JP2002075488A - 異方性導電膜及びその製造方法 - Google Patents
異方性導電膜及びその製造方法Info
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Abstract
性と横方向の絶縁性とに優れた電極接続が可能となる異
方性導電膜及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 絶縁性バインダー中に導電性微粒子と絶
縁性微粒子とが混在している異方性導電膜。
Description
極同士の接続に用いられる異方性導電膜及びその製造方
法に関する。
と交叉する方向には電気的に絶縁されている薄いフィル
ムは異方性導電膜(ACF;Anisotropic
Conductive film)と呼ばれ、電気回路
素子の相互接続に用いられている。例えば、液晶表示パ
ネルへのドライバーICの実装方法はテープキャリアパ
ッケージ(TCP;Tape carrier Pac
kage)を異方性導電膜で接続するTBA(Tape
Automated Bonding)工法が実用化
されている。また、ICを直接ガラス基板上に接続する
COG(ChipOn Glass)においても、その
接続に異方性導電膜が用いられている。
して用いられているITO(Indum−Tin−Ox
ide)等、はんだ付けできない電極の接続に適してい
る。また、はんだ付けや導電性接着剤による方法は導電
回路部のみに限定して接続部材を形成しなければならな
いが、異方性導電膜は必要箇所のみの導電が得られるた
め、高密度、高精細化の進む微細回路接続に適してい
る。
れているとおり、異方性導電膜は絶縁性のバインダー中
に導電性微粒子が均一に分散したもので、IC電極と基
板電極とで位置合わせを行い、異方性導電膜を圧着する
ことにより異方性導電膜中の導電性微粒子が圧接され
て、重なり合う電極間だけが電気的に接続される。
微粒子としては金属微粒子や表面が金属で覆われた樹脂
微粒子等が用いられており、接着剤としては熱硬化型エ
ポキシ樹脂等が用いられている。
来の異方性導電膜では横導通の問題が生じてきた。異方
性導電膜が圧着されると、導電性微粒子は電極外に流出
し、その結果、隣接電極間に高密度に導電性微粒子が存
在することになり、電極間の絶縁性が不充分になった
り、リークやショートが発生したりする等、絶縁性の保
持に問題が生じる。図2にこの様子を示す。
れることにより導電性微粒子3は電極2外に流出し、隣
接電極間に高密度に存在することになる。その結果、リ
ークやショートが発生し、特に接続ピッチが微細化して
くると顕著に発生頻度が高くなる。
の導電性微粒子の混入率を低下させることが考えられる
が、導電性微粒子の混入率を低下させると、導電性微粒
子と電極との接続面積が落ちるので、接続抵抗が高くな
るという問題がある。
み、回路接続ピッチが微細であっても、接続信頼性と横
方向の絶縁性とに優れた電極接続が可能となる異方性導
電膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
ダー中に導電性微粒子と絶縁性微粒子とが混在する異方
性導電膜である。以下に本発明を詳述する。
が微細化してくると、従来の異方性導電膜では、異方性
導電膜が圧着されると、導電性微粒子が電極外に流出
し、隣接電極間に高密度に存在することになり、電極間
の絶縁性が不充分になったり、リークやショートが発生
するという横導通の問題が生じるが、絶縁性バインダー
中に導電性微粒子と絶縁性微粒子とを混在させれば横導
通の問題を解決できることを見いだした。本発明は、こ
の知見に基づいて鋭意検討後完成されたものである。
に、導電性微粒子3と絶縁性微粒子5とが異方性導電膜
中に混在することにより、導電性微粒子3同士が接触す
る割合が減り、横方向に導通することを防ぎ、リークや
ショートを防止することができる。
れず、例えば、接着性シート等に用いられる熱可塑性材
料や、熱や光により硬化性を示す材料等が挙げられる。
なかでも、電極間を接続した後の耐熱性や耐湿性に優れ
ることから、硬化性材料が好ましい。特にエポキシ系接
着剤として用いられる材料は短時間で硬化し、接着性に
優れる等の点から好適に用いられる。上記導電性微粒子
としては特に限定されず、例えば、金属微粒子、合成樹
脂微粒子に金属を被覆したもの等が挙げられる。上記絶
縁性微粒子としては、合成樹脂微粒子が好適に用いられ
る。
割合は導電性微粒子と電極との接続抵抗との兼ね合いに
より、適宜選択すれば良い。但し、絶縁性微粒子が添加
された分、導電性微粒子が電極へ接触する割合が減る場
