JP7486382B2 - 搬送装置および搬送方法 - Google Patents

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Description

本開示の種々の側面および実施形態は、搬送装置および搬送方法に関する。
例えば、下記特許文献１には、光を投光する投光部と、投光部から投光された光を受光する受光部との間を基板が通過して投光部から投光された光が遮られた場合に、投光部と受光部との間を基板が通過したと判定する技術が開示されている。
特開２０２０－９６１４９号公報
本開示は、従来とは異なる方法で基板等の部材が予め定められた領域を通過したか否かを判定することができる搬送装置および搬送方法を提供する。
本開示の一側面は、搬送装置であって、搬送アームと、照射部と、受光部と、制御装置とを備える。搬送アームは、部材を搬送する。照射部は、搬送アームによって部材が搬送される際に部材が通過する通過領域に対して斜めに光を照射する。受光部は、部材が通過領域を通過する際に、照射部から照射され、部材に反射した光を受光する。制御装置は、照射部から照射された光が受光部によって受光されたか否かに応じて、部材が通過領域を通過したか否かを判定する。
本開示の種々の側面および実施形態によれば、従来とは異なる方法で基板等の部材が予め定められた領域を通過したか否かを判定することができる。
図１は、第１の実施形態における処理システムの一例を示す平面図である。 図２は、第１の実施形態におけるゲートバルブ付近の拡大図である。 図３は、第１の実施形態において基板に照射される光の光路の一例を示す図である。 図４は、第１の実施形態におけるゲートバルブ付近の拡大図である。 図５は、第２の実施形態におけるゲートバルブ付近の拡大図である。 図６は、第２の実施形態において基板に照射される光の光路の一例を示す図である。 図７は、基板の基準位置の特定方法の一例を説明するための図である。 図８は、第２の実施形態における搬送方法の一例を示すフローチャートである。 図９は、第３の実施形態におけるロードロックモジュールの一例を示す側面図である。 図１０は、第３の実施形態において基板に照射される光の光路の一例を示す図である。 図１１は、第３の実施形態において基板に照射される光の光路の他の例を示す図である。 図１２は、第３の実施形態において基板に照射される光の光路の他の例を示す図である。 図１３は、第４の実施形態において基板に照射される光の光路の一例を示す図である。 図１４は、第４の実施形態において基板に照射される光の光路の他の例を示す図である。 図１５は、第４の実施形態において基板に照射される光の光路の他の例を示す図である。 図１６は、第４の実施形態において基板に照射される光の光路の他の例を示す図である。
以下に、搬送装置および搬送方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される搬送装置および搬送方法が限定されるものではない。また、以下に例示される各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
（第１の実施形態）
［処理システム１の構成］
図１は、第１の実施形態における処理システム１の構成の一例を示す平面図である。図１では、便宜的に一部の装置の内部の構成要素が透過するように図示されている。処理システム１は、本体１０と、本体１０を制御する制御装置１００とを備える。処理システム１は、搬送装置の一例である。
本体１０は、真空搬送モジュール１１、複数の処理モジュール１２、複数のロードロックモジュール１３、および大気搬送モジュール１４を備える。処理システム１の側壁には、ゲートバルブＧ１を介して複数の処理モジュール１２が接続されている。なお、図１の例では、真空搬送モジュール１１に８個の処理モジュール１２が接続されているが、真空搬送モジュール１１に接続される処理モジュール１２の数は、７個以下であってもよく、９個以上であってもよい。
それぞれの処理モジュール１２は、処理対象となる基板Ｗに対して、エッチングや成膜等の処理を施すことにより、基板Ｗに素子を形成する。処理モジュール１２内には、エッジリングＥＲ等の消耗部品が設けられており、消耗部品は、複数の基板Ｗに対する処理が実行された後に、新しい消耗部品に交換される。基板Ｗおよび消耗部品は、部材の一例である。
真空搬送モジュール１１の他の側壁には、ゲートバルブＧ２を介して複数のロードロックモジュール１３が接続されている。図１の例では、真空搬送モジュール１１に２個のロードロックモジュール１３が接続されているが、真空搬送モジュール１１に接続されるロードロックモジュール１３の数は、１個であってもよく、３個以上であってもよい。なお、２個のロードロックモジュール１３の少なくともいずれかは、基板ＷおよびエッジリングＥＲ等の消耗部品を収容可能である。以下では、基板ＷおよびエッジリングＥＲ等の消耗部品を基板Ｗ等と記載する。
真空搬送モジュール１１内には、搬送アーム１１０が配置されている。搬送アーム１１０は、真空搬送モジュール１１内に設けられたガイドレール１１１に沿って真空搬送モジュール１１内を移動する。そして、搬送アーム１１０は、処理モジュール１２と他の処理モジュール１２との間、および、処理モジュール１２とロードロックモジュール１３との間で基板Ｗを搬送する。真空搬送モジュール１１内は、大気圧よりも低い圧力雰囲気に保たれている。なお、搬送アーム１１０は、真空搬送モジュール１１内の予め定められた位置に固定され、真空搬送モジュール１１内を移動しない構成であってもよい。
それぞれのロードロックモジュール１３の１つの側壁には、ゲートバルブＧ２を介して真空搬送モジュール１１が接続されており、他の１つの側壁には、ゲートバルブＧ３を介して大気搬送モジュール１４が接続されている。ゲートバルブＧ３を介して大気搬送モジュール１４からロードロックモジュール１３内に基板Ｗが搬入された場合、ゲートバルブＧ３が閉じられ、ロードロックモジュール１３内の圧力が大気圧から予め定められた圧力まで下げられる。そして、ゲートバルブＧ２が開かれ、ロードロックモジュール１３内の基板Ｗが搬送アーム１１０によって真空搬送モジュール１１内へ搬出される。
また、ロードロックモジュール１３内が大気圧よりも低い圧力となっている状態で、搬送アーム１１０によってゲートバルブＧ２を介して真空搬送モジュール１１からロードロックモジュール１３内に基板Ｗが搬入され、ゲートバルブＧ２が閉じられる。そして、ロードロックモジュール１３内の圧力が大気圧まで上げられる。そして、ゲートバルブＧ３が開かれ、ロードロックモジュール１３内の基板Ｗが大気搬送モジュール１４内へ搬出される。エッジリングＥＲ等の消耗部品の搬入および搬出についても同様である。
ゲートバルブＧ３が設けられた大気搬送モジュール１４の側壁と反対側の大気搬送モジュール１４の側壁には、複数のロードポート１５が設けられている。それぞれのロードポート１５には、複数の基板Ｗを収容可能なＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）等の容器が接続される。なお、大気搬送モジュール１４には、基板Ｗの向きを変更するアライナモジュール等が設けられてもよい。また、複数のロードポート１５の中のいずれかには、エッジリングＥＲ等の消耗部品を収容可能な容器が接続される。
大気搬送モジュール１４内の圧力は、大気圧である。大気搬送モジュール１４内には、搬送アーム１４０が設けられている。搬送アーム１４０は、大気搬送モジュール１４内に設けられたガイドレール１４１に沿って大気搬送モジュール１４内を移動し、ロードロックモジュール１３とロードポート１５に接続された容器との間で基板Ｗ等を搬送する。なお、搬送アーム１４０は、大気搬送モジュール１４内の予め定められた位置に固定され、大気搬送モジュール１４内を移動しない構成であってもよい。大気搬送モジュール１４の上部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）等が設けられており、パーティクル等が除去された空気が上部から大気搬送モジュール１４内に供給され、大気搬送モジュール１４内にダウンフローが形成される。なお、本実施形態において、大気搬送モジュール１４内は大気圧雰囲気であるが、他の形態として、大気搬送モジュール１４内の圧力は、陽圧となるように制御されてもよい。これにより、外部から大気搬送モジュール１４内へのパーティクル等の侵入を抑制することができる。
また、真空搬送モジュール１１内および大気搬送モジュール１４内には、照射部２０および受光部２１の組が複数設けられている。本実施形態において、照射部２０および受光部２１の組は、それぞれのゲートバルブＧ１付近、それぞれのゲートバルブＧ２付近、それぞれのゲートバルブＧ３付近、およびそれぞれのロードポート１５付近に設けられている。
照射部２０は、搬送アーム１１０によって基板Ｗ等が搬送される際に基板Ｗ等が通過する通過領域に対して斜めに光を照射する。受光部２１は、基板Ｗ等が通過領域を通過する際に、照射部２０から照射され、基板Ｗ等に反射した光を受光する。
制御装置１００は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを有する。メモリ内には、レシピ等のデータやプログラム等が格納される。メモリは、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、またはＳＳＤ（Solid State Drive）等である。プロセッサは、メモリから読み出されたプログラムを実行することにより、メモリ内に格納されたレシピ等のデータに基づいて、入出力インターフェイスを介して本体１０の各部を制御する。プロセッサは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＤＳＰ（Digital Signal Processor）等である。
制御装置１００は、それぞれの照射部２０に光を照射させ、それぞれの受光部２１によって照射部２０から照射された光が受光されたか否かを判定する。そして、制御装置１００は、受光部２１によって照射部２０から照射された光が受光されたか否かに応じて、照射部２０が光を照射した通過領域を基板Ｗ等が通過したか否かを判定する。例えば、制御装置１００は、予め定められた通過領域に光を照射するように照射部２０を制御し、レシピ等のデータに基づいて基板Ｗ等を移動させるように搬送アーム１１０および搬送アーム１４０を制御する。
そして、制御装置１００は、通過領域を通過した基板Ｗ等から反射された光を受光部２１が受光した場合に、基板Ｗ等が通過領域を通過したと判定し、次の工程の制御を実行する。なお、受光部２１が光を受光しなかった場合、制御装置１００は、基板Ｗ等が通過領域を通過していないと判定し、次の工程の制御を実行することなく、処理システム１のユーザ等にエラーを通知する。
［基板Ｗの通過判定方法］
図２は、第１の実施形態におけるゲートバルブＧ１付近の拡大図である。図３は、第１の実施形態において基板Ｗに照射される光の光路の一例を示す図である。本実施形態において、照射部２０は、処理モジュール１２内に搬入される基板Ｗ、および、処理モジュール１２内から搬出される基板Ｗが通過する通過領域Ａに対して斜めに光を照射する。通過領域Ａは、搬送アーム１１０によって搬送される際の基板Ｗ等の上面を含む平面である。本実施形態において、照射部２０は、例えばレーザ光を照射する半導体レーザ装置である。
通過領域Ａ内を基板Ｗが通過する場合、照射部２０から通過領域Ａに照射された光は、例えば図３に示されるように、基板Ｗ上の反射位置Ｐで反射し、受光部２１へ入射する。一方、基板Ｗが通過領域Ａ内を通過していない場合、照射部２０から通過領域Ａに照射された光は基板Ｗによって反射されず、受光部２１へは入射しない。受光部２１は、入射した光の強度に応じた電気信号を制御装置１００へ出力する。受光部２１は、例えばフォトトランジスタである。
本実施形態において、照射部２０および受光部２１は、例えば図３に示されるように、通過領域Ａを通過する基板Ｗに対して、基板Ｗの同一の面側に配置される。これにより、照射部２０および受光部２１のメンテナンスを容易に行うことができる。
制御装置１００は、照射部２０から照射された光が受光部２１によって受信された場合に、基板Ｗが通過領域Ａを通過したと判定し、照射部２０から照射された光が受光部２１によって受信されなかった場合に、基板Ｗが通過領域Ａを通過していない判定する。これにより、制御装置１００は、基板Ｗの位置を確認しながら、レシピに基づいた処理を基板Ｗに施すことができる。
なお、エッジリングＥＲ等の消耗部品においても、例えば図４に示されるように、通過領域Ａ内を消耗部品が通過する場合、照射部２０から通過領域Ａに照射された光は、消耗部品上の反射位置Ｐ’で反射され、受光部２１へ入射する。これにより、制御装置１００は、照射部２０から照射された光が受光部２１によって受信された場合に消耗部品が通過領域Ａを通過したと判定することができる。また、制御装置１００は、照射部２０から照射された光が受光部２１によって受信されなかった場合に消耗部品が通過領域Ａを通過していないと判定することができる。
以上、第１の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態における処理システム１は、搬送アーム１１０と、照射部２０と、受光部２１と、制御装置１００とを備える。搬送アーム１１０は、基板Ｗ等を搬送する。照射部２０は、搬送アーム１１０によって基板Ｗ等が搬送される際に基板Ｗ等が通過する通過領域Ａに対して斜めに光を照射する。受光部２１は、基板Ｗ等が通過領域Ａを通過する際に、照射部２０から照射され、基板Ｗ等に反射した光を受光する。制御装置１００は、照射部２０から照射された光が受光部２１によって受光されたか否かに応じて、基板Ｗ等が通過領域Ａを通過したか否かを判定する。これにより、従来とは異なる方法で基板Ｗ等が予め定められた領域を通過したか否かを判定することができる。
また、上記した第１の実施形態において、照射部２０と受光部２１とは、いずれも、通過領域Ａを通過する際の基板Ｗに対して基板Ｗの同一の面側に配置されている。これにより、照射部２０および受光部２１のメンテナンスを容易に行うことができる。
（第２の実施形態）
第１の実施形態では、照射部２０から通過領域Ａに照射された光を受光部２１が受光したか否かを判定することにより、基板Ｗ等が通過領域Ａを通過したか否かが判定される。これに対し、本実施形態では、さらに、受光部２１の受光時間に基づいて基板Ｗ等の基準位置が特定される。そして、特定された基準位置が、搬送先（例えば処理モジュール１２のチャンバ内等）の基準位置に配置されるように、基板Ｗ等が搬送先に搬送される。これにより、基板Ｗ等の位置を特定するためのセンサを別途設ける必要がなくなり、処理システム１全体の大型化を抑制することができる。
図５は、第２の実施形態におけるゲートバルブＧ１付近の拡大図である。図６は、第２の実施形態において基板Ｗに照射される光の光路の一例を示す図である。本実施形態において、照射部２０は照射部２０ａおよび照射部２０ｂを有し、受光部２１は受光部２１ａおよび受光部２１ｂを有する。照射部２０ａは第１の照射部の一例であり、照射部２０ｂは第２の照射部の一例である。また、受光部２１ａは第１の受光部の一例であり、受光部２１ｂは第２の受光部の一例である。照射部２０ａ、照射部２０ｂ、受光部２１ａ、および受光部２１ｂは、それぞれのゲートバルブＧ１付近に設けられている。なお、それぞれのゲートバルブＧ２およびゲートバルブＧ３付近にも、照射部２０ａ、照射部２０ｂ、受光部２１ａ、および受光部２１ｂが設けられていてもよい。
本実施形態において、照射部２０ａおよび照射部２０ｂは、通過領域Ａに対して斜めに光を照射する。通過領域Ａ内を基板Ｗが通過する場合、照射部２０ａから通過領域Ａに照射された光は、例えば図６に示されるように、基板Ｗ上の反射位置Ｐａで反射し、受光部２１ａへ入射する。また、通過領域Ａ内を基板Ｗが通過する場合、照射部２０ｂから通過領域Ａに照射された光は、基板Ｗ上の反射位置Ｐｂで反射し、受光部２１ｂへ入射する。制御装置１００は、照射部２０ａから通過領域Ａに照射された光を受光部２１ａが受光したか否か、または、照射部２０ｂから通過領域Ａに照射された光を受光部２１ｂが受光したか否かを判定することにより、基板Ｗが通過領域Ａを通過したか否かを判定する。
また、制御装置１００は、搬送アーム１１０の制御量に基づいて基板Ｗが通過領域Ａを通過する際の基板Ｗの移動量を特定する。また、制御装置１００は、基板Ｗが通過領域Ａを通過する際の受光部２１ａおよび受光部２１ｂのそれぞれの受光時間を特定する。そして、制御装置１００は、特定された基板Ｗの移動量と受光部２１ａおよび受光部２１ｂのそれぞれの受光時間とに基づいて、基板Ｗの基準位置Ｏ（例えば基板Ｗの重心）を特定する。
例えば、制御装置１００は、図７に示されるように、反射位置Ｐａの軌跡を示す線分Ｔａ、および、反射位置Ｐｂの軌跡を示す線分Ｔｂを特定する。そして、制御装置１００は、線分Ｔａの垂直二等分線である直線Ｌａを特定する。また、制御装置１００は、線分Ｔａの端点Ｅａと線分Ｔｂの端点Ｅｂとを結ぶ線分の垂直二等分線である直線Ｌｂを特定する。そして、制御装置１００は、直線Ｌａと直線Ｌｂとの交点を、基板Ｗの基準位置Ｏとして特定する。
そして、制御装置１００は、搬送アーム１１０を制御し、特定された基板Ｗの基準位置Ｏが、処理モジュール１２のチャンバ内の予め定められた位置（例えば基板Ｗを載置する載置台の重心）に配置されるように基板Ｗを処理モジュール１２内に搬入する。これにより、基板Ｗを処理モジュール１２内の予め定められた位置に搬入することができ、基板Ｗ間の処理のばらつきを抑えることができる。
［搬送方法］
図８は、第２の実施形態における搬送方法の一例を示すフローチャートである。図８に例示された処理は、制御装置１００が本体１０の各部を制御することにより実現される。なお、図８では、基板Ｗが処理モジュール１２に搬入される際の処理が例示されている。
まず、制御装置１００は、ゲートバルブＧ１付近の通過領域Ａに斜めに光を照射するように、照射部２０ａおよび照射部２０ｂを制御し、ゲートバルブＧ１を開く。そして、制御装置１００は、処理モジュール１２への基板Ｗの搬入を開始するように搬送アーム１１０を制御する（Ｓ１０）。そして、受光部２１ａおよび受光部２１ｂは、通過領域Ａを通過する基板Ｗによって反射された光を受光する。制御装置１００は、受光部２１ａが照射部２０ａからの光を受光した場合、または、受光部２１ｂが照射部２０ｂからの光を受光した場合に、基板Ｗが通過領域Ａを通過したと判定する。
次に、制御装置１００は、搬送アーム１１０の制御量と受光部２１ａおよび受光部２１ｂから出力された電気信号とに基づいて、基板Ｗの移動量と受光部２１ａおよび受光部２１ｂの受光時間とを特定する（Ｓ１１）。
次に、制御装置１００は、特定された基板Ｗの移動量と受光部２１ａおよび受光部２１ｂの受光時間とに基づいて、図７で説明された手順により、基板Ｗの基準位置Ｏを特定する（Ｓ１２）。
次に、制御装置１００は、搬送アーム１１０を制御して、特定された基準位置Ｏが処理モジュール１２のチャンバ内の基準位置に配置されるように基板Ｗをチャンバ内に搬入する（Ｓ１３）。そして、チャンバ内から搬送アーム１１０が退避し、ゲートバルブＧ１が閉じられ、本フローチャートに示された処理が終了する。
以上、第２の実施形態について説明した。上記したように、本実施形態では、照射部２０は、照射部２０ａおよび照射部２０ｂを有する。照射部２０ａは、搬送アーム１１０が設けられた真空搬送モジュール１１から真空搬送モジュール１１に接続された処理モジュール１２のチャンバ内に基板Ｗが搬入される際に基板Ｗが通過する通過領域Ａ内の一部の領域に光を照射する。照射部２０ｂは、真空搬送モジュール１１から処理モジュール１２のチャンバ内に基板Ｗが搬入される際に基板Ｗが通過する通過領域Ａ内の他の一部の領域に光を照射する。受光部２１は、受光部２１ａおよび受光部２１ｂを有する。受光部２１ａは、照射部２０ａから照射され、通過領域Ａ内の一部の領域を通過する基板Ｗで反射された光を受光する。受光部２１ｂは、照射部２０ｂから照射され、通過領域Ａ内の他の一部の領域を通過する基板Ｗで反射された光を受光する。制御装置１００は、基板Ｗが通過領域Ａ内を通過するように搬送アーム１１０を制御しながら、基板Ｗの移動量と、受光部２１ａの受光時間と、受光部２１ｂ受光時間とに基づいて、基板Ｗの基準位置を特定する。そして、制御装置１００は、搬送アーム１１０を制御して、特定された基準位置が処理モジュール１２のチャンバ内の予め定められた位置に配置されるように基板Ｗを処理モジュール１２のチャンバ内に搬入する。これにより、基板Ｗ間の処理のばらつきを抑えることができる。
（第３の実施形態）
従来のような遮光センサによる判定方法では、基板Ｗ等によって光路が遮られることにより、光路が形成された領域を基板Ｗ等が通過したことが判定される。しかし、この方法では、上下に並べて配置された装置のいずれかに基板Ｗ等が搬入される場合、基板Ｗがいずれの装置内に搬入されたかを区別して判定することは難しい。これに対し、本実施形態では、上下に並べて配置されたいずれの装置内に基板Ｗ等が搬入されたかが区別して判定される。基板Ｗの搬出においても同様に区別して判定される。これにより、基板Ｗ等の部材が予め定められた領域を通過したか否かをより精度よく判定することができる。
本実施形態では、例えば図９に示されるように、ロードロックモジュール１３－１およびロードロックモジュール１３－２が上下に隣接して配置されている。図９は、第３の実施形態におけるロードロックモジュール１３－１および１３－２の一例を示す側面図である。ロードロックモジュール１３－１およびロードロックモジュール１３－２が上下に隣接して配置されることにより、処理システム１のフットプリントが削減される。なお、上下に隣接して配置されるロードロックモジュール１３の数は、３個以上であってもよい。また、上下に並べて配置される装置は、２個の処理モジュール１２であってもよく、処理モジュール１２とロードロックモジュール１３であってもよい。図９の例において、ロードロックモジュール１３－１は第１のチャンバの一例であり、ロードロックモジュール１３－２は第２のチャンバの一例である。
図１０は、第３の実施形態において基板Ｗに照射される光の光路の一例を示す図である。本実施形態において、照射部２０は照射部２０ａおよび照射部２０ｂを有し、受光部２１は受光部２１ａおよび受光部２１ｂを有する。照射部２０ａ、照射部２０ｂ、受光部２１ａ、および受光部２１ｂは、それぞれのゲートバルブＧ１付近に設けられている。なお、それぞれのゲートバルブＧ２およびゲートバルブＧ３付近にも、照射部２０ａ、照射部２０ｂ、受光部２１ａ、および受光部２１ｂが設けられていてもよい。
本実施形態において、照射部２０ａは、ロードロックモジュール１３－１付近の通過領域Ａに対して斜めに光を照射し、照射部２０ｂは、ロードロックモジュール１３－２付近の通過領域Ａに対して斜めに光を照射する。照射部２０ａから通過領域Ａに照射された光は、例えば図１０の実線矢印で示されるように、基板Ｗがロードロックモジュール１３－１内に搬入される際に、通過領域Ａを通過する基板Ｗ上の反射位置Ｐａで反射し、受光部２１ａへ入射する。ロードロックモジュール１３－１内に搬入される際に基板Ｗが通過する通過領域Ａは、第１の通過領域の一例である。
一方、基板Ｗがロードロックモジュール１３－２内に搬入される際には、照射部２０ａから通過領域Ａに照射された光は、例えば図１０の破線矢印で示されるように、通過領域Ａを通過する基板Ｗ上で反射するが、受光部２１ａへは入射しない。これにより、制御装置１００は、受光部２１ａが光を受光したことを検出することで、基板Ｗが通過領域Ａを通過したと判定することができる。ロードロックモジュール１３－２内に搬入される際に基板Ｗが通過する通過領域Ａは、第２の通過領域の一例である。なお、制御装置１００は、基板Ｗがロードロックモジュール１３－１内から搬出される際にも、同様の方法で基板Ｗが通過領域Ａを通過したか否かを判定することができる。
また、照射部２０ｂから通過領域Ａに照射された光は、例えば図１０の実線矢印で示されるように、基板Ｗがロードロックモジュール１３－２内に搬入される際に、通過領域Ａを通過する基板Ｗ上の反射位置Ｐｂで反射し、受光部２１ｂへ入射する。一方、基板Ｗがロードロックモジュール１３－１内に搬入される際には、照射部２０ｂから通過領域Ａに照射された光は、例えば図１０の破線矢印で示されるように、通過領域Ａを通過する基板Ｗ上で反射するが、受光部２１ｂへは入射しない。これにより、制御装置１００は、受光部２１ｂが光を受光したことを検出することで、基板Ｗが通過領域Ａを通過したと判定することができる。なお、制御装置１００は、基板Ｗがロードロックモジュール１３－２内から搬出される際にも、同様の方法で基板Ｗが通過領域Ａを通過したか否かを判定することができる。
なお、他の例として、制御装置１００は、１つの照射部２０から照射された光を受光部２１ａおよび受光部２１ｂのいずれが受光したかを判定することで、基板Ｗがロードロックモジュール１３－１および１３－２のいずれに搬入されたかを判定してもよい。図１１は、第３の実施形態において基板Ｗに照射される光の光路の他の例を示す図である。図１１の例において、受光部２１ａは第３の受光部の一例であり、受光部２１ｂは第４の受光部の一例である。
基板Ｗがロードロックモジュール１３－１内に搬入される際、照射部２０からロードロックモジュール１３－１付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１１に示されるように、基板Ｗ上の反射位置Ｐａで反射し、受光部２１ａへ入射する。この場合、基板Ｗ上で反射された光は、受光部２１ｂへは入射しない。これにより、制御装置１００は、受光部２１ａが光を受光したことを検出することで、ロードロックモジュール１３－１付近の通過領域Ａを通過したと判定することができる。なお、制御装置１００は、基板Ｗがロードロックモジュール１３－１内から搬出される際にも、同様の方法で基板Ｗがロードロックモジュール１３－１付近の通過領域Ａを通過したか否かを判定することができる。
一方、基板Ｗがロードロックモジュール１３－２内に搬入される際、照射部２０からロードロックモジュール１３－２付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１１に示されるように、基板Ｗ上の反射位置Ｐｂで反射し、受光部２１ｂへ入射する。この場合、基板Ｗ上で反射された光は、受光部２１ａへは入射しない。これにより、制御装置１００は、受光部２１ｂが光を受光したことを検出することで、ロードロックモジュール１３－２付近の通過領域Ａを通過したと判定することができる。なお、制御装置１００は、基板Ｗがロードロックモジュール１３－２内から搬出される際にも、同様の方法で基板Ｗがロードロックモジュール１３－２付近の通過領域Ａを通過したか否かを判定することができる。このような構成でも、上下に並べて配置されたいずれのロードロックモジュール１３内に基板Ｗ等が搬入されたかを区別して判定することができる。また、図１１に例示された構成では、照射部２０の数を削減することができる。
また、他の例として、制御装置１００は、１つの受光部２１が、照射部２０ａおよび照射部２０ｂのいずれから照射された光を受光したかを検出することで、基板Ｗがロードロックモジュール１３－１および１３－２のいずれに搬入されたかを判定してもよい。図１２は、第３の実施形態において基板Ｗに照射される光の光路の他の例を示す図である。
基板Ｗがロードロックモジュール１３－１内に搬入される際、照射部２０ａからロードロックモジュール１３－１付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１２の実線矢印で示されるように、基板Ｗ上の反射位置Ｐａで反射し、受光部２１へ入射する。一方、照射部２０ｂからロードロックモジュール１３－１付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１２の破線矢印で示されるように、基板Ｗ上で反射するが、受光部２１へは入射しない。
一方、基板Ｗがロードロックモジュール１３－２内に搬入される際、照射部２０ｂからロードロックモジュール１３－２付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１２の実線矢印で示されるように、基板Ｗ上の反射位置Ｐｂで反射し、受光部２１へ入射する。一方、照射部２０ａからロードロックモジュール１３－２付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１２の破線矢印で示されるように、基板Ｗ上で反射するが、受光部２１へは入射しない。
制御装置１００は、照射部２０ａによる光の照射と照射部２０ｂによる光の照射とを異なるタイミングで制御し、いずれのタイミングで受光部２１が光を受光したかを判定する。これにより、制御装置１００は、照射部２０ａおよび照射部２０ｂのいずれから照射された光を受光したかを判定することができる。このような構成でも、上下に並べて配置されたいずれのロードロックモジュール１３内に基板Ｗ等が搬入されたかを区別して判定することができる。また、図１２に例示された構成では、受光部２１の数を削減することができる。
（第４の実施形態）
２つの装置が横方向に隣接して配置されている場合、従来のような遮光センサによる判定方法では、基板Ｗ等が装置内に搬入されたか否かを判定するための照射部２０および受光部２１の組が通過領域Ａ毎に設けられる。これに対し、本実施形態では、照射部２０が１つ設けられ、基板Ｗ等が装置内に搬入されたか否かを判定するための受光部２１が通過領域Ａ毎に設けられる。これにより、照射部２０の数を削減することができる。
図１３は、第４の実施形態において基板Ｗに照射される光の光路の一例を示す図である。本実施形態では、処理モジュール１２－１および処理モジュール１２－２が横に並べて配置されている。また、本実施形態では、照射部２０から照射された光を反射するミラー２２が設けられている。受光部２１は、受光部２１ａおよび受光部２１ｂを有する。照射部２０、受光部２１ａ、受光部２１ｂ、およびミラー２２は、ゲートバルブＧ１付近に設けられている。なお、それぞれのゲートバルブＧ２およびゲートバルブＧ３付近にも、照射部２０、受光部２１ａ、受光部２１ｂ、およびミラー２２が設けられていてもよい。また、横に並べて配置される装置は、２個のロードロックモジュール１３であってもよく、処理モジュール１２とロードロックモジュール１３であってもよい。
基板Ｗが処理モジュール１２－１内に搬入される際、照射部２０から処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１３に示されるように、基板Ｗ上の反射位置Ｐで反射し、受光部２１ａへ入射する。この場合、照射部２０から照射された光は、ミラー２２および受光部２１ｂへは入射しない。制御装置１００は、受光部２１ａによって光が受光され、受光部２１ｂによって光が受光されなかった場合に、基板Ｗが処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａを通過したと判定することができる。なお、制御装置１００は、基板Ｗが処理モジュール１２－１内から搬出される際にも、同様の方法で基板Ｗが処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａを通過したか否かを判定することができる。
一方、基板Ｗが処理モジュール１２－２内に搬入される際、照射部２０から処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１３に示されるように、ミラー２２に入射する。そのため、照射部２０から処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａに照射された光は、受光部２１ａへは入射しない。また、ミラー２２に入射した光は、ミラー２２に反射するが、処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａを通過している基板Ｗによって遮られ、受光部２１ｂへは入射しない。制御装置１００は、受光部２１ａおよび受光部２１ｂのいずれにおいても光が受光されなかった場合に、基板Ｗが処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａを通過したと判定することができる。なお、制御装置１００は、基板Ｗが処理モジュール１２－２内から搬出される際にも、同様の方法で基板Ｗが処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａを通過したか否かを判定することができる。
本実施形態の処理システム１は、受光部２１ａおよび受光部２１ｂと、照射部２０から照射された光を受光部２１ａおよび受光部２１ｂのいずれかへ反射するミラー２２とを備える。ミラー２２は、反射部の一例である。これにより、本実施形態の処理システム１では、従来の判定方法に比べて、照射部２０の数を削減することができる。
なお、他の例として、例えば図１４に示されるように、１つの受光部２１が、照射部２０ａおよび照射部２０ｂのいずれから照射された光を受光したかを判定することで、基板Ｗが処理モジュール１２－１および１２－２のいずれに搬入されたかが判定されてもよい。図１４は、第４の実施形態において基板Ｗに照射される光の光路の他の例を示す図である。
基板Ｗが処理モジュール１２－１内に搬入される際、照射部２０ａから処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１４の破線矢印で示されるように、通過領域Ａを通過する基板Ｗによって遮られるため、ミラー２２へは入射しない。そのため、照射部２０ａから照射された光は、受光部２１によって受光されない。
また、基板Ｗが処理モジュール１２－２内に搬入される際、照射部２０ｂから処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１４の実線矢印で示されるように、通過領域Ａを通過する基板Ｗ上の反射位置Ｐで反射し、受光部２１へ入射する。一方、照射部２０ａから照射された光は、ミラー２２によって反射されるが、例えば図１４の破線矢印で示されるように、処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａを通過する基板Ｗによって遮られるため、受光部２１へは入射しない。
制御装置１００は、照射部２０ａによる光の照射と照射部２０ｂによる光の照射とを異なるタイミングで制御し、いずれのタイミングで受光部２１が受光したかを判定する。受光部２１が照射部２０ａおよび照射部２０ｂのいずれから照射された光も受光しない場合、制御装置１００は、基板Ｗが処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａを通過していると判定できる。一方、受光部２１が照射部２０ｂから照射された光を受光した場合、制御装置１００は、基板Ｗが処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａを通過していると判定できる。なお、受光部２１が照射部２０ａから照射された光を受光した場合、制御装置１００は、基板Ｗが処理モジュール１２－１付近および処理モジュール１２－２付近のいずれの通過領域Ａも通過していないと判定できる。図１４に例示された構成では、従来の判定方法に比べて、受光部２１の数を削減することができる。
なお、本実施形態の判定方法は、処理モジュール１２やロードロックモジュール１３等の装置が３個以上横方向に隣接して配置されている場合においても、適用することができる。図１５は、第４の実施形態において基板Ｗに照射される光の光路の他の例を示す図である。図１５の例において、受光部２１は、受光部２１ａ、受光部２１ｂ、受光部２１ｃ、および受光部２１ｄを有する。また、図１５の例では、ミラー２２ａ、ミラー２２ｂ、ミラー２２ｃ、ミラー２２ｄ、およびミラー２２ｅが設けられる。
基板Ｗが処理モジュール１２－１内に搬入される際、照射部２０から処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１５に示されるように、通過領域Ａを通過する基板Ｗ上の反射位置Ｐａで反射し、受光部２１ａへ入射する。この場合、照射部２０から照射された光は、受光部２１ｂ、受光部２１ｃ、および２１ｄへは入射しない。制御装置１００は、受光部２１ａによって光が受光された場合に基板Ｗが処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａを通過したと判定することができる。なお、制御装置１００は、基板Ｗが処理モジュール１２－１内から搬出される際にも、同様の方法で基板Ｗが処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａを通過したか否かを判定することができる。
また、基板Ｗが処理モジュール１２－２内に搬入される際、照射部２０から処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１５に示されるように、ミラー２２ａおよびミラー２２ｂによって反射される。ミラー２２ａおよびミラー２２ｂによって反射された光は、処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａに照射される。処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａに照射された光は、通過領域Ａを通過する基板Ｗ上の反射位置Ｐｂで反射し、受光部２１ｂへ入射する。この場合、照射部２０から照射された光は、受光部２１ａ、受光部２１ｃ、および２１ｄへは入射しない。制御装置１００は、受光部２１ｂによって光が受光された場合に、基板Ｗが処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａを通過したと判定することができる。なお、制御装置１００は、基板Ｗが処理モジュール１２－２内から搬出される際にも、同様の方法で基板Ｗが処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａを通過したか否かを判定することができる。
また、基板Ｗが処理モジュール１２－３内に搬入される際、照射部２０から処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１５に示されるように、ミラー２２ａ～２２ｄに反射され、処理モジュール１２－３付近の通過領域Ａに照射される。処理モジュール１２－３付近の通過領域Ａに照射された光は、通過領域Ａを通過する基板Ｗ上の反射位置Ｐｃで反射し、受光部２１ｃへ入射する。この場合、照射部２０から照射された光は、受光部２１ａ、受光部２１ｂ、および２１ｄへは入射しない。制御装置１００は、受光部２１ｃによって光が受光された場合に、基板Ｗが処理モジュール１２－３付近の通過領域Ａを通過したと判定することができる。なお、制御装置１００は、基板Ｗが処理モジュール１２－３内から搬出される際にも、同様の方法で基板Ｗが処理モジュール１２－３付近の通過領域Ａを通過したか否かを判定することができる。
また、照射部２０からの光が受光部２１ｄで受光された場合、制御装置１００は、基板Ｗが、処理モジュール１２－１付近、処理モジュール１２－２付近、および処理モジュール１２－３付近のいずれの通過領域Ａも通過していないと判定することができる。図１５のような構成においても、従来の判定方法に比べて、照射部２０の数を削減することができる。なお、受光部２１ａ～２１ｃのいずれでも照射部２０からの光が受光されない場合、制御装置１００は、基板Ｗがいずれの通過領域Ａも通過していないと判定してもよい。この場合には、ミラー２２ｅおよび受光部２１ｄは不要となる。
また、他の例として、例えば図１６に示されるように、１つの受光部２１が、照射部２０ａ～２０ｃのいずれから照射された光を受光したかを判定することで、基板Ｗが処理モジュール１２－１～１２－３のいずれに搬入されたかが判定されてもよい。図１６は、第４の実施形態において基板Ｗに照射される光の光路の他の例を示す図である。
基板Ｗが処理モジュール１２－１内に搬入される際、照射部２０ａから処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１６に示されるように、通過領域Ａを通過する基板Ｗ上の反射位置Ｐａで反射する。反射位置Ｐａで反射した光は、ミラー２２ａ～２２ｄでそれぞれ反射し、受光部２１に入射する。一方、照射部２０ｂから処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａに照射された光、および、照射部２０ｃから処理モジュール１２－３付近の通過領域Ａに照射された光は、基板Ｗで反射されないため、受光部２１へは入射しない。
また、基板Ｗが処理モジュール１２－２内に搬入される際、照射部２０ｂから処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１６に示されるように、通過領域Ａを通過する基板Ｗ上の反射位置Ｐｂで反射する。反射位置Ｐｂで反射した光は、ミラー２２ｃおよびミラー２２ｄでそれぞれ反射し、受光部２１に入射する。一方、照射部２０ａから処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａに照射された光、および、照射部２０ｃから処理モジュール１２－３付近の通過領域Ａに照射された光は、基板Ｗで反射されないため、受光部２１へは入射しない。
また、基板Ｗが処理モジュール１２－３内に搬入される際、照射部２０ｃから処理モジュール１２－３付近の通過領域Ａに照射された光は、例えば図１６に示されるように、通過領域Ａを通過する基板Ｗ上の反射位置Ｐｃで反射する。反射位置Ｐｃで反射した光は、受光部２１に入射する。一方、照射部２０ａから処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａに照射された光、および、照射部２０ｂから処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａに照射された光は、基板Ｗで反射されないため、受光部２１へは入射しない。
制御装置１００は、照射部２０ａ～２０ｃのそれぞれによる光の照射を異なるタイミングで制御し、いずれのタイミングで受光部２１が受光したかを判定する。受光部２１が照射部２０ａから照射された光を受光した場合、制御装置１００は、基板Ｗが処理モジュール１２－１付近の通過領域Ａを通過していると判定できる。また、受光部２１が照射部２０ｂから照射された光を受光した場合、制御装置１００は、基板Ｗが処理モジュール１２－２付近の通過領域Ａを通過していると判定できる。また、受光部２１が照射部２０ｃから照射された光を受光した場合、制御装置１００は、基板Ｗが処理モジュール１２－３付近の通過領域Ａを通過していると判定できる。
なお、受光部２１が照射部２０ａ～２０ｃのいずれから照射された光も受光しない場合、制御装置１００は、基板Ｗがいずれの通過領域Ａも通過していないと判定できる。図１６に例示された構成では、従来の判定方法に比べて、受光部２１の数を削減することができる。
［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
例えば、上記した各実施形態において、照射部２０は、通過領域Ａを通過する基板Ｗの上面に斜めに光を照射するが、照射部２０から照射される光は、基板Ｗの領域の中で素子が形成されていない領域に照射されることが好ましい。これにより、照射部２０から照射された光が基板Ｗに形成された素子によって乱反射し、受光部２１へ入射する光量が減少することを防止することができる。
また、照射部２０は、通過領域Ａを通過する基板Ｗに光を照射する場合、基板Ｗにおいて素子が形成される面の裏面に光を照射してもよい。この場合も、照射部２０から照射された光が基板Ｗに形成された素子によって乱反射し、受光部２１へ入射する光量が減少することを防止することができる。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ａ 通過領域
Ｅ 端点
ＥＲ エッジリング
Ｇ ゲートバルブ
Ｌ 直線
Ｏ 基準位置
Ｐ 反射位置
Ｔ 線分
Ｗ 基板
１ 処理システム
１０ 本体
１００ 制御装置
１１ 真空搬送モジュール
１１０ 搬送アーム
１１１ ガイドレール
１２ 処理モジュール
１３ ロードロックモジュール
１４ 大気搬送モジュール
１４０ 搬送アーム
１４１ ガイドレール
１５ ロードポート
２０ 照射部
２１ 受光部
２２ ミラー

Claims (12)

  1. 基板を搬送する搬送アームと、
    前記搬送アームによって前記基板が搬送される際に前記基板が通過する通過領域に対して斜めに光を照射する照射部と、
    前記基板が前記通過領域を通過する際に、前記基板に反射した前記光を受光する受光部と、
    前記光が前記受光部によって受光されたか否かに応じて、前記基板が前記通過領域を通過したか否かを判定する制御装置と
    を備え、
    前記照射部は、
    前記基板が前記通過領域を通過する際に、素子が形成される前記基板の面において、前記素子が形成される領域以外の領域に前記光を照射する搬送装置。
  2. 基板を搬送する第１の搬送アームと、
    前記第１の搬送アームの下方に設けられた第２の搬送アームと、
    前記第１の搬送アームまたは前記第２の搬送アームによって前記基板が搬送される際に前記基板が通過する通過領域に対して斜めに光を照射する照射部と、
    前記第１の搬送アームに支持された前記基板が前記通過領域を通過する際に、前記照射部から照射され前記基板により反射した前記光を受光する第１の受光部と、
    前記第１の搬送アームに前記基板が支持されておらず、かつ前記第２の搬送アームに前記基板が支持された状態で前記基板が前記通過領域を通過する際に、前記照射部から照射され前記基板により反射した前記光を受光する第２の受光部と、
    前記第１の受光部および前記第２の受光部によって受光されたか否かに応じて、前記基板が前記通過領域を通過したか否かを判定する制御装置と
    を備える搬送装置。
  3. 基板を搬送する第１の搬送アームと、
    前記第１の搬送アームの下方に設けられた第２の搬送アームと、
    前記第１の搬送アームによって前記基板が搬送される際に前記基板が通過する通過領域に対して斜めに光を照射する第１の照射部と、
    前記第２の搬送アームによって前記基板が搬送される際に前記基板が通過する前記通過領域に対して斜めに光を照射する第２の照射部と、
    前記第１の搬送アームに支持された前記基板が前記通過領域を通過する際に、前記第１の照射部から照射され前記基板により反射した前記光を受光し、前記第１の搬送アームに前記基板が支持されておらず、かつ前記第２の搬送アームに前記基板が支持された状態で前記基板が前記通過領域を通過する際に、前記第２の照射部から照射され前記基板に反射した前記光を受光する受光部と、
    前記受光部によって受光されたか否かに応じて、前記基板が前記通過領域を通過したか否かを判定する制御装置と
    を備える搬送装置。
  4. 基板を搬送する搬送アームと、
    前記搬送アームによって前記基板が搬送される際に前記基板が通過する第１の通過領域に対して斜めに光を照射する照射部と、
    前記基板が前記第１の通過領域を通過する際に、前記基板に反射した前記光を受光する第１の受光部と、
    前記基板が前記第１の通過領域に存在しない際に、前記照射部から照射された前記光を第２の通過領域に反射する反射部と、
    前記基板が前記第１の通過領域および前記第２の通過領域のいずれにも存在しない際に、前記反射部から反射された前記光を受光する第２の受光部と、
    前記第１の受光部および前記第２の受光部によって受光されたか否かに応じて、前記基板が前記第１の通過領域および前記第２の通過領域のいずれかを通過したか否かを判定する制御装置と
    を備える搬送装置。
  5. 基板を搬送する搬送アームと、
    前記搬送アームによって前記基板が搬送される際に前記基板が通過する第１の通過領域に対して斜めに光を照射する第１の照射部と、
    前記搬送アームによって前記基板が搬送される際に前記基板が通過する第２の通過領域に対して斜めに光を照射する第２の照射部と、
    前記基板が前記第１の通過領域に存在しない際に、前記第１の照射部から照射された前記光を第２の通過領域に反射する反射部と、
    前記基板が前記第２の通過領域を通過する際に、前記第２の照射部から照射され前記基板により反射した前記光を受光し、かつ前記基板が前記第１の通過領域および前記第２の通過領域のいずれにも存在しない際に、前記第１の照射部から照射され前記反射部により反射した前記光を受光する受光部と、
    前記受光部によって受光されたか否かに応じて、前記基板が前記第１の通過領域および前記第２の通過領域のいずれかを通過したか否かを判定する制御装置と
    を備える搬送装置。
  6. 基板を搬送する搬送アームと、
    前記搬送アームによって前記基板が搬送される際に前記基板が通過する第１の通過領域に対して斜めに光を照射する照射部と、
    前記基板が前記第１の通過領域を通過する際に、前記照射部から照射され前記基板により反射した前記光を受光する第１の受光部と、
    前記基板が前記第１の通過領域に存在しない際に、前記照射部から照射された前記光を反射する第１の反射部と、
    前記第１の反射部から反射された前記光を第２の通過領域に反射する第２の反射部と、
    前記基板が前記第２の通過領域を通過する際に、前記基板により反射した前記光を受光する第２の受光部と、
    前記第１の受光部および前記第２の受光部によって受光されたか否かに応じて、前記基板が前記第１の通過領域および前記第２の通過領域のいずれかを通過したか否かを判定する制御装置と
    を備える搬送装置。
  7. 第３の反射部と、
    第４の反射部と、
    第３の受光部と
    を更に備え、
    前記第３の反射部は、前記基板が前記第１の通過領域および前記第２の通過領域のどちらにも存在しない際に、前記第２の反射部から反射された前記光を前記第４の反射部に反射し、
    前記第４の反射部は、前記第３の反射部から反射された前記光を第３の通過領域に反射し、
    前記第３の受光部は、前記基板が前記第３の通過領域を通過する際に、前記基板に反射した前記光を受光する、請求項６に記載の搬送装置。
  8. 基板を搬送する搬送アームと、
    前記搬送アームによって前記基板が搬送される際に前記基板が通過する第１の通過領域に対して斜めに光を照射する第１の照射部と、
    前記搬送アームによって前記基板が搬送される際に前記基板が通過する第２の通過領域に対して斜めに光を照射する第２の照射部と、
    前記基板が前記第１の通過領域する際に、前記第１の照射部から照射され前記基板により反射した前記光を反射する第１の反射部と、
    前記第１の反射部で反射された前記光を反射する第２の反射部と、
    前記基板が前記第２の通過領域を通過する際に、前記第２の照射部から照射され前記基板により反射した前記光を受光し、かつ前記基板が前記第２の通過領域に存在せず前記第１の通過領域に存在する際に、前記第１の照射部から照射され前記第１の反射部および前記第２の反射部に反射した前記光を受光する受光部と、
    前記受光部によって受光されたか否かに応じて、前記基板が前記第１の通過領域および前記第２の通過領域のいずれかを通過したか否かを判定する制御装置と
    を備える搬送装置。
  9. 前記照射部と前記受光部とは、いずれも、前記通過領域を通過する際の前記基板に対して、前記基板の同一の面側に配置されている請求項１に記載の搬送装置。
  10. 前記照射部は、
    前記基板が前記通過領域を通過する際に、前記基板において素子が形成される面の裏面に前記光を照射する請求項２に記載の搬送装置。
  11. 前記照射部は、
    前記基板が前記第１の通過領域を通過する際に、前記基板において素子が形成される面の裏面に前記光を照射する請求項４、６または７に記載の搬送装置。
  12. ａ）基板を搬送する搬送アームによって前記基板が搬送される際に照射部によって前記基板が通過する通過領域に対して斜めに光を照射する工程と、
    ｂ）前記基板が前記通過領域を通過する場合に、前記光が受光部によって受光されたか否かを判定する工程と、
    ｃ）前記光が前記受光部によって受光された場合に、前記通過領域を前記基板が通過したと判定する工程と
    を含み、
    前記工程ａ）では、前記基板が前記通過領域を通過する際に、素子が形成される前記基板の面において、前記素子が形成される領域以外の領域に前記光を照射する搬送方法。
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