JP5086750B2 - 配列粒子含有膜の製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1には、導電性粒子を絶縁性接着剤層の表面に配置させた異方性接着フィルムが開示されており、前記導電性粒子を前記絶縁性接着剤層の表面層に均一配置させる方法としては、前記導電性粒子を同一電荷に帯電させて散布させる方式が提案されている。しかし、この方式では、前記導電性粒子の電荷は、僅か数十秒間程度で消滅するため、前記絶縁性接着剤層上に、前記導電性粒子を配列させた状態を維持するのが困難である。
<1> 一の噴霧手段を用いて噴出され、静電電位付与手段により静電電位が付与された導電性粒子と、他の噴霧手段を用いて噴出された樹脂粒子とを、被処理面上に同時に噴霧することにより、前記樹脂粒子で形成された樹脂膜中に、前記導電性粒子を単層配列させる工程を含むことを特徴とする配列粒子含有膜の製造方法である。
該<1>に記載の配列粒子含有膜の製造方法においては、別々の前記噴霧手段を用いて噴出され、静電電位が付与された前記導電性粒子と、前記樹脂粒子とが、前記被処理面上に向かって同時に噴霧される。すると、前記導電性粒子の静電電位が損なわれることなく、前記被処理面における前記導電性粒子の位置安定性が確保された状態にて、前記樹脂粒子が堆積されて前記樹脂膜が形成される。その結果、ミクロンオーダーの配列間隔で単層配列された前記導電性粒子を樹脂膜中に含有する配列粒子含有膜が得られる。
<3> 導電性粒子の静電電位が、300V〜1,500Vである前記<1>から<2>のいずれかに記載の配列粒子含有膜の製造方法である。
<4> 噴霧手段を用いて噴出された導電性粒子の被処理面への到達速度が、0.3m/min以下である前記<1>から<3>のいずれかに記載の配列粒子含有膜の製造方法である。
<5> 噴霧手段が、ノズルを有する前記<1>から<4>のいずれかに記載の配列粒子含有膜の製造方法である。
<6> ノズルの径が、0.1mm〜1.0mmである前記<5>に記載の配列粒子含有膜の製造方法である。
<7> 樹脂膜中の隣接する導電性粒子同士の中心間距離の10点平均が、1μm〜30μmである前記<1>から<6>のいずれかに記載の配列粒子含有膜の製造方法である。
<8> 樹脂膜中の導電性粒子の中心と、被処理面との距離の10点平均が、9μm以下である前記<1>から<7>のいずれかに記載の配列粒子含有膜の製造方法である。
<9> 被処理面が導電性パターンを有してなり、該導電性パターン上に、導電性粒子を選択的に配列させる前記<1>から<8>のいずれかに記載の配列粒子含有膜の製造方法である。
本発明の配列粒子含有膜の製造方法は、一の噴霧手段を用いて噴出され、静電電位付与手段により静電電位が付与された導電性粒子と、他の噴霧手段を用いて噴出された樹脂粒子とを、被処理面上に同時に噴霧することにより、前記樹脂粒子で形成された樹脂膜中に、前記導電性粒子を単層配列させる工程を少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。
前記導電性粒子としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、半田、ニッケル、金等の金属粒子;金属(ニッケル、金、アルミニウム、銅等)で被覆(メッキ)された、樹脂粒子、ガラス粒子あるいはセラミック粒子;などが挙げられる。
前記導電性粒子の平均粒径としては、例えば、体積平均粒径で、2〜10μmが好ましく、2〜4μmがより好ましい。
前記平均粒径が、2μm未満であると、分級処理及び入手が困難であり、10μmを超えると、微細な粒子配列を必要とする各種部材の製造への応用が困難となることがある。
前記導電性粒子の比重としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、1.5〜3.0が好ましい。
前記比重が、1.5未満であると、前記被処理面上での前記導電性粒子の位置安定性を確保することが困難になることがあり、3.0を超えると、前記導電性粒子を単層配列させるためには、より高い静電電位の付与が必要となることがある。
前記スラリー溶液における前記導電性粒子の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、20〜40質量%が好ましい。
前記含有量が、20質量%未満であると、噴霧時間が長くなり、製造効率が低下することがあり、40質量%を超えると、前記導電性粒子間で凝集が発生し易くなることがある。