合がある。その場合は、導電性微粒子が集中して存在す
る領域と、絶縁性微粒子が集中して存在する領域とを形
成することが好ましい。導電性微粒子が集中して存在す
る領域と、絶縁性微粒子が集中して存在する領域とを形
成することにより、図3に示すように、電極2部分には
導電性微粒子3を集中させ、導通を確保し、電極間には
絶縁性微粒子5を集中させ、隣接電極間でのリークを防
ぐことができる。
上記導電性微粒子が集中して存在する領域と、接続すべ
き電極とが重なることが好ましい。これにより、導電性
微粒子が電極へ接触する割合を向上させることができ、
優れた電極接続を確保することができる。
粒子が集中して存在する領域間の距離が、接続すべき電
極間の距離以下であってもよい。隣接電極間に導電性微
粒子が集中して存在する領域があったとしても、図4に
示すように、その領域には多数の絶縁性微粒子5が存在
することとなるので、隣接電極同士でのリーク等は起こ
らず、電極2部分には必ず導電性微粒子3が存在するこ
とにより、上下導通を確保することができる。
微粒子の直径が絶縁性微粒子の直径以上であることが好
ましい。上下電極の導通を担うのは、導電性微粒子であ
り、導電性微粒子はある程度荷重により潰されて、接触
面積が増大した状態で電極と接している。従って、絶縁
性微粒子の直径の方が大きいと、絶縁性微粒子を大きく
潰してからでないと、導電性微粒子と電極とが接するで
きなくなってしまうため、絶縁性微粒子が潰れにくかっ
たり、回復力が高かったりすると、導電性微粒子の電極
への接触面積が減少する原因となり、抵抗が上がる等の
不具合が発生する。
電膜においては、絶縁性微粒子の硬さが導電性微粒子の
硬さ以下であることが好ましい。絶縁性微粒子の目的は
電極下の導電性微粒子が隣接する電極下の導電性微粒子
と電気的に接するのを防止するためであるので、絶縁性
微粒子は、電極基板を加熱圧着する場合等に硬すぎて圧
着を阻害する要因とならぬよう、導電性微粒子より柔ら
かいものであることが好ましい。
び絶縁性微粒子の含有率としては、両微粒子を合わせて
1〜30体積%程度であるのが好ましい。30体積%を
超えると、異方性導電膜の電極との接着力が劣る場合が
ある。上記絶縁性バインダー中の導電性微粒子単独の含
有率としては、1体積%以上であることが好ましい。1
体積%未満であると、充分な導通性が得られないことが
ある。上記導電性微粒子及び絶縁性微粒子の存在形態
は、お互いに線状であっても良いし、点状であっても良
い。また、上記導電性微粒子の存在する領域を絶縁性微
粒子が囲う形態であっても良い。
存在する領域と電極とが一致するように圧着され、基材
を剥離後、接続すべき電極と導電性微粒子が存在する領
域とについても、同様に位置合わせを行い、加熱圧着に
より張り合わすことにより、電極間の導通に用いられ
る。
間には導電性微粒子を配置し、隣接電極間には絶縁性微
粒子を配置することができるので、上下の導通を確保し
つつ、たとえ、電極部から導電性微粒子が流出したとし
ても、導電性微粒子同士が接触することがないので、リ
ーク等を有効に防止することができる。また、絶縁性微
粒子が併用されているので、導電性微粒子の流出を従来
の異方性導電膜より少なくすることができる。
特に限定されず、例えば、以下に掲げるような方法が挙
げられる。 (1)絶縁性バインダー中に所定の分量で導電性微粒子
及び絶縁性微粒子を分散させる方法。 (2)導電性微粒子のみを分散したフィルムと、絶縁性
微粒子のみを分散したフィルムとを形成し、これらを積
層して垂直方向からスライスして1つの異方性導電膜と
する方法。
層を薄膜状に形成し、導電性微粒子を集中させる領域と
絶縁性微粒子を集中させる領域とに対応する開口部を形
成したマスクやスクリーンをそれぞれ用意し、その上か
ら各微粒子をスプレー等により散布し、その後、マスク
等を除去し、更にエポキシ系接着剤を厚み調節して塗布
する方法。この方法において、導電性微粒子用の開口部
と電極位置とが一致している場合、異方性導電膜中の電
極位置に導電性微粒子を集中して存在させることができ
る。
ムを形成し、その後、レーザーやドリル、打ち抜き等で
導電性微粒子の粒子径とほぼ同じ径の穴を設け、その穴
の中に導電性微粒子を配置する方法。
も、帯電させた導電性微粒子及び/又は絶縁性微粒子
に、静電的な引力又は斥力を作用させ、導電性微粒子及
び/又は絶縁性微粒子が集中した領域を形成する方法が
好適に用いられる。このような異方性導電膜の製造方法
もまた、本発明の1つである。
縁性微粒子が集中して存在する領域とを形成することに
より、電極部分には従来と同様の導電性微粒子を存在さ
