JP5083212B2 - ガラス基板の洗浄方法、製造方法およびそれを用いた磁気ディスク - Google Patents

Description

本発明はガラス基板の洗浄方法、製造方法およびそれを用いた磁気ディスクに関し、特に、ガラス基板をスクラブ洗浄する洗浄方法、製造方法およびそれを用いた磁気ディスクに関するものである。

従来、磁気ディスク用基板としては、デスクトップ用コンピュータやサーバなどの据え置き型にはアルミニウム基板が、他方ノート型コンピュータやモバイル型コンピュータなどの携帯型にはガラス基板が、一般的に使用されていた。しかしアルミニウム基板は変形しやすく、また硬さが不十分であるため、研磨後の基板表面の平滑性が十分とは言えなかった。さらに、磁気ヘッドが磁気ディスクに接触した場合、磁性膜が基板から剥離しやすいという問題もあった。そこで、変形が少なく、平滑性が良好で、かつ機械的強度の大きいガラス基板が、携帯型のみならず据え置き型の機器やその他の家庭用情報機器にも、今後広く使用されていくものと予測されている。

磁気ディスクの記録容量は、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくするほど大きくすることができる。しかし、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくした場合、ガラス基板の表面に異常突起があったり、異物の付着があったりすると、磁気ヘッドが磁気ディスク上の突起や異物に衝突する不具合が生じる。したがって、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくして、磁気ディスクの記録容量を増大させるためには、ガラス基板の表面の異常突起や異物付着を確実になくす必要がある。そこでガラス基板表面を酸化セリウムなどの研磨剤を用いて研磨して、ガラス基板の平滑性を確保していた。

しかし研磨剤を用いてガラス基板を研磨すると、ガラス基板表面に研磨剤が強固に付着した状態で残留することがあり、研磨後にスクラブ洗浄によってガラス基板表面を洗浄しても、強固に付着した研磨剤を完全に除去することは困難であった。また研磨剤が付着した状態でガラス基板表面に磁気記録層を形成すると、膜にピンホールが発生したり、ヘッドの浮上特性が不安定になるといった、磁気記録特性を著しく低下させる問題が生じる。

そこで例えば文献１では、研磨工程後に、洗剤による超音波洗浄、スクラブ洗浄、純水による超音波洗浄と、３種類の洗浄を行うことが提案されている。また文献２では、スクラブ洗浄と炭酸ガス溶解水洗浄の組合せによりガラス基板を洗浄することが提案されている。
特開２００２−７４６５３号公報 特開２００３−２２８８２４号公報

該各提案技術によれば、ガラス基板に付着した研磨剤等はある程度除去できると考えられるが、前者の提案技術では３種類もの洗浄を行うため、洗浄工程が複雑化し生産性が低下する。また後者の提案技術も同様に、ガス溶解度の維持管理設備の導入が必要となり、洗浄工程が複雑化し生産性が低下する。

本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、洗浄工程を複雑化させることなく、研磨工程後のガラス基板に付着した研磨剤や異物を確実に除去するとともに、洗浄完了後も洗浄液成分残渣のない清浄な基板状態が得られる洗浄方法およびそれを用いたガラス基板の製造方法を提供することである。

また本発明の他の目的は、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくすることにより、記録容量を大きくすることができる、磁気ディスクを提供することである。

本発明者等は該目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、Ｓｉ元素溶出量の異なる２種類以上の洗浄液を特定の順序で用いればよいこと、そして、洗浄方法としてスクラブ洗浄を用いればよいこと、を見出し本発明をなすに至った。

本発明に係る洗浄方法の大きな特徴の一つは、Ｓｉ元素溶出量の異なる、２種類以上の洗浄液を用いてガラス基板を洗浄する方法であって、Ｓｉ元素溶出量の最も高い洗浄液を最初に、かつＳｉ元素溶出量の最も低い洗浄液を最後に、使用して洗浄することにある。すなわち、最初の洗浄液としてＳｉ元素溶出量の最も高いものを用いることによって、ガラス基板表面を洗浄液で浸食させて基板表面に強固に付着している研磨剤や異物を浮き上がらせ、そしてスクラブ洗浄によって浮き上がったこれらの研磨剤や異物をガラス基板表面から除去する。一方、最後の洗浄液としてＳｉ元素溶出量の最も低いものを用いることによって、ガラス基板を安定な状態とし、それまでの洗浄によって得た清浄な基板表面を維持する。

本発明に係る洗浄方法のもう一つの大きな特徴は、ガラス基板をスクラブ洗浄することにある。複数個のスクラブ洗浄装置を並置して洗浄装置ごとに洗浄液を固定して用いる、あるいは一つのスクラブ洗浄装置において洗浄液の種類を順に切り換えるようにしてもよい。洗浄工程の簡略化や省スペース化などの観点からは、後者の方法が推奨される。

即ち本発明の第１の態様に従う洗浄方法は、Ｓｉ元素溶出量の異なる、２種類以上の洗浄液を用いてガラス基板をスクラブ洗浄する方法であって、Ｓｉ元素溶出量の最も高い洗浄液を最初に、かつＳｉ元素溶出量の最も低い洗浄液を最後に、使用して洗浄することを特徴とする。

本発明の第２の態様に従う洗浄方法は、該Ｓｉ元素溶出量の値に従い、該２種類以上の洗浄液を、該値が高い順に使用して洗浄することを特徴とする。

本発明の第３の態様に従う洗浄方法は、同一の洗浄装置を使用して洗浄することを特徴とする。

本発明の第４の態様に従う洗浄方法は、成分が実質的に同一で濃度のみが異なる、該２種類以上の洗浄液を、濃度が高い順に使用して洗浄することを特徴とする。

本発明の第５の態様に従う洗浄方法は、該洗浄液はフッ化水素酸であることを特徴とする。

本発明の第６の態様に従う洗浄方法は、該最初の洗浄液がアルカリ性又は酸性であり、該最後の洗浄液が弱酸性又は中性であることを特徴とする。

本発明の第７の態様に従う洗浄方法は、最初の洗浄液の比抵抗値を最後の洗浄液のそれよりも小さくすることを特徴とする。

本発明の第８、第９の態様に従う洗浄方法は、同一の洗浄装置での洗浄液の該切り換えは、連続的に行ってもよいし、段階的に行ってもよいことを特徴とする。

また本発明の第１０の態様に従えば、該洗浄方法を用いた洗浄工程を有することを特徴とする、ガラス基板の製造方法が提供される。

さらに本発明の第１１の態様に従えば、該製造方法によって製造されたガラス基板上に磁気記録層を形成したことを特徴とする、磁気ディスクが提供される。

本発明に係るガラス基板の洗浄方法では、Ｓｉ元素溶出量の異なる２種類以上の洗浄液を用いてスクラブ洗浄し、Ｓｉ元素溶出量の最も高い洗浄液を最初に、かつＳｉ元素溶出量の最も低い洗浄液を最後に、使用して洗浄するので、洗浄工程を複雑化させることなく、ガラス基板に付着した研磨剤や異物を確実に除去できるようになる。また１種類の洗浄液の場合に比べ、洗浄作用の強力な洗浄液を必要としないため、過剰な洗浄作用による表面粗さの劣化や、洗浄成分の残存による磁性膜への影響を抑制できる。

またＳｉ元素溶出量の値に従い、２種類以上の洗浄液を該値が高い順に使用して洗浄することにより、高い洗浄力を確保しつつ、基板表面の粗さの劣化を効果的に抑制することができる。

さらに同一の洗浄装置において、該洗浄液の種類を順に切り換えるようにすると、洗浄工程を一層簡略化することができる。この場合成分が実質的に同一で濃度のみが異なる２種類以上の洗浄液を、濃度が高い順に切り換えて洗浄すれば、洗浄工程が連続化されるので工程の能率を高くすることができる。即ち同一のスクラブ洗浄装置において、洗浄液の濃度を順に低下させながら洗浄を行うことが、さらに好ましい。該洗浄液の切り換えは、連続的に行っても良いし、段階的に行っても良い。

洗浄液をフッ化水素酸とすると、Ｓｉ元素溶出力が高いので、ガラス基板の洗浄を効果的に行うことができる。

また最初の洗浄液をアルカリ性又は酸性とし、最後の洗浄液を弱酸性又は中性とする、あるいは最初の洗浄液の比抵抗値を最後の洗浄液のそれよりも小さくすると、洗浄時における電気化学的作用を容易に制御でき、ガラス基板の洗浄を一層効果的に行えるようになる。

また本発明によれば、該洗浄方法を用いた洗浄工程を有することを特徴とするガラス基板の製造方法が提供される。

また本発明のガラス基板の製造方法では、上記洗浄方法によってガラス基板を洗浄するので、ガラス基板表面から研磨剤や異物が除去され、洗浄工程が簡素化され生産性の向上を図ることができる。また強力な洗浄剤を必要としないため、表面の平滑度を維持でき、洗浄剤の残渣分のない、非常に清浄な品質が提供可能となる。

さらに本発明の磁気ディスクでは、該製造方法によって製造されたガラス基板上に磁気記録層を形成するので、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくすることができ、記録容量を大きくすることができる。

スクラブ洗浄装置の一例を示す、概説図である。 本発明に係るガラス基板および磁気ディスクの、製造工程例を示す図である。

符号の説明

１ａ、１ｂスポンジローラ
２ａ、２ｂ ノズル
３ 洗浄液
４ 純水
Ｇ ガラス基板

図２に、スクラブ洗浄を含むガラス基板の製造工程例、並びに製造されたガラス基板を用いた磁気ディスクの製造工程例の概略を示す。まずガラス素材を溶融し（ガラス溶融工程）、溶融ガラスを下型に流し込み、上型によってプレス成形して、円盤状のガラス基板前駆体を得る（プレス成形工程）。なお、円盤状のガラス基板前駆体は、プレス成形によらず、例えばダウンドロー法やフロート法で形成したシートガラスを、研削砥石で切り出して作製してもよい。

本発明の洗浄方法の対象となるガラス基板の材料としては特に限定はなく、例えば二酸化ケイ素、酸化ナトリウム、酸化カルシウムを主成分とした、ソーダライムガラス；二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、Ｒ2Ｏ（Ｒ＝Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ）を主成分とした、アルミノシリケートガラス；ボロシリケートガラス；酸化リチウム−二酸化ケイ素系ガラス；酸化リチウム−酸化アルミニウム−二酸化ケイ素系ガラス；Ｒ’Ｏ−酸化アルミニウム−二酸化ケイ素系ガラス（Ｒ’＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）を使用することができ、これらのガラス材料に酸化ジルコニウムや酸化チタン等を添加したものであってもよい。

またガラス基板の大きさに限定はなく、２．５インチ，１．８インチ、１インチ、０．８５インチあるいはそれ以下の小径ディスクにも本発明の方法を適用することができる。またその厚さが２ｍｍや１ｍｍ、０．６３ｍｍ、あるいはそれ以下といった薄型のものにも適用することができる。

プレス成形されたガラス基板前駆体には、必要によりコアドリル等で、中心部に孔が開けられる（コアリング工程）。そして、第１ラッピング工程において、ガラス基板の両表面が研削加工され、ガラス基板の全体形状、すなわちガラス基板の平行度、平坦度および厚みが予備調整される。次に、ガラス基板の外周端面および内周端面が研削され面取りされて、ガラス基板の外径寸法および真円度、孔の内径寸法、並びにガラス基板と孔との同心度が微調整された後（内・外径精密加工工程）、ガラス基板の外周端面および内周端面が研磨されて微細なキズ等が除去される（端面研磨加工工程）。

次に、ガラス基板の両表面が再び研削加工されて、ガラス基板の平行度、平坦度および厚みが微調整される（第２ラッピング工程）。そして、ガラス基板の機械的強度を向上させるために、化学強化処理が行われる。この化学強化処理は、化学強化処理槽内に貯留された化学強化液中にガラス基板を浸漬させ、ガラス基板表面のアルカリ金属イオンを、その金属イオンよりも大きなイオン径のアルカリ金属イオンと置換することにより、圧縮歪みを発生させて、機械的強度を向上させるものである。

次に、ガラス基板の両表面が研磨加工され、ガラス基板表面の凹凸が均一にされる。ガラス基板の両表面は、必要により粒度の異なる研磨材を用いてさらに研磨加工される。本発明におけるガラス基板を研磨する工程は、従来周知の技術をそのまま用いることができる。ガラス基板の研磨は例えば、対向配置した２つの回転可能な定盤の対向する面にパッドを貼り付け、２つのパッド間にガラス基板を配置し、ガラス基板表面にパッドを接触させながら回転させると同時に、ガラス基板表面に研磨剤を供給する方法で行われる。研磨剤としては、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マンガン、コロイダルシリカ、ダイヤモンドなどが挙げられる。この中でも、ガラスとの反応性が高く、短時間で平滑な研磨面が得られる酸化セリウムの使用が推奨される。

ガラス基板表面の研磨剤や異物などを効果的に除去するには、スクラブ洗浄を行う前に前述の洗浄液と同じ液体にガラス基板を接触させておくのが好ましい。接触させておく時間については特に限定はないが、ガラス基板表面に強固に付着した研磨剤や異物を、液体による若干の浸食作用によっては浮き上がらせるためには、１０分間以上接触させるのが好ましい。一方、ガラス基板の液体への接触時間が長いほど研磨剤や異物のガラス基板表面からの除去は容易となるが、ガラス基板の生産性が低下する。従って、好ましい接触時間は５〜３０分間の範囲である。またガラス基板表面に異物が付着するのを防止する観点からは、スクラブ洗浄直前までガラス基板を液体と接触させておくことが推奨される。

ガラス基板表面を液体と接触させる方法としては、液体を貯溜した容器内にガラス基板を浸漬する方法や、ガラス基板に対して液体を散水する方法、液体を含浸させた布をガラス基板に被覆する方法など従来公知の方法を採用することができる。この中でも、ガラス基板表面全体が確実且つ均一に液体と接触できる点で、ガラス基板を液体に浸漬させる方法が好ましい。

スクラブ洗浄装置の一例を、図１に示す。図１のスクラブ洗浄装置は、圧接する一対のスポンジローラ１ａ，１ｂのニップ部でガラス基板Ｇを挟み込み、上部に配設されたノズル２ａおよびノズル２ｂから洗浄液３および純水４をスプレー噴霧しながら、該一対のスポンジローラ１ａ，１ｂを互いに逆方向に回転させると同時に、ガラス基板Ｇも上下に移動させて、ガラス基板Ｇの表裏面全体を洗浄する。

スクラブ洗浄の洗浄条件としては、２つのローラ１ａ，１ｂの回転数はそれぞれ同一でもよいし、必要に応じてそれぞれ異なる回転数としても構わない。ローラの回転数としては一般に１０〜５００ｒｐｍの範囲であり、より好ましくは３０〜３００ｒｐｍの範囲である。またガラス基板Ｇの移動頻度としては一般に０〜５０回／分の範囲であり、より好ましくは５〜３０回／分の範囲である。洗浄液３の供給速度は一般に１０〜１，０００ｍＬ／分の範囲、より好ましくは５０〜５００ｍＬ／分の範囲である。スクラブ洗浄の時間は一般に５〜１５０秒の範囲、より好ましくは１０〜１００秒の範囲である。

なお、スクラブ部材として、図１に示したスポンジローラの他、従来公知のブラシやパッドなどを用いてももちろん構わない。またスクラブ部材の材質として、例えばポリビニルアルコールやポリウレタン、ビニルアルコール、ポリプロピレン、ナイロンなどが挙げられる。

本発明で使用する洗浄剤としてはフッ化水素酸、水酸化ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、イオン水、活性剤添加水、弱アルカリ溶液、弱酸溶液、純水、オゾン水、中性洗浄液、過酸化水素水などを用いることができる。その中でもフッ化水素酸はＳｉ元素溶出力が高いので好適である。最初の洗浄液としてはアルカリ性又は酸性であるのがよく、最後の洗浄液としては弱酸性又は中性であるのがよい。最初の洗浄液としてアルカリ性のものを用いる場合、下記式（１）を満足するのが好ましい。
Ｈｓ＞１０ 且つ Ｈｓ／Ｈｅ＞１．５ ・・・・・・（１）
（Ｈｓ：最初の洗浄液のｐＨ，Ｈｅ：最後の洗浄液のｐＨ）

一方、最初の洗浄液として酸性のものを用いる場合、下記式（２）を満足するのが好ましい。
Ｈｓ＜５ 且つ Ｈｓ／Ｈｅ＜０．６ ・・・・・・（２）
（Ｈｓ：最初の洗浄液のｐＨ，Ｈｅ：最後の洗浄液のｐＨ）

また、最初の洗浄液の比抵抗値を最後の洗浄液のそれよりも小さくするのが好ましい。具体的には下記式（３）を満足するのが好ましい。
Ｒｓ＜０．１ ＭΩ・ｃｍ 且つＲｓ／Ｒｅ＜０．２ ・・・・・・（３）（Ｒｓ：最初の洗浄液の比抵抗値，Ｒｅ：最後の洗浄液の比抵抗値）

本発明において液体のＳｉ元素溶出量は次のようにして測定した。基準となるガラス基板として、ガラス成分がＳｉＯ2：６５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3：１５ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3：５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏ：２ｗｔ％、Ｎａ2Ｏ：７ｗｔ％、Ｋ2Ｏ：６ｗｔ％の組成のＳｉＯ2を主成分とするアルミノボロシリケートガラスであって、主表面が酸化セリウムで研磨処理され、表面粗さＲａが２０Å以下とされた後洗浄された、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍのガラス基板を用いる。このガラス基板を温度６０℃に保持された液体２５０ｍｌ中に５ｈ浸漬する。そして、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma）発光分光分析装置でその溶出液中のＳｉ元素量を計測する。一方、同様にして測定した、ガラス基板を浸漬する前の液体中のＳｉ元素量を、該計測された溶出液中のＳｉ元素量から差し引き、その値を基に液体のＳｉ元素溶出量を算出する。

各洗浄液のＳｉ元素溶出量の具体的数値範囲に特に限定はないが、最初の洗浄液のＳｉ元素溶出量としては１〜１０，０００ｐｐｂ／ｍｍ2の範囲が好ましく、最後の洗浄液のＳｉ元素溶出量としては０．００１〜１０ｐｐｂ／ｍｍ2の範囲が好ましい。そして３種類以上の洗浄液を用いる場合には、Ｓｉ元素溶出量の大きい洗浄液から順に用いるのが望ましい。

一つのスクラブ洗浄装置において洗浄液の種類を順に切り換える場合、洗浄液の切り替えを連続的に行ってもよいし、段階的に行ってもよい。洗浄液の種類を連続的に切り換える場合には、例えば図１の洗浄装置において、ノズル２ａとノズル２ｂからそれぞれ噴出される洗浄液３と純水４の噴出比率を連続的に変化させればよい。他方、洗浄液の種類を段階的に切り換える場合には、図１の洗浄装置において、ノズル２ａとノズル２ｂから異なる洗浄液が噴出するようにし、ノズル２ａから洗浄液を噴出させてガラス基板をスクラブ洗浄した後、ノズル２ｂから別の洗浄液を噴出させてスクラブ洗浄すればよい。なお、３種類以上の洗浄液を用いる場合には、洗浄液の数だけノズルを設置する必要がある。また洗浄装置内に、洗浄液ごとに処理ステージを設置し、其々のステージで用いる洗浄液を変えて、順番に洗浄処理を行ってもよい。

スクラブ洗浄がなされたガラス基板に対して、必要により乾燥処理（不図示）が行われる。乾燥処理は具体的には、ガラス基板をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）中に浸漬し、ＩＰＡ中に洗浄液成分を溶け込ませ、基板表面の被覆液体をＩＰＡと置換した後、さらにＩＰＡ蒸気中にさらしながら、ＩＰＡを蒸発させてガラス基板を乾燥させるものである。そしてその後、必要により検査が行われる。基板の乾燥処理としてはこれに限定されるわけではなく、スピン乾燥、エアーナイフ乾燥などガラス基板の乾燥方法として一般的に知られた方法を用いてももちろん構わない。

次に、ガラス基板についてテクスチャ加工が施される。このテクスチャ加工はテープによる研磨を利用してガラス基板表面に同心円状の筋模様を形成するものである。テクスチャ加工によって、磁気ディスク媒体に磁気異方性が与えられ、磁気ディスクとしての磁気特性が向上すると共に、ハードディスクドライブの非作動時における磁気ヘッドと磁気ディスク表面との吸着が防止される。

テクスチャ加工液としては、砥粒を液中に均一に分散させ、また加工液保管中の砥粒の沈降を防止するため、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の、グリコール系化合物の界面活性剤を約１〜２５重量％含有した水溶液中に、約０．０１〜５重量％の砥粒を分散させたスラリーが使用される。

砥粒としては、単結晶又は多結晶のダイヤモンド粒子が使用される。このダイヤモンド粒子は、その粒子形状が規則正しく、粒子サイズ及び形状にバラツキがなく、硬質であり、耐薬品性及び耐熱性に優れている。特に、多結晶ダイヤモンド粒子は、単結晶のものと比較すると、その粒子形状が角のない丸い形状であるため、超精密研磨加工に用いる砥粒として広く使用されている。

テクスチャ加工後におけるガラス基板の最表面の表面粗さＲａは、０．３ｎｍ以下であるのが望ましい。表面粗さＲａが０．３ｎｍより大きいと、完成品の磁気ディスクとしたときに、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との距離を小さくできず、磁気ディスクの記録容量を増大させることができない。

次に、以上のようにして作製されたガラス基板上に、磁性膜が形成される。磁性膜の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきが挙げられる。スピンコート法での膜厚は約０．３〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成が好ましい。

磁性膜に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できる。高い保磁力を得るために、結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。具体的には、Ｃｏを主成分とするＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどが挙げられる。磁性膜は、非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）で分割し、ノイズの低減を図った多層構成（例えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）としてもよい。上記の磁性材料の他、フェライト系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ2、ＢＮなどからなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子を分散された構造の、グラニュラーなどであってもよい。また、磁性膜は、面内型および垂直型のいずれの記録形式であってもよい。

また、磁気ヘッドの滑りをよくするために磁性膜の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。

さらに必要により下地層や保護層を設けてもよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。Ｃｏを主成分とする磁性膜の場合には、磁気特性向上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。

磁性膜の摩耗や腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これらの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。なお、上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して二酸化ケイ素（ＳｉＯ2)層を形成してもよい。

Claims (10)

1. 少なくとも１回のガラス基板を研磨する研磨工程と、前記研磨工程後のガラス基板を洗浄する洗浄工程とを有するガラス基板の洗浄方法において、前記洗浄工程が、Ｓｉ元素溶出量の異なる、２種類以上の洗浄液を用いてガラス基板をスクラブ洗浄する工程のみからなり、Ｓｉ元素溶出量の最も高い洗浄液を最初に、かつＳｉ元素溶出量の最も低い洗浄液を最後に、使用して洗浄することを特徴とするガラス基板の製造方法。
2. 該Ｓｉ元素溶出量の値に従い、該２種類以上の洗浄液を、該値が高い順に使用して洗浄することを特徴とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
3. 前記２種類以上の洗浄液を用いてガラス基板をスクラブ洗浄する工程が、一つの洗浄装置を使用して洗浄液の種類を順に切り替えることで行われることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
4. 前記２種類以上の洗浄液がいずれも洗剤を含む洗浄液であり、前記洗剤の成分が実質的に同一で濃度のみが異なる、該２種類以上の洗浄液を、濃度が高い順に使用して洗浄することを特徴とする請求項３に記載のガラス基板の製造方法。
5. 該洗浄液はフッ化水素酸であることを特徴とする請求項４に記載のガラス基板の製造方法。
6. 該最初の洗浄液がアルカリ性又は酸性であり、該最後の洗浄液が弱酸性又は中性であることを特徴とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
7. 該最初の洗浄液の比抵抗値が、該最後の洗浄液のそれよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
8. 該洗浄液を連続的に切り換えて洗浄することを特徴とする請求項４記載のガラス基板の製造方法。
9. 該洗浄液を段階的に切り換えて洗浄することを特徴とする請求項４記載のガラス基板の製造方法。
10. 請求項１に記載のガラス基板の製造方法によって製造されたガラス基板上に磁気記録層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。

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