JP5092640B2 - 指針盤の製造方法 - Google Patents

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本発明は、指針盤の製造方に関し、特にディスプレイ機能付きの指針盤の製造方に関する。
針式腕時計、針式壁掛け時計、針式置き時計、針式計測器等において、針の位置によって時刻、計測値等が表される。針の裏側には指針盤が設けられており、指針盤には目盛り等が設けられている。指針盤の背面には指針駆動部が取り付けられており、指針盤の指針が形成される領域が穿孔されており、その孔に指針駆動部の駆動軸が通され、指針盤の正面側において針が駆動軸に取り付けられている。
また、各種の表示機能付きの指針盤も用いられている。例えば、指針盤の前面側に液晶ディスプレイパネルが設けられ、その液晶ディスプレイパネルで各種の表示が行われる。
特開平11−202059号公報
ところで、液晶ディスプレイだけでなく、有機EL(EL:Electro-Luminescence:エレクトロ ルミネッセンス)素子アレイを利用したディスプレイパネルも指針盤に利用したいという要望がある。ところが、ディスプレイパネルの有機EL素子に外気が接触すると、有機EL素子が劣化しやすいという問題があり、そのような劣化を防止するべく、有機EL素子を封止する必要がある。その封止の方法としては、基板に形成された有機EL素子アレイの周辺部に枠状のシールを形成し、そのシールの上からカバーを被せる方法がある。
しかしながら、有機ELディスプレイパネルを指針盤に用いる場合、針の駆動軸を通すための孔をディスプレイパネルの中央部に貫通させる必要がある。そのためには、有機EL素子アレイの中央部やカバーの中央部に孔を形成し、その孔の周囲にシールを設け、その孔の周囲においてそのシールを有機EL素子アレイとカバーとの間に挟持する必要がある。ところが、有機EL素子アレイとシールの密着性は高くないので、そのシール性が高くない。更に、その孔の壁面には有機EL素子アレイの断面が存するので有機EL素子が外気に接してしまう。
そこで、本願は、シール性を高められるようにすることを課題とする。
以上の課題を解決するために、請求項1に係る発明によれば、
基板の一方の面側に画素電極を形成し、
前記画素電極が形成された面の指針駆動軸が形成される領域にレジストを形成し、
前記レジストを残留させた状態で前記画素電極の上に有機EL層及び対向電極を順に成膜し、
前記レジストを除去した後に、前記レジストがあった箇所にセンターシールを形成し、
前記センターシールに重なる部分において前記基板を穿孔する、ことを特徴とする指針盤の製造方法が提供される。
請求項2に係る発明によれば、
前記基板の穿孔の前に前記センターシールの上からカバーを被せ、前記基板の穿孔に際して前記センターシールに重なる部分において前記カバーも穿孔する、ことを特徴とする請求項1に記載の指針盤の製造方法が提供される。
請求項3に係る発明によれば、
基板の一方の面側に画素電極を形成し、
前記画素電極が形成された面の指針駆動軸が形成される領域にレジストを形成し、
前記画素電極が形成された面の周囲部に枠状のマスクを重ね、
前記レジストを残留させ且つ前記マスクを重ねた状態で前記画素電極の上に有機EL層及び対向電極を順に成膜し、
前記レジスト及び前記マスクを除去した後に、前記レジストがあった箇所にセンターシールを形成し、前記マスクがあった箇所に枠状シールを形成し、
前記センターシールに重なる部分において前記基板を穿孔する、ことを特徴とする指針盤の製造方法が提供される。
請求項4に係る発明によれば、
前記基板の穿孔の前に前記センターシール及び前記枠状シールの上からカバーを被せ、前記基板の穿孔に際して前記センターシールに重なる部分において前記カバーも穿孔する、ことを特徴とする請求項3に記載の指針盤の製造方法が提供される。
請求項5に係る発明によれば、
前記センターシールを形成するに際してそのセンターシールをリング状に形成し、
前記基板の穿孔に際して、前記センターシールの中央部の穴に重なる部分において前記基板を穿孔する、ことを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の指針盤の製造方法が提供される。
本発明によれば、指針駆動軸が形成される領域にレジストを残留させ且つマスクを重ねた状態で画素電極の上に有機EL層、対向電極を積層したので、レジストやマスクに重なった部分には有機EL層や対向電極が形成されない。そして、レジストがあった箇所にセンターシールを形成し、マスクがあった箇所に枠状シールを形成したので、センターシールや枠状シールの密着性が高い。そのため、シール性を高くすることができる。
指針駆動軸が形成される領域に島状に設けられたレジストは周囲のマスクから離れているが、レジストであるがゆえに、有機EL層や対向電極の成膜の際にそのレジストがずれにくい。そのため、決められた中央部に有機EL層や対向電極を成膜しないようにすることを確実に行える。
また、センターシールに重なる部分が穿孔されるが、その部分には有機EL層や対向電極が形成されていないので、その孔の壁面には有機EL層や対向電極が露出していない。そのため、有機EL層や対向電極の外気への接触を防止することができる。
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
マトリクスディスプレイ機能付きの指針盤を製造するに際して、まず、図1、図2に示すように、ガラス製又はプラスチック製の透明基板2を準備する。基板として透明基板2を用いるが、基板として透明な可撓性シートを用いてもよい。
透明基板2の一方の面に対し、透明な導電性膜を気相成長法(例えば、スパッタリング法、蒸着法等)によって成膜し、その導電性膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって複数の画素電極3に形状加工する。画素電極3を形成するに際して、これら画素電極3を二次元アレイ状に配列するようにする。画素電極3は、例えば、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム(In23)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)又はカドミウム−錫酸化物(CTO)からなるものである。なお、画素電極3が、有機EL素子のアノード電極になる。
続いて、透明基板2の一方の面に対して気相成長法、フォトリソグラフィー法、エッチング法、レジスト除去工程を適宜行うことによって透明基板2の一方の面にトランジスタ層4を形成する。トランジスタ層4はアクティブマトリクス駆動回路を構成するものであって、アクティブマトリクス駆動回路は複数の信号線、平面視してそれら信号線に直交する複数の走査線、信号線と走査線の各交差部に配置された薄膜トランジスタ5等を有するものである。アクティブマトリクス駆動回路の回路構成はどのようなものであってもよく、1画素につき設けられる薄膜トランジスタ5の数は本発明を限定するものでない。
トランジスタ層4を形成するに際しては、オーバーコート層6を成膜し、そのオーバーコート層6によって薄膜トランジスタ5を被覆する。また、そのオーバーコート層6をパターニングすることによって、それぞれの画素電極3に対応する箇所に開口7を形成する。これにより、画素電極3を露出させる。
なお、トランジスタ層4を形成した後に、複数の画素電極3をオーバーコート層6の上に形成してもよい。
次に、これらトランジスタ層4が形成された面にネガ型レジスト膜を形成し、そのネガ型レジスト膜の中央部を円形状に露光する。露光するに際して、光量を低めにするとよい。そして、レジスト膜を現像剤で現像すると、図3〜4に示すように、露光しなかった部分が除去され、露光した部分8が残留する。ここで、露光時の光量を低めにすると、残留したレジスト8の形状は、透明基板2側に向かうにつれて径が小さくなる円錐台状となる。このように、フォトレジスト法を用いたので、残留レジスト8を指針駆動軸が形成される領域において島状に形成することができ、残留レジスト8がずれたりしにくい。なお、レジストはポジ型であってもよいが、その場合、露光する箇所と露光しない箇所はネガ型に対して反転させる。
次に、枠状のマスク9を透明基板2の縁部分に沿って透明基板2の上に重ねる。なお、このマスク9を重ねるのが好ましいが、このマスク9を重ねなくてもよい。
次に、図5に示すように、有機EL層10を蒸着法によって成膜する。そうすると、残留レジスト8及びマスク9の重なっていない部分では、複数の画素電極3の上に有機EL層10が積層され、残留レジスト8及びマスク9の上には、有機EL層10と同材料の層11が形成される。ここで、有機EL層10を成膜するに際して、発光層だけを成膜してその発光層を有機EL層10としてもよいし、正孔輸送層及び発光層を順に積層してその積層物を有機EL層10としてもよいし、発光層及び電子輸送層を順に積層してその積層物を有機EL層10としてもよいし、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を順に積層してその積層物を有機EL層10としてもよい。なお、他の気相成長法によって有機EL層10を成膜してもよいし、塗布法によって有機EL層10を成膜してもよい。また、有機EL層10を複数の画素に共通するよう一面に成膜するのではなく、印刷法によって有機EL層10を画素ごとに形成してもよい。
次に、対向電極12を気相成長法(蒸着法、スパッタリング法等)によって成膜する。そうすると、残留レジスト8及びマスク9の重なっていない部分において、有機EL層10の上に対向電極12が積層され、残留レジスト8及びマスク9の上には、対向電極12と同材料の層13が形成される。成膜された対向電極12が有機EL素子のカソード電極となる。以上の工程を経ることで、指針盤用の表示パネル40が得られる。なお、マスク9を重ねずに、有機EL層10と対向電極12を順に成膜してもよい。
次に、マスク9を外すとともに、残留レジスト8を除去液で除去する。
次に、図6に示すように、有機EL層10や対向電極12が形成されていない中央部の指針駆動軸が形成される領域(残留レジスト8があった箇所)に保護メタル膜14を成膜する。
次に、図6〜7に示すように、有機EL層10や対向電極12が形成されていない中央部の指針駆動軸が形成される領域(残留レジスト8があった箇所)にリング状のセンターシール15を印刷するとともに、有機EL層10や対向電極12が形成されていない周囲部(マスク9があった箇所)に枠状のシール16を印刷する。なお、シール15はリング状でなく、円形状であってもよいが、シール15がリング状であると、ドリルにシール15が絡み付くことがなくなる。なお、マスク9を重ねずに、有機EL層10と対向電極12を成膜した場合、対向電極12の上であってその周囲部に枠状シール16を印刷することになる。
次に、図8に示すように、有機EL層10、対向電極12が形成された面をシール15,16の上からガラス製のカバー17で覆い、シール15,16にカバー17を接合する。なお、カバー17の中央部に予め孔が形成されていてもよく、その場合、シール15の周囲部分がカバー17の孔の縁部分に重ねる。
次に、図9に示すように、ドリルによって透明基板2及びカバー17の中央部を穿孔し、残留レジスト8の直径よりも小さい直径のセンターホール18をその中央部に形成する。このように、透明基板2、カバー17、オーバーコート層6、保護メタル膜14を同時に穿孔することができる。ここで、穿孔する箇所は、シール15の中央部の穴19に重なる部分である。以上により、指針盤1が完成する。
なお、シール15がリング状でなく、円形状である場合、シール15の中央部もドリルによって穿孔する。また、カバー17の中央部に予め孔が形成されている場合、透明基板2にセンターホール18を形成し、カバー17に予め形成された孔とそのセンターホール18が連なる。
次に、図10〜11に示すように、得られた指針盤1に対して半透明化粧板20を貼り付ける。具体的には、トランジスタ層4が形成された面とは反対側の面に、中央部に穴の開いた半透明化粧板20を貼り付ける。
次に、指針駆動部21の駆動軸22をセンターホール18に通して、指針駆動部21をカバー17に取り付ける。次に、駆動軸22に指針23を取り付ける。指針駆動部21は指針23を回転させるものである。
この指針盤1は時計用、計測用等に用いられるものであり、指針23の数、指針駆動部21の動作、半透明化粧板20の表示等は指針盤1の用途に応じたものである。この指針盤1においては、透明基板2が表示面となる。なお、カバー17が表示面となってもよい。この場合、透明基板2や画素電極3は透明でなくてもよいが、カバー17及び対向電極12を透明にする必要がある。
以上のように、本実施形態によれば、中央部のレジスト8を残留させ且つマスク9を重ねた状態で画素電極3の上に有機EL層10、対向電極12を積層したので、有機EL層10や対向電極12を積層した後でも、レジスト8やマスク9に重なった部分には有機EL層や対向電極が形成されず、オーバーコート層6が露出している。そして、レジスト8があった箇所にセンターシール15を形成し、マスク9があった箇所に枠状シール16を形成したので、センターシール15や枠状シール16の密着性が高い。そのため、シール性を高くすることができる。
また、透明基板2やカバー17はセンターシール15に重なる部分において穿孔されるが、その部分には有機EL層10や対向電極12が形成されていないので、そのセンターホール18の壁面には有機EL層10や対向電極12が露出していない。そのため、有機EL層10や対向電極12の外気への接触を防止することができる。
また、センターホール18の形成前に、カバー17、センターシール15及び枠状シール16を設けたので、穿孔時の切り屑が対向電極12の上に付着しない。そのため、対向電極12を保護することができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態に対して種々の設計変更を行ったものも本発明の範囲に含まれる。
上記実施形態では、センターホール18の形成前にカバー17を重ねて接合したが、カバー17を重ねずにセンターホール18をドリルにより形成してもよい。その場合、センターホール18の形成後にカバー17を重ねるのがより好ましい。センターホール18の形成後に重ねるカバー17の中央部には予め孔が形成されており、カバー17を重ねて接合する際には、カバー17の孔がセンターホール18に重なる。
図1は、指針盤の製造方法において画素電極を形成した状態を示した平面図である。 図2は、図1のII−II線に沿った面の矢視断面図である。 図3は、指針盤の製造方法においてレジスト及びマスクを施した状態を示した平面図である。 図4は、図3のIV−IV線に沿った面の矢視断面図である。 図5は、指針盤の製造方法において有機EL層及び対向電極を形成した状態を示した断面図である。 図6は、指針盤の製造方法においてシールを施した状態の状態を示した断面図である。 図7は、指針盤の製造方法においてシールを施した状態の状態を示した平面図である。 図8は、指針盤の製造方法においてカバーを施した状態の状態を示した断面図である。 図9は、指針盤の製造方法において孔を施した状態の状態を示した断面図である。 図10は、指針盤に指針等を取り付けた状態を示した平面図である。 図11は、図10のXI−XI線に沿った面の矢視断面図である。
符号の説明
2 透明基板
3 画素電極
8 レジスト
9 マスク
10 有機EL層
12 対向電極
15 センターシール
16 枠状シール
17 カバー
18 センターホール
19 穴
40 表示パネル

Claims (5)

  1. 基板の一方の面側に画素電極を形成し、
    前記画素電極が形成された面の指針駆動軸が形成される領域にレジストを形成し、
    前記レジストを残留させた状態で前記画素電極の上に有機EL層及び対向電極を順に成膜し、
    前記レジストを除去した後に、前記レジストがあった箇所にセンターシールを形成し、
    前記センターシールに重なる部分において前記基板を穿孔する、ことを特徴とする指針盤の製造方法。
  2. 前記基板の穿孔の前に前記センターシールの上からカバーを被せ、前記基板の穿孔に際して前記センターシールに重なる部分において前記カバーも穿孔する、ことを特徴とする請求項1に記載の指針盤の製造方法。
  3. 基板の一方の面側に画素電極を形成し、
    前記画素電極が形成された面の指針駆動軸が形成される領域にレジストを形成し、
    前記画素電極が形成された面の周囲部に枠状のマスクを重ね、
    前記レジストを残留させ且つ前記マスクを重ねた状態で前記画素電極の上に有機EL層及び対向電極を順に成膜し、
    前記レジスト及び前記マスクを除去した後に、前記レジストがあった箇所にセンターシールを形成し、前記マスクがあった箇所に枠状シールを形成し、
    前記センターシールに重なる部分において前記基板を穿孔する、ことを特徴とする指針盤の製造方法。
  4. 前記基板の穿孔の前に前記センターシール及び前記枠状シールの上からカバーを被せ、前記基板の穿孔に際して前記センターシールに重なる部分において前記カバーも穿孔する、ことを特徴とする請求項3に記載の指針盤の製造方法。
  5. 前記センターシールを形成するに際してそのセンターシールをリング状に形成し、
    前記基板の穿孔に際して、前記センターシールの中央部の穴に重なる部分において前記基板を穿孔する、ことを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の指針盤の製造方法
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