JP5081164B2 - 小型高伝導性熱/電気スイッチ - Google Patents
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Description
本発明は、熱または電気制御用の、特に、宇宙応用での熱制御用の構造に関する。
多くの素子では、相当量の熱が生じ、素子用の所望の作動温度を維持するために、活発な熱制御の必要性がある。一般的な解決策は、電気機械ファンまたは通風装置を使用することによって過度の熱を移動するために大気中の空気を使用することである。これは有効であるが、時々騒々しい解決策であり、熱ラジエタに対する幾度にも渡るパッシブまたはアクティブ熱導体を介しての熱伝導が好ましい解決策である。特に、真空中で作動する宇宙応用において、宇宙への熱の直接放射が不可能なら、これは、唯一の解決策である。
先行技術は、明らかに、スイッチの物理的大きさと比較して、高スイッチング能力を有する熱制御高伝導性スイッチを提供することができない。
本発明による高伝導性スイッチは、特に宇宙応用において、熱および電気制御、並びに異なる小型システムの実施のために新しい可能性を開く。
ィンまたはパラフィン状の材料は、スイッチをある過温度で始動しなければならない場合に使用することができる。パラフィン材料は、固体から液体への変化において10〜20%程度膨張し、融点温度は、マイナス数十℃〜プラス数百℃から選択することができる。パラフィンの組成およびパラフィン中の炭化水素鎖の長さに依存して、非常に限定されまたはより広い温度間隔にわたって溶融が生じる。他方、温度が下がっていく場合、スイッチを始動しなければならないなら、反対の特性を有する材料を使用することができる。水が液体から固体(水から氷)までの変化において約10%膨張するので、水は、良好な例である。パラフィンの、アクチュエータ材料および薄い可撓性膜としての主な欠点は、パラフィンを介した熱伝導率がかなり悪く、また必ずしもではないが、薄い膜を介してもかなり悪い。液体導体材料の熱の逃げ道、つまり、伝熱構造を包含することによって、伝導性は劇的に改善される。これは、はるかに高い熱伝導率の調整をもたらす。相変化材料の代替案は、同じ相内で材料の熱膨張を使用することであり、ここで、熱アクチュエータ材料の膨張により、可撓性膜が、ある温度でギャップを埋めるように、スイッチが設計されている。
もたらさなければならない。
Claims (15)
- 第1の下部壁(203)と第2の上部壁(204)とを有し、少なくとも前記第2の上部壁(204)は、膜アセンブリ(205)であり、前記第2の上部壁(204)は、受構造(210)に対してギャップ(102)をもって配置されるようになされた密封空洞(213)と、
前記空洞(213)の一部を満たし、温度とともに体積を変化するようになされた熱アクチュエータ材料(215)と、
前記空洞(213)の一部を満たし、前記第1の下部壁(203)と、前記第2の上部壁(204)との間に高伝導性接触をもたらす伝熱構造(216)を形成する導体材料と、を含み、
温度によって誘発された体積変化が、前記アクチュエータ材料(215)の相変化によって少なくとも部分的に引き起こされ、前記相変化は、所定の温度または温度間隔で生じ、
前記伝熱構造(216)の前記導体材料は、少なくとも、前記アクチュエータ材料(215)の相変化温度で液相状態であり、
前記熱アクチュエータ材料(215)は、温度によって誘発された体積変化時に、前記第2の上部壁(204)を移動させ、その結果、前記受構造(210)に対する前記ギャップ(102)は埋められることが可能であることを特徴とする、高伝導性スイッチ。 - 前記空洞(213)は、少なくとも2つの接合されたウェハ(201、202)のスタック内に形成されている、請求項1に記載の高伝導性スイッチ。
- 前記ウェハ(201、202)は、半導体材料、シリコン、セラミック、金属、金属合金、ガラスまたはポリマーの1つまたは組み合わせからなる、請求項2に記載の高伝導性スイッチ。
- 前記ウェハ(201、202)は、エッチング、射出成形、放電加工、圧延、レーザアブレーション、パンチの1つまたは組み合わせを使用して形成されている、請求項2または3に記載の高伝導性スイッチ。
- 前記アクチュエータ材料(215)はパラフィンである、請求項1〜4のいずれかに記載の高伝導性スイッチ。
- 前記伝熱構造(216)の前記導体材料は、金属または金属合金である、請求項1に記載の高伝導性スイッチ。
- 前記壁(203、204)の少なくとも1つの一部を被覆するコーティング(209)を含み、
前記導体材料は、前記コーティング(209)上で前記アクチュエータ材料(215)より小さなぬれ角を有する、請求項1〜6のうちのいずれかに記載の高伝導性スイッチ。 - 前記壁(203、204)の少なくとも1つから突出するポスト(208)を含み、前記ポスト(208)は、外側では前記導体材料を前記アクチュエータ材料(215)で囲む、請求項1〜7のうちのいずれかに記載の高伝導性スイッチ。
- 前記導体材料は高い熱伝導率を有する、請求項1〜8のうちのいずれかに記載の高伝導性スイッチ。
- 前記導体材料は高い電気伝導率を有する、請求項1〜9のうちのいずれかに記載の高伝導性スイッチ。
- 前記壁(203、204)の少なくとも1つは、高伝導性を有する、請求項9または10に記載の高伝導性スイッチ。
- 加熱素子が、前記空洞(213)に組み込まれている、請求項1に記載の高伝導性スイッチ。
- 前記ギャップ(102)および前記スイッチを囲む体積(107)は、液体誘電体で満たされている、請求項10または11に記載の高伝導性スイッチ。
- 前記アクチュエータ材料(215)は、温度の上昇による固体から液体への変化において膨張する、請求項1に記載の高伝導性スイッチ。
- 前記アクチュエータ材料(215)は、温度の低下による液体から固体への変化において膨張する、請求項1に記載の高伝導性スイッチ。
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