JPH11186124A - ハードコンタクト露光装置 - Google Patents
ハードコンタクト露光装置Info
- Publication number
- JPH11186124A JPH11186124A JP9349401A JP34940197A JPH11186124A JP H11186124 A JPH11186124 A JP H11186124A JP 9349401 A JP9349401 A JP 9349401A JP 34940197 A JP34940197 A JP 34940197A JP H11186124 A JPH11186124 A JP H11186124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- work
- stage
- vacuum
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクとワークの密着力を大きくしても、マ
スクがマスクステージから浮き上がることがないハード
コンタクト露光装置を提供すること。 【解決手段】 マスクＭを真空吸着によりマスクステー
ジＭＳに保持し、ワークＷとワークステージＷＳとマス
クステージＭＳとマスクＭと真空シール部６で構成され
るシール空間を減圧してマスクＭとワークＷを密着さ
せ、マスクＭを介して露光光を含む光を照射しワークＷ
を露光するハードコンタクト露光装置において、マスク
Ｍの面積ＳＭより真空シール部６によって囲まれる面積
ＳＷを小さくする。これにより、上記シール空間の圧力
ＶＨをマスク吸着用圧力ＶＰに近づけ、マスクＭとワー
クＷの密着力を大きくしても、マスクＭがマスクステー
ジＭＳから浮き上がったり外れたりすることがなく、充
分なハードコンタクト力を確保することができる。
スクがマスクステージから浮き上がることがないハード
コンタクト露光装置を提供すること。 【解決手段】 マスクＭを真空吸着によりマスクステー
ジＭＳに保持し、ワークＷとワークステージＷＳとマス
クステージＭＳとマスクＭと真空シール部６で構成され
るシール空間を減圧してマスクＭとワークＷを密着さ
せ、マスクＭを介して露光光を含む光を照射しワークＷ
を露光するハードコンタクト露光装置において、マスク
Ｍの面積ＳＭより真空シール部６によって囲まれる面積
ＳＷを小さくする。これにより、上記シール空間の圧力
ＶＨをマスク吸着用圧力ＶＰに近づけ、マスクＭとワー
クＷの密着力を大きくしても、マスクＭがマスクステー
ジＭＳから浮き上がったり外れたりすることがなく、充
分なハードコンタクト力を確保することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置やマル
チチップモジュール等のミクロサイズの加工が必要な様
々な電気部品等の製造に使用される露光装置に関し、特
に本発明は、フォトマスクとワークを密着させて露光を
行うハードコンタクト露光装置に関するものである。
チチップモジュール等のミクロサイズの加工が必要な様
々な電気部品等の製造に使用される露光装置に関し、特
に本発明は、フォトマスクとワークを密着させて露光を
行うハードコンタクト露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置等の製造に
際しては、ワークの表面にフォトレジストを塗布し、フ
ォトマスク（以下マスクという）の上面から露光光を含
む光を照射してマスクパターンをワーク上に転写する露
光工程が行われる。上記露光工程においては、投影レン
ズを介してマスクパターンをワーク上に投影する投影露
光、マスクとワークを接近させてマスクパターンをワー
クに転写するプロキシミティ露光、あるいはマスクとワ
ークを密着させてマスクパターンをワーク上に転写する
コンタクト露光が行われる。
際しては、ワークの表面にフォトレジストを塗布し、フ
ォトマスク（以下マスクという）の上面から露光光を含
む光を照射してマスクパターンをワーク上に転写する露
光工程が行われる。上記露光工程においては、投影レン
ズを介してマスクパターンをワーク上に投影する投影露
光、マスクとワークを接近させてマスクパターンをワー
クに転写するプロキシミティ露光、あるいはマスクとワ
ークを密着させてマスクパターンをワーク上に転写する
コンタクト露光が行われる。
【０００３】図３はコンタクト露光装置の構成を示す図
であり、同図は、減圧によりフォトマスク（以下マスク
Ｍという）とワークＷ間に互いに押しつけ合うような力
をかけてマスクとワークを密着させて露光を行うハード
コンタクト露光装置の構成を示しており、同図（ａ）は
上面から見た図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であ
る。同図において、マスクステージＭＳには位置決め部
材１が設けられており、また、マスクステージＭＳに
は、図示しない光照射部からの露光光がマスクＭを介し
てワークＷに照射されるように開口部２が設けられてい
る。
であり、同図は、減圧によりフォトマスク（以下マスク
Ｍという）とワークＷ間に互いに押しつけ合うような力
をかけてマスクとワークを密着させて露光を行うハード
コンタクト露光装置の構成を示しており、同図（ａ）は
上面から見た図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であ
る。同図において、マスクステージＭＳには位置決め部
材１が設けられており、また、マスクステージＭＳに
は、図示しない光照射部からの露光光がマスクＭを介し
てワークＷに照射されるように開口部２が設けられてい
る。
【０００４】マスクパターンが形成されたマスクＭは、
上記位置決め部材１に当接させてマスクステージＭＳに
設けられた開口部２の上に載置される。マスクステージ
ＭＳの円形の開口部２の周囲には真空吸着溝３が設けら
れており、マスクＭは、図示しない真空源から真空吸着
溝３に供給される真空により、マスクステージＭＳ上に
固定・保持される。また、マスクステージＭＳには、フ
ォトマスクＭとマスクステージＭＳとワークＷとワーク
ステージＷＳと真空シール部６により形成される空間を
減圧するための管路４が設けられている。なお、マスク
Ｍは、マスクステージＭＳに載置する際に、その位置決
めが容易になるように通常四角形である。また、マスク
ステージＭＳに設けられる開口部２の形状はワークＷの
形状に合わせて作られ、ワークがウエハのように円形の
場合は同図に示すように円形となり、ワークが液晶基板
のように角形の場合は開口部２も角形となる。
上記位置決め部材１に当接させてマスクステージＭＳに
設けられた開口部２の上に載置される。マスクステージ
ＭＳの円形の開口部２の周囲には真空吸着溝３が設けら
れており、マスクＭは、図示しない真空源から真空吸着
溝３に供給される真空により、マスクステージＭＳ上に
固定・保持される。また、マスクステージＭＳには、フ
ォトマスクＭとマスクステージＭＳとワークＷとワーク
ステージＷＳと真空シール部６により形成される空間を
減圧するための管路４が設けられている。なお、マスク
Ｍは、マスクステージＭＳに載置する際に、その位置決
めが容易になるように通常四角形である。また、マスク
ステージＭＳに設けられる開口部２の形状はワークＷの
形状に合わせて作られ、ワークがウエハのように円形の
場合は同図に示すように円形となり、ワークが液晶基板
のように角形の場合は開口部２も角形となる。
【０００５】ワークステージＷＳには、ワークＷを固定
するためのワーク真空吸着用の穴５又は溝が設けられて
おり、ワークステージＷＳ上に載置されるワークＷは図
示しない真空源から真空吸着用の穴５に供給される真空
により、ワークステージＷＳ上に固定・保持される。ワ
ークステージＷＳの周囲には、例えばゴム等で形成され
たシール部材からなる真空シール部６が設けられ、マス
クＭとワークＷを密着させるために真空状態を作るのに
利用される。
するためのワーク真空吸着用の穴５又は溝が設けられて
おり、ワークステージＷＳ上に載置されるワークＷは図
示しない真空源から真空吸着用の穴５に供給される真空
により、ワークステージＷＳ上に固定・保持される。ワ
ークステージＷＳの周囲には、例えばゴム等で形成され
たシール部材からなる真空シール部６が設けられ、マス
クＭとワークＷを密着させるために真空状態を作るのに
利用される。
【０００６】また、ワークステージＷＳは、間隙設定機
構７を介してワークステージ駆動機構８に取り付けられ
ており、ワークステージ駆動機構８はワークステージＷ
ＳをＸ方向（例えば同図の左右方向）、Ｙ方向（例えば
同図において紙面に対して垂直方向）、Ｚ方向（同図の
上下方向）を移動させるとともに、ワークステージＷＳ
をワークＷ面に垂直な軸を中心として回転（この回転を
θ方向移動という）させる。なお、ワークステージＷＳ
の形状は通常ワークＷの形状に合わせて作られ、ワーク
が円形の場合は円形となり、ワークが角形の場合は開口
部２も角形となる。
構７を介してワークステージ駆動機構８に取り付けられ
ており、ワークステージ駆動機構８はワークステージＷ
ＳをＸ方向（例えば同図の左右方向）、Ｙ方向（例えば
同図において紙面に対して垂直方向）、Ｚ方向（同図の
上下方向）を移動させるとともに、ワークステージＷＳ
をワークＷ面に垂直な軸を中心として回転（この回転を
θ方向移動という）させる。なお、ワークステージＷＳ
の形状は通常ワークＷの形状に合わせて作られ、ワーク
が円形の場合は円形となり、ワークが角形の場合は開口
部２も角形となる。
【０００７】次に図３に示すハードコンタクト露光装置
によるワークＷの露光方法について説明する。 （１）マスクＭを位置決め部材１に当接させ、マスクス
テージＭＳに載置する。ついで、真空吸着溝３に真空を
供給し、マスクＭをマスクステージＭＳに固定保持す
る。 （２）ワークステージＷＳ上にワークＷを載置し、真空
源から真空吸着用の穴５に真空を供給し、ワークＷをワ
ークステージＷＳ上に固定・保持する。 （３）ワークステージ駆動機構８によりワークステージ
ＷＳを上昇させ、ワークＷをマスクＭに接触させ、間隙
設定機構７によりマスクＭとワークＷの平行出しを行う
（マスクＭとワークＷの平行出しについては例えば特開
平７−７４０９６号公報参照）。
によるワークＷの露光方法について説明する。 （１）マスクＭを位置決め部材１に当接させ、マスクス
テージＭＳに載置する。ついで、真空吸着溝３に真空を
供給し、マスクＭをマスクステージＭＳに固定保持す
る。 （２）ワークステージＷＳ上にワークＷを載置し、真空
源から真空吸着用の穴５に真空を供給し、ワークＷをワ
ークステージＷＳ上に固定・保持する。 （３）ワークステージ駆動機構８によりワークステージ
ＷＳを上昇させ、ワークＷをマスクＭに接触させ、間隙
設定機構７によりマスクＭとワークＷの平行出しを行う
