JPS61247015A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS61247015A JPS61247015A JP8796885A JP8796885A JPS61247015A JP S61247015 A JPS61247015 A JP S61247015A JP 8796885 A JP8796885 A JP 8796885A JP 8796885 A JP8796885 A JP 8796885A JP S61247015 A JPS61247015 A JP S61247015A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- thin film
- target
- sensor
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
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- Power Engineering (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空中で半導体ウニ・・（以下ウエノ・とい
う）に薄膜を形成する薄膜形成装置に関するものである
。
う）に薄膜を形成する薄膜形成装置に関するものである
。
従来、この種の薄膜形成装置におけるウェハの検出は、
真空処理室外のウェハ供給・収納及び搬送過程にて行な
われていた。
真空処理室外のウェハ供給・収納及び搬送過程にて行な
われていた。
上述した従来のウェハ検出のみでは、実際にウェハが薄
膜形成を行なう真空処理室内のターｒ。
膜形成を行なう真空処理室内のターｒ。
トに対向した正規の位置にあるかどうかを確認すること
ができず、真空処理室内に送シ込んだ以降はシーケンス
が順調に進んだこと、及びウェハがそれに同期して所定
の位置に送られたものと想定して薄膜形成プロセスが行
なわれる。このため、何らかの原因によシシーケンスが
誤動作したシ、或いは搬送途中にウェハが落下、破損し
、真空処理室内に送シ込まれたにも拘らず、ウェハがタ
ーゲットに対向する正規の位置に存在しない場合がある
。従来、スノ母、夕はウェハ゛が存在しない場合にも実
行されるため、本来ウェハの影になる部分、特にウェハ
のホルダ一部や通常ウェハの裏面方向に配置されている
ウェハ加熱機構等を被膜してしまうという大きな欠点が
あった。
ができず、真空処理室内に送シ込んだ以降はシーケンス
が順調に進んだこと、及びウェハがそれに同期して所定
の位置に送られたものと想定して薄膜形成プロセスが行
なわれる。このため、何らかの原因によシシーケンスが
誤動作したシ、或いは搬送途中にウェハが落下、破損し
、真空処理室内に送シ込まれたにも拘らず、ウェハがタ
ーゲットに対向する正規の位置に存在しない場合がある
。従来、スノ母、夕はウェハ゛が存在しない場合にも実
行されるため、本来ウェハの影になる部分、特にウェハ
のホルダ一部や通常ウェハの裏面方向に配置されている
ウェハ加熱機構等を被膜してしまうという大きな欠点が
あった。
本発明は前記問題点を解消した装置を提供するものであ
る。
る。
本発明は真空中内でターゲットよりのス・ぐツタ原子を
半導体ウェハに付着させ、該ウェハに薄膜を形成する薄
膜形成装置において、ターゲットとの対向位置での半導
体ウェハの有無を検知し、半導体ウェハが存在しないと
きに、薄膜形成プロセスの実行停止の指令を発する制御
部を有することを特徴とする薄膜形成装置である。
半導体ウェハに付着させ、該ウェハに薄膜を形成する薄
膜形成装置において、ターゲットとの対向位置での半導
体ウェハの有無を検知し、半導体ウェハが存在しないと
きに、薄膜形成プロセスの実行停止の指令を発する制御
部を有することを特徴とする薄膜形成装置である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図において、ウェハホルダー２にはウェハ１の周縁
を嵌合保持する保持具２が設けられている。ホルダー２
のウェハ１に対向してターゲット３が設けられ、その間
にスノｅツタ開始・終了時に開閉するシャッター４が配
設されている。更にウェハの後方には加熱用ランｆ５、
反射板６、ス・母ツタ時のまわシこみを防ぐシールドガ
ラス７が設けられている。以上の構成は従来と同じであ
る。
を嵌合保持する保持具２が設けられている。ホルダー２
のウェハ１に対向してターゲット３が設けられ、その間
にスノｅツタ開始・終了時に開閉するシャッター４が配
設されている。更にウェハの後方には加熱用ランｆ５、
反射板６、ス・母ツタ時のまわシこみを防ぐシールドガ
ラス７が設けられている。以上の構成は従来と同じであ
る。
本実施例はシールドガラス７を介してホルダー２の後方
位置に反射ミラー等を含む光学系９を設置し、該光学系
９の出力側に制御部８を接続したものである。制御部８
はウェハ１の有無を検出し、ウェハ１がない場合に、薄
膜形成プロセスの実行停止の指令を発する機能を有する
ものであシ、本実施例ではウェハを光電式に検出するウ
ェハセンサとして構成しである。
位置に反射ミラー等を含む光学系９を設置し、該光学系
９の出力側に制御部８を接続したものである。制御部８
はウェハ１の有無を検出し、ウェハ１がない場合に、薄
膜形成プロセスの実行停止の指令を発する機能を有する
ものであシ、本実施例ではウェハを光電式に検出するウ
ェハセンサとして構成しである。
本実施例ではウェハセンサ８は光電式のため、真空処理
室外に設けることができ、反射ミラー等を含む光学系９
によシ真空処理施内のウェハの検出を可能にしている。
室外に設けることができ、反射ミラー等を含む光学系９
によシ真空処理施内のウェハの検出を可能にしている。
実施例において、ウェハが搬送手段にょジターｒ２ト３
の対向位置に運ばれると、ウェハセンサ８によシウェハ
の有無を検知する。そして、ウェハが存在する場合、ウ
ェハセンサ８よシ薄膜形成プロセスの実行指令が発せら
れ、シャッター４が開いてターゲット３よシス・母ツタ
原子が飛来し、ウェハ１の表面に薄膜が形成される。
の対向位置に運ばれると、ウェハセンサ８によシウェハ
の有無を検知する。そして、ウェハが存在する場合、ウ
ェハセンサ８よシ薄膜形成プロセスの実行指令が発せら
れ、シャッター４が開いてターゲット３よシス・母ツタ
原子が飛来し、ウェハ１の表面に薄膜が形成される。
一方、ウェハセンサ８がウェハ１を検出しない場合、す
なわち、シーケンスの誤動作や搬送途中のトラブルによ
シ、ウェハ１がターゲット３と向き合う正規の位置にな
い場合は、ウェハセンサ８は薄膜形成プロセスの実行停
止指令を発するから、シャッター４は閉じたままとなシ
、ウェハホルダーや加熱機構部へ膜付けするというダメ
ージを避けることができる。尚、実行例では、シャッタ
ー４の開閉を制御させるようにしたが、スｉＪ？ツタパ
ワーのＯＮ ／ ＯＦＦのインターロック機能を制御す
るようにしても良い。
なわち、シーケンスの誤動作や搬送途中のトラブルによ
シ、ウェハ１がターゲット３と向き合う正規の位置にな
い場合は、ウェハセンサ８は薄膜形成プロセスの実行停
止指令を発するから、シャッター４は閉じたままとなシ
、ウェハホルダーや加熱機構部へ膜付けするというダメ
ージを避けることができる。尚、実行例では、シャッタ
ー４の開閉を制御させるようにしたが、スｉＪ？ツタパ
ワーのＯＮ ／ ＯＦＦのインターロック機能を制御す
るようにしても良い。
以上説明したように本発明は、真空処理室内のターゲッ
トと対向した位置に送シ込まれたウェハの実体を検出し
、ぞの情報よシス・母ツタの可否を判断する機能を有す
ることにょシ、ウェハがない場合には、スパッタが行な
われず、装置部品への無益な成膜がなされず、したがっ
て、装置に重大なダメージを与えることを避けることが
できる。
トと対向した位置に送シ込まれたウェハの実体を検出し
、ぞの情報よシス・母ツタの可否を判断する機能を有す
ることにょシ、ウェハがない場合には、スパッタが行な
われず、装置部品への無益な成膜がなされず、したがっ
て、装置に重大なダメージを与えることを避けることが
できる。
又、真空処理室内のウェハの実体をつかめるため、シー
ケンの確実性を増すことができ、更に真空処理室内のト
ラブルの発生時にもウェハの状態を把握できるから、対
応が適切にできるという大きな効果がある。
ケンの確実性を増すことができ、更に真空処理室内のト
ラブルの発生時にもウェハの状態を把握できるから、対
応が適切にできるという大きな効果がある。
第１図は本発明の薄膜形成に於る真空処理室内の断面図
である。 １・・・ウェハ、２・・・ウェハホルダー、３・・・タ
ーゲット、４・・・シャッター、８・・・ウェハセンサ
（制御部）
である。 １・・・ウェハ、２・・・ウェハホルダー、３・・・タ
ーゲット、４・・・シャッター、８・・・ウェハセンサ
（制御部）
Claims (1)
- （１）真空中内で、ターゲットよりのスパッタ原子を半
導体ウェハに付着させ、該ウェハに薄膜を形成する薄膜
形成装置において、ターゲットとの対向位置での半導体
ウェハの有無を検知し、半導体ウェハが存在しないとき
に、薄膜形成プロセスの実行停止の指令を発する制御部
を有することを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8796885A JPS61247015A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8796885A JPS61247015A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247015A true JPS61247015A (ja) | 1986-11-04 |
Family
ID=13929650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8796885A Pending JPS61247015A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61247015A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006121030A (ja) * | 2004-03-05 | 2006-05-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム |
| US8785216B2 (en) | 2004-03-05 | 2014-07-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP8796885A patent/JPS61247015A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006121030A (ja) * | 2004-03-05 | 2006-05-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、及びプログラム |
| US8785216B2 (en) | 2004-03-05 | 2014-07-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and program for implementing the method |
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