せることにより、上下導通を確保することができ、一
方、隣接電極間には絶縁性微粒子を存在させることによ
りリーク等を防止することができる。
中した領域を形成する方法、及び、絶縁性微粒子が集中
した領域を形成する方法としては、例えば、電極に電圧
を印加することにより、帯電した導電性微粒子及び/又
は絶縁性微粒子に引力又は斥力を作用させ、基材上のそ
れぞれ異なる領域に集中させる方法等が挙げられる。
る基材、電極基板等が挙げられる。上記粘着層を有する
基材は、例えば、基材上に粘着剤を薄く塗布することに
より製造することができる。基材に粘着性があると、導
電性微粒子及び/又は絶縁性微粒子を散布した後、振動
や次工程での外力に対して導電性微粒子及び/又は絶縁
性微粒子が移動することを防止することができる。
粘着性を持つものであれば、その絶縁性バインダーを薄
く塗布することにより、粘着性のある材料として用いる
ことができ、また、絶縁性バインダーが、溶剤等により
希釈された場合、完全に乾燥する前に粘着性を示すもの
であるならば、同様に粘着剤として用いることができ
る。上記粘着剤は、絶縁性バインダーと異なっていても
よく、更には、基材自体が粘着性を持つものであれば、
別途粘着剤を塗布する必要はない。
粒子に、引力又は斥力を作用させて、基材上のそれぞれ
異なる領域に集中させる方法としては、例えば、図5に
示すような態様が挙げられる。以下に図5に示す態様を
説明する。
成された基板1を密着させ、その電極2に電圧を印加す
る。その状態を保持したまま帯電した導電性微粒子3又
は絶縁性微粒子5を基材7上に落下させる。例えば、導
電性微粒子3が負帯電である場合、電極2に正電圧を印
加すれば、導電性微粒子3は静電引力により、基材7上
の電極2に相当する位置に落下する。なお、図では電極
2の厚みが大きく見えるが、実際には数千Åの厚みであ
るので、電極2の段差は影響しない。
子5を同様に落下させると、絶縁性微粒子5には斥力が
作用するので、絶縁性微粒子5は電極2に相当する位置
を避けて落下する。
する領域と絶縁性微粒子が集中して存在する領域とを形
成することができる。導電性微粒子、及び、絶縁性微粒
子の帯電極性と電極に印可する電圧極性との組み合わせ
により、導電性微粒子及び絶縁性微粒子を落下させる位
置を制御することができる。
た、基板上に島状に電極が存在しない領域が形成されて
いてもよい。上記電極はITOや金属薄膜をフォトリソ
プロセスによれば任意のパターンで形成することができ
る。フォトリソプロセスによれば微細なパターンを形成
することが容易なので好適に用いることができる。
えば、窒素等の圧縮ガスと共に、配管を経由して基材上
に散布される際に、配管内壁と衝突を繰り返すことによ
り帯電しうる。例えば、使用するガスにもよるが、SU
S配管に対して金メッキされた導電性微粒子が衝突する
と負に帯電する。上記電極に印加する電圧としては、5
00V〜5kV程度であるのが好ましく、より好ましく
は1.5〜2.5kVである。
性微粒子及び絶縁性微粒子を散布した後、更に、異なる
基材上に導電性微粒子及び絶縁性微粒子を転写してもよ
い。例えば、図6に示すように、基材として電極2が形
成された基板1を用いた場合、その電極基板上等に導電
性微粒子3及び絶縁性微粒子5を散布した後、電極基板
上に粘着剤を塗布した基材7を密着させることにより、
導電性微粒子3、絶縁性微粒子5を別の基材7にそのま
まの分布形態で転写することができる。
とが集中して存在する領域が形成された後、その上に上
記絶縁性バインダーを塗布することにより、本発明の異
方性導電膜を得ることができる。
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
(1,4−ジオキサン、メチルエチルケトン)で希釈
し、その溶液中に、導電性微粒子としてミクロパールA
U、6.2μm(積水化学工業社製)、絶縁性微粒子と
してミクロパールSP、2.5μm(積水化学工業社
製)をそれぞれ10体積%になるよう添加し、攪拌して
溶液中に分散させた。その後、その溶液をポリプロピレ
ンフィルム上に塗布し、乾燥により導電性微粒子と絶縁
性微粒子とが混在する接着性フィルムを得た。
m、スペース10μmのストライプ状のITOパターン
/ガラス基板上に接着させ、ポリプロピレンフィルムを
剥離し、接着性フィルムを挟んで対向側に同様のITO
パターン/ガラス基板を載置し、ITOパターンで位置
合わせを行い、加熱圧着によりそれぞれ上下のITOパ
ターン同士を接着性フィルムを介して接続した。接続し
た上下のITO接続抵抗を測定した結果、1Ω以下であ
った。一方、隣接するITO同士の絶縁抵抗は1×10
11Ω以上であった。従って、得られた接着性フィルム
は、異方性導電膜として機能することが判った。
粒子を添加せずに、導電性微粒子のみでフィルムを形成
して、実施例1と同様にITO同士を接続した抵抗を測
定したところ、上下、隣接するITOとも1Ω以下の抵
抗であった。従って、隣接電極間でリークしていること
が判った。
1辺10μmの正方形のエッチング領域が10μmピッ
チで多数形成されたITOパターン/ガラス基板を準備
した。上記基板に−2kVの電圧を印加した状態で導電
性微粒子としてミクロパールAU、5μm(積水化学工
業社製)をSUS配管を経由させて窒素を用いて基板上
に散布した。その結果、導電性微粒子は負に帯電し、I
TOがエッチングされた領域にのみ落下した。続いて絶
縁性微粒子としてミクロパールSP、3μm(積水化学
工業社製)を同様に散布したところ、絶縁性微粒子は正
に帯電し、ITO上にのみ落下した。この操作により、
導電性微粒子が1辺10μmの正方形のエッチング領域
にのみ存在し、その周囲のITO上には絶縁性微粒子の
みが存在する形態が得られた。
−ジオキサン、メチルエチルケトン)で希釈し、ポリプ
ロピレンフィルム上に塗布し、得られた粘着層を有する
ポリプロピレンフィルムを、導電性微粒子及び絶縁性微
粒子を散布したITO基板上に接触させ、導電性微粒
子、及び、絶縁性微粒子を粘着層上に転写し、導電性微
粒子が約10μmの間隔ごとに1辺10μmの正方形の
領域に点状に存在し、絶縁性微粒子がその周囲に存在す
る粘着性フィルムを得た。得られた粘着性フィルムをラ
イン幅10μm、スペース10μmのストライプ状のI
TOパターン/ガラス基板上に導電性微粒子がITOと
重なるように接着させ、ポリプロピレンフィルムを剥離
し、同様のパターンのITOパターン/ガラス基板を加
熱圧着し、上下のITOパターン同士を粘着性フィルム
を介して接続した。接続した上下のITO接続抵抗を測
定した結果、1Ω以下であった。一方、隣接するITO
同士の絶縁抵抗は1×1011Ω以上であった。従って、
微細パターンに対しても得られた粘着性フィルムは異方
性導電膜として機能することが判った。
ロセスにより直径30μmの円形のエッチング領域が2
0μm間隔で多数形成されたITOパターン/ガラス基
板を準備した。基材としてポリプロピレンフィルムを準
備し、その表面に薄くエポキシ系の粘着層を形成した。
このポリプロピレンフィルムをITOパターン/ガラス
基板に密着させ、ITO電極に−2kVの電圧を印加し
た。この状態を保ち、導電性微粒子としてミクロパール
AU、5μm(積水化学工業社製)を所定量計量し、S
US配管を経由させ、負に帯電させた導電性微粒子を圧
縮空気で基板上に散布した。その結果、導電性微粒子は
基材上でITOが存在していない領域に相当する位置に
集中して配置した。次に、絶縁性微粒子としてミクロパ
ールSP、2.5μm(積水化学工業社製)を所定量計
量し、テフロン(登録商標)系配管を経由させて正に帯
電させた絶縁性微粒子を同様に基材上に散布した。その
結果、絶縁性微粒子は基材上でITOが存在する領域に
相当する位置に集中して配置した。この一連の操作によ
り、基材上の導電性微粒子の集中領域の周囲に絶縁性微
粒子が分布する形態を得ることができた。
ら剥離し、平坦面上で一度軽くローラーをかけ、粒子を
固定し、その後、エポキシ系接着剤を塗布して接着性フ
ィルムとした。
m、スペース20μmのITOパターン/ガラス基板を
準備し、先に得られた接着性フィルムの導電性微粒子の
集中領域がITO上に重なるように圧着し、ポリプロピ
レンフィルムを剥離した。次いで、同じITOパターン
/ガラス基板を接着性フィルムを介して対向側に導電性
微粒子の集中領域とITO部が重なるように張り合わ
せ、加熱圧着により接着した。
電性微粒子で接続されている上下のITO同士の抵抗を
測定したところ、1Ω以下であり、導通が得られてい
た。次に隣接する同一ガラス上のITOパターン間の絶
縁抵抗を測定したところ、1×1011Ω以上であり、絶
縁されていた。従って、得られた接着性フィルムは異方
性導電膜として機能することが確認された。
ー中に実施例3と同様の導電性微粒子が均一に分散され
た接着性フィルムを準備し、実施例1と同様に2枚のI
TOパターン/ガラス基板を接着し、そのITO同士の
抵抗を測定した。その結果、上下のITO同士、隣接す
るITO同士とも1Ω以下であり、得られた接着性フィ
ルムは異方性導電膜として機能していないことが判っ
た。
ロセスにより直径30μmの円形のエッチング領域が2
0μm間隔で多数形成されたパターンITO/ガラス基
板を準備し、この基板のITO電極に−2kVの電圧を
印加した。この状態を保ち、導電性微粒子としてミクロ
パールAU、5μm(積水化学工業社製)を所定量計量
し、SUS配管を経由させ、負に帯電させた導電性微粒
子を圧縮空気で基板上に散布した。その結果、導電性微
粒子は基板のITOが存在していない領域に集中して配
置された。次に、絶縁性微粒子としてミクロパールS
P、2.5μm(積水化学工業社製)を所定量計量し、
テフロン系配管を経由させて正に帯電した絶縁性微粒子
を同様に基板上に散布した。その結果、絶縁性微粒子は
基板上でITOが存在する領域に集中して配置した。こ
の一連の操作により、基板上の導電性微粒子の集中領域
の周囲に絶縁性微粒子が分布する形態を得ることができ
た。基材としてポリプロピレンフィルムを準備し、その
表面に薄くエポキシ系接着剤層を形成した。
層側を導電性微粒子、絶縁性微粒子が分布しているIT
Oパターン/ガラス基板上に貼り付け、剥離した。その
結果、導電性微粒子、絶縁性微粒子は電極基板上の分布
状態を保って別の基材であるポリプロピレンフィルム側
に転写された。この基材に平坦面上で一度軽くローラー
をかけ、各微粒子を固定し、その後、エポキシ系接着剤
を塗布して接着性フィルムとした。
m、スペース20μmのITOパターン/ガラス基板を
準備し、上記接着性フィルムの導電性微粒子の集中領域
がITO上に重なるように圧着し、ポリプロピレンフィ
ルムを剥離した。次いで、同じITOパターン/ガラス
基板を接着性フィルムを介して対向側に導電性微粒子の
集中領域とITO部が重なるように張り合わせ、加熱圧
着により接着させた。得られたITOパターン/ガラス
基板の導電性微粒子で接続されている上下のITO同士
の抵抗を測定したところ、1Ω以下であり、導通が得ら
れていた。次に隣接する同一ガラス上のITOパターン
間の絶縁抵抗を測定したところ、1×1011Ω以上であ
り、絶縁されていた。従って、異方性導電膜として機能
することが確認された。
絶縁性微粒子の粒径を7μmとした以外は実施例4と同
様に操作した。その結果、得られたITOパターン/ガ
ラス基板の導電性微粒子で接続されている上下のITO
同士の抵抗を測定したところ、4Ω程度で安定せず、抵
抗が上昇していた。次に隣接する同一ガラス上のITO
パターン間の絶縁抵抗を測定したところ、1×1011Ω
以上であり、絶縁されていた。従って、得られた接着性
フィルムは異方性導電膜として機能することは確認され
たが、抵抗の面では少し性能の劣るものであった。
電性微粒子と絶縁性微粒子とを併用することにより、導
電性微粒子が隣接電極間に流出することに起因する横導
通を防ぐことができ、微細ピッチの電極の接続において
も、隣接電極間でリーク等のない電極接続が行える異方
性導電膜を得ることができる。
粒子とが混在している異方性導電膜を用いて電極間の接
続を行うようすを示す図である。
うようすを示す図である。
電極間には絶縁性微粒子が集中して存在する異方性導電
膜を用いて電極間の接続を行うようすを示す図である。
を示す図である。
力又は斥力により基材上のそれぞれ異なる領域に集中し
て散布する方法を示す図である。
散布後、異なる基材上に転写する方法を示す図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 絶縁性バインダー中に導電性微粒子と絶
縁性微粒子とが混在していることを特徴とする異方性導
電膜。 - 【請求項2】 導電性微粒子が集中して存在する領域
と、絶縁性微粒子が集中して存在する領域とからなるこ
とを特徴とする請求項1記載の異方性導電膜。 - 【請求項3】 電極基板と異方性導電膜とを積層する
と、導電性微粒子が集中して存在する領域と、接続すべ
き電極とが重なることを特徴とする請求項1又は2記載
の異方性導電膜。 - 【請求項4】 導電性微粒子が集中して存在する領域間
の距離が、接続すべき電極間の距離以下であることを特
徴とする請求項1、2又は3記載の異方性導電膜。 - 【請求項5】 導電性微粒子の直径が絶縁性微粒子の直
径以上であることを特徴とする請求項1、2、3又は4
記載の異方性導電膜。 - 【請求項6】 絶縁性微粒子の硬さが導電性微粒子の硬
さ以下であることを特徴とする請求項1、2、3、4又
は5記載の異方性導電膜。 - 【請求項7】 請求項1、2、3、4、5又は6記載の
異方性導電膜の製造方法であって、帯電させた導電性微
粒子及び/又は絶縁性微粒子に、静電的な引力又は斥力
を作用させ、前記導電性微粒子及び/又は絶縁性微粒子
が集中した領域を形成する工程を有することを特徴とす
る異方性導電膜の製造方法。 - 【請求項8】 更に、異なる基材上に導電性微粒子及び
/又は絶縁性微粒子を転写する工程を有することを特徴
とする請求項7記載の異方性導電膜の製造方法。
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JP2000267375A JP2002075488A (ja) | 2000-09-04 | 2000-09-04 | 異方性導電膜及びその製造方法 |
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JP2000267375A JP2002075488A (ja) | 2000-09-04 | 2000-09-04 | 異方性導電膜及びその製造方法 |
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---|---|
JP2002075488A true JP2002075488A (ja) | 2002-03-15 |
JP2002075488A5 JP2002075488A5 (ja) | 2007-06-07 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7097366B2 (en) | 2002-06-06 | 2006-08-29 | Fujitsu Limited | Method for production of optical module and optical module |
JP2007537570A (ja) * | 2004-05-12 | 2007-12-20 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | 絶縁導電性微粒子及びこれを含有する異方導電性接着フィルム |
JP2009029861A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 異方導電性フィルム |
JP2009076316A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Sony Chemical & Information Device Corp | 配列粒子含有膜の製造方法 |
KR101130002B1 (ko) * | 2007-06-06 | 2012-03-28 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 전자 부품의 접속 방법 및 접합체 |
-
2000
- 2000-09-04 JP JP2000267375A patent/JP2002075488A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7097366B2 (en) | 2002-06-06 | 2006-08-29 | Fujitsu Limited | Method for production of optical module and optical module |
JP2007537570A (ja) * | 2004-05-12 | 2007-12-20 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | 絶縁導電性微粒子及びこれを含有する異方導電性接着フィルム |
KR101130002B1 (ko) * | 2007-06-06 | 2012-03-28 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 전자 부품의 접속 방법 및 접합체 |
US8273207B2 (en) | 2007-06-06 | 2012-09-25 | Sony Chemical & Information Device Corporation | Method for connecting electronic part and joined structure |
JP2009029861A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 異方導電性フィルム |
JP2009076316A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Sony Chemical & Information Device Corp | 配列粒子含有膜の製造方法 |
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