前記溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、トルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトン(MEK)、エタノールなどが好適に挙げられる。
前記樹脂粒子は、樹脂を溶剤に溶解させて調製したスラリー溶液を、前記噴霧手段を用いてミスト状に噴出させることにより形成される。
また、前記樹脂粒子が、前記噴霧手段により前記被処理面に対して噴霧されることにより、堆積されて樹脂膜が形成される。
前記粒径が、4μm未満あるいは6μmを超えると、前記導電性粒子の配列に乱れが生じることがある。
前記含有量が、10質量%未満であると、噴霧時間が長くなり、製造効率が低下することがあり、30質量%を超えると、ミストを噴霧することが困難になることがある。
前記溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、トルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトン(MEK)、エタノールなどが好適に挙げられる。
前記エポキシ樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
また、前記アクリレートをメタクリレートにしたものが挙げられ、これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記厚みが、2μm未満であると、前記導電性粒子の固定化が困難になることがあり、20μmを超えると、噴霧時間が長くなり、製造効率が低下することがある。
前記噴霧手段は、前記導電性粒子及び前記樹脂粒子を、前記被処理面に対して噴霧する機能を有する。
前記噴霧手段は、前記一の噴霧手段と、前記他の噴霧手段との少なくとも2つが必要であり、これら別々の噴霧手段により、前記導電性粒子と前記樹脂粒子とを、前記被処理面に対して同時に噴霧することが必要である。これらの粒子を同時に噴霧しない場合、例えば、予め形成した樹脂膜上に、前記導電性粒子のみを噴霧する場合、後述する静電電位付与手段により前記導電性粒子に付与された静電電位を有していても、前記樹脂膜が存在することから、電気的な制御が不能となり、前記導電性粒子を単層配列させることができないことがある。
前記一の噴霧手段及び前記他の噴霧手段の形状、構造、大きさなどは、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
前記被処理面への前記導電性粒子の到達速度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.3m/min以下が好ましい。
前記到達速度が、0.3m/minを超えると、任意の場所に前記導電性粒子の配列を形成するのが困難になることがある。
前記ノズルとしては、その形状、構造、大きさ、径としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができるが、前記ノズルの径としては、0.1〜1.0mmが好ましい。
前記ノズルの径が、0.1mm未満であると、噴霧し難くなることがあり、1.0mmを超えると、ミストの粒径制御が困難となることがある。
前記ノズルは、市販品であってもよいし、適宜作製したものであってもよく、前記市販品としては、例えば、図1に示す、二流体ノズル(「2流体スプレーノズル 1/4JAUCO」;スプレイイングシステムス(株)製)が挙げられる。
前記静電電位付与手段は、前記導電性粒子に静電電位を付与する機能を有する。
前記静電電位付与手段は、前記導電性粒子が前記噴霧手段を用いて噴出された直後に、前記導電性粒子に静電電位を付与するのが好ましく、例えば、前記静電電位付与手段を、前記噴霧手段における前記導電性粒子の噴出口に隣接配設し、かつ特定の電圧を印加することにより、前記導電性粒子を帯電させることができる。
前記静電電位付与手段により静電電位が付与された前記導電性粒子における、該静電電位の大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、300〜1,500Vが好ましい。
前記静電電位の大きさが、300V未満であると、前記導電性粒子が配列し難いことがあり、1,500Vを超えると、前記導電性粒子同士が反発し合い、配列構造を制御することができないことがある。
前記被処理面は、前記導電性粒子を単層配列させる対象であり、該被処理面としては、各種部材の表面が挙げられ、例えば、基板の表面、各種膜(例えば、樹脂膜)の表面などが挙げられる。
