JP5067648B2 - 加熱ダイオード温度測定装置とこれを用いた赤外線温度測定装置および流量測定装置ならびに流量センシング部の製作方法 - Google Patents
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Description
2、12、13、14 ダイオード
3 空洞
5 温度センサ
5A、5B 個別温度センサ
6 n型領域
7 p型領域
8 SOI層
11 下地基板
15 半導体薄膜
16 n型用電極パッド
17 p型用電極パッド
20 薄膜配線
30 ダイオード2を含む島状の領域
35 個別温度センサを含む島状の領域
50 埋め込み絶縁膜(BOX層)
51 絶縁膜
100 駆動回路
101 配線
110 第2の基板
130 第3の基板
135 凹部
150 蓋
160 流路
Claims (7)
- 基板から熱分離した半導体のダイオード(2)に順方向電圧を印加して、ヒータとしての動作と温度センサとしての動作が同時にできるようにすること、半導体のダイオード(2)をヒータとしての動作と温度センサとしての動作を時分割で行う場合は、半導体のダイオード(2)に、それぞれの動作に必要な所定の電圧供給をスイッチにより切り替えて行うようにしたことを特徴とする加熱ダイオード温度測定装置。
- ダイオード(2)としてpn接合もしくはショットキ接合とした請求項1記載の加熱ダイオード温度測定装置。
- ダイオード(2)が真性領域で動作するような温度で使用するときに、そのダイオード(2)に逆方向バイアスを印加して、そのときの逆方向電流から温度を知るようにした請求項1または2のいずれかに記載の加熱ダイオード温度測定装置。
- ダイオード(2)を基板(1)から熱分離した半導体薄膜(15)に形成したことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の加熱ダイオード温度測定装置。
- 請求項1から4のいずれかに記載の加熱ダイオード温度測定装置のダイオード2を半導体薄膜15に形成してあり、この半導体薄膜15を赤外線の受光部としたことを特徴とする熱型の赤外線温度測定装置。
- 請求項1から4のいずれかに記載の加熱ダイオード温度測定装置におけるダイオード(2)を流路に設け、更に該ダイオード(2)とも熱分離した個別温度センサをダイオード(2)の上流側、下流側、または上流側と下流側の両方における流路に設けてあり、該ダイオード2の温度変化に基づいて被測定流体を介して生じる、上流側と下流側の少なくとも一方の個別温度センサからの温度変化に関する情報を利用して流路の被測定流体の流量や流速を計測できるようにしたことを特徴とする流量測定装置。
- 請求項6に記載の流量測定装置の流量センシング部の製作方法において、第1の基板(1)の同一側の表面付近に、ダイオード(2)と、ダイオード(2)の上流側、下流側、または上流側と下流側の両方に、ダイオード(2)から所定の間隔を空けた状態で個別温度センサを形成するセンサ形成工程、ダイオード(2)を含む領域と個別温度センサを含む領域とをそれぞれ島状に残すように第1の基板(1)を溝で囲むエッチング工程、第1の基板(1)のうちダイオード(2)と上記個別温度センサとが形成されている面を第2の基板に接着させる接着工程、第2の基板に接着させた第1の基板(1)の裏面を少なくとも上記溝が露出するまで研磨して、ダイオード(2)を含む領域と個別温度センサを含む領域とが、島状に残された状態で第1の基板(1)から分離するようにする研磨工程、熱絶縁性の第3の基板に少なくとも島状のダイオード(2)を含む領域と個別温度センサを含む領域との一部または全部を接合する接合工程、第1の基板(1)と第2の基板とを分離する分離工程、および流路を閉じ込めるための蓋をするカバーリング工程とを含むことを特徴とした流量センシング部の製作方法。
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