（マスクＭとワークＷの平行出しについては例えば特開
平７−７４０９６号公報参照）。
【０００８】（４）マスクＭとワークＷの平行出しを行
ったのちに、ワークステージＷＳを少し下降させ、マス
クＭとワークＷの間隙をアライメント間隙に設定し、図
示しないアライメント顕微鏡によりマスクＭとワークＷ
に記されたアライメントマークを検出し、両者のアライ
メントマークが一致するようにワークステージ駆動機構
８によりワークステージＷＳをＸＹθ方向に移動させ、
マスクＭとワークＷの位置合わせ（アライメント）を行
う。
ったのちに、ワークステージＷＳを少し下降させ、マス
クＭとワークＷの間隙をアライメント間隙に設定し、図
示しないアライメント顕微鏡によりマスクＭとワークＷ
に記されたアライメントマークを検出し、両者のアライ
メントマークが一致するようにワークステージ駆動機構
８によりワークステージＷＳをＸＹθ方向に移動させ、
マスクＭとワークＷの位置合わせ（アライメント）を行
う。
【０００９】（５）アライメント終了後、ワークステー
ジＷＳを上昇させマスクＭとワークＷを接触させる。こ
こで、マスクＭとワークＷを単に接触させただけでは、
マスクＭやワークＷに反りや微小な凹凸等がある場合、
マスクＭとワークＷを全面に渡って密着させることがで
きない。このため、図４に示すように、場所によってマ
スクＭとワークＷとの間に間隙の違いが生ずる（図４で
は誇張して示されている）。このような状態で露光を行
うと、露光処理後の露光性能（現像後のパターン形状）
が、露光領域の場所によって異なることとなる。そこ
で、マスクＭとワークＷを全面に渡って密着させるた
め、以下に説明するようにマスクＭとワークＷの間に互
いに押しつけ合う様な力を加える（このようにして露光
を行うことをハードコンタクト露光という）。
ジＷＳを上昇させマスクＭとワークＷを接触させる。こ
こで、マスクＭとワークＷを単に接触させただけでは、
マスクＭやワークＷに反りや微小な凹凸等がある場合、
マスクＭとワークＷを全面に渡って密着させることがで
きない。このため、図４に示すように、場所によってマ
スクＭとワークＷとの間に間隙の違いが生ずる（図４で
は誇張して示されている）。このような状態で露光を行
うと、露光処理後の露光性能（現像後のパターン形状）
が、露光領域の場所によって異なることとなる。そこ
で、マスクＭとワークＷを全面に渡って密着させるた
め、以下に説明するようにマスクＭとワークＷの間に互
いに押しつけ合う様な力を加える（このようにして露光
を行うことをハードコンタクト露光という）。
【００１０】（６）ワークステージＷＳを上昇させ、マ
スクＭとワークＷを接触させると、ワークステージＷＳ
の周囲に設けられた真空シール部６がマスクステージＭ
Ｓの下面に接触し、マスクＭ、マスクステージＭＳ、ワ
ークＷ、ワークステージＷＳ、真空シール部６によりシ
ール空間が生成される。この状態でマスクステージＭＳ
に設けられた管路４に真空を供給し上記シール空間を減
圧する。 （７）シール空間が減圧されると、ワークＷはマスクＭ
に押しつけられ、図５に示すようにマスクＭとワークＷ
は全面に渡って密着する。さらに、密着度を上げるた
め、同図に示すようにワークステージＷＳのワーク真空
吸着用穴５からエアーを供給して、ワークＷを押し上げ
るような力を作用させてもよい。 （８）上記のようにマスクＭとワークＷが密着した状態
で、図示しない光照射部から露光光を含む光をマスクＭ
を介してワークＷに照射し、露光を行う。
スクＭとワークＷを接触させると、ワークステージＷＳ
の周囲に設けられた真空シール部６がマスクステージＭ
Ｓの下面に接触し、マスクＭ、マスクステージＭＳ、ワ
ークＷ、ワークステージＷＳ、真空シール部６によりシ
ール空間が生成される。この状態でマスクステージＭＳ
に設けられた管路４に真空を供給し上記シール空間を減
圧する。 （７）シール空間が減圧されると、ワークＷはマスクＭ
に押しつけられ、図５に示すようにマスクＭとワークＷ
は全面に渡って密着する。さらに、密着度を上げるた
め、同図に示すようにワークステージＷＳのワーク真空
吸着用穴５からエアーを供給して、ワークＷを押し上げ
るような力を作用させてもよい。 （８）上記のようにマスクＭとワークＷが密着した状態
で、図示しない光照射部から露光光を含む光をマスクＭ
を介してワークＷに照射し、露光を行う。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体装置等の
高密度化に伴い、より高い解像度が要求されるようにな
ってきており、マスクＭとワークＷの密着度をより大き
くすることが要望されている。このためには、前記した
シール空間減圧用の圧力を低くし、マスクＭとワークＷ
とを密着させるように働く力を大きくすればよい。すな
わち、ワークステージＷＳの真空シール部６によって形
成されるシール空間の圧力を低くすればする程、ハード
コンタクト圧力（マスクＭとワークＷを互いに押しつけ
合う力）が大きくなる。通常、マスクステージＭＳの真
空吸着溝３に供給されるマスク吸着用の圧力は、マスク
ＭをマスクステージＭＳに強固に固定するため最も低い
圧力に設定されており、ハードコンタクト圧力を大きく
するには、シール空間減圧用の圧力を低くして、シール
空間減圧用の圧力をマスクステージＭＳのマスク吸着用
圧力に近づけていけばよい。
高密度化に伴い、より高い解像度が要求されるようにな
ってきており、マスクＭとワークＷの密着度をより大き
くすることが要望されている。このためには、前記した
シール空間減圧用の圧力を低くし、マスクＭとワークＷ
とを密着させるように働く力を大きくすればよい。すな
わち、ワークステージＷＳの真空シール部６によって形
成されるシール空間の圧力を低くすればする程、ハード
コンタクト圧力（マスクＭとワークＷを互いに押しつけ
合う力）が大きくなる。通常、マスクステージＭＳの真
空吸着溝３に供給されるマスク吸着用の圧力は、マスク
ＭをマスクステージＭＳに強固に固定するため最も低い
圧力に設定されており、ハードコンタクト圧力を大きく
するには、シール空間減圧用の圧力を低くして、シール
空間減圧用の圧力をマスクステージＭＳのマスク吸着用
圧力に近づけていけばよい。
【００１２】ところで、従来の装置において、ハードコ
ンタクト圧力を大きくするため、シール空間減圧用の圧
力をマスク吸着用圧力に近づけていったところ、ついに
は、図６に示すように、ワークステージＷＳがマスクＭ
を押し上げ、マスクＭがマスクステージＭＳから浮き上
がったり外れるという問題が生じた。マスクＭが浮き上
がると、マスクとマスクステージの間にできたわずかな
隙間から大気が流入するようになり、ハードコンタクト
圧力を充分に大きくできない。なお、マスクＭがマスク
ステージＭＳから浮き上がったり、外れたりしないよう
に保持具等でマスクＭを固定することも考えられるが、
この方法は、マスクＭに強い上向きの力が加わった場合
にマスクＭが破損する可能性もあり実用的でない。
ンタクト圧力を大きくするため、シール空間減圧用の圧
力をマスク吸着用圧力に近づけていったところ、ついに
は、図６に示すように、ワークステージＷＳがマスクＭ
を押し上げ、マスクＭがマスクステージＭＳから浮き上
がったり外れるという問題が生じた。マスクＭが浮き上
がると、マスクとマスクステージの間にできたわずかな
隙間から大気が流入するようになり、ハードコンタクト
圧力を充分に大きくできない。なお、マスクＭがマスク
ステージＭＳから浮き上がったり、外れたりしないよう
に保持具等でマスクＭを固定することも考えられるが、
この方法は、マスクＭに強い上向きの力が加わった場合
にマスクＭが破損する可能性もあり実用的でない。
【００１３】本発明は上記した事情に鑑みなされたもの
であって、その目的とするところは、マスクとワークの
密着力を大きくしても、マスクがマスクステージから浮
き上がったり外れたりすることがなく、充分なハードコ
ンタクト力を確保することができるハードコンタクト露
光装置を提供することである。
であって、その目的とするところは、マスクとワークの
密着力を大きくしても、マスクがマスクステージから浮
き上がったり外れたりすることがなく、充分なハードコ
ンタクト力を確保することができるハードコンタクト露
光装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記マスクＭがマスクス
テージＭＳから浮き上がったり外れたりする現象が起こ
る理由を種々検討した結果、本発明者らは次の知見を得
た。すなわち、上記現象が起こるのは、図５において、
マスクステージＭＳのマスクＭを保持する面Ａにおい
て、マスクＭにかかる「下向きの力」（〔マスクＭをマ
スクステージＭＳに吸着する圧力〕＋〔シール空間を減
圧することによりマスクＭに加わる下向きの力〕）より
も、「上向きの力」（シール空間を減圧することにより
マスクＭに加わる上向きの力）が大きくなるためであ
り、このような現象が起こらないようにするには、マス
クＭの面積より、上記真空シール部６によって囲まれる
面積を小さくすればよいという認識を得た。
テージＭＳから浮き上がったり外れたりする現象が起こ
る理由を種々検討した結果、本発明者らは次の知見を得
た。すなわち、上記現象が起こるのは、図５において、
マスクステージＭＳのマスクＭを保持する面Ａにおい
て、マスクＭにかかる「下向きの力」（〔マスクＭをマ
スクステージＭＳに吸着する圧力〕＋〔シール空間を減
圧することによりマスクＭに加わる下向きの力〕）より
も、「上向きの力」（シール空間を減圧することにより
マスクＭに加わる上向きの力）が大きくなるためであ
り、このような現象が起こらないようにするには、マス
クＭの面積より、上記真空シール部６によって囲まれる
面積を小さくすればよいという認識を得た。
【００１５】これは次の理由によるものと考えられる。
ハードコンタクト時に、露光装置のマスク吸着面（図５
のＡ面）に働く力は、次のように考えることができる。
図１に示すようにマスクＭの面積＝ＳＭとし、マスクス
テージＭＳの開口面積＝ＳＡとし、真空シール部６によ
って囲まれる面積＝ＳＷとする。また、マスクステージ
ＭＳのマスク吸着用真空系の圧力＝ＶＰとし、ハードコ
ンタクト圧力（シール空間減圧用真空系の圧力）＝ＶＨ
とし、これらの圧力によってマスクＭにかかる「下向き
の力」＝ＤＦとし、これらの圧力によってマスクＭにか
かる「上向きの力」＝ＵＦとする。
ハードコンタクト時に、露光装置のマスク吸着面（図５
のＡ面）に働く力は、次のように考えることができる。
図１に示すようにマスクＭの面積＝ＳＭとし、マスクス
テージＭＳの開口面積＝ＳＡとし、真空シール部６によ
って囲まれる面積＝ＳＷとする。また、マスクステージ
ＭＳのマスク吸着用真空系の圧力＝ＶＰとし、ハードコ
ンタクト圧力（シール空間減圧用真空系の圧力）＝ＶＨ
とし、これらの圧力によってマスクＭにかかる「下向き
の力」＝ＤＦとし、これらの圧力によってマスクＭにか
かる「上向きの力」＝ＵＦとする。
【００１６】これらの圧力によって、図２のようにマス
クＭがマスクステージＭＳから、ごくほんのわずか浮き
上がった状態での、マスクに働く上向きおよび下向きの
力は（１）（２）式で表される。この状態は、マスク真
空吸着系の圧力ＶＰがマスクＭとマスクステージＭＳの
接触部分の全体に及んでいるが、まだ、マスクＭとマス
クステージＭＳの接触部分とシール空間とが連通してお
らず、ＶＰ≠ＶＨである。 ・下向きに働く力： ＤＦ＝（ＳＭ−ＳＡ）・ＶＰ＋ＳＡ・ＶＨ…（１） ・上向きに働く力： ＵＦ＝ＳＷ・ＶＨ …（２） ここで、（ＳＭ−ＳＡ）・ＶＰはマスクＭをマスクステ
ージＭＳに吸着する力、ＳＡ・ＶＨはシール空間減圧に
よってマスクＭにかかる下向きの力、ＳＷ・ＶＨはシー
ル空間減圧によってワークステージＷＳを上昇させよう
とする力である。
クＭがマスクステージＭＳから、ごくほんのわずか浮き
上がった状態での、マスクに働く上向きおよび下向きの
力は（１）（２）式で表される。この状態は、マスク真
空吸着系の圧力ＶＰがマスクＭとマスクステージＭＳの
接触部分の全体に及んでいるが、まだ、マスクＭとマス
クステージＭＳの接触部分とシール空間とが連通してお
らず、ＶＰ≠ＶＨである。 ・下向きに働く力： ＤＦ＝（ＳＭ−ＳＡ）・ＶＰ＋ＳＡ・ＶＨ…（１） ・上向きに働く力： ＵＦ＝ＳＷ・ＶＨ …（２） ここで、（ＳＭ−ＳＡ）・ＶＰはマスクＭをマスクステ
ージＭＳに吸着する力、ＳＡ・ＶＨはシール空間減圧に
よってマスクＭにかかる下向きの力、ＳＷ・ＶＨはシー
ル空間減圧によってワークステージＷＳを上昇させよう
とする力である。
【００１７】マスクＭが、更にほんのわずか浮き上がる
と、マスクＭとマスクステージＭＳの接触部分がシール
空間と更に連通し、マスクＭとマスクステージＭＳの接
触部分の圧力とシール空間圧力がほぼ同圧Ｐになると考
えられる。このときはまだ図２のような状態であって、
図６のようにマスクＭがマスクステージＭＳから浮き上
がり外れるに至っていない時である。このときは、次の
（３）（４）が成り立つ。すなわち、上記（１）（２）
式にＰを代入すると次のようになる。 ・下向きに働く力： ＤＦ＝（ＳＭ−ＳＡ）・Ｐ＋ＳＡ・Ｐ…（３） ・上向きに働く力： ＵＦ＝ＳＷ・Ｐ …（４） マスクＭがマスクステージＭＳから浮き上がって外れな
い状態にするためには、上記（３）式のＤＦが（４）式
のＵＦより大きければよい。すなわち、ＤＦ−ＵＦ＞０
から次の（５）式が得られる。 ＤＦ−ＵＦ＝（ＳＭ−ＳＡ）・Ｐ＋ＳＡ・Ｐ−ＳＷ・Ｐ ＝（ＳＭ−ＳＡ＋ＳＡ−ＳＷ）・Ｐ ＝（ＳＭ−ＳＷ）・Ｐ＞０ …（５）
と、マスクＭとマスクステージＭＳの接触部分がシール
空間と更に連通し、マスクＭとマスクステージＭＳの接
触部分の圧力とシール空間圧力がほぼ同圧Ｐになると考
えられる。このときはまだ図２のような状態であって、
図６のようにマスクＭがマスクステージＭＳから浮き上
がり外れるに至っていない時である。このときは、次の
（３）（４）が成り立つ。すなわち、上記（１）（２）
式にＰを代入すると次のようになる。 ・下向きに働く力： ＤＦ＝（ＳＭ−ＳＡ）・Ｐ＋ＳＡ・Ｐ…（３） ・上向きに働く力： ＵＦ＝ＳＷ・Ｐ …（４） マスクＭがマスクステージＭＳから浮き上がって外れな
い状態にするためには、上記（３）式のＤＦが（４）式
のＵＦより大きければよい。すなわち、ＤＦ−ＵＦ＞０
から次の（５）式が得られる。 ＤＦ−ＵＦ＝（ＳＭ−ＳＡ）・Ｐ＋ＳＡ・Ｐ−ＳＷ・Ｐ ＝（ＳＭ−ＳＡ＋ＳＡ−ＳＷ）・Ｐ ＝（ＳＭ−ＳＷ）・Ｐ＞０ …（５）
【００１８】したがって、マスクＭの面積ＳＭよりも、
真空シール部によって囲まれる面積ＳＷが小さくなるよ
うに構成すれば、ハードコンタクトの圧力を上げても、
すなわちシール空間の圧力をマスク吸着圧力と等しくし
ても、マスクＭはマスクステージＭＳから浮き上がった
り、外れたりすることがなく、充分なハードコンタクト
圧力を確保できるものと考えられる。
真空シール部によって囲まれる面積ＳＷが小さくなるよ
うに構成すれば、ハードコンタクトの圧力を上げても、
すなわちシール空間の圧力をマスク吸着圧力と等しくし
ても、マスクＭはマスクステージＭＳから浮き上がった
り、外れたりすることがなく、充分なハードコンタクト
圧力を確保できるものと考えられる。
【００１９】以上の点に着目し、本発明においては、フ
ォトマスクを真空吸着により保持するマスクステージ
と、マスクステージの下面に当接する真空シール部を周
辺に備えたワークステージとから構成され、真空シール
部により形成される空間を減圧した状態でフォトマスク
を介して露光光を含む光をワークに照射するハードコン
タクト露光装置において、フォトマスクの面積より上記
真空シール部によって囲まれる面積を小さくした。この
ような構成とすることにより、マスクとワークの密着力
を大きくしても、マスクがマスクステージから浮き上が
ったり外れたりすることがなく、充分なハードコンタク
ト力を確保することが可能となった。
ォトマスクを真空吸着により保持するマスクステージ
と、マスクステージの下面に当接する真空シール部を周
辺に備えたワークステージとから構成され、真空シール
部により形成される空間を減圧した状態でフォトマスク
を介して露光光を含む光をワークに照射するハードコン
タクト露光装置において、フォトマスクの面積より上記
真空シール部によって囲まれる面積を小さくした。この
ような構成とすることにより、マスクとワークの密着力
を大きくしても、マスクがマスクステージから浮き上が
ったり外れたりすることがなく、充分なハードコンタク
ト力を確保することが可能となった。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図１、図２に示した構成の
ハードコンタクト露光装置において、ワークＷがφ１０
０ｍｍのウエハであり、マスクとして１２７ｍｍ角のマ
スクを用い、ワークステージＷＳはウエハ形状に合わせ
て円形にワーク真空用吸着用穴５が設けられている場合
について本発明の実施例を説明する。上記の場合、マス
クＭの面積ＳＭは次の大きさとなる。 ＳＭ＝１２７ｍｍ×１２７ｍｍ＝１６１２９ｍｍ2 この場合ワークＷがウエハであり、円形であるので、真
空シール部６は円形に設けられる。
ハードコンタクト露光装置において、ワークＷがφ１０
０ｍｍのウエハであり、マスクとして１２７ｍｍ角のマ
スクを用い、ワークステージＷＳはウエハ形状に合わせ
て円形にワーク真空用吸着用穴５が設けられている場合
について本発明の実施例を説明する。上記の場合、マス
クＭの面積ＳＭは次の大きさとなる。 ＳＭ＝１２７ｍｍ×１２７ｍｍ＝１６１２９ｍｍ2 この場合ワークＷがウエハであり、円形であるので、真
空シール部６は円形に設けられる。
【００２１】そこで、前記（５）式が成り立つように、
真空シール部６によって囲まれる面積をマスクＭの面積
１６１２９ｍｍ2 以下になるように構成した。すなわ
ち、真空シール部によって囲まれる部分の直径をＤとす
ると、Ｄは次の関係を満たせばよい。 π×（Ｄ／２）2 ＜１６１２９ｍｍ2 したがって、Ｄ＜１４３ｍｍとすれば、真空シール部６
によって囲まれる面積をマスクＭの面積より小さくする
ことができる。
真空シール部６によって囲まれる面積をマスクＭの面積
１６１２９ｍｍ2 以下になるように構成した。すなわ
ち、真空シール部によって囲まれる部分の直径をＤとす
ると、Ｄは次の関係を満たせばよい。 π×（Ｄ／２）2 ＜１６１２９ｍｍ2 したがって、Ｄ＜１４３ｍｍとすれば、真空シール部６
によって囲まれる面積をマスクＭの面積より小さくする
ことができる。
【００２２】なお、ワークステージＷＳはφ１００ｍｍ
のウエハを載置する必要があるので、真空シール部の直
径は１００ｍｍより大きい必要があり、この場合には、
真空シール部の直径Ｄは、１００ｍｍ＜Ｄ＜１４３ｍｍ
とする必要がある。真空シール部によって囲まれる部分
の直径を上記のように選定して、ハードコンタクト露光
装置を構成したところ、シール空間の圧力をマスク吸着
圧力と同じにしても、マスクＭがマスクステージＭＳか
ら浮き上がったり、外れたりすることがなく、充分なハ
ードコンタクト圧力を確保することができた。
のウエハを載置する必要があるので、真空シール部の直
径は１００ｍｍより大きい必要があり、この場合には、
真空シール部の直径Ｄは、１００ｍｍ＜Ｄ＜１４３ｍｍ
とする必要がある。真空シール部によって囲まれる部分
の直径を上記のように選定して、ハードコンタクト露光
装置を構成したところ、シール空間の圧力をマスク吸着
圧力と同じにしても、マスクＭがマスクステージＭＳか
ら浮き上がったり、外れたりすることがなく、充分なハ
ードコンタクト圧力を確保することができた。
【００２３】また、ハードコンタクト時、前記図３で説
明したように、ワークステージＷＳのワーク真空吸着用
穴５からエアーを供給して、ワークＷを押し上げるよう
な力を作用させ、マスクＭとワークＷの密着度を高める
方法も用いられている。上記のようにワークＷをバック
ブローすることにより、マスクＭとワークＷの密着度を
高める場合には、マスクＭに働く「上向きの力」ＵＦ
は、その分大きくなる。実際にバックブローを行ってマ
スクＭとワークＷの密着度を高めた例では、真空シール
部によって囲まれる部分の直径Ｄを１３１ｍｍに選定
し、ハードコンタクト露光装置を構成した。この場合で
も、マスクＭがマスクステージＭＳから浮き上がること
がなく、充分なハードコンタクト圧力を確保することが
できた。
明したように、ワークステージＷＳのワーク真空吸着用
穴５からエアーを供給して、ワークＷを押し上げるよう
な力を作用させ、マスクＭとワークＷの密着度を高める
方法も用いられている。上記のようにワークＷをバック
ブローすることにより、マスクＭとワークＷの密着度を
高める場合には、マスクＭに働く「上向きの力」ＵＦ
は、その分大きくなる。実際にバックブローを行ってマ
スクＭとワークＷの密着度を高めた例では、真空シール
部によって囲まれる部分の直径Ｄを１３１ｍｍに選定
し、ハードコンタクト露光装置を構成した。この場合で
も、マスクＭがマスクステージＭＳから浮き上がること
がなく、充分なハードコンタクト圧力を確保することが
できた。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、フォトマスクを真空吸着により保持するマスクステ
ージと、マスクステージの下面に当接する真空シール部
を周辺に備えたワークステージとから構成され、真空シ
ール部により形成される空間を減圧した状態でフォトマ
スクを介して露光光を含む光をワークに照射するハード
コンタクト露光装置において、フォトマスクの面積より
上記真空シール部によって囲まれる面積を小さくしたの
で、マスクとワークの密着力を大きくしても、マスクが
マスクステージから浮き上がったり外れたりすることが
なく、充分なハードコンタクト力を確保することが可能
となる。
は、フォトマスクを真空吸着により保持するマスクステ
ージと、マスクステージの下面に当接する真空シール部
を周辺に備えたワークステージとから構成され、真空シ
ール部により形成される空間を減圧した状態でフォトマ
スクを介して露光光を含む光をワークに照射するハード
コンタクト露光装置において、フォトマスクの面積より
上記真空シール部によって囲まれる面積を小さくしたの
で、マスクとワークの密着力を大きくしても、マスクが
マスクステージから浮き上がったり外れたりすることが
なく、充分なハードコンタクト力を確保することが可能
となる。
【図１】ハードコンタクト時に働く力を説明する図であ
る。
る。
【図２】マスクがほんのわずか浮き上がったときに働く
力を説明する図である。
力を説明する図である。
【図３】ハードコンタクト露光装置の構成を示す図であ
る。
る。
【図４】マスクとワークが密着していない状態を示す図
である。
である。
【図５】真空シール部により形成される空間を減圧し、
マスクとワークを密着させた状態を示す図である。
マスクとワークを密着させた状態を示す図である。
【図６】マスクが浮き上がった状態を示す図である。
１ 位置決め部材 ２ 開口部 ３ 真空吸着溝 ４ 管路 ５ ワーク真空吸着穴 ６ 真空シール部 ７ 間隙設定機構 ８ ワークステージ駆動機構 Ｍ マスク ＭＳ マスクステージ Ｗ ワーク ＷＳ ワークステージ
Claims (1)
- 【請求項１】 フォトマスクと、その上面側に真空吸着
手段が設けられ、フォトマスクを真空吸着により保持す
るマスクステージと、 マスクステージの下面に当接する真空シール部を周辺に
備えたワークステージとから構成され、 ワークステージにワークを載置してフォトマスクとマス
クステージとワークとワークステージと、真空シール部
により形成される空間を減圧した状態でフォトマスクを
介して露光光を含む光をワークに照射するハードコンタ
クト露光装置であって、 フォトマスクの面積より、上記真空シール部によって囲
まれる面積を小さくしたことを特徴とするハードコンタ
クト露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34940197A JP3362653B2 (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | ハードコンタクト露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34940197A JP3362653B2 (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | ハードコンタクト露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186124A true JPH11186124A (ja) | 1999-07-09 |
| JP3362653B2 JP3362653B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=18403508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34940197A Expired - Fee Related JP3362653B2 (ja) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | ハードコンタクト露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3362653B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013035854A1 (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Ｎｓｋテクノロジー株式会社 | 密着露光装置及び密着露光方法 |
| CN112462575A (zh) * | 2019-09-06 | 2021-03-09 | 台湾恒基股份有限公司 | 光刻制程的方法及其板材定位装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100103402A1 (en) | 2007-02-26 | 2010-04-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd | Work stage of exposing apparatus, exposing method and method of manufacturing a structure |
-
1997
- 1997-12-18 JP JP34940197A patent/JP3362653B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013035854A1 (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Ｎｓｋテクノロジー株式会社 | 密着露光装置及び密着露光方法 |
| JP2013070042A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-04-18 | Nsk Technology Co Ltd | 密着露光装置及び密着露光方法 |
| CN112462575A (zh) * | 2019-09-06 | 2021-03-09 | 台湾恒基股份有限公司 | 光刻制程的方法及其板材定位装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3362653B2 (ja) | 2003-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20060226118A1 (en) | Methods for forming backside alignment markers useable in semiconductor lithography | |
| JP3678079B2 (ja) | マスクとワークの間隔設定手段を備えたコンタクト露光装置 | |
| TW486608B (en) | Contact exposure method | |
| US20050227153A1 (en) | Mask for proximity field optical exposure, exposure apparatus and method therefor | |
| JP2008103703A (ja) | 基板保持装置、該基板保持装置を備える露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| JP2007134368A (ja) | パターン転写装置、露光装置及びパターン転写方法 | |
| JP2003051535A (ja) | 基板保持装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US11187997B2 (en) | Photolithography apparatus and method for handling wafer | |
| JP3362653B2 (ja) | ハードコンタクト露光装置 | |
| WO2021039405A1 (ja) | 接合装置、接合システム、及び接合方法 | |
| JP4420507B2 (ja) | 基板露光方法および装置 | |
| JP2003142393A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JP2007036101A (ja) | 露光機のワークステージ及び露光方法 | |
| JP2007010697A (ja) | ペリクル装着装置、ペリクル装着方法及びパターン基板の製造方法 | |
| JP2003167355A (ja) | マスクのたわみ補正方法およびたわみ補正機構を備えた露光装置 | |
| JPH1098090A (ja) | 基板保持装置及び露光装置 | |
| JPH10242033A (ja) | マスク保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及びマスク構造体 | |
| JPH11184095A (ja) | マスクローダを有する露光装置 | |
| JP2007219242A (ja) | コンタクト露光方法及びコンタクト露光装置 | |
| JP2003142553A (ja) | ウエハ搬送装置、ウエハ搬送方法及びウエハ載置台 | |
| JP2509134B2 (ja) | プリント配線基板の露光方法及び装置 | |
| JP2003142392A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPH1126562A (ja) | ウエハ載置台及びウエハ裏面の処理方法 | |
| JP2003224054A (ja) | 半導体露光装置 | |
| KR19980027149U (ko) | 웨이퍼척 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071025 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081025 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081025 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091025 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091025 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101025 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111025 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121025 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131025 Year of fee payment: 11 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |