JP5077719B2 - 単結晶製造方法及び該単結晶製造方法を用いた基板製造方法、並びに該単結晶製造方法に用いられる引下げ装置 - Google Patents
単結晶製造方法及び該単結晶製造方法を用いた基板製造方法、並びに該単結晶製造方法に用いられる引下げ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5077719B2 JP5077719B2 JP2010120598A JP2010120598A JP5077719B2 JP 5077719 B2 JP5077719 B2 JP 5077719B2 JP 2010120598 A JP2010120598 A JP 2010120598A JP 2010120598 A JP2010120598 A JP 2010120598A JP 5077719 B2 JP5077719 B2 JP 5077719B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- seed
- pulling
- raw material
- single crystal
- axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Claims (4)
- 引下げ方向とは異なる所定の方向にC軸が配向する単結晶を製造する引下げ方法であって、
底部に原材料融液の漏出孔を有する坩堝の内部にて原材料を溶解して前記原材料融液とし、
前記漏出孔から漏出する前記原材料融液に対して前記原材料融液が結晶化する際の結晶方位を定めるシードを接触させ、
前記シードを前記引下げ方向に引下げることにより前記シードを基点として単結晶を作成する、工程を有し、
前記シードは、前記引下げ方向と同じ方向に延在する軸心を有する筒形状を有する単結晶であって前記C軸の配向方向が前記引下げ方向とは異なる方向となる配向状態となるように筒形状のシード保持具によって支持され、前記配向状態にて前記筒形状の一方の端面にて前記原材料融液と接触され、前記引下げ方向に対する前記C軸の配向状態が維持された状態にて前記引下げが為され、
前記筒形状のシード保持具は前記筒形状のシードと内部空間において連通して前記内部空間に気体が供給されることを特徴とする単結晶の引下げ方法。 - 引下げ方向とは異なる所定の方向にC軸が配向する単結晶を製造する引下げ方法であって、
底部に原材料融液の漏出孔を有する坩堝の内部にて原材料を溶解して前記原材料融液とし、
前記漏出孔から漏出する前記原材料融液に対して前記原材料融液が結晶化する際の結晶方位を定める第1のシードを接触させ、
前記第1のシードを前記引下げ方向に引下げることにより前記シードを基点として、前記引下げ方向と同じ方向に延在する軸心を有する筒形状を有する単結晶である第2のシードを作成する、工程であって、
前記第1のシードは、C軸の配向方向が前記引下げ方向とは異なる方向となる配向状態に支持され、前記配向状態にて前記原材料融液と接触され、前記引下げ方向に対する前記C軸の配向状態が維持された状態にて前記引下げが為される工程と、
底部に、前記漏出孔とは異なる第2の複数の漏出孔を有する第2の坩堝の内部にて原材料を溶解して前記原材料融液とし、
前記第2の複数の漏出孔から漏出する前記原材料融液に対して前記第2のシードにおける前記筒形状の一方の端面を接触させ、
前記第2のシードを前記引下げ方向に引き下げることにより前記第2のシードを基点として複数の単結晶を作成する、工程であって、
前記第2のシードは、筒形状のシート保持具によって前記C軸の配向方向が前記引下げ方向とは異なる方向となる配向状態に支持され、前記配向状態にて前記原材料融液と接触され、前記引下げ方向に対する前記C軸の配向状態が維持された状態にて前記引下げが為され、
前記筒形状のシード保持具は前記筒形状のシードと内部空間において連通して前記内部空間に気体が供給されることを特徴とする単結晶の引下げ方法。 - 表面に対して所定の角度を有して前記C軸が配向する単結晶基板を製造する方法であって、
請求項1或いは2の何れかに記載される引下げ方法によって単結晶を製造する単結晶製造工程と、
前記引下げ方向に対して垂直な或いは前記C軸と所定の傾きを有して交差する平面にて前記単結晶を切断する切断工程と、を有することを特徴とする単結晶基板を製造する方法。 - 所定の引下げ軸の延在方向とは異なる方向にC軸が配向する単結晶を製造する引下げ装置であって、
原材料を保持可能であって、前記所定の引下げ軸を中心として配置される複数の漏出孔を底部に有する坩堝と、
前記坩堝の周囲に配置されて前記坩堝内部の前記原材料を加熱、溶融して原材料融液を得るための電力が供給される加熱機構と、
前記坩堝と同心であって前記複数の漏出孔の近傍に配置されて前記漏出孔から漏出する前記原材料融液の温度低下を抑制するアフターヒータと、
前記複数の漏出孔と対向する一方の端面を有して前記所定の引下げ軸を軸心とするように配置され、前記漏出孔から漏出する前記原材料融液と接触して前記原材料融液が結晶化する際の結晶方位を定める、筒形状のシードと、
前記シードを他方の端面の側から支持すると共に前記所定の引下げ軸に沿って前記シードを引下げるシード保持具と、を有し、
前記シード保持具は、前記筒形状の内部空間に連通可能であって、前記筒形状の前記他方の端面の側から前記一方の端面の側に流れる気体を供給可能な通気経路を有することを特徴とする引下げ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010120598A JP5077719B2 (ja) | 2010-05-26 | 2010-05-26 | 単結晶製造方法及び該単結晶製造方法を用いた基板製造方法、並びに該単結晶製造方法に用いられる引下げ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010120598A JP5077719B2 (ja) | 2010-05-26 | 2010-05-26 | 単結晶製造方法及び該単結晶製造方法を用いた基板製造方法、並びに該単結晶製造方法に用いられる引下げ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011246306A JP2011246306A (ja) | 2011-12-08 |
JP5077719B2 true JP5077719B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=45412061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010120598A Active JP5077719B2 (ja) | 2010-05-26 | 2010-05-26 | 単結晶製造方法及び該単結晶製造方法を用いた基板製造方法、並びに該単結晶製造方法に用いられる引下げ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5077719B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111501091A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-07 | 刘建军 | 一种制备管状晶体材料的坩埚 |
CN111501092A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-07 | 刘建军 | 一种用于制备管状晶体材料的坩埚 |
CN111472043A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-07-31 | 刘建军 | 一种用于制备管状晶体材料的加热装置 |
CN111501093A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-07 | 刘建军 | 一种用于拉制管状晶体的坩埚 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT391887B (de) * | 1977-07-21 | 1990-12-10 | Pelts Boris Bentsionovich Ing | Verfahren zum herstellen von kristallinen saphirrohren und einrichtung zu dessen durchfuehrung |
JPH1048679A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Mitsubishi Materials Corp | 非線形光学結晶ファイバ及びその製法並びにこれを用いた光学デバイス |
JP2001272671A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Seiko Epson Corp | プロジェクタ |
JP2003277191A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Japan Science & Technology Corp | Yb混晶酸化物単結晶からなるシンチレータ用発光材料 |
JP2004083316A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | 単結晶サファイア基板および単結晶サファイア基板の作製方法ならびに液晶プロジェクタ装置 |
-
2010
- 2010-05-26 JP JP2010120598A patent/JP5077719B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011246306A (ja) | 2011-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6553787B1 (en) | Method for manufacturing quartz glass crucible | |
US20120015799A1 (en) | Method for producing sapphire single crystal, and sapphire single crystal obtained by the method | |
JP2011057482A (ja) | サファイア単結晶の製造装置 | |
JP5077719B2 (ja) | 単結晶製造方法及び該単結晶製造方法を用いた基板製造方法、並びに該単結晶製造方法に用いられる引下げ装置 | |
JP2010143781A (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
KR101574749B1 (ko) | 단결정 제조용 상부히터, 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법 | |
JP2011105575A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
JP2004083407A (ja) | コランダム単結晶を成長させる方法および装置 | |
JP2011006314A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
WO2016121577A1 (ja) | 結晶の製造方法 | |
EP1686201B1 (en) | Pulling-down apparatus | |
TWI580827B (zh) | Sapphire single crystal nucleus and its manufacturing method | |
WO2021020539A1 (ja) | ScAlMgO4単結晶及びその作成方法並びに自立基板 | |
JP4191704B2 (ja) | 引下げ装置 | |
JP2008266090A (ja) | シリコン結晶素材及びこれを用いたfzシリコン単結晶の製造方法 | |
KR20050057815A (ko) | 단결정 성장장치 | |
KR20140080222A (ko) | 사파이어 단결정 성장장치 | |
KR20190075411A (ko) | 리니지 결함을 제거할 수 있는 도가니부재, 이를 이용한 고품질 사파이어 단결정 성장장치 및 그 방법 | |
TWI832759B (zh) | 矽單晶的育成方法、矽晶圓的製造方法及單晶提拉裝置 | |
JP5195301B2 (ja) | 単結晶引下げ装置 | |
JP7373763B2 (ja) | ScAlMgO4単結晶基板およびその製造方法 | |
JP2019112252A (ja) | 酸化物単結晶の製造方法、および結晶育成装置 | |
JP5240003B2 (ja) | 単結晶引下げ装置 | |
TW202411483A (zh) | 矽單晶的育成方法、矽晶圓的製造方法及單晶提拉裝置 | |
KR101193678B1 (ko) | 대구경 단결정 잉곳 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120507 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120629 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120802 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120815 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5077719 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |