JP5079735B2 - 電極端子形成方法 - Google Patents
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Description
printed circuits、以下、「FPC」と呼ぶ。)等の他の基板上に形成された導体パターン(導体回路)とを電気的に接合する手法として、電極端子の頂面と導体回路の頂面の間に異方性導電フィルム(Anisotropic conductive Film、以下、「ACF」と呼ぶ。)を挟んだ状態で加熱しながら両者を圧着する手法が広く知られている。これにより、電極端子と導体回路の間においてACF内に分散している金属粒子が電極端子の頂面及び導体回路の頂面と接触することで、金属粒子を介して電極端子と導体回路の間の導電経路が形成される。
印刷工程では、電極端子10の材料となる導電体(本例では、Ag)の粉末と、樹脂成分と、溶剤成分とを少なくとも含む、予め調製されているペーストを用いて、基板Bの平面上に、周知の手法の1つ(例えば、スクリーン印刷)により、電極端子10の形状に対応する形状を有する膜が形成される。樹脂成分の軟化温度は、例えば、60〜120℃である。
熱風乾燥工程では、印刷工程にて形成された膜に、所定時間に亘って所定温度の熱風が所定の風速で与えられる。これにより、膜の中心部を除いた表面部のみの溶剤成分が蒸発させられる。この結果、熱風乾燥工程後では、膜の中心部において導電体粉末と樹脂成分と溶剤成分とが含まれ、且つ、膜の中心部を囲む膜の表面部において溶剤成分が含まれず導電体粉末と樹脂成分とが含まれる状態が得られる。即ち、膜の表面部において溶剤成分を含まない表面皮膜が形成される。
平坦化工程では、膜の温度をペースト内の樹脂成分の軟化温度以上の温度に維持した状態で、膜の頂部が押し潰されて(基板Bの平面に平行な面に)平坦化される。ここで、潰し率を、平坦化工程前における膜厚(図12(a)を参照)に対する、平坦化工程の実施による膜厚の減少量の割合と定義すると、潰し率は、例えば、10〜40%である。図12(b)は、この平坦化工程後における膜の断面(X−Z平面に沿って切断して得られる断面)の形状の一例を示す。図12(b)に示す膜について、膜厚は36μmで、膜幅は125μmである。
焼成工程では、平坦化工程後の基板Bを所定の焼成炉内に収容した状態で、基板B(従って、基板B上の膜)が、所定時間に亘って所定の高温下に置かれる。これにより、膜内に存在する樹脂成分及び溶剤成分が焼成により揮発・除去されて、基板B上に電極端子10が形成される。
Claims (1)
- 平板状の基板の平面上に、平面視にて、長手方向と前記長手方向に垂直な幅方向とを有する形状を有する電極端子を形成する電極端子形成方法であって、
前記電極端子の材料となる導電体の粉末と、樹脂成分と、溶剤成分とを少なくとも含むペーストを用いて、前記基板の平面上に、前記長手方向と前記幅方向とを有する所定の形状を有する膜を形成する膜形成工程と、
前記膜に熱風を与えることで前記膜の中心部を除いた表面部のみの前記溶剤成分を蒸発させて、前記膜の中心部において前記導電体粉末と前記樹脂成分と前記溶剤成分とが含まれ、且つ、前記膜の表面部において前記導電体粉末と前記樹脂成分とを含み前記溶剤成分を含まない表面皮膜が形成された状態を得る熱風乾燥工程と、
前記熱風乾燥工程後の前記膜の温度を前記樹脂成分の軟化温度以上の温度に維持した状態で、ローラを使用して、前記ローラの回転軸が前記膜の長手方向と平行に維持された状態で、前記ローラの円筒面で前記熱風乾燥工程後の前記膜の頂部を押圧しつつ前記基板の平面に沿って前記ローラを前記膜の幅方向に転がりながら移動させることで、前記熱風乾燥工程後の前記膜の頂部を押し潰して平坦化する平坦化工程と、
前記平坦化工程後の前記膜を焼成して前記電極端子を形成する焼成工程と、
を含む電極端子形成方法。
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