前記導電性パターンとしては、導電性を有する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、その材質としては、金属が好適に挙げられ、パターン形状としては、ライン状のほか、目的に応じて各種模様を選択することができる。
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記導電性粒子が単層配列された前記樹脂膜を加熱し、前記溶剤を乾燥させる工程などが挙げられる。
図2に示すように、一の噴霧手段10を用いて噴出された導電性粒子12と、他の噴霧手段20を用いて噴出された樹脂粒子22とを、被処理面40上に同時に噴霧する。このとき、一の噴霧手段10と被処理面40との間であって、一の噴霧手段10における導電性粒子12の噴出口に、静電電位付与手段30が隣接配置されており、導電性粒子12は、一の噴霧手段10を用いて噴出された直後、静電電位付与手段30により電圧が印加されて、静電電位が付与される。
このように、別々の噴霧手段(噴霧手段10及び噴霧手段20)を用いて噴出された導電性粒子12と、樹脂粒子22とが、同時に被処理面40上に噴霧されるので、導電性粒子12は、静電電位が損なわれることなく被処理面40上にて単層配列され、しかも導電性粒子12の位置安定性が確保された状態にて、樹脂粒子22が堆積されて樹脂膜24が形成される。その結果、樹脂膜24中に、導電性粒子12が、ミクロンオーダーの配列間隔で単層配列された配列粒子含有膜が得られる。
本発明の前記配列粒子含有膜の製造方法により得られた配列粒子含有膜は、ミクロンオーダーの配列間隔で単層配列された導電性粒子を有するので、粒子の規則配列が要求される各種分野に好適に使用することができ、例えば、DNAチップにおけるDNA固定用導電性基材、MEMS(メムス;Micro Electro Mechanical Systems)の開発における導電性基材などに好適に使用することができる。
前記導電性粒子としてのNi−Auメッキ樹脂粒子(「ミクロパール AU」;積水化学工業(株)製、粒径4μm、以下、「金粒子」と称する。)に、前記溶剤としてのトルエンを加え、30質量%スラリー溶液100gを調製した。以下、このスラリー溶液を、「A液」と称する。
次に、前記絶縁性樹脂としてのビスフェノールA型エポキシ樹脂(「EP828」;ジャパンエポキシレジン社製)に、前記溶剤としてのトルエンを加え、20質量%トルエン溶液100gを調製した。以下、このトルエン溶液を、「B液」と称する。
次いで、図1に示す二流体ノズル(「2流体スプレーノズル 1/4JAUCO」;スプレイイングシステムス(株)製、)を接続した噴霧装置を、導電性粒子噴霧用と、樹脂粒子噴霧用との2つ用意し、それぞれのノズルの噴出口とPET層表面との離間距離が、1mとなるように配置した。また、導電性粒子噴霧用の噴霧装置とPET層表面との間に、電荷印加装置(直流高圧電源、「PSD−200」;春日電機(株)製)を配置した。
そして、噴霧装置を用いて、A液及びB液を、ノズル径0.6mm、噴霧速度0.3m/minの条件で、別々のノズルから噴霧した。このとき、ノズルから噴出されたA液中の金粒子に対して、前記電荷印加装置により、500Vの電圧を印加することにより、静電電位が付与されて、金粒子は、帯電(静電電位300V)した状態にて、PET層の表面上に噴霧された。また、ノズルから噴出された、B液により形成された樹脂粒子が、PET層の表面上に噴霧されて堆積された。
得られたエポキシ樹脂塗布膜を、70℃、5分間の条件にて、オーブン中で加熱し、トルエンを乾燥させ、金粒子が単層配列したエポキシ樹脂膜を得た。該エポキシ樹脂膜の表面に対し、透明なPET(カバーフィルム)を用いたラミネートを行った。
実施例1において、ノズル径及び前記電荷印加装置の印加電圧を、それぞれ表1に示す条件に変えた以外は、実施例1と同様にして、金粒子のスラリー溶液(A液)とエポキシ樹脂のトルエン溶液(B液)とを、それぞれ別のノズルを用いて、PET層上に同時に噴霧し、エポキシ樹脂中に金粒子が単層配列されたエポキシ樹脂膜を形成した。
図3A及び図3Bより、エポキシ樹脂膜の厚み方向におけるPET層(最下層)近傍に、金粒子が単層配列していることが判った。ここで、図3A(実施例2)では、PET層の表面との距離が殆どない状態で、金粒子が単層配列しており、図3B(実施例3)では、PET層の表面と金粒子との間に、数μmの厚みでエポキシ樹脂層が形成されていることが確認された。
また、エポキシ樹脂膜中の金粒子の存在位置を測定したところ、金粒子の中心とPET層(最下層)の表面との距離の10点平均が、図3A(実施例2)では、3μmであり、図3B(実施例3)では、5μmであった。このように、前記ノズル径及び前記電荷印加装置による印加電圧をコントロールすることにより、導電性粒子の中心と被処理面との距離を、数μmの単位で変化させることができることが判った。
実施例1において、前記ビスフェノールA型エポキシ樹脂のトルエン溶液(B液)の噴霧を行わず、ノズル径及び前記電荷印加装置の印加電圧を、それぞれ表1に示す条件に変えた以外は、実施例1と同様にして、金粒子のスラリー溶液(A液)のみを、PET層の表面上に噴霧した。
実施例1において、前記電荷印加装置により電圧を印加せず、金粒子に静電電位を付与しなかった以外は、実施例1と同様にして、金粒子のスラリー溶液(A液)とエポキシ樹脂のトルエン溶液(B液)とを、それぞれ別のノズルを用いて、PET層の表面上に同時に噴霧した。
実施例1において、前記ビスフェノールA型エポキシ樹脂のトルエン溶液(B液)の噴霧を行わず、まず、B液をPET層上に塗布してエポキシ樹脂膜を形成した。次いで、このエポキシ樹脂膜の表面に、実施例1と同様の噴霧条件で、金粒子のスラリー溶液(A液)のみを噴霧した。
実施例1において、金粒子のスラリー溶液(A液)及びエポキシ樹脂のトルエン溶液(B液)を、一のノズルを用いて噴出させ、かつA液及びB液のいずれに対しても、前記電荷印加装置により電圧を印加した以外は、実施例1と同様の噴霧条件で、A液及びB液を、PET層の表面上に噴霧した。
実施例1において、前記導電性粒子としての金粒子(「ミクロパール AU」;積水化学工業(株)製、粒径4μm)を、Ni−Auメッキ樹脂粒子(「ミクロパール AUH」;積水化学工業(株)製、粒径4μm、以下、「金粒子」と称する。)に代えた以外は、実施例1と同様にして、金粒子のスラリー溶液(A液)とエポキシ樹脂のトルエン溶液(B液)とを、それぞれ別のノズルを用いて、PET層の表面上に同時に噴霧し、エポキシ樹脂中に金粒子が単層配列されたエポキシ樹脂膜を形成した。
実施例1において、前記導電性粒子としての金粒子(「ミクロパール AU」;積水化学工業(株)製、粒径4μm)を、Ni−Auメッキ樹脂粒子(「ブライト GNR」;日本化学(株)製、粒径5μm、以下、「金粒子」と称する。)に代えた以外は、実施例1と同様にして、金粒子のスラリー溶液(A液)とエポキシ樹脂のトルエン溶液(B液)とを、それぞれ別のノズルを用いて、PET層の表面上に同時に噴霧し、エポキシ樹脂中に金粒子が単層配列されたエポキシ樹脂膜を形成した。
実施例1において、前記導電性粒子としての金粒子(「ミクロパール AU」;積水化学工業(株)製、粒径4μm)を、ニッケルメッキ樹脂粒子(「ブライト NR」;日本化学(株)製、粒径4μm、以下、「ニッケル粒子」と称する。)に代えた以外は、実施例1と同様にして、ニッケル粒子のスラリー溶液(A液)とエポキシ樹脂のトルエン溶液(B液)とを、それぞれ別のノズルを用いて、PET層の表面上に同時に噴霧し、エポキシ樹脂中にニッケル粒子が単層配列されたエポキシ樹脂膜を形成した。
実施例1において、前記絶縁性樹脂としてのビスフェノールA型エポキシ樹脂(「EP828」;ジャパンエポキシレジン社製)を、アクリル樹脂(エポキシアクリレート、「3002A」;共栄社化学(株)製)に代えた以外は、実施例1と同様にして、金粒子のスラリー溶液(A液)とアクリル樹脂のトルエン溶液(B液)とを、それぞれ別のノズルを用いて、PET層の表面上に同時に噴霧し、アクリル樹脂中に金粒子が単層配列されたアクリル樹脂膜を形成した。
実施例1において、前記絶縁性樹脂としてのビスフェノールA型エポキシ樹脂(「EP828」;ジャパンエポキシレジン社製)を、アクリル樹脂(ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、「DCP−A」;共栄社化学(株)製)に代えた以外は、実施例1と同様にして、金粒子のスラリー溶液(A液)とアクリル樹脂のトルエン溶液(B液)とを、それぞれ別のノズルを用いて、PET層の表面上に同時に噴霧し、アクリル樹脂中に金粒子が単層配列されたアクリル樹脂膜を形成した。
〔評価基準〕
○:導電性粒子が単層に配列されていた。
△:導電性粒子が単層に配列されているが、一部に配列の乱れが観られた。
×:導電性粒子が凝集してしまい、単層に配列されていなかった。
一方、比較例1〜2では、絶縁性樹脂を噴霧することなく、静電電位が付与された導電性粒子のみを噴霧したので、絶縁性樹脂による導電性粒子の固定化が行われず、導電性粒子の静電電位が15秒間程度で消失し、導電性粒子を配列させることができなかった。ここで、導電性粒子の配列状態を示すSEM写真を、比較例1については図4に、比較例2については図5に、それぞれ示す。図4及び図5に示すように、いずれも導電性粒子の配列が殆ど観られず、特に比較例1(図4参照)では、印加電圧が低いために、何らかの凝集が発生しているものと推察された。
また、比較例3では、導電性粒子に静電電位を付与しなかったので、該導電性粒子が凝集してしまい、単層配列させることができなかった。
比較例4では、絶縁性樹脂を導電性粒子と同時に噴霧せず、予め絶縁性樹脂を塗布形成した絶縁性樹脂膜に対して、前記導電性粒子のみを噴霧したので、該絶縁性樹脂膜の存在により、電気的な制御が不能となり、微細な粒子配列の制御を行うことができなかった。
また、比較例5では、導電性粒子と絶縁性樹脂とを、一のノズルを用いて噴出させると共に、両者に静電電位を付与したので、前記導電性粒子を単層配列させることができなかった。
ノズル径及び前記導電性粒子の静電電位を変化させることにより、前記導電性粒子の配列状態を比較した。
即ち、実施例1において、ノズル径及び前記電荷印加装置の印加電圧を、それぞれ表3及び表4に示す条件に変えた以外は、実施例1と同様にして、金粒子のスラリー溶液(A液)とエポキシ樹脂のトルエン溶液(B液)とを、それぞれ別のノズルを用いて、PET層上に同時に噴霧し、エポキシ樹脂中に金粒子が単層配列されたエポキシ樹脂膜を形成した。次いで、導電性粒子の配列状態を、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察し、上述した評価基準に基づいて評価した。結果を表3及び表4に示す。なお、ノズル径を一定としたときの静電電位の大きさによる配列状態の相違を比較するため、実施例1、実施例3及び実施例4の評価結果も併せて示した。
ここで、実施例10と実施例17とを比較すると、実施例10(静電電位1,500V)では、導電性粒子がきれいに単層配列していたのに対し、実施例17(静電電位1,600V)では、導電性粒子が、一部単層配列していたものの、前記静電電位が高いため、導電性粒子が焦げてしまっており、実用性の点で、劣ることが判った。このことより、静電電位の好適な数値範囲の上限値の閾値が、1,500V〜1,600Vの間に存在していることが明確となった。
実施例2において、導電性粒子を配列させる対象(前記被処理面)として、パターン状に形成された金属配線(前記導電性パターン)を表面に有するシリコン基板を用いた以外は、実施例2と同様にして、金粒子のスラリー溶液(A液)とエポキシ樹脂のトルエン溶液(B液)とを、それぞれ別のノズルを用いて、シリコン基板上に同時に噴霧した。その結果、図6A〜図6Dに示すように、シリコン基板上に形成された金属配線上に、金粒子が選択的に単層配列され、金属配線のパターンと同一形状の金粒子パターンが得られた。
12 導電性粒子
20 他の噴霧手段
22 樹脂粒子
24 樹脂膜
30 静電電位付与手段
40 被処理面
Claims (9)
- 一の噴霧手段を用いて噴出され、静電電位付与手段により静電電位が付与された導電性粒子と、他の噴霧手段を用いて噴出された樹脂粒子とを、被処理面上に同時に噴霧することにより、前記樹脂粒子で形成された樹脂膜中に、前記導電性粒子を単層配列させる工程を含むことを特徴とする配列粒子含有膜の製造方法。
- 樹脂粒子が、エポキシ樹脂及びアクリル樹脂から選択される少なくとも1種の絶縁性樹脂からなる請求項1に記載の配列粒子含有膜の製造方法。
- 導電性粒子の静電電位が、300V〜1,500Vである請求項1から2のいずれかに記載の配列粒子含有膜の製造方法。
- 噴霧手段を用いて噴出された導電性粒子の被処理面への到達速度が、0.3m/min以下である請求項1から3のいずれかに記載の配列粒子含有膜の製造方法。
- 噴霧手段が、ノズルを有する請求項1から4のいずれかに記載の配列粒子含有膜の製造方法。
- ノズルの径が、0.1mm〜1.0mmである請求項5に記載の配列粒子含有膜の製造方法。
- 樹脂膜中の隣接する導電性粒子同士の中心間距離の10点平均が、1μm〜30μmである請求項1から6のいずれかに記載の配列粒子含有膜の製造方法。
- 樹脂膜中の導電性粒子の中心と、被処理面との距離の10点平均が、9μm以下である請求項1から7のいずれかに記載の配列粒子含有膜の製造方法。
- 被処理面が導電性パターンを有してなり、該導電性パターン上に、導電性粒子を選択的に配列させる請求項1から8のいずれかに記載の配列粒子含有膜の製造方法。
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