JPH06140383A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH06140383A JPH06140383A JP31146392A JP31146392A JPH06140383A JP H06140383 A JPH06140383 A JP H06140383A JP 31146392 A JP31146392 A JP 31146392A JP 31146392 A JP31146392 A JP 31146392A JP H06140383 A JPH06140383 A JP H06140383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- film
- plasma
- detection hole
- plasma beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲット材の寿命を確実に検知し、適切な
時期にターゲット材の交換を可能にする。 【構成】 ターゲット材４の内部にプラズマ光検知孔５
を設け、成膜時にターゲット材４の表面が減少してプラ
ズマ光検知孔５に達すると、プラズマ１１によるプラズ
マ光９がプラズマ光検知孔５から光ファイバー６を通過
して光センサー７にて検出される。光センサー７は制御
部８へ信号を送り、制御部８はターゲット材交換信号を
出力する。 【効果】 成膜時のターゲット材の交換時期を毎回確実
に検知でき、交換時期の遅延を防止することが可能とな
る。
時期にターゲット材の交換を可能にする。 【構成】 ターゲット材４の内部にプラズマ光検知孔５
を設け、成膜時にターゲット材４の表面が減少してプラ
ズマ光検知孔５に達すると、プラズマ１１によるプラズ
マ光９がプラズマ光検知孔５から光ファイバー６を通過
して光センサー７にて検出される。光センサー７は制御
部８へ信号を送り、制御部８はターゲット材交換信号を
出力する。 【効果】 成膜時のターゲット材の交換時期を毎回確実
に検知でき、交換時期の遅延を防止することが可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置の製
造において基板上に成膜を行うスパッタリング装置に関
する。
造において基板上に成膜を行うスパッタリング装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタリング装置においては、
成膜により減少するターゲット材の寿命を、ターゲット
材に印加した積算電力を測定することにより予測してい
た。即ち、予め印加した電力とターゲット材の減少量と
を測定し、ターゲット材に印加した積算電力を管理する
ことによって、ターゲット材の寿命を予測していた。
成膜により減少するターゲット材の寿命を、ターゲット
材に印加した積算電力を測定することにより予測してい
た。即ち、予め印加した電力とターゲット材の減少量と
を測定し、ターゲット材に印加した積算電力を管理する
ことによって、ターゲット材の寿命を予測していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来は、前述したよう
に積算電力によりターゲット材の寿命を予測し、ターゲ
ット材の交換を行っていたが、スパッタレートの変化等
で適切な交換ができないという問題があった。
に積算電力によりターゲット材の寿命を予測し、ターゲ
ット材の交換を行っていたが、スパッタレートの変化等
で適切な交換ができないという問題があった。
【０００４】そこで、本発明は、ターゲット材の寿命を
確実に検知し、適切な時期にターゲット材の交換を可能
にするスパッタリング装置を提供することを目的とす
る。
確実に検知し、適切な時期にターゲット材の交換を可能
にするスパッタリング装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によるスパッタリング装置は、ターゲット材
の内部にプラズマ光を検出する検出手段を設けたもので
ある。
に、本発明によるスパッタリング装置は、ターゲット材
の内部にプラズマ光を検出する検出手段を設けたもので
ある。
【０００６】
【作用】本発明のスパッタリング装置は、前述の構成に
より、成膜を行った場合、成膜によりターゲット材の表
面が減少し、ターゲット材の内部に設けた検出手段の位
置に達する。このとき、検出手段はプラズマ光を検出す
る。これにより、ターゲット材の適切な交換時期が確認
できる。
より、成膜を行った場合、成膜によりターゲット材の表
面が減少し、ターゲット材の内部に設けた検出手段の位
置に達する。このとき、検出手段はプラズマ光を検出す
る。これにより、ターゲット材の適切な交換時期が確認
できる。
【０００７】
【実施例】以下に、本発明の一実施例であるスパッタリ
ング装置を図面を用いて説明する。図１は、本実施例で
あるスパッタリング装置の概略構成図、図２は本実施例
装置によるターゲット材の交換時の検知方法を示す概略
構成図である。
ング装置を図面を用いて説明する。図１は、本実施例で
あるスパッタリング装置の概略構成図、図２は本実施例
装置によるターゲット材の交換時の検知方法を示す概略
構成図である。
【０００８】図１に示すスパッタリング装置は、成膜を
行うスパッタリングチャンバー１と、膜を付けるウェハ
ー３と、そのウェハー３を保持するウェハー保持機構２
と、成膜を行う成膜手段であるプラズマ光検知孔５を有
するターゲット材４と、プラズマ光検知孔５の光を導出
する光ファイバー６と、その光を検出する光センサー７
と、その制御手段である制御部８とを具備している。
行うスパッタリングチャンバー１と、膜を付けるウェハ
ー３と、そのウェハー３を保持するウェハー保持機構２
と、成膜を行う成膜手段であるプラズマ光検知孔５を有
するターゲット材４と、プラズマ光検知孔５の光を導出
する光ファイバー６と、その光を検出する光センサー７
と、その制御手段である制御部８とを具備している。
【０００９】なお、ターゲット材４のプラズマ光検知孔
５、光ファイバー６、光センサー７等によって検出手段
が構成されている。そして、プラズマ光検知孔５は、タ
ーゲット材４の内部でそのターゲット材４の寿命となる
深さ位置において、ターゲット材４の側面から中心方向
に穿孔された１個以上の孔または貫通孔となっている。
５、光ファイバー６、光センサー７等によって検出手段
が構成されている。そして、プラズマ光検知孔５は、タ
ーゲット材４の内部でそのターゲット材４の寿命となる
深さ位置において、ターゲット材４の側面から中心方向
に穿孔された１個以上の孔または貫通孔となっている。
【００１０】次に、図２を用いてターゲット材４の交換
時期の検知動作を説明する。
時期の検知動作を説明する。
【００１１】このスパッタリング装置により、チャンバ
ー１内に例えばＡｒガスを導入すると共にターゲット材
４に電力を印加し、プラズマ１１中でウェハー３への成
膜を行う。この成膜によりターゲット材４の表面が減少
し、プラズマ光検知孔５に達する。プラズマ１１による
プラズマ光９がプラズマ光検知孔５から光ファイバー６
を通過して光センサー７にて検知される。光センサー７
は制御部８へ信号を送り、制御部８は、ターゲット材交
換信号を出力し、例えば表示ランプ１０によりターゲッ
ト材４の交換時期を知らせる。
ー１内に例えばＡｒガスを導入すると共にターゲット材
４に電力を印加し、プラズマ１１中でウェハー３への成
膜を行う。この成膜によりターゲット材４の表面が減少
し、プラズマ光検知孔５に達する。プラズマ１１による
プラズマ光９がプラズマ光検知孔５から光ファイバー６
を通過して光センサー７にて検知される。光センサー７
は制御部８へ信号を送り、制御部８は、ターゲット材交
換信号を出力し、例えば表示ランプ１０によりターゲッ
ト材４の交換時期を知らせる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
パッタリング装置のターゲット材の減少をターゲット材
の内部へのプラズマ光の到達として検出手段にて検出す
ることにより、成膜時のターゲット材の交換時期を毎回
確実に検出することができ、交換時期の遅延を防止する
ことが可能なスパッタリング装置を提供することができ
る。
パッタリング装置のターゲット材の減少をターゲット材
の内部へのプラズマ光の到達として検出手段にて検出す
ることにより、成膜時のターゲット材の交換時期を毎回
確実に検出することができ、交換時期の遅延を防止する
ことが可能なスパッタリング装置を提供することができ
る。
【図１】本発明の一実施例であるスパッタリング装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】上記実施例装置によるターゲット材の交換時の
検知方法を示す概略構成図である。
検知方法を示す概略構成図である。
１ スパッタリングチャンバー ２ ウェハー保持機構 ３ ウェハー ４ ターゲット材 ５ プラズマ光検知孔 ６ 光ファイバー ７ 光センサー ８ 制御部 ９ プラズマ光 １０ 表示ランプ １１ プラズマ
Claims (1)
- 【請求項１】 ターゲット材の内部にプラズマ光を検出
する検出手段を設けたことを特徴とするスパッタリング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31146392A JPH06140383A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31146392A JPH06140383A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140383A true JPH06140383A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=18017530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31146392A Withdrawn JPH06140383A (ja) | 1992-10-27 | 1992-10-27 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140383A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007092174A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 検出器の形成方法 |
| US8795486B2 (en) | 2005-09-26 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
| WO2015022166A1 (de) * | 2013-08-16 | 2015-02-19 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Sputtertarget, vorrichtung zum befestigen eines sputtertargets, verfahren zum erkennen des lösens eines sputtermateirals sowie herstellungsverfahren |
| KR20190016167A (ko) * | 2017-08-07 | 2019-02-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 검사 방법 |
-
1992
- 1992-10-27 JP JP31146392A patent/JPH06140383A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007092174A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | 検出器の形成方法 |
| US7891536B2 (en) | 2005-09-26 | 2011-02-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
| JP4646883B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2011-03-09 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | Ｐｖｄターゲット構造体を製造する方法 |
| US8276648B2 (en) | 2005-09-26 | 2012-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
| US8795486B2 (en) | 2005-09-26 | 2014-08-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | PVD target with end of service life detection capability |
| WO2015022166A1 (de) * | 2013-08-16 | 2015-02-19 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Sputtertarget, vorrichtung zum befestigen eines sputtertargets, verfahren zum erkennen des lösens eines sputtermateirals sowie herstellungsverfahren |
| KR20190016167A (ko) * | 2017-08-07 | 2019-02-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 검사 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |