JP7220577B2 - 基板処理装置、基板処理装置の制御方法及び記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理装置の制御方法及び記憶媒体 Download PDF

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Description

本開示は、基板処理装置、基板処理装置の制御方法及び記憶媒体に関する。
レジスト液等の処理液を用いて半導体ウエハ等の基板を処理する基板処理装置が知られている。この種の基板処理装置は、基板を保持して回転させる保持回転部と、保持回転部により回転している基板に対して処理液を吐出する吐出部と、を備えている（特許文献１）
特開２０１１－０２３６６９号公報
複数の基板に対してレジスト液の塗布処理を連続して行う場合、処理後のレジストの膜厚が基板ごとに変動することがある。本開示は、基板ごとの膜厚の変動が少ない良好な塗布処理を行うことができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、基板を保持して回転させる保持回転部と、処理液を収容する処理液容器と、前記処理液容器の処理液を基板に対して供給するための液供給路と、を少なくとも含む処理液供給機構と、前記保持回転部により回転している基板に対して前記液供給路から供給される処理液を吐出する吐出部と、前記処理液供給機構における圧力情報を取得する圧力情報取得部と、前記圧力情報取得部により取得された圧力情報に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する制御部と、を備え、前記圧力情報取得部は、前記処理液容器の内圧値を取得し、前記制御部は、前記取得された内圧値に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する。
本開示によれば、基板ごとの膜厚の変動の少ない良好な塗布処理を行うことができる。
本開示に係る基板処理装置を適用した塗布処理装置の全体の概略構成を示す構成図である。 レシピ情報と処理液供給機構の圧力情報とを関連付けたテーブルである。 本実施形態における塗布処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。
本開示に係る基板処理装置を、レジスト液の塗布処理を行う塗布処理装置に適用した実施の形態について説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１の実施形態）
図１は、本開示の実施形態おける塗布処理装置の全体の概略構成を示す構成図である。塗布処理装置は、処理液供給機構１と塗布処理モジュール２とを含んでいる。塗布処理モジュール２において、カップ体２１内に格納されたスピンチャック２２と駆動機構２３は、基板を保持して回転させる保持回転部を構成する。
すなわち、スピンチャック２２は、基板である半導体ウエハ（以下ウエハという）Ｗを水平に保持し、駆動機構２３は、ウエハを保持したスピンチャック２２を回転及び昇降する。また、カップ体２１の底部には、ウエハＷに塗布されなかった余分なレジスト液をドレインやミストの状態で排出する排出口２４が設けられている。前記カップ体２１の上方には、吐出部としての供給ノズル２５が設けられている。供給ノズル２５は、アーム２５ａに支持された状態で、スピンチャック２２に保持されたウエハＷの中央にレジスト液を吐出することができるように構成されている。
処理液供給機構１は、供給ノズル２５に処理液であるレジスト液を供給する。図１において、上流側から、処理液容器としてのボトル１１、バッファタンク１２、圧送部としてのポンプ１３、流量計測部１４、供給バルブ１５が配置されている。ここで、ボトル１１はレジスト液を収容する処理液容器であり、その上面には、加圧ガス源１６が接続されている。加圧ガス源１６から供給される加圧ガスは、例えば窒素ガスなどの不活性ガスである。
配管３１はボトル１１とバッファタンク１２との間を接続する。配管３２はバッファタンク１２とポンプ１３との間を接続する。配管３３はポンプ１３と流量計測部１４との間を接続する。配管３４は流量計測部１４と供給バルブ１５との間を接続する。配管３５は供給バルブ１５と供給ノズル２５との間を接続する。本実施形態において、配管３１～３５が、ボトル１１に収容されたレジスト液をウエハＷに対して供給するための液供給路に相当する。配管３６は、加圧ガス源１６とボトル１１の間を接続する。バルブＶ１は配管３６に設けられたガス供給用のバルブである。
供給バルブ１５は、サックバックバルブ及びエアオペレートバルブの機能を有している。供給バルブ１５は、レジスト液を吐出していないときにはバキューム圧等によって吸引室に負圧を生じさせ、レジスト液の先端面を供給ノズル２５の先端から引き込む役割を有する。
圧力センサ４１は、ボトル１１の容器内部の圧力を計測する。圧力センサ４２は、ポンプ１３がレジスト液を圧送するときの圧力を計測する。圧力センサ４３は、流量計測部１４に流入するときのレジスト液の圧力を計測し、圧力センサ４４は、流量計測部１４から流出するときのレジスト液の圧力を計測する。
制御部１００は、処理液供給機構１及び塗布処理モジュール２を含む塗布処理装置の全体を制御する。制御部１００は、ＣＰＵ１０１と記憶部１０２を有しており、記憶部１０２に記憶された各種プログラムを読みだして実行することにより、装置全体を制御する。また、制御部１００は、圧力センサ４１～４４からの圧力値を圧力情報として取得する圧力情報取得部としても機能し、取得した圧力情報を後述する装置制御のために利用する。記憶部１０２は、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体（例えばＤＲＡＭ）である。なお、記憶部１０２は、不揮発型の記憶媒体（例えばフラッシュメモリ）でも良い。なお、本実施形態の制御プログラムは、制御部１００から着脱可能な不揮発型の記憶媒体やネットワーク等から記憶部１０２にインストールされるものであっても良い。
次に、次に本実施形態の塗布処理装置の動作について説明する。まず、加圧ガス源１６から加圧ガスが配管３６を介してボトル１１内に送られると、ボトル１１内のレジスト液が配管３１へと押し出される。押し出されたレジスト液は、配管３１を介してバッファタンク１２に供給され一時的に貯留される。このバッファタンク１２の底面には配管３２の一端側が接続されておりポンプ１３の吸引動作によりバッファタンク１２内のレジスト液がポンプ１３に吸引される。
以上の動作を行った後、または動作を行うことと並行して、ウエハＷが図示しない搬送アームにより図１に示すスピンチャック２２上に載置される。その後、スピンチャック２２を回転させ、供給ノズル２５をウエハＷの中心部の上方に位置させる。この状態で、供給バルブ１５の吸引状態を開放すると共に開状態として、ポンプ１３の吐出動作を行う。
これにより、配管３３～３５内のレジスト液が供給ノズル２５側へと移動し、その一部が供給ノズル２５を介してウエハＷの中心部に吐出される。このレジスト液はウエハＷの周縁に遠心力で拡がって、ウエハＷの表面にレジスト液の液膜が形成される。液膜形成とともに、またはその後でレジスト液に含まれる溶媒が揮発することにより、所定の膜厚を有する固体状のレジスト膜が形成される。
その後、レジスト膜が形成されたウエハＷは図示しない搬送アームにより塗布処理モジュール２から搬出され、所定の待機時間が経過した後、次に搬入されるウエハＷに対して、上記と同様の処理を行う。以上の処理を予め決められた枚数分繰り返す。
各ウエハＷに対する処理の間の待機時間においてレジスト液は使用せず、ボトル１１に対して加圧ガスを供給する必要は無いので、バブルＶ１を開いてボトル１１を大気開放することもできる。しかし、ボトル１１内の圧力は低下するので、バルブＶ１を開放する前と比べてレジスト液の溶媒の揮発が進行し、多くの揮発した溶媒が容器外へと放出されてしまう。特に、使用するレジスト液が高粘度の液体であり、バッファタンク１２への圧送時に比較的長時間を必要とする場合、この傾向が出やすい。溶媒の揮発はレジスト液の高粘度化を引き起こし、特にボトル１１内の液の表面付近でこの現象が顕著となる。通常の塗布処理の運用では、所定枚数のウエハＷを連続して処理するために、共通の１つのレシピが用いられる。しかし、上記のように、塗布処理を行う毎にボトル１１内のレジスト液が高粘度の方向に変化して行くと、１つの共通のレシピでは、ウエハＷ間で膜厚の変動が生じてしまい、所望とする処理結果が得られないことがある。
本実施形態では、加圧ガスによるボトル１１の圧送を行った後においても、バルブＶ１を閉じた状態を維持し、ボトル１１を加圧状態に保つようにする。これにより、ボトル１１内のレジスト液の溶媒の揮発が抑制され、レジスト液の高粘度化を防止することができる。
ここで、ボトル１１の内圧は、例えば、加圧後にバルブＶ１を閉じる速度に依存しており、場合によっては、数十ｋＰａの差が生じる。発明者らは、バルブＶ１を閉状態に保っているときのボトル１１の内圧と塗布処理後のウエハＷのレジスト膜の膜厚との関係に着目し、その関係を調査した。その結果、共通の１つのレシピを実行した場合において、ボトル１１の内圧が低くなるほど、レジスト膜の膜厚が厚くなることを見出した。これは、内圧が低くなるほどボトル１１内でのレジスト液の溶媒の揮発が進み、レジスト液の粘度が大きくなるためだと推定される。
そして、この推定結果に基づくと、予め閉状態であるときのボトル１１の内圧を知ることができれば、所望とするレジスト膜の膜厚が得られるよう、塗布処理モジュール２における塗布処理のレシピを補正するフィードフォワード制御を行うことができるといえる。
本実施形態では、このレシピ補正のフィードフォワード制御を実施するものであり、以下、その詳細について説明する。
本実施形態の処理液供給機構１では、１枚のウエハＷに供給されるレジスト液の総液量に対して、ユニットや供給路が収容しているレジスト液の総液量のほうが相対的に多くなるよう設計されている。したがって、ボトル１１から送出される処理液は、複数回の塗布処理が実行されて初めて供給ノズル２５から供給される。
具体的には、１回目（１枚目）の塗布処理の終了後、ボトル１１から送液された所定量のレジスト液は、配管３１を通過してバッファタンク１２まで移動する。２回目（２枚目）の塗布処理の終了後、バッファタンク１２に移動した前記所定量のレジスト液は、配管３２を通過しポンプ１３から送出されて配管３３まで達する。３回目（３枚目）の塗布処理の終了後、配管３３に達していた前記所定量のレジスト液は、流量計測部１４を通過して配管３４まで達する。そして、４回目（４枚目）の塗布処理により、配管３４に達していた前記所定量のレジスト液は供給ノズル２５から全て吐出される。したがって、１回目（１枚目）の塗布処理を行う前にボトル１１の内圧を計測した場合、その計測結果に基づくフィードフォワード制御は、４回目（４枚目）の塗布処理に反映させる。
本実施形態の塗布処理は、予め使用者により決められた標準レシピを用いて実行される。標準レシピは、例えば、供給ノズル位置：Ｃｅｎｔｅｒ, 回転数：１０００回転、供給流量：１．０ｍｍｌ、と設定されている。本実施形態では、図２のように、フィードフォワード制御のために、レシピ情報と処理液供給機構１の圧力情報とを関連付けるテーブルを記憶部１０２に有する。図２では、“Ｎｏ．３”の行に、標準レシピのパラメータと基準となる処理液供給機構１の圧力情報が示されている。本実施形態の圧力情報は、実際の計測値では無く正規化した圧力値を示している。
例えば、ボトル１１の理想的な内圧が５０ｋＰａである場合、実際の計測値で表すとそれぞれ、“Ｎｏ．１”は５１．５ｋＰａ以上,“Ｎｏ．２”は５０．５ｋＰａ以上～５１．５ｋＰａ未満という範囲となる。また、“Ｎｏ．３”は４９．５ｋＰａ以上～５０．５ｋＰａ未満という範囲となる。また、“Ｎｏ．４”は４７．５ｋＰａ以上～４９．５ｋＰａ未満,“Ｎｏ．５”は４７．５ｋＰａ未満という範囲となる。ポンプ１３の内圧値、流量計測部１４の圧力差分値についても、同様に理想的な数値を決めた上で範囲を設定することができる。
以下、圧力情報としてボトル１１の内圧値を例に、設定値の決め方について説明する。“Ｎｏ．３”を基準とし、ボトル１１の内圧が高い場合（“Ｎｏ．１”,“Ｎｏ．２”）は、回転数を小さくする設定に変更する。内圧が高いということは、溶剤の揮発が進行しておらず基準値よりも低粘度のレジスト液が収容されていると推定される。したがって、回転による遠心力が作用しやすいので、所望とする膜厚よりも膜が小さくならないよう、回転数を低く設定している。
ボトル１１の内圧が低い場合（“Ｎｏ．４”,“Ｎｏ．５”）は、回転数を大きくする設定に変更する。内圧が低いということは、溶剤の揮発が進行しており基準値よりも高粘度のレジスト液が収容されていると推定される。したがって、回転による遠心力が作用しにくいので、所望とする膜厚よりも膜が大きくならないよう、回転数を高く設定している。
ボトル１１の内圧等の圧力情報と回転数との関係は、レシピに基づく装置全体での塗布処理の評価実験を行い、実際に各圧力値と膜厚を計測しながら決定すればよい。また、各ユニットにおける圧力情報と処理液の粘度の関係式、塗布処理モジュール２における処理液の粘度と膜厚の関係式及び膜厚と回転数の関係式、を実験によりそれぞれ個別に求めてから、これらの組み合わせによって図２のテーブルの値を計算により決めるようにしても良い。
次に、図３のフローチャートを用いて、本実施形態における動作を説明する。本フローチャートの各ステップは、制御部１００が有する記憶部１０２に記憶される制御プログラムを、ＣＰＵ１０１が実行することにより達成される。図３のフローチャートは、塗布処理モジュール２に対してＮ番目に搬入されたウエハＷに対して塗布処理を行うものとする。
まず、処理液供給機構１における圧力情報を取得する（Ｓ１０１）。具体的には、制御部１００が、圧力センサ４１により計測されたボトル１１の内圧値を取得する。このとき、バルブＶ１は閉じられておりボトル１１内は既に加圧状態にある。
次に、制御部１００は、取得したボトル１１の内圧値と図２に示したテーブルの内圧値とを比較し、レシピの回転数を決定する（Ｓ１０２）。前述したように、ボトル内の処理液は、Ａ番後（上記の例では３つ後）のウエハの処理に用いられる処理液なので、Ｎ＋Ａ番目のウエハＷの制御値として記憶部１０２に記憶する。
次に、制御部１００は、駆動機構２３に制御信号を送りスピンチャック２２を回転させる（Ｓ１０３）。ここでの回転数は、記憶部１０２に記憶されたＮ番目の設定値である。すなわち、Ａ番前（上記の例では３つ前）に図３のフローチャートを実行したときに得られた設定値である。
次に、レジスト液をウエハＷに対して吐出する（Ｓ１０４）。ここで、吐出されるレジスト液はステップＳ１０３で設定した回転数に対応している。
塗布処理が終了すると、制御部１００は、加圧ガス源１６及びバルブＶ１を制御してボトル１１を加圧する（Ｓ１０５）。前述のようにバルブを閉じるタイミングが遅くなるほど、ボトル１１の圧力は低下して揮発が促進されてしまうので、塗布処理が終了する前に加圧を開始するよう制御してもよい。
以上説明したように、本実施形態では、処理液供給機構１における圧力情報として、ボトル１１の内圧値を取得し、取得された内圧値に基づき、保持回転部におけるスピンチャック２２の回転数を制御するようにした。これにより、ボトル１１の内圧値から処理液の粘度を推定してその粘度に最適な回転数に調整できるので、ウエハごとの膜厚の変動の少ない良好な塗布処理を行うことができる。
（第２の実施形態）
本実施形態では、処理液供給機構１の圧力情報として、ポンプ１３の内圧値を用いる場合について説明する。
図２において、“Ｎｏ．３”を基準とし、ポンプ１３の内圧が低い場合（“Ｎｏ．１”,“Ｎｏ．２”）は、回転数を小さくする設定に変更する。内圧が低いということはポンプ１３での圧送の圧力が相対的に小さくて済むということであり、ボトル１１において溶剤の揮発が進行しておらず基準値よりも低粘度のレジスト液が収容されていると推定されるためである。
ポンプ１３の内圧が高い場合（“Ｎｏ．４”,“Ｎｏ．５”）は、回転数を大きくする設定に変更する。内圧が高いということはポンプ１３での圧送の圧力が相対的に大きい必要があり、ボトル１１において溶剤の揮発が進行しており基準値よりも高粘度のレジスト液が収容されていると推定されるためである。
次に、図３のフローチャートを用いて、本実施形態における動作を説明する。
まず、処理液供給機構１における圧力情報を取得する（Ｓ１０１）。具体的には、制御部１００が、圧力センサ４２により計測されたポンプ１３の内圧値を取得する。このとき、ポンプ１３は送出動作を行っておりポンプ１３内は既に加圧状態にある。
次に、制御部１００は、取得したポンプ１３の内圧値と図２に示したテーブルの内圧値とを比較し、レシピの回転数を決定する（Ｓ１０２）。前述したように、ポンプ１３内の処理液は、Ａ番後（上記の例では２つ後）のウエハの処理に用いられる処理液なので、Ｎ＋Ａ番目のウエハＷの制御値として記憶部１０２に記憶する。
次に、制御部１００は、駆動機構２３に制御信号を送りスピンチャック２２を回転させる（Ｓ１０３）。ここでの回転数は、記憶部１０２に記憶されたＮ番目の設定値である。すなわち、Ａ番前（上記の例では２つ前）に図３のフローチャートを実行したときに得られた設定値である。
次に、レジスト液をウエハＷに対して吐出する（Ｓ１０４）。ここで、吐出されるレジスト液はステップＳ１０３で設定した回転数に対応している。
塗布処理が終了すると、制御部１００は、加圧ガス源１６及びバルブＶ１を制御してボトル１１を加圧する（Ｓ１０５）。
以上説明したように、本実施形態では、処理液供給機構１における圧力情報として、ポンプ１３の内圧値を取得し、取得された内圧値に基づき、保持回転部におけるスピンチャック２２の回転数を制御するようにした。これにより、ポンプ１３の内圧値から処理液の粘度を推定してその粘度に最適な回転数に調整できるので、ウエハごとの膜厚の変動の少ない良好な塗布処理を行うことができる。
（第３の実施形態）
本実施形態では、処理液供給機構１の圧力情報として、流量計測部１４の前後、すなわち流量計測部１４の上流側と下流側の圧力値の差分値を用いる場合について説明する。
ここでの差分値とは、圧力センサ４３により計測された流量計測部１４に流入するときのレジスト液の圧力値から、圧力センサ４４により計測された流量計測部１４から流出するときのレジスト液の圧力値を減算した値のことである。
流量計測部１４を、長さがＬ、半径がＲ、の細管と見なし、計測された処理液の流量がＶであるとき圧力の差分値がＤであるとすると、ポアズイユの法則より、処理液の粘性率Ｎは、Ｎ＝πＲ４Ｄ／８ＶＬで表すことができる。ここで、処理液の流量が一定という前提である場合、差分値Ｄの大小のみによって処理液の粘度が変化することになる。塗布処理を行うごとに上記の粘性率まで求め、粘性率からパラメータを導き出すことも可能である。ただし、本実施形態では、第１及び第２の実施形態と同様に、図２のテーブルを用いて、圧力情報からパラメータを決定する手法について説明する。
図２において、“Ｎｏ．３”を基準とし、流量計測部１４の前後の圧力値の差分値（以後、差分値）が小さい場合（“Ｎｏ．１”,“Ｎｏ．２”）は、回転数を小さくする設定に変更する。内圧が小さいということは粘性率Ｎが相対的に小さいということであり、ボトル１１において溶剤の揮発が進行しておらず基準値よりも低粘度のレジスト液が収容されていると推定されるためである。
差分値が大きい場合（“Ｎｏ．４”,“Ｎｏ．５”）は、回転数を大きくする設定に変更する。差分値が大きいということは粘性率Ｎが相対的に大きいということであり、ボトル１１において溶剤の揮発が進行しており基準値よりも高粘度のレジスト液が収容されていると推定されるためである。
次に、図３のフローチャートを用いて、本実施形態における動作を説明する。まず、処理液供給機構１における圧力情報を取得する（Ｓ１０１）。具体的には、制御部１００が、圧力センサ４３及び４４により計測された圧力値に基づき差分値を取得する。このとき、流量計測部１４は流量の計測動作を行っている。
次に、制御部１００は、取得した差分値と図２に示したテーブルの差分値とを比較し、レシピの回転数を決定する（Ｓ１０２）。前述したように、流量計測部１４を通過する処理液は、Ａ番後（上記の例では１つ後）のウエハの処理に用いられる処理液なので、Ｎ＋Ａ番目のウエハＷの制御値として記憶部１０２に記憶する。
次に、制御部１００は、駆動機構２３に制御信号を送りスピンチャック２２を回転させる（Ｓ１０３）。ここでの回転数は、記憶部１０２に記憶されたＮ番目の設定値である。すなわち、Ａ番前（上記の例では１つ前）に図３のフローチャートを実行したときに得られた設定値である。
次に、レジスト液をウエハＷに対して吐出する（Ｓ１０４）。ここで、吐出されるレジスト液はステップＳ１０３で設定した回転数に対応している。塗布処理が終了すると、制御部１００は、加圧ガス源１６及びバルブＶ１を制御してボトル１１を加圧する（Ｓ１０５）。
以上説明したように、本実施形態では、処理液供給機構１における圧力情報として、流量計測部１４の前後の圧力値の差分値を取得し、取得された差分値に基づき、保持回転部におけるスピンチャック２２の回転数を制御するようにした。これにより、ポンプ１３の差分値から処理液の粘度を推定してその粘度に最適な回転数に調整できるので、ウエハごとの膜厚の変動の少ない良好な塗布処理を行うことができる。
（他の実施形態）
以上、第１～第３の実施形態について、それぞれ個別に処理動作を説明してきたが、制御部１００が、圧力センサ４１～４４から取得した複数の圧力情報の組み合わせから、スピンチャック２２の回転数を制御するようにしても良い。例えば、３つ前の塗布処理のときのボトル１１の内圧値、２つ前の塗布処理のときのポンプ１３の内圧値、１つ前の塗布処理のときの流量計測部１４の前後の圧力値の差分値、は同一の処理液に関する粘度を推定するための圧力情報であるからである。
ここで、図２のテーブルを参照した場合、同一の処理液ならば、理論的には３つの値には全て同じ行（例えばＮｏ．２）の回転数が対応するはずである。ただし、各センサの測定精度が同レベルでない場合や互いの塗布処理の間隔が長く処理液が変質しうる場合等は、互いに異なる値が得られる可能性もある。互いに異なる値であった場合（例えば、ボトル１１の内圧値がＮｏ．１, ポンプ１３の内圧値がＮｏ．２, 流量計測部１４の差分値がＮｏ．３）である場合、所定のルールを決めておいて最終的な回転数の値を決めても良い。例えば、回転数を３つの対応する回転数の平均値（９５０ｒｐｍ）に決めるやり方や、３つの中で最も調整量の大きくなる回転数（９００ｒｐｍ）に決めるやり方等がある。
さらにまた図２のテーブルでは、理論的に３つの値が生ずるテーブルであったが、もちろん、たとえばボトル１１の内圧値とポンプ１３の内圧値を組み合わせた場合のように、理論的に２つの値が生ずるケースであっても、前記したような回転数の平均値や最も調整量の大きくなる回転数等を採用するようにしてもよい。
また、処理液供給機構１の構造によっては、各ユニットや供給路が収容しているレジスト液が何回先の塗布処理で用いられるかの明確な切り分けが難しい場合もありえる。その場合は、同じユニットに関する複数の圧力情報の平均値等を用いて粘度の推定及び回転数の調整を行っても良い。例えば、ボトル１１に関しては現在の塗布処理の内圧値と１つ前の塗布処理の内圧値との平均値から求めた回転数をＡ番後（上記の例では３つ後）の塗布処理に用いることができる。
これまで説明した実施形態は、レジスト液の塗布処理を行う塗布処理装置を例に説明してきたが、本開示はこれに限らず、所定の膜厚の膜形成処理を行う基板処理装置であれば、他の種類の装置にも同様に適用可能なものである。
１ 処理液供給機構
２ 塗布処理モジュール
１１ ボトル
２２ スピンチャック
２３ 駆動機構
２５ 供給ノズル
１００ 制御部

Claims (13)

  1. 処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
    基板を保持して回転させる保持回転部と、
    処理液を収容する処理液容器と、前記処理液容器の処理液を基板に対して供給するための液供給路と、を少なくとも含む処理液供給機構と、
    前記保持回転部により回転している基板に対して前記液供給路から供給される処理液を吐出する吐出部と、
    前記処理液供給機構における圧力情報を取得する圧力情報取得部と、
    前記圧力情報取得部により取得された圧力情報に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する制御部と、を備え、
    前記圧力情報取得部は、前記処理液容器の内圧値を取得し、
    前記制御部は、前記取得された内圧値に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する、基板処理装置。
  2. 前記制御部は、圧力情報と処理液の粘度、処理液の粘度と膜厚、及び膜厚と基板保持回転部の回転数、の関係から求められたテーブルに基づき、前記基板保持回転部の回転数を制御することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
    基板を保持して回転させる保持回転部と、
    処理液を収容する処理液容器と、前記処理液容器の処理液を基板に対して供給するための液供給路と、を少なくとも含む処理液供給機構と、
    前記保持回転部により回転している基板に対して前記液供給路から供給される処理液を吐出する吐出部と、
    前記処理液供給機構における圧力情報を取得する圧力情報取得部と、
    前記圧力情報取得部により取得された圧力情報に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する制御部と、を備え、
    前記処理液供給機構は、前記液供給路を流れる処理液を圧送する圧送部、をさらに有し、
    前記圧力情報取得部は、前記圧送部の内圧値を取得し、
    前記制御部は、前記取得された内圧値に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する、基板処理装置。
  4. 前記制御部は、圧力情報と処理液の粘度、処理液の粘度と膜厚、及び膜厚と基板保持回転部の回転数、の関係から求められたテーブルに基づき、前記基板保持回転部の回転数を制御することを特徴とする、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
    基板を保持して回転させる保持回転部と、
    処理液を収容する処理液容器と、前記処理液容器の処理液を基板に対して供給するための液供給路と、を少なくとも含む処理液供給機構と、
    前記保持回転部により回転している基板に対して前記液供給路から供給される処理液を吐出する吐出部と、
    前記処理液供給機構における圧力情報を取得する圧力情報取得部と、
    前記圧力情報取得部により取得された圧力情報に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する制御部と、を備え、
    前記処理液供給機構は、前記液供給路を流れる処理液の流量を計測する流量計測部をさらに有し、
    前記圧力情報取得部は、前記流量計測部の前後の圧力値の差分情報を取得し、
    前記制御部は、前記取得した圧力値の差分情報に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する、基板処理装置。
  6. 前記制御部は、圧力情報と処理液の粘度、処理液の粘度と膜厚、及び膜厚と基板保持回転部の回転数、の関係から求められたテーブルに基づき、前記基板保持回転部の回転数を制御することを特徴とする、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 基板を保持して回転させる保持回転部と、処理液を収容する処理液容器と、前記処理液容器の処理液を基板に対して供給するための液供給路と、を少なくとも含む処理液供給機構と、前記保持回転部により回転している基板に対して前記液供給路から供給される処理液を吐出する吐出部と、を備え、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置の制御方法であって、
    前記処理液供給機構における圧力情報を取得する圧力情報取得ステップと、
    前記圧力情報取得ステップにおいて取得された圧力情報に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する制御ステップと、を備え、
    前記圧力情報取得ステップは、前記処理液容器の内圧値を取得し、
    前記制御ステップは、前記取得された内圧値に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する、基板処理装置の制御方法。
  8. 前記制御ステップは、圧力情報と処理液の粘度、処理液の粘度と膜厚、及び膜厚と基板保持回転部の回転数、の関係から求められたテーブルに基づき、前記基板保持回転部の回転数を制御することを特徴とする、請求項７に記載の基板処理装置の制御方法。
  9. 基板を保持して回転させる保持回転部と、処理液を収容する処理液容器と、前記処理液容器の処理液を基板に対して供給するための液供給路と、を少なくとも含む処理液供給機構と、前記保持回転部により回転している基板に対して前記液供給路から供給される処理液を吐出する吐出部と、を備え、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置の制御方法であって、
    前記処理液供給機構における圧力情報を取得する圧力情報取得ステップと、
    前記圧力情報取得ステップにおいて取得された圧力情報に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する制御ステップと、を備え、
    前記処理液供給機構は、前記液供給路を流れる処理液を圧送する圧送部、をさらに有し、
    前記圧力情報取得ステップは、前記圧送部の内圧値を取得し、
    前記制御ステップは、前記取得された内圧値に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する、基板処理装置の制御方法。
  10. 前記制御ステップは、圧力情報と処理液の粘度、処理液の粘度と膜厚、及び膜厚と基板保持回転部の回転数、の関係から求められたテーブルに基づき、前記基板保持回転部の回転数を制御することを特徴とする、請求項９に記載の基板処理装置の制御方法。
  11. 基板を保持して回転させる保持回転部と、処理液を収容する処理液容器と、前記処理液容器の処理液を基板に対して供給するための液供給路と、を少なくとも含む処理液供給機構と、前記保持回転部により回転している基板に対して前記液供給路から供給される処理液を吐出する吐出部と、を備え、処理液を用いて基板を処理する基板処理装置の制御方法であって、
    前記処理液供給機構における圧力情報を取得する圧力情報取得ステップと、
    前記圧力情報取得ステップにおいて取得された圧力情報に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する制御ステップと、を備え、
    前記処理液供給機構は、前記液供給路を流れる処理液の流量を計測する流量計測部、をさらに有し、
    前記圧力情報取得ステップは、前記流量計測部の前後の圧力値の差分情報を取得し、
    前記制御ステップは、前記取得した圧力値の差分情報に基づき、前記保持回転部の回転数を制御する、基板処理装置の制御方法。
  12. 前記制御ステップは、圧力情報と処理液の粘度、処理液の粘度と膜厚、及び膜厚と基板保持回転部の回転数、の関係から求められたテーブルに基づき、前記基板保持回転部の回転数を制御することを特徴とする、請求項１１に記載の基板処理装置の制御方法。
  13. 請求項７～１２のいずれかに記載の基板処理装置の制御方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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