晶粒子が基板上に堆積したZnO結晶粒子堆積膜の粒子間の接触点がネックを形成して結合したZnO粒子結合膜であって、
    上記ZnO結晶粒子堆積膜は、1)粒子堆積膜中にオープンポアが連続してつながった形状を有し、2)粒子堆積膜表面が多針体粒子で覆われている粒子形態を有し、3)粒子中心から成長した針状結晶を有し、4)針状結晶の長手方向がc軸方向であり、5)ZnO結晶の少なくても10−10,0002,10−11面からの回折線に帰属できる回折線を有するXRDパターンを示し、
    上記ZnO粒子結合膜は、白色の多孔質膜であり、上記ZnO結晶粒子堆積膜を構成するZnO粒子が互いに結合して連続膜を形成した構造を有することを特徴とするZnO粒子結合膜。
  2. 請求項1に記載のZnO粒子結合膜を自立させたZnO粒子結合自立膜であって、1)ZnO粒子からなる多孔質膜であり、2)基板面と反対側の空気面は自立膜全面に渡って平坦な表面を有し、3)この表面は粒子が互いに結合した連続膜であり、4)ZnO結晶の10−10,0002,10−11,10−12,11−20,10−13,20−20,11−22,20−21,0004,20−22,10−14,20−23面からの回折線に帰属できる回折線を有するXRDパターンを示す結晶相を有する、ことを特徴とするZnO粒子結合自立膜。
  3. 基板が、ガラス、金属、セラミックス、ポリマー、又は紙の基板である、請求項1に記載のZnO粒子結合膜。
  4. 基板が、平板状、繊維、粒子、又は複雑形状の形態を有する、請求項1に記載のZnO粒子結合膜。
  5. 請求項2に記載のZnO粒子結合自立膜を基板の上に貼付(ペースト)したZnO膜であって、1)ZnO膜内に多くの連続した空隙を有し、2)基板の曲げ性に対応した曲げ性(フレキシビリティー)を有する、ことを特徴とするZnO膜。
  6. 請求項1に記載のZnO粒子結合膜を作製する方法であって、酸化亜鉛が析出する亜鉛含有溶液からなる反応系を用いて、基板上にZnO粒子を沈降、堆積させることにより作製したZnO結晶粒子堆積膜を加熱処理して粒子間の接触点を加熱、溶融させてネックを形成させることにより連続膜を作製することを特徴とするZnO粒子結合膜の作製方法。
  7. 反応系に、エチレンジアミン又はアンモニアを添加してZnO粒子を沈降、堆積させる、請求項6に記載のZnO粒子結合膜の作製方法。
  8. 請求項2に記載のZnO粒子結合自立膜を作製する方法であって、請求項6に記載の方法によりZnO結晶粒子堆積膜を加熱処理して作製したZnO粒子結合膜を基板より剥離してZnO自立膜とすることを特徴とするZnO粒子結合自立膜の作製方法。
  9. 加熱処理を行う際に、ガラス基板の溶融変形及びSnO接合絶縁層を用いてZnO自立膜を作製する、請求項8に記載のZnO粒子結合自立膜の作製方法。
  10. 請求項2に記載のZnO粒子結合自立膜又は該自立膜を基板の上に貼付(ペースト)したZnO膜を構成要素として含むことを特徴とするZnO膜部材。
  11. 部材が、蛍光体、分子センサー、ガスセンサー、色素増感型太陽電池、フィルター、又は触媒である、請求項10に記載のZnO膜部材。
JP2007215015A 2007-08-21 2007-08-21 多孔質ZnO粒子結合自立膜及びその作製方法 Expired - Fee Related JP5099324B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007215015A JP5099324B2 (ja) 2007-08-21 2007-08-21 多孔質ZnO粒子結合自立膜及びその作製方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007215015A JP5099324B2 (ja) 2007-08-21 2007-08-21 多孔質ZnO粒子結合自立膜及びその作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009046358A JP2009046358A (ja) 2009-03-05
JP5099324B2 true JP5099324B2 (ja) 2012-12-19

Family

ID=40498948

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007215015A Expired - Fee Related JP5099324B2 (ja) 2007-08-21 2007-08-21 多孔質ZnO粒子結合自立膜及びその作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5099324B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103482682A (zh) * 2013-10-14 2014-01-01 武汉工程大学 一种hepes分子引导的多孔氧化锌微球的制备方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160024688A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fabrication and/or application of zinc oxide crystals with internal (intra-crystalline) porosity
US10727374B2 (en) 2015-09-04 2020-07-28 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Transparent conductive structure and formation thereof
US10741724B2 (en) 2015-10-02 2020-08-11 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode devices with zinc oxide layer
CN105565366B (zh) * 2016-01-21 2017-05-24 山东科技大学 一种具有三维立体结构的多孔氧化锌的制备方法
US10981800B2 (en) 2016-04-14 2021-04-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chamber enclosure and/or wafer holder for synthesis of zinc oxide
US10407315B2 (en) 2016-04-14 2019-09-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method and/or system for synthesis of zinc oxide (ZnO)
US10981801B2 (en) 2016-04-14 2021-04-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluid handling system for synthesis of zinc oxide

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004149367A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Japan Science & Technology Agency 酸化亜鉛粒子又は膜製造用水溶液及び酸化亜鉛粒子又は膜の製造方法
JP2006283143A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Dainippon Printing Co Ltd 金属酸化物膜の製造方法
JP4714844B2 (ja) * 2005-07-15 2011-06-29 独立行政法人産業技術総合研究所 ポーラス酸化亜鉛膜形成用前駆体の製造方法、ポーラス酸化亜鉛膜の製造方法
JP4665175B2 (ja) * 2007-01-09 2011-04-06 独立行政法人産業技術総合研究所 高c軸配向高比表面積ZnO結晶自立膜及びその作製方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103482682A (zh) * 2013-10-14 2014-01-01 武汉工程大学 一种hepes分子引导的多孔氧化锌微球的制备方法
CN103482682B (zh) * 2013-10-14 2015-05-20 武汉工程大学 一种hepes分子引导的多孔氧化锌微球的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009046358A (ja) 2009-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5099324B2 (ja) 多孔質ZnO粒子結合自立膜及びその作製方法
JP4803443B2 (ja) 酸化亜鉛粒子ならびに酸化亜鉛粒子膜及びそれらの作製方法
Selvaraj et al. Sol–gel fabrication of epitaxial and oriented TiO2 thin films
JP5403497B2 (ja) 結晶成長用基板とこれを用いた結晶成長方法
Kenanakis et al. Growth of c-axis oriented ZnO nanowires from aqueous solution: the decisive role of a seed layer for controlling the wires’ diameter
US20090098043A1 (en) Method for preparing zinc oxide nanostructures and zinc oxide nanostructures prepared by the same
KR101352246B1 (ko) 산화아연 박막의 제조방법
JP2015212213A (ja) グラフェンシートとの一体化ZnOナノロッド、およびグラフェンシート上へのZnOナノロッドの製造方法
JP2008297168A (ja) ZnOウィスカー膜及びその作製方法
JP4665175B2 (ja) 高c軸配向高比表面積ZnO結晶自立膜及びその作製方法
WO2007071130A1 (fr) Film de type hydrotalcite a orientation verticale presentant une structure composite et son procede de preparation
JP2008230895A (ja) ZnOウィスカー、ZnOウィスカー膜及びそれらの作製方法
JP5263750B2 (ja) ナノ針状アナターゼTiO2結晶集積粒子と多孔質アナターゼTiO2結晶膜の作製方法
WO2010143344A1 (ja) 金属ナノシートの製造方法、および金属ナノシート
Segawa et al. Low-temperature crystallization of oriented ZnO film using seed layers prepared by sol–gel method
JP2004149367A (ja) 酸化亜鉛粒子又は膜製造用水溶液及び酸化亜鉛粒子又は膜の製造方法
CN113718227B (zh) 一类二维层状三元化合物及其制备方法
JP2007326276A (ja) 機能性フィルムの製法及び製品
JP2009096656A (ja) ZnOロッドアレイ及びその作製方法
JP2009040640A (ja) 酸化亜鉛薄膜の製造方法
JP2015105202A (ja) 酸化チタン膜及びその形成方法
JP5176224B2 (ja) Zn5(CO3)2(OH)6結晶自立膜及びその作製方法
KR101072863B1 (ko) 미세구조의 패턴이 표면에 형성된 탄산칼슘 박막, 이의 제조방법 및 상기 미세구조의 패턴이 표면에 형성된 탄산칼슘 박막의 용도
JP2004238226A (ja) アナターゼナノ結晶とその薄膜、及びこれらの製造方法
JP5540365B2 (ja) ZnOシード層、ZnOウィスカーパターン及びそれらの作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090715

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120228

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120611

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120731

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120822

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120911

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees