JP5080724B2 - 基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム - Google Patents
基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5080724B2 JP5080724B2 JP2005047362A JP2005047362A JP5080724B2 JP 5080724 B2 JP5080724 B2 JP 5080724B2 JP 2005047362 A JP2005047362 A JP 2005047362A JP 2005047362 A JP2005047362 A JP 2005047362A JP 5080724 B2 JP5080724 B2 JP 5080724B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- dummy
- execution
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 381
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 366
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 302
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 297
- 230000006872 improvement Effects 0.000 claims description 15
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 97
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 47
- 230000006870 function Effects 0.000 description 30
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
前記ダミー処理の実行が必要か否かを判別する判別ステップと、前記ダミー処理を実行するための条件であるダミー処理実行要件を設定するダミー処理実行要件設定ステップと、前記加工処理の実行終了時を計時開始基準時刻とした前記処理室の放置時間として、前記処理室内の状態が安定に維持可能な時間を設定する放置時間設定ステップと、を有し、前記判別ステップは、前記非製品基板が存在し且つ前記非製品基板に対する前記ダミー処理の実行が指定されている場合において、前記放置時間としてゼロ以外の所定時間が設定されているときに、予め設定されている前記ダミー処理実行要件を判定するダミー処理改善を含み、前記判別ステップでは、前記非製品基板が存在しない場合又は前記非製品基板に対する前記ダミー処理の実行が指定されていない場合には、前記放置時間が設定されているか否かに関係なく前記ダミー処理を実行しないとの判別を行い、前記非製品基板が存在し且つ前記非製品基板に対する前記ダミー処理の実行が指定されている場合に、前記放置時間がゼロに設定されているときには前記ダミー処理を実行するとの判別を行い、前記放置時間が前記ゼロ以外の所定時間に設定されているときには前記ダミー処理改善手段が前記ダミー処理実行要件が満たされず、且つ、前記ゼロ以外の所定時間に設定された前記放置時間が経過していないと判定したときに前記ダミー処理を実行しないとの判別を行うことを特徴とする。
100’,100” 基板処理装置
101,102 カセットチャンバ
103 旋回型アーム
104 トランスファチャンバ
106,107 プロセスチャンバ
200 ホストコンピュータ
1000 基板処理システム
Claims (25)
- 被処理体としての基板に対して所定の処理を実行するための少なくとも1つの処理室と、前記処理室内において製品基板に対する加工処理の実行前に該加工処理の条件を整えるために非製品基板に対して実行される処理であるダミー処理を前記非製品基板に対して実行するダミー処理手段と、前記ダミー処理の実行が必要か否かを判別する判別手段とを備える基板処理装置において、
前記ダミー処理を実行するための条件であるダミー処理実行要件を設定するダミー処理実行要件設定手段と、
前記加工処理の実行終了時を計時開始基準時刻とした前記処理室の放置時間として、前記処理室内の状態が安定に維持可能な時間を設定する放置時間設定手段とを備え、
前記判別手段は、前記非製品基板が存在し且つ前記非製品基板に対する前記ダミー処理の実行が指定されている場合において、前記放置時間としてゼロ以外の所定時間が設定されているときに、予め設定されている前記ダミー処理実行要件を判定するダミー処理改善手段を有し、
前記判別手段は、
前記非製品基板が存在しない場合又は前記非製品基板に対する前記ダミー処理の実行が指定されていない場合には、前記放置時間が設定されているか否かに関係なく前記ダミー処理を実行しないとの判別を行い、
前記非製品基板が存在し且つ前記非製品基板に対する前記ダミー処理の実行が指定されている場合に、前記放置時間がゼロに設定されているときには前記ダミー処理を実行するとの判別を行い、前記放置時間が前記ゼロ以外の所定時間に設定されているときには前記ダミー処理改善手段が前記ダミー処理実行要件が満たされず且つ前記ゼロ以外の所定時間に設定された前記放置時間が経過していないと判定したときに前記ダミー処理を実行しないとの判別を行うことを特徴とする基板処理装置。 - 前記ダミー処理実行要件は、前記処理室がオフラインであることを含むことを特徴とすることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記ダミー処理実行要件は、前記基板が電源オンの後における最初の処理すべき基板から成ることを含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記ダミー処理実行要件は、前記基板よりも以前に処理された基板がオフラインで処理されたことを含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記ダミー処理実行要件は、前記基板が前記処理室のメンテナンス後における最初の処理すべき基板から成ることを含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記ダミー処理実行要件は、前記基板よりも以前に処理実行中の基板に対して、実行中の処理を強制終了するアボート処理が実行されたことを含むことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記ダミー処理手段は、前記判別手段により前記処理室内の状態が安定でないと判別されたときは、前記ダミー処理を1回実行することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記実行されるダミー処理は、前記基板に対して実行される前記加工処理よりも処理時間が長いことを特徴とする請求項7記載の基板処理装置。
- 前記実行されるダミー処理は、前記基板に対して実行される前記加工処理よりもその処理に必要なパワーの設定値が高いことを特徴とする請求項7記載の基板処理装置。
- 前記判別手段は、前記基板を含むロット毎に前記判別を行うことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記基板よりも以前に処理実行中の基板に対して、実行中の処理を強制終了するアボート処理が実行された後に前記基板に対して前記アボート処理を実行するか否かの設定を許容するアボート処理設定手段を備えることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記ダミー処理の実行を省略したか否かを示すログを記録するログ記録手段を備えることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 被処理体としての基板に対して所定の処理を実行するための少なくとも1つの処理室を備える基板処理装置の基板処理方法であって、
前記処理室内において製品基板に対する加工処理の実行前に該加工処理の条件を整えるために非製品基板に対して実行される処理であるダミー処理を実行するダミー処理ステップと、
前記ダミー処理の実行が必要か否かを判別する判別ステップと、
前記ダミー処理を実行するための条件であるダミー処理実行要件を設定するダミー処理実行要件設定ステップと、
前記加工処理の実行終了時を計時開始基準時刻とした前記処理室の放置時間として、前記処理室内の状態が安定に維持可能な時間を設定する放置時間設定ステップと、を有し、 前記判別ステップは、前記非製品基板が存在し且つ前記非製品基板に対する前記ダミー処理の実行が指定されている場合において、前記放置時間としてゼロ以外の所定時間が設定されているときに、予め設定されている前記ダミー処理実行要件を判定するダミー処理改善を含み、
前記判別ステップでは、
前記非製品基板が存在しない場合又は前記非製品基板に対する前記ダミー処理の実行が指定されていない場合には、前記放置時間が設定されているか否かに関係なく前記ダミー処理を実行しないとの判別を行い、
前記非製品基板が存在し且つ前記非製品基板に対する前記ダミー処理の実行が指定されている場合に、前記放置時間がゼロに設定されているときには前記ダミー処理を実行するとの判別を行い、前記放置時間が前記ゼロ以外の所定時間に設定されているときには前記ダミー処理改善手段が前記ダミー処理実行要件が満たされず、且つ、前記ゼロ以外の所定時間に設定された前記放置時間が経過していないと判定したときに前記ダミー処理を実行しないとの判別を行うことを特徴とする基板処理方法。 - 前記ダミー処理実行要件は、前記処理室がオフラインであることを含むことを特徴とする請求項13記載の基板処理方法。
- 前記ダミー処理実行要件は、前記基板が電源オンの後における最初の処理すべき基板から成ることを含むことを特徴とする請求項13記載の基板処理方法。
- 前記ダミー処理実行要件は、前記基板よりも以前に処理された基板がオフラインで処理されたことを含むことを特徴とする請求項13記載の基板処理方法。
- 前記ダミー処理実行要件は、前記基板が前記処理室のメンテナンス後における最初の処理すべき基板から成ることを含むことを特徴とする請求項13記載の基板処理方法。
- 前記ダミー処理実行要件は、前記基板よりも以前に処理実行中の基板に対して、実行中の処理を強制終了するアボート処理が実行されたことを含むことを特徴とする請求項13記載の基板処理方法。
- 前記ダミー処理ステップでは、前記判別ステップにおいて前記処理室内の状態が安定でないと判別されたときは、前記ダミー処理を1回実行することを特徴とする請求項13乃至18のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記実行されるダミー処理は、前記基板に対して実行される前記加工処理よりも処理時間が長いことを特徴とする請求項19記載の基板処理方法。
- 前記実行されるダミー処理は、前記基板に対して実行される前記加工処理よりもその処理に必要なパワーの設定値が高いことを特徴とする請求項19記載の基板処理方法。
- 前記判別ステップでは、前記基板を含むロット毎に前記判別を行うことを特徴とする請求項13乃至21のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記基板よりも以前に処理実行中の基板に対して、実行中の処理を強制終了するアボート処理が実行された後に前記基板に対して前記アボート処理を実行するか否かの設定を許容するアボート処理設定ステップを有することを特徴とする請求項13乃至22のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記ダミー処理の実行を省略したか否かを示すログを記録するログ記録ステップを有することを特徴とする請求項13乃至23のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 被処理体としての基板に対して所定の処理を実行するための少なくとも1つの処理室を備える基板処理装置の基板処理方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記基板処理方法は、
前記処理室内において製品基板に対する加工処理の実行前に該加工処理の条件を整えるために非製品基板に対して実行される処理であるダミー処理を実行するダミー処理ステップと、
前記ダミー処理の実行が必要か否かを判別する判別ステップと、
前記ダミー処理を実行するための条件であるダミー処理実行要件を設定するダミー処理実行要件設定ステップと、
前記加工処理の実行終了時を計時開始基準時刻とした前記処理室の放置時間として、前記処理室内の状態が安定に維持可能な時間を設定する放置時間設定ステップと、を有し、
前記判別ステップは、前記非製品基板が存在し且つ前記非製品基板に対する前記ダミー処理の実行が指定されている場合において、前記放置時間としてゼロ以外の所定時間が設定されているときに、予め設定されている前記ダミー処理実行要件を判定するダミー処理改善を含み、
前記判別ステップでは、前記非製品基板が存在しない場合又は前記非製品基板に対する前記ダミー処理の実行が指定されていない場合には、前記放置時間が設定されているか否かに関係なく前記ダミー処理を実行しないとの判別を行い、前記非製品基板が存在し且つ前記非製品基板に対する前記ダミー処理の実行が指定されている場合に、前記放置時間がゼロに設定されているときには前記ダミー処理を実行するとの判別を行い、前記放置時間が前記ゼロ以外の所定時間に設定されているときには前記ダミー処理改善手段が前記ダミー処理実行要件が満たされず、且つ、前記ゼロ以外の所定時間に設定された前記放置時間が経過していないと判定したときに前記ダミー処理を実行しないとの判別を行うことを特徴とするプログラム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005047362A JP5080724B2 (ja) | 2004-03-05 | 2005-02-23 | 基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム |
US11/072,521 US20050233477A1 (en) | 2004-03-05 | 2005-03-07 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method |
US13/034,170 US8785216B2 (en) | 2004-03-05 | 2011-02-24 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004062982 | 2004-03-05 | ||
JP2004062982 | 2004-03-05 | ||
JP2004277774 | 2004-09-24 | ||
JP2004277774 | 2004-09-24 | ||
JP2005047362A JP5080724B2 (ja) | 2004-03-05 | 2005-02-23 | 基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006121030A JP2006121030A (ja) | 2006-05-11 |
JP5080724B2 true JP5080724B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=36538590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005047362A Expired - Fee Related JP5080724B2 (ja) | 2004-03-05 | 2005-02-23 | 基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5080724B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5084250B2 (ja) | 2006-12-26 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体 |
JP2008288282A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US9312155B2 (en) * | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
JP5813389B2 (ja) | 2011-06-24 | 2015-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理時間設定方法及び記憶媒体 |
JP5997542B2 (ja) * | 2012-08-13 | 2016-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
JP6383522B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2018-08-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 異物を発塵させる装置および発塵要因分析装置 |
CN104233202B (zh) * | 2013-06-06 | 2016-07-13 | 北大方正集团有限公司 | 一种金属薄膜的制作方法及装置 |
JP2014225707A (ja) * | 2014-09-01 | 2014-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7487024B2 (ja) | 2020-06-30 | 2024-05-20 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61247015A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-04 | Nec Corp | 薄膜形成装置 |
JP2001044090A (ja) * | 1999-08-03 | 2001-02-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造設備及び保守方法 |
JP3660582B2 (ja) * | 2000-12-04 | 2005-06-15 | 株式会社日立製作所 | プラズマエッチング処理装置 |
JP2002190468A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Sharp Corp | プラズマエッチング方法 |
JP3897566B2 (ja) * | 2001-10-26 | 2007-03-28 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法 |
JP4132898B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2008-08-13 | 富士通株式会社 | ドライクリーニング方法 |
TWI328164B (en) * | 2002-05-29 | 2010-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for monitoring tool performance |
JP3612526B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2005-01-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置のシーズニング方法 |
-
2005
- 2005-02-23 JP JP2005047362A patent/JP5080724B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006121030A (ja) | 2006-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8785216B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method | |
JP5080724B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム | |
CN100373545C (zh) | 基板处理装置、基板处理方法及程序 | |
US6566270B1 (en) | Integration of silicon etch and chamber cleaning processes | |
KR101643830B1 (ko) | 결합된 실리콘 산화물 에칭 및 오염 제거 프로세스 | |
US7402523B2 (en) | Etching method | |
JP4854317B2 (ja) | 基板処理方法 | |
TWI453787B (zh) | Substrate processing device, substrate processing condition review method | |
CN100388429C (zh) | 去除光刻胶和蚀刻残留物的方法 | |
US20110035957A1 (en) | Gas processing apparatus, gas processing method, and storage medium | |
JP2004507086A (ja) | 基板の処理方法及び処理システム | |
US7326358B2 (en) | Plasma processing method and apparatus, and storage medium | |
JP2010245512A (ja) | 基板のエッチング方法及びシステム | |
JP4817991B2 (ja) | 基板処理方法 | |
US20040200498A1 (en) | Method and apparatus for cleaning a substrate processing chamber | |
US20090135381A1 (en) | Apparatus for processing substrate and method of doing the same | |
US8034720B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP4895256B2 (ja) | 基板の表面処理方法 | |
JP5102467B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2008117867A (ja) | 基板処理方法及び基板処理システム | |
JP5107842B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP2011530170A (ja) | チャンバのプラズマ洗浄プロセス方法 | |
US20170185077A1 (en) | Processing system and processing program | |
WO2009122764A1 (ja) | ホール形成方法、ホール形成装置及びプログラム | |
US20060093969A1 (en) | Method of processing substrate and chemical used in the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060427 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111012 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111013 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120507 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120828 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120831 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5080724 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |