JPH0961798A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH0961798A JPH0961798A JP7218381A JP21838195A JPH0961798A JP H0961798 A JPH0961798 A JP H0961798A JP 7218381 A JP7218381 A JP 7218381A JP 21838195 A JP21838195 A JP 21838195A JP H0961798 A JPH0961798 A JP H0961798A
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- JP
- Japan
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- glass substrate
- photoresist film
- mounting table
- photomask
- exposure apparatus
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Atmospheric Sciences (AREA)
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- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガラス基板の破断を全くなくして露光を行
う。 【構成】 フォトレジスト膜が塗布されたガラス基板を
載置する載置台と、該ガラス基板のフォトレジスト膜が
塗布された面に対向配置されるフォトマスクとを少なく
とも備える露光装置において、前記載置台は、それに載
置される前記ガラス基板と同大同形の載置面を備えると
ともに、その載置面の周辺はテーパが形成されている。
う。 【構成】 フォトレジスト膜が塗布されたガラス基板を
載置する載置台と、該ガラス基板のフォトレジスト膜が
塗布された面に対向配置されるフォトマスクとを少なく
とも備える露光装置において、前記載置台は、それに載
置される前記ガラス基板と同大同形の載置面を備えると
ともに、その載置面の周辺はテーパが形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置に係り、たとえ
ば液晶表示基板の製造において使用される露光装置に関
する。
ば液晶表示基板の製造において使用される露光装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば液晶表示基板は、液晶を介して
互いに対向配置される各透明基板の液晶側の面において
いわゆるフォトリソグラフィ技術によって微細エッチン
グ加工された配線、電極、半導体素子等が形成されてい
る。
互いに対向配置される各透明基板の液晶側の面において
いわゆるフォトリソグラフィ技術によって微細エッチン
グ加工された配線、電極、半導体素子等が形成されてい
る。
【０００３】すなわち、透明基板の主表面に所定パター
ンの導電層を形成する場合、該透明基板の主表面の全域
に金属層を形成し、さらに、その金属層の表面の全域に
フォトレジスト膜を形成する。
ンの導電層を形成する場合、該透明基板の主表面の全域
に金属層を形成し、さらに、その金属層の表面の全域に
フォトレジスト膜を形成する。
【０００４】一方、前記導電層のパターンが描かれたフ
ォトマスクがあり、このフォトマスクを前記透明基板の
フォトレジスト膜形成面に対向配置させる。
ォトマスクがあり、このフォトマスクを前記透明基板の
フォトレジスト膜形成面に対向配置させる。
【０００５】そして、このフォトマスクを介して前記透
明基板のフォトレジスト膜形成面を選択露光させること
によって、該フォトレジスト膜を前記パターンに応じた
感光を行う。
明基板のフォトレジスト膜形成面を選択露光させること
によって、該フォトレジスト膜を前記パターンに応じた
感光を行う。
【０００６】その後、該フォトレジスト膜を現像液によ
ってたとえば感光された部分を除去する。そして、残存
されたフォトレジスト膜をマスクとして該フォトレジス
ト膜から露呈されている金属層を適当なエッチング液を
用いてエッチングする。
ってたとえば感光された部分を除去する。そして、残存
されたフォトレジスト膜をマスクとして該フォトレジス
ト膜から露呈されている金属層を適当なエッチング液を
用いてエッチングする。
【０００７】そして、該フォトレジスト膜を全て除去す
ることによって、所定パターンの導電層が得られること
になる。
ることによって、所定パターンの導電層が得られること
になる。
【０００８】ここで、フォトマスクを介したフォトレジ
スト膜への選択露光を行う際には、露光装置の載置台上
に透明基板をセットし、この載置台を上昇させることに
よって、その上方に配置されたフォトマスクに該透明基
板のフォトレジスト膜形成面を近接させるようにしてい
る。
スト膜への選択露光を行う際には、露光装置の載置台上
に透明基板をセットし、この載置台を上昇させることに
よって、その上方に配置されたフォトマスクに該透明基
板のフォトレジスト膜形成面を近接させるようにしてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな選択露光の際に、載置台に載置された透明基板をフ
ォトマスクに近接させる過程において、該透明基板が往
々にして破断してしまうということが指摘されていた。
うな選択露光の際に、載置台に載置された透明基板をフ
ォトマスクに近接させる過程において、該透明基板が往
々にして破断してしまうということが指摘されていた。
【００１０】その原因を追及した結果、透明基板を載置
する載置台の載置面が該透明基板よりも小さく形成され
ているため、該載置面から延在する透明基板上にフォト
レジストの突起部等が存在した場合に、この突起部に接
触するフォトマスクからの力によって該透明基板が簡単
に破断することが判明した。
する載置台の載置面が該透明基板よりも小さく形成され
ているため、該載置面から延在する透明基板上にフォト
レジストの突起部等が存在した場合に、この突起部に接
触するフォトマスクからの力によって該透明基板が簡単
に破断することが判明した。
【００１１】また、露光の際の光源としてたとえば超高
圧水銀ランプの強い光を用いて、フォトレジスト膜への
速やかな感光を図ろうとしているが、いまだ充分でなく
さらに短時間での感光を期待するに至っている。
圧水銀ランプの強い光を用いて、フォトレジスト膜への
速やかな感光を図ろうとしているが、いまだ充分でなく
さらに短時間での感光を期待するに至っている。
【００１２】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、ガラス基板の破断を全く
なくして露光を行い得る露光装置を提供することにあ
る。
れたものであり、その目的は、ガラス基板の破断を全く
なくして露光を行い得る露光装置を提供することにあ
る。
【００１３】また、他の目的は、フォトレジスト膜への
感光を短時間で行い得る露光装置を提供することにあ
る。
感光を短時間で行い得る露光装置を提供することにあ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１５】手段１．フォトレジスト膜が塗布されたガ
ラス基板を載置する載置台と、該ガラス基板のフォトレ
ジスト膜が塗布された面に対向配置されるフォトマスク
とを少なくとも備える露光装置において、前記載置台
は、それに載置される前記ガラス基板と同大同形の載置
面を備えるとともに、その載置面の周辺はテーパが形成
されていることを特徴とするものである。
ラス基板を載置する載置台と、該ガラス基板のフォトレ
ジスト膜が塗布された面に対向配置されるフォトマスク
とを少なくとも備える露光装置において、前記載置台
は、それに載置される前記ガラス基板と同大同形の載置
面を備えるとともに、その載置面の周辺はテーパが形成
されていることを特徴とするものである。
【００１６】手段２．フォトレジスト膜が塗布されたガ
ラス基板を載置する載置台と、該ガラス基板のフォトレ
ジスト膜が塗布された面に対向配置されるフォトマスク
とを少なくとも備える露光装置において、前記ガラス基
板のフォトレジスト塗布面と前記フォトマスクとの間に
不活性ガスを供給させる手段が備えられ、この手段は前
記不活性ガスをガラス基板のフォトレジスト膜の塗布面
上にて円形状に流入させるように構成されていることを
特徴とするものである。
ラス基板を載置する載置台と、該ガラス基板のフォトレ
ジスト膜が塗布された面に対向配置されるフォトマスク
とを少なくとも備える露光装置において、前記ガラス基
板のフォトレジスト塗布面と前記フォトマスクとの間に
不活性ガスを供給させる手段が備えられ、この手段は前
記不活性ガスをガラス基板のフォトレジスト膜の塗布面
上にて円形状に流入させるように構成されていることを
特徴とするものである。
【００１７】
【作用】手段１のような構成によれば、載置台はそれに
載置される前記ガラス基板と同大同形の載置面を備えて
いることから、たとえ、透明基板上にフォトレジストの
突起部等が存在した場合でも、該突起部に接触するフォ
トマスクからの力は該載置台上の部分の透明基板に加わ
るにすぎない。
載置される前記ガラス基板と同大同形の載置面を備えて
いることから、たとえ、透明基板上にフォトレジストの
突起部等が存在した場合でも、該突起部に接触するフォ
トマスクからの力は該載置台上の部分の透明基板に加わ
るにすぎない。
【００１８】したがって、従来のように該透明基板が簡
単に破断するというようなことはなくなる。
単に破断するというようなことはなくなる。
【００１９】また、手段２のような構成は、近傍に酸素
（Ｏ2）があった場合に露光されるフォトレジスト膜に
おいてその架橋反応が促進されないという結果に基づく
ものであり、不活性ガスの雰囲気を形成することによっ
て該酸素を取り除くようにしたものである。この場合、
該不活性ガスはフォトレジスト膜の塗布面上にて円形状
に流入させるようにしているため、この不活性ガスとと
もに円形状に流動する酸素はその遠心力によってほぼ確
実にフォトレジスト膜の塗布面上から取り除かれるとい
う効果を奏する。
（Ｏ2）があった場合に露光されるフォトレジスト膜に
おいてその架橋反応が促進されないという結果に基づく
ものであり、不活性ガスの雰囲気を形成することによっ
て該酸素を取り除くようにしたものである。この場合、
該不活性ガスはフォトレジスト膜の塗布面上にて円形状
に流入させるようにしているため、この不活性ガスとと
もに円形状に流動する酸素はその遠心力によってほぼ確
実にフォトレジスト膜の塗布面上から取り除かれるとい
う効果を奏する。
【００２０】
【実施例】図１は、本発明による露光装置の一実施例を
示す構成図で、特に液晶表示基板の製造において使用さ
れる露光装置を示している。
示す構成図で、特に液晶表示基板の製造において使用さ
れる露光装置を示している。
【００２１】同図において、まず、フォトマスク１があ
り、このフォトマスク１はマスクホルダ２に支持される
ことによって図示しない基台に対して固定配置されるよ
うになっている。
り、このフォトマスク１はマスクホルダ２に支持される
ことによって図示しない基台に対して固定配置されるよ
うになっている。
【００２２】このフォトマスク１は、処理対象となる液
晶表示基板を構成するガラス基板より若干大きな矩形形
状をなし、マスクホルダ２は該フォトマスク１のマスク
パターンが形成されている中央部１Ａを除く周辺部１Ｂ
のみを支持する環状形状となっている。
晶表示基板を構成するガラス基板より若干大きな矩形形
状をなし、マスクホルダ２は該フォトマスク１のマスク
パターンが形成されている中央部１Ａを除く周辺部１Ｂ
のみを支持する環状形状となっている。
【００２３】また、該マスクホルダ２によって支持され
たフォトマスク１の上方部からはたとえば図示しない超
高圧水銀ランプからの均一な平行光が照射されるように
なっており、この光はフォトマスク１のそのマスクパタ
ーンのうちの光透過部を透過して該フォトマスク１の下
方部に照射されるようになっている。
たフォトマスク１の上方部からはたとえば図示しない超
高圧水銀ランプからの均一な平行光が照射されるように
なっており、この光はフォトマスク１のそのマスクパタ
ーンのうちの光透過部を透過して該フォトマスク１の下
方部に照射されるようになっている。
【００２４】フォトマスク１の下方部には載置台３が配
置されており、この載置台３には処理対象となる液晶表
示基板の一方のガラス基板４が載置されている。そし
て、このガラス基板４はその表面の全域にフォトレジス
ト膜５がたとえばロッドコータ塗布によって形成された
ものとなっている。
置されており、この載置台３には処理対象となる液晶表
示基板の一方のガラス基板４が載置されている。そし
て、このガラス基板４はその表面の全域にフォトレジス
ト膜５がたとえばロッドコータ塗布によって形成された
ものとなっている。
【００２５】また、載置台３は、図中において、マスク
ホルダ２から比較的大きな距離を隔てて下方に位置づけ
られているが、これは、ガラス基板４を該マスクホルダ
２による妨げをなくして該載置台３に載置できるためで
ある。
ホルダ２から比較的大きな距離を隔てて下方に位置づけ
られているが、これは、ガラス基板４を該マスクホルダ
２による妨げをなくして該載置台３に載置できるためで
ある。
【００２６】このため、載置台３は図示しない機構の駆
動によって上昇できるようになっており、これにより、
図２に示すように、該載置台３はそれに載置されるガラ
ス基板４をフォトマスク１に近接させるようにしてマス
クホルダ２内に位置づけれられるようになっている。
動によって上昇できるようになっており、これにより、
図２に示すように、該載置台３はそれに載置されるガラ
ス基板４をフォトマスク１に近接させるようにしてマス
クホルダ２内に位置づけれられるようになっている。
【００２７】そして、載置台３は、この実施例におい
て、特に、それに載置される前記ガラス基板４と同大同
形の載置面を備えるとともに、その載置面の周辺はテー
パ３Ａが形成されている。
て、特に、それに載置される前記ガラス基板４と同大同
形の載置面を備えるとともに、その載置面の周辺はテー
パ３Ａが形成されている。
【００２８】ここで、このテーパ３Ａは、図３に示すよ
うに、ガラス基板４の主表面に塗布されたフォトレジス
ト膜５が該ガラス基板４の周辺に周り込んで裏面に付着
した場合に、この付着されたフォトレジスト膜５Ａを載
置台３の載置面に当接させないためである。
うに、ガラス基板４の主表面に塗布されたフォトレジス
ト膜５が該ガラス基板４の周辺に周り込んで裏面に付着
した場合に、この付着されたフォトレジスト膜５Ａを載
置台３の載置面に当接させないためである。
【００２９】ガラス基板４の裏面に周り込むフォトレジ
スト膜５Ａは、通常において微小な量であることから、
載置台３における前記テーパ３Ａを形成する領域は極め
て狭い範囲で充分となり、したがって、載置台３のガラ
ス基板４に対する載置面は該ガラス基板３とほとんど同
大同型となっている。
スト膜５Ａは、通常において微小な量であることから、
載置台３における前記テーパ３Ａを形成する領域は極め
て狭い範囲で充分となり、したがって、載置台３のガラ
ス基板４に対する載置面は該ガラス基板３とほとんど同
大同型となっている。
【００３０】そして、ガラス基板４の裏面に周り込むフ
ォトレジスト膜５Ａが微小な量であっても、それによっ
て載置台３に該ガラス基板４を水平に載置できずフォト
レジスト膜５に対する精度よい選択感光ができなくなる
ことから、該テーパ３Ａのもつ効果は無視できないもの
となる。
ォトレジスト膜５Ａが微小な量であっても、それによっ
て載置台３に該ガラス基板４を水平に載置できずフォト
レジスト膜５に対する精度よい選択感光ができなくなる
ことから、該テーパ３Ａのもつ効果は無視できないもの
となる。
【００３１】そして、このように、載置台３が、それに
載置されるガラス基板４と同大同形の載置面を備えるこ
とによって、図３に示すように、たとえガラス基板４上
のフォトレジスト膜塗布面にたとえばフォトレジスト異
物５Ｂ等が存在していても、載置台３の上述した上昇に
ともなって生じる該フォトレジスト異物５Ｂ等に接触す
るフォトマスク１からの力は該載置台３上の部分のガラ
ス基板４に加わるにすぎない。したがって、従来のよう
に該ガラス基板４が簡単に破断するというようなことは
なくなる。
載置されるガラス基板４と同大同形の載置面を備えるこ
とによって、図３に示すように、たとえガラス基板４上
のフォトレジスト膜塗布面にたとえばフォトレジスト異
物５Ｂ等が存在していても、載置台３の上述した上昇に
ともなって生じる該フォトレジスト異物５Ｂ等に接触す
るフォトマスク１からの力は該載置台３上の部分のガラ
ス基板４に加わるにすぎない。したがって、従来のよう
に該ガラス基板４が簡単に破断するというようなことは
なくなる。
【００３２】なお、図３に示すように、載置台３のテー
パ３Ａ上のガラス基板４面にフォトレジスト異物５Ｃが
存在していた場合、たとえこのフォトレジスト異物５Ｃ
を介したフォトマスク１からの力が該ガラス基板４に加
えられても、該テーパ３Ａの形成領域の幅が極めて小さ
いことから、すなわちモーメントが極めて小さいことか
ら、該ガラス基板４の破断に至ることはないことは明確
である。
パ３Ａ上のガラス基板４面にフォトレジスト異物５Ｃが
存在していた場合、たとえこのフォトレジスト異物５Ｃ
を介したフォトマスク１からの力が該ガラス基板４に加
えられても、該テーパ３Ａの形成領域の幅が極めて小さ
いことから、すなわちモーメントが極めて小さいことか
ら、該ガラス基板４の破断に至ることはないことは明確
である。
【００３３】このように、載置台２を図２に示した配置
にした状態で、それに載置されている透明基板のフォト
レジスト膜面にフォトマスク１を介して図示しない超高
圧水銀ランプからの均一な平行光を照射することになる
が、その前段階として、フォトマスク１板のフォトレジ
スト膜面において窒素（Ｎ2）ガスが供給されるように
なっている。
にした状態で、それに載置されている透明基板のフォト
レジスト膜面にフォトマスク１を介して図示しない超高
圧水銀ランプからの均一な平行光を照射することになる
が、その前段階として、フォトマスク１板のフォトレジ
スト膜面において窒素（Ｎ2）ガスが供給されるように
なっている。
【００３４】すなわち、図４に示すように、矩形の環状
形状かなるマスクホルダ２にはその周囲において複数個
の窒素ガス供給孔６が設けられ、これら各窒素ガス供給
孔６はそれによって供給される窒素ガスがフォトレジス
ト膜５の塗布面上にて円形状に流入されるように、その
供給方向を同方向周りに一致づけた傾きθ（本例ではθ
＝４５度）をもたせて形成されている。
形状かなるマスクホルダ２にはその周囲において複数個
の窒素ガス供給孔６が設けられ、これら各窒素ガス供給
孔６はそれによって供給される窒素ガスがフォトレジス
ト膜５の塗布面上にて円形状に流入されるように、その
供給方向を同方向周りに一致づけた傾きθ（本例ではθ
＝４５度）をもたせて形成されている。
【００３５】このように、フォトレジスト膜の感光の際
に、窒素ガス等の不活性ガスを供給することによって、
該フォトレジスト膜の周辺に存在する酸素（Ｏ2）ガス
を排除するようにしている。
に、窒素ガス等の不活性ガスを供給することによって、
該フォトレジスト膜の周辺に存在する酸素（Ｏ2）ガス
を排除するようにしている。
【００３６】この理由は、酸素があった場合に露光され
るフォトレジスト膜５においてその架橋反応（感光）が
充分に促進されないという結果に基づくものであり、上
述のような構成にすることによってフォトレジスト膜５
への感光時間を大幅に短縮でき、作業の効率化を図るこ
とができるようになる。
るフォトレジスト膜５においてその架橋反応（感光）が
充分に促進されないという結果に基づくものであり、上
述のような構成にすることによってフォトレジスト膜５
への感光時間を大幅に短縮でき、作業の効率化を図るこ
とができるようになる。
【００３７】この場合、窒素ガスはフォトレジスト膜５
の塗布面上にて円形状に流入させるようにしているた
め、この窒素ガスとともに円形状に流動する酸素はその
遠心力（分子量の小さい窒素よりも大きな遠心力）によ
ってほぼ確実にフォトレジスト膜の塗布面上から取り除
かれるという効果を奏するようになる。
の塗布面上にて円形状に流入させるようにしているた
め、この窒素ガスとともに円形状に流動する酸素はその
遠心力（分子量の小さい窒素よりも大きな遠心力）によ
ってほぼ確実にフォトレジスト膜の塗布面上から取り除
かれるという効果を奏するようになる。
【００３８】なお、この際、周囲からの酸素の侵入を少
しでも除くため、マスクホルダ２の載置台３側の開口部
の周辺にはそのから末広がりに延在する遮ガス部材８
と、載置台３の底面部においてそこから水平に延在する
遮ガス部材９とが備えられ、該載置台３の上昇によっ
て、これら各遮ガス部材８、９とでフォトレジスト膜５
の周囲の空間を密閉できるようになっている。
しでも除くため、マスクホルダ２の載置台３側の開口部
の周辺にはそのから末広がりに延在する遮ガス部材８
と、載置台３の底面部においてそこから水平に延在する
遮ガス部材９とが備えられ、該載置台３の上昇によっ
て、これら各遮ガス部材８、９とでフォトレジスト膜５
の周囲の空間を密閉できるようになっている。
【００３９】また本実施例に示す露光装置のマスクホル
ダ２には、フォトレジスト膜５面に流入された窒素ガス
をそれによって排除される酸素とともに排出させる排出
管１０が形成されており、その排出管１０には酸素量検
出センサ１１が備えられている。
ダ２には、フォトレジスト膜５面に流入された窒素ガス
をそれによって排除される酸素とともに排出させる排出
管１０が形成されており、その排出管１０には酸素量検
出センサ１１が備えられている。
【００４０】すなわち、この酸素量検出センサ１１によ
ってフォトレジスト膜５面の残存量が常時検出できるこ
とになり、その量が一定値以下になった場合にフォトレ
ジスト膜５面への感光の最適時が判明することになる。
ってフォトレジスト膜５面の残存量が常時検出できるこ
とになり、その量が一定値以下になった場合にフォトレ
ジスト膜５面への感光の最適時が判明することになる。
【００４１】したがって、該酸素量検出センサ１１から
の出力をコントローラ１２に入力させることにより、該
コントローラ１２によって図示しない超高圧水銀ランプ
からのフォトレジスト膜５への照射を開始でき、必要時
に応じた効率的な露光を行うようにすることができる。
の出力をコントローラ１２に入力させることにより、該
コントローラ１２によって図示しない超高圧水銀ランプ
からのフォトレジスト膜５への照射を開始でき、必要時
に応じた効率的な露光を行うようにすることができる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による露光装置によれば、ガラス基板の破断を全
くなくして露光を行うことができるようになる。
本発明による露光装置によれば、ガラス基板の破断を全
くなくして露光を行うことができるようになる。
【００４３】また、フォトレジスト膜への感光を短時間
で行うことができるようになる。
で行うことができるようになる。
【図１】本発明による露光装置の一実施例を示す要部断
面図である。
面図である。
【図２】本発明による露光装置の動作を閉めす説明図で
ある。
ある。
【図３】本発明による露光装置の効果を示す説明図であ
る。
る。
【図４】本発明による露光装置の一実施例を示す要部平
面図である。
面図である。
１……フォトマスク、２……マスクホルダ、３……載置
台、４……ガラス基板、５……フォトレジスト膜、６…
…窒素ガス供給孔、１１……酸素量検出センサ、１２…
…コントローラ。
台、４……ガラス基板、５……フォトレジスト膜、６…
…窒素ガス供給孔、１１……酸素量検出センサ、１２…
…コントローラ。
Claims (4)
- 【請求項１】 フォトレジスト膜が塗布されたガラス基
板を載置する載置台と、該ガラス基板のフォトレジスト
膜が塗布された面に対向配置されるフォトマスクとを少
なくとも備える露光装置において、 前記載置台は、それに載置される前記ガラス基板と同大
同形の載置面を備えるとともに、その載置面の周辺はテ
ーパが形成されていることを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 フォトレジスト膜が塗布されたガラス基
板を載置する載置台と、該ガラス基板のフォトレジスト
膜が塗布された面に対向配置されるフォトマスクとを少
なくとも備える露光装置において、 前記ガラス基板のフォトレジスト塗布面と前記フォトマ
スクとの間に不活性ガスを供給させる手段が備えられ、
この手段は前記不活性ガスをガラス基板のフォトレジス
ト膜の塗布面上にて円形状に流入させるように構成され
ていることを特徴とする露光装置。 - 【請求項３】 不活性ガスはガラス基板のフォトレジス
ト膜の塗布面上にてその四方から供給するとともに、そ
の供給方向に同方向周りに沿った傾きをもたせているこ
とを特徴とする請求項２記載の露光装置。 - 【請求項４】 ガラス基板のフォトレジスト塗布面の近
傍の酸素量を検出するセンサと、このセンサによって検
知される酸素量が一定値以下となった際に露光を開始す
るコントローラとが備えられていることを特徴とする請
求項２記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7218381A JPH0961798A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7218381A JPH0961798A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0961798A true JPH0961798A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16719014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7218381A Pending JPH0961798A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0961798A (ja) |
-
1995
- 1995-08-28 JP JP7218381A patent/JPH0961798A/ja active Pending
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