JP5054275B2 - 枚葉式半導体基板処理リアクタの温度制御 - Google Patents
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Description
発明の分野
本発明は、概ねウェハ処理用リアクタに関連する。さらに詳細には、本発明は、ウェハを個々に処理するリアクタ、およびそのようなリアクタを操作する方法に関連する。
【0002】
発明の背景および概要
1つのタイプのリアクタでは、ウェハの処理は、バッチのウェハが同時に同じ処理を受けるバッチ内において行われる。別のタイプのリアクタでは、ウェハが個々に処理される。後者のタイプのリアクタは、より大きいウェハ、すなわち直径が約200ミリメートルまたは300ミリメートルのウェハを処理するために使用するのが一般的である。米国特許第6,183,565号明細書に記載された気体浮上式ウェハリアクタでは、例えば、一度に一枚のウェハが処理される。現在の製造技術は、300ミリメートルのウェハ用に構成されており、今後の製造技術では、さらに大きな基板を用いられることが予想される。
【0003】
'565号特許に記載されたリアクタは、プロセスチャンバを形成する上部および底部を有するとともに、所定の温度へプロセスチャンバおよびウェハを加熱する加熱エレメントを含む「ホットウォール」リアクタである。上部及び底部は、比較的大きく重量があり、その結果、チャンバ全体の温度が安定し、低温のウェハの搬入出による影響を比較的受けにくい。制御装置が加熱エレメントを、リアクタの実際の温度が特定のプロセスステップ用に選択した所定の温度と等しくなるように調節する。プロセスチャンバ内では、ウェハは、プロセスチャンバの上方及び下方壁から向き合った方向にガスを流すことによって、上方及び下方壁から非常に狭い間隔でガスクッション上に支持される(「気体浮上する」)。
【0004】
ウェハがプロセスチャンバ内にある間、ウェハは、種々の加工オプションに従う。1つのオプションでは、ウェハは、アニールのような熱処理の1つまたはそれ以上の段階になり、その間においては、ウェハは、不活性ガス(N2、Ar、He)のみにさらされる。別のオプションでは、処理中において、ウェハは、酸化ガス(O2またはH2O、N2O、CO2)あるいは窒化ガス(温度によるがNH3、N2)のような反応ガスへその時間の少なくとも一部分の時間さらされる。さらに別のオプションでは、その処理は、化学的気相成長法(CVD)を含み得る。
【0005】
リアクタが配置される環境、例えば、研究所または半導体製造工場のクリーンルームは、通常室温である。すなわち、ウェハ処理の初期またはプロセス段階のうちの1つの初期において、ハンドリング装置が、上部及び下部を離してリアクタを開き、プロセスチャンバ内にウェハを水平方向に搬入する。ウェハと上方壁および下方壁とが非常に狭い間隔となるように、上部及び下部を相互に近づけることによって、ウェハは、非常に急速に加熱され、次に、室温と比較して、非常に高い温度、例えばアニール中には1000℃にさらされる。
【0006】
ともに本出願人に譲渡された米国特許第6,329,304号およびオランダ国出願第1018086号の明細書には、一連の基板の再現可能な処理を行う方法および装置が説明されている。米国特許第6,329,304号明細書には、気体浮上式ウェハリアクタのプロセスチャンバ内にウェハが搬入されると、ウェハに面した壁の表面温度が約10℃下がり、また、壁の内部の、すなわち壁の表面からさらに遠い壁の温度は、約3℃下がることが記載されている。リアクタの温度調節によって、この不均一な壁の温度を補償可能であるが、その結果生じる時間の遅延は、いくつかのプロセスには望ましくない。したがって、米国特許第6,329,304号明細書は、温度センサとは別に、短い時間で壁を加熱するためにウェハ搬入出中に加熱エレメントにエネルギーパルスをかけることを開示する。その時間中における追加の加熱は、温度の低下を補償することを目的とする。
【0007】
オランダ国出願第1018086号明細書には、もっと高度な方法が記載されている。記載の方法によれば、ウェハに面した壁面の近傍において、リアクタの壁が所望の開始温度になると、基板が搬入される。ウェハへの熱伝熱の結果、測定温度が低下し、その後元の温度に戻る。被処理基板は、開始温度に再度達する前にリアクタから取り出され、また、次の基板が、開始温度に再度達すると搬入される。非常に短いプロセス時間については特に、連続して処理される一連の基板の各基板に対して再現可能な熱保有量を得ることに、この方法が役立つ。
【0008】
熱処理を行うように形成されたリアクタは、一般的には、複数の加熱ゾーンを備える。これら複数の加熱ゾーンの目的は、基板が全面に亘って均等な処理を受けられるように、リアクタ内の温度を一定にすることである。リアクタの熱損失は、中心寄りに位置するリアクタ部分より周縁に位置するリアクタ部分の方が大きい。したがって、この熱損失を補償し、かつ所望の均一な温度を達成するためには、周縁近くに位置する加熱ゾーンにより多くの電力を供給する必要がある。
【0009】
上述の気体浮上式ウェハリアクタの作動中に生じる問題は、短時間アニールについて、基板搬出時間と同じオーダーのアニール時間では、ウェハ上における温度は制御範囲内でありかつ均一であったのに、各ウェハ上において処理結果が均一でなくなったことである。興味深いのは、処理結果が、この場合には基板の抵抗率が、リアクタからのウェハ搬出方向と平行な方向とは異なる一方向を示したことである。他の場合では、ウェハ上の抵抗率は、放射勾配を示した。アニール時間を長くすると、これらの勾配はなくなるが、他の基板特性が、許容不可能な影響を受ける。いくつかの実施形態または適用においては、非常に短いアニール時間が必須である。リアクタから基板を取り出している間における温度勾配が、処理結果に重大で望ましくない影響を及ぼすことが予想される。
【0010】
非均一な処理結果の欠点を避けられるが処理時間を非常に短くすることができる基板処理方法及び装置を提供することが、本発明の目的である。
【0011】
本発明の一態様によれば、平坦な基板を熱処理するためのリアクタが提供される。このリアクタは、処理中に平坦な基板に面する実質的に平坦な面を有した被加熱ボディを含む。基板ハンドリング機構が、被加熱ボディの実質的に平坦な面に平行にかつそれに非常に接近させて、平坦な被処理基板を配置するように形成され、かつ、処理後には、被加熱ボディから取出方向に前記基板を取り出すように形成される。複数の加熱エレメントが、被加熱ボディに関連づけられるとともに、制御装置に接続された加熱ゾーンを画定するように配置される。制御装置は、加熱エレメントを調節するように形成され、また、制御装置および加熱ゾーンは、被加熱ボディの平坦な面の端から端まで横方向に非均一な温度を得られるように形成される。
【0012】
本発明の別の態様によれば、平坦な基板処理用のサーマルリアクタ作動方法が提供される。本方法は、リアクタ内へ基板を搬入することを含む。加熱エレメントが、基板に隣接した被加熱ボディの幅方向に非均一な温度分布を画定するように選択的に作動され、この分布は、基板上を横方向に延びるとともに、リアクタ作動中に非均一な熱の影響を補償するように選択される。基板は、所定時間の間処理され、基板が、非均一な温度分布を受ける。この基板は、所定時間後リアクタから搬出される。
【0013】
本発明のさらなる態様によれば、平坦な基板を熱処理するためのリアクタが、提供される。このリアクタは、上部と底部との間にプロセスチャンバを画定する基板収納構造体を含む。上部および底部は、搬入出方向に沿って平坦な基板を搬入出するために離れるように形成される。支持構造体が、上部と底部との間に基板を配置するように形成される。基板の主要な面は、処理中にプロセスチャンバ内において各上部および底部の約2mm以内にある。複数の加熱エレメントが、加熱ゾーンを画定するように配置され、各加熱ゾーンは、上部及び底部の一部分の上のみを延びる。制御装置が、加熱エレメントと個々に接続され、制御装置は、上部及び下部のうち少なくとも1つの幅方向において非均一な温度分布を得られるようにプログラムされる。
【0014】
本発明のこれらおよび他の態様、利点および新規な特徴は、以下の詳細な説明を読み、添付の図面を参照すれば、明らかになるだろう。図面において、同じエレメントは、同じ参照番号を有する。
【0015】
好ましい実施形態の詳細な説明
本発明に係る方法において、基板が熱処理を受ける。熱処理中には、基板は、被加熱ボディに非常に接近して配置されて、熱処理中における被加熱ボディ上の温度勾配が、定常状態になる。意図的に不均一な温度に基板をさらす基板処理方法が、1998年9月刊行のSPIE第3507巻の42から53頁にある、Porter他による 「Fast-Ramp Rapid Vertical Processor For 300-mm Si Wafer Processing」によって説明されている。Porterらは、縦型バッチ炉内において垂直方向に間隔をおいてウェハを配置したスタックを加熱している間には、ウェハの縁が、ウェハの中央よりも高温になり、また、そのロードが冷却されている間には、中央から縁にかけての差が、逆になり、ウェハの中央が、ウェハの縁より数度高温になることを説明している。したがって、Porterらは、加熱装置の構成が、5から10分という短時間でウェハの加熱及び冷却を繰り返すとともに、加熱段階中には炉内に不活性ガスを収容するが、冷却段階中においてのみ炉内にプロセスガスを収容するようなものにできることを開示する。この結果、ウェハの縁上における堆積が通常相対的に厚くなってしまうプロセスについて、各ウェハ面上に堆積する膜厚が改善される。しかしながら、この場合には、ウェハ上の温度勾配は、動的状態(dynamic situation)においてのみ生じ、あまり正確に制御されない。
【0016】
図1Aは、本発明の一実施形態に係るリアクタ1を示す。リアクタ1は、枚葉式リアクタであって、このリアクタ内において、基板が、2つの高量ブロック同士の間に水平に配置されるとともに、それらから (例えば約1ミリメートル未満の) 間隔を置いて配置され、これら2つのブロックは、熱フライホイールとして機能するとともに好ましくは一定の温度に維持される。基板は、ガス流中に配置することができ、このガスは、ブロック内の通路を通過し、垂直方向にブロックから基板の両側の面上に出て、基板の水平面に沿って進む。したがって、ガスが、基板を浮上させる。別の実施形態では、スペーサが、処理中において高量ブロックから狭い間隔を置いて水平方向に基板を支持し保持することができる。
【0017】
基板は、放射ではなく伝導によって加熱されることが好ましい。一実施形態においては、例えば、リアクタ1は、短時間熱処理用に、例えば短時間アニールプロセス用に形成される。短時間アニール中において、基板は、高温、例えば約1000℃まで急速に加熱される。このようなアニールは、材料またはデバイス特性(例えば抵抗率)に作用するかあるいはストレスを排除するように、例えば、材料の結晶化、ドーパントの拡散、ドーパントの活性化、粒子の再配向、結晶構造の再配向に役立ち得る。高熱量ブロックから狭い間隔を置いて基板を配置することによって、ブロックの温度には大きな影響を及ぼすことなく、伝導による熱伝達が、非常に高まり、基板は、急速にブロックの温度になる。熱アニール後に、基板は、冷却ステーションへ取り出される。
【0018】
しかしながら、リアクタ内へ基板を搬入したりまたはリアクタから基板を取り出したりしている間に、基板処理の初期および末期において、温度の影響が生じる場合がある。図1Aは、閉じられた、処理位置におけるリアクタ1を示す。基板を搬入するために、ブロックが、離され、基板ハンドリング機構が、ブロックにより画定された空間内へ基板を搬送する。基板の先行する縁が、まずブロック同士の間のギャップ内に挿入され、ブロックから熱放射を受ける。後続する縁が、ブロック同士の間のギャップ内に挿入される基板の最後の部分になり、遅れて熱放射を受ける。この結果、基板の加熱が均一でなくなるとともに基板上における熱保有量が均一でなくなる。しかしながら、これは、通常は、それほど重大ではない。例えば、ブロック温度が1000℃である場合、基板の横方向への搬送中におけるブロックと基板との間の熱伝達は、ブロックが閉鎖位置にある時と比較してブロックが開放位置にある時の方が小さい。基板の一部分の、数百度の温度への加熱が早過ぎることは、それほど関連性がない。
【0019】
しかしながら、搬出中に、別の状態が生じる。ブロックが離される時、ウェハは、1000℃である。取り出し中において、先行縁は、ブロック同士の間から移動される第1の部分であり、放射伝熱(radiative transport)によって熱を失い得る。冷却曲線の最初の軌道が、例えば、短時間で1000℃から900℃になる。熱保有量および最終の処理結果にとって重大だと思われるのは、正確にはこの高温の範囲である。したがって、それは、特に、リアクタからの基板の取り出し中における冷却が不均一であることであって、その結果、基板の搬送方向に、基板面上における熱保有量が変動してしまう。一例として、基板は、短時間アニール後には、抵抗率の勾配の方向が基板の取り出し方向に平行になり、シート抵抗率において実質的に直線のプロファイルを有し得ることが分かった。さらには、円形の基板は、短時間アニールプロセスの後には、シート抵抗率において放射プロファイルを有し得ることが分かった。明らかなことは、処理後に相互にリアクタブロックを離すと、基板の縁が、放射によって基板の中央よりもより多くの熱を失って、その結果、縁の温度が低下することである。したがって、基板のシート抵抗率は、均一ではなく、ウェハ上の場所により異なる。他の材料特性が、同様に不均一であることの影響を受ける可能性がある。
【0020】
ここに説明した方法及び構造についての原理および利点は、短時間アニールに特に適切となり得る。さらに詳細にこれを説明するために、アニール時間を、ウェハが被加熱ボディと極めて接近している間の時間と定義する。示した実施形態では、ウェハ取り出し時間の間、ウェハは、被加熱ボディとそれほど接近していないが、ウェハの少なくとも一部分は、なお被加熱ボディに面している。この取り出し時間は、次のステーションへウェハを搬送するのに必要な全搬出または搬送時間より短い。アニール時間と取り出し時間との比が、いつ、10:1を下回り、さらに好ましくは3:1を下回るかということに、本発明は特に関連する。
【0021】
本発明の好ましい実施形態に係るリアクタ1は、基板のシート抵抗率、または他のこのような熱により影響を受ける特性に及ぼす悪影響を低減させる。リアクタ1は、加熱ゾーンを画定し個々に制御可能な加熱エレメントで形成され、各加熱エレメントは、制御装置によって所定の温度に設定される。加熱ゾーンは、ウェハの搬入出方向と平行な方向の温度勾配を引き起こし得るように幾何学的に形成される。温度制御装置は、好ましくは、搬出中に不均一な温度分布を補償するために非対称的な加熱を行うように形成される。
【0022】
図1Aを参照すると、基板、特にウェハ60がプロセスチャンバ61内に配置された、閉鎖位置のリアクタ1が示されている。ウェハ60は、300ミリメートルまたは200ミリメートルの直径を有し、CVDのような化学処理の1つまたはそれ以上の段階に、アニールのような熱処理の1つまたはそれ以上の段階に、或いは化学処理及び熱処理を組み合わせた段階に置かれる。以下において、その説明は、主にアニールプロセス及び、そのために形成されたリアクタに焦点を当てており、よって、アニールプロセス用リアクタ1について説明する。しかしながら、ここに説明する原理及び利点が、さらに化学処理に用いることができるとともにそのような化学処理を行う設備を具え得るリアクタにも適用可能である。このような設備は、ウェハにガスを供給し、リアクタからガスを排出する。
【0023】
リアクタ1は、上部10および底部30を有する。上部10は、側壁12と、上壁14と、側壁12にあるフランジ16と、ベアリングシャフト18とを有する。さらに、上部10には、ブロック20と、ブロックカバープレート22と、プロセスチャンバ61の一部分を画定する凹所24とが含まれる。絶縁材料26が、上壁14と側壁12との間のブロック20を囲む。底部30は、側壁32と、底壁34と、側壁32にあるフランジ36と、ベアリングシャフト38とを有する。底部30には、さらにブロック40と、ブロックカバープレート42と、プロセスチャンバ61の一部分を形成する凹所44とが含まれる。絶縁材料46が、底壁34と側壁32との間のブロック40を囲む。一実施形態では、ブロック20、40は、高熱容量を有する(例えば各リアクタ1が形成される、基板の熱量の約10倍を越える)、高量ブロックである。閉鎖位置において、フランジ16、36は、相互に隣接し、リアクタ1を密閉する。
【0024】
さらに、リアクタ1は、ブロック20、40と、プロセスチャンバ61と、プロセスチャンバ61内に配置されたウェハ60とを所定温度に加熱し、かつ所定時間この温度を維持する設備を含む。ブロックが、一連の基板の連続した処理の全体に亘って一定の所望温度に維持されると考えられる。しかしながら、所定温度の範囲以外の所望温度を選択することができる。したがって、ここに使用される「温度調節」という用語には、リアクタ1の温度を上昇させる行為、および温度を低減させる行為が含まれる。
【0025】
ここに示したリアクタ1の実施形態において、設備には、各上部10および底部30内の複数の加熱エレメントが含まれる。上部10には、加熱エレメント101、102、103、104が含まれ、これら加熱エレメントは、加熱エレメント101、102、103、104を選択的に駆動する制御装置100に個々に接続されている。加熱システム全体が中央制御装置100を具えるが、当業者は、各加熱エレメントまたはゾーンが、それ自体の直接的な制御装置、例えばPID制御装置を具え得ることを理解するだろう。加熱エレメント101は第1の加熱ゾーンを画定し、第2の加熱エレメント102は第2の加熱ゾーンを画定し、加熱エレメント103は第3の加熱ゾーンを画定し、加熱エレメント104は第4の加熱ゾーンを画定する。底部30は、上部10の各加熱エレメント101、102、103、104の反対側に位置する加熱エレメント201、202、203、204を含む。したがって、加熱エレメント201、202、203、204はまた、底部30用の第1の、第2の、第3のおよび第4の加熱ゾーンを画定する。加熱ゾーンの典型的な構成を、図2Aから図2Cに示し、以下に説明する。留意することは、制御装置が、物理的にツールに隣接してまたは離れた場所に位置していたとしても、本説明を行うために、制御装置100が、リアクタ1の一部分と考えられていることである。
【0026】
一実施形態では、加熱エレメント101から104と201から204とは、抵抗加熱用に形成される。例えば、1つまたはそれ以上のワイヤが、所定の形状に形成された熱絶縁材料中へ埋設される。ワイヤは、コイルとして形成可能であり、材料は、平坦で円形の形状にすることができる。各加熱エレメントが、1つまたはそれ以上の個々のサブエレメントによって形成可能であることが考えられる。
【0027】
加熱設備はまた、さらに上方ブロック20内に、好ましくは止まり穴である、各穴121、122、123、124および125内に配置された熱電対アセンブリ111、112、113、114および115を含む。各熱電対アセンブリ111から115は、制御装置100に各アセンブリの各熱電対を接続する熱電対ワイヤ134を有する。熱電対アセンブリ114を参照すると、熱電対アセンブリ114は、カラー130を有し、ブラケット132が、上部10へ熱電対アセンブリ114を固定する。カラー130とブラケット132との間のばね131が、穴124の底へ熱電対アセンブリ114を圧迫する。熱電対アセンブリ111、112、113および115は、熱電対アセンブリ114に関連して説明した穴121、122、123および125内に配置され固定される。
【0028】
熱電対アセンブリ111から115は、熱電素子S1、S2、S3、S4を含み、これら熱電素子は、それぞれ、加熱エレメント101から104に接近させて、好ましくは加熱エレメント101から104より約10ミリメートル以内離して配置される。熱電対アセンブリ111、112および113は、さらに熱電対P1、P2およびP3を含み、これら熱電対は、それぞれ、プロセスチャンバ61に接近させて、好ましくはプロセスチャンバ61から約5ミリメートル以内離して、さらに好ましくは約2ミリメートル以内離して、上方ブロック20内に配置する。制御装置100は、プロセスチャンバ61の付近における温度を測定する熱電対P1、P2およびP3を使用する。
【0029】
図1Aに示すように、熱電素子P1は、ウェハ60の中央領域の上方に配置され、熱電対P2は、ウェハ60の縁領域上方に配置され、熱電対P3は、外側領域に配置される。ゾーン101、102、103について、熱電対S1およびP1、S2およびP2、S3およびP3の入力が、それぞれ、カスケード型の温度調節において使用され、所望温度が、熱電対P1からP3において達成され維持される。熱電対アセンブリ112は、過熱保護用の熱電対を含み、この熱電対をOHPによって示す。この熱電対の入力は、温度調節のためではなく、チェックおよび安全目的のために用いられる。ゾーン104については、単一の熱電対が用いられる。好ましい実施形態では、ゾーン104に給送される電力は、ゾーン103とともにマスタースレーブ構成において制御される。ゾーン104は、ゾーン103に送られた電力の一定の割合を受け取る。標準的操作においては、一方向の勾配が望ましくない場合、この割合は、典型的には100%であり、それは、ゾーン104が、ゾーン103と同じ量の電力を受け取ることを意味する。
【0030】
図解しやすいように、図1Aには、底部30内に熱電対アセンブリは示さない。しかしながら、底部30が、上部10の熱電対アセンブリ111、112、113、114および115と同様に配置され作動する熱電対を含むと考えられる。
【0031】
プロセスチャンバ61内においては、リング62が、ウェハ60を囲み支持する。支持リング64が、リング62を囲むとともに、リアクタ1内外への搬送中にウェハ60およびリング62を機械的に支持するフィンガー65を有する。図1Aの閉鎖位置では、リング62およびウェハ60は、プロセスチャンバ61内に収容され、ブロック20、40によって囲まれている。リアクタ1の内外への搬入出を行うために、ベアリングシャフト18、38が、上部10および底部30を広げる。この開放位置では、搬入出機構が、支持リング64に作用し、リアクタ1の内外にウェハ60およびリング62を搬送する。リアクタの搬入出は、2000年11月16日付で公開された国際出願公開第WO 00/68977号明細書に記載され、その開示は、参照によってここに組込まれる。
【0032】
一実施形態では、リアクタ1は、気体浮上式ウェハリアクタとして形成される。ガス流が、ブロック20、40中の複数の通路中を流れ、アニール中にウェハ60を浮上させる。別の実施形態では、支持リング64は、搬送及びアニール中にウェハを支持するスペーサーを具え得る。ガス流またはスペーサーのいずれかが、処理中に、ブロック20、40の間に非常に狭い間隔を置いてウェハ60を配置する。この間隔は、好ましくは約2ミリメートル未満、さらに好ましくは約1ミリメートル未満、一実施形態では約0.15ミリメートルである。ここに記載された温度調節の特徴が、両方のタイプのリアクタにおいて同様に適用可能であると考えられる。
【0033】
一実施形態では、ウェハ60は、プロセスチャンバ61内におけるアニール(スパイクまたは短時間アニール)用に形成される。出願人は、リアクタを出ていくウェハの側が、まず低温となり、遅れて出るウェハの側が、大きく重い、均一に加熱されたブロックによりまだ加熱されていることに注目した。取出時間は非常に短いが、それは、アニール時間が取出時間と同じオーダーである状態においては特に、ウェハのパラメータに影響を及ぼす。アニール時間とは、ここでは、ウェハが被加熱ボディと非常に近接している間の時間と定義される。ここに示した実施形態では、アニール時間は、ウェハが、プロセスチャンバ内に収容され、リアクタブロックが、ウェハとブロックとの間の間隔が非常に狭くなる、狭い間隔を置いた位置または閉鎖位置にある間の時間である。ここに示す実施形態では、ウェハ取出時間は、ウェハが、被加熱ボディともはや近接していない間の時間と定義されるが、ウェハの少なくとも一部は、なお被加熱ボディに面している。この取出時間は、別のステーション内外からリアクタ内外へウェハを搬入出するのに要する総搬入出時間より短く、これには、ブロックの完全に外側におけるいくらかの搬送時間が通常含まれる。典型的なウェハの搬入出時間は、約2.0秒である。一構成においては、この時間は、以下の要素からなる。リアクタブロックの完全に外側からリアクタブロックのすぐ隣の位置へのウェハの水平方向の移動、またはその逆の移動に0.7秒、リアクタブロックのすぐ隣の位置からブロック同士の間の中央の位置へのウェハの水平方向の移動、またはその逆の移動に0.8秒、および開放位置から閉鎖位置へのブロックの移動、またはその逆の移動に0.5秒。したがって、この結果、上の所与の定義に係るウェハの取出時間は、1.3秒となる。
【0034】
制御装置100は、アニール中にウェハ60が、0.2秒およびそれより長い期間約200℃と1150℃との間のリアクタ温度にさらされるように、リアクタ1を加熱するようにプログラムされる。一実施形態では、アニールは、約1秒間約1000℃のリアクタ温度で行われる。望ましくは、リアクタは、各サイクル中にリアクタ温度を著しく上昇させるのではなく、ウェハ処理が連続して進行している間に各ゾーン内を実質的に一定の温度に維持する。したがって、以下に記す意図的な勾配にもかかわらず、リアクタ1は、ホットウォール型リアクタとして機能する。低温のウェハを搬入することにより生じる負荷、およびチャンバを開口することによる損失を補償するために、少し上昇させることが必要になる場合がある。
【0035】
図1Bは、時間tとともに変化する搬入出プロセスの概要図である。プロセスチャンバ61からウェハ60を取り出す典型的な取出時間は、1.3秒である。時間T0で示すように、搬出時間の最初の0.5秒は、加熱したリアクタブロック20、40を相互に離すために用いられる。その後、ウェハ60は、ウェハ60の面と平行な方向に移動し始める。ウェハの移動開始後の最初の0.3秒の間には、ウェハ60は、まだ完全にブロック20と40との間にある。ウェハの移動開始後の約0.3秒で、時間T1で示されるように、先行のウェハの縁は、加熱されたリアクタブロック20と40との間から取り出されたばかりである。ウェハの移動開始後の約0.8秒で、時間T2で示されるように、後続のウェハ縁は、加熱されたリアクタブロック20と40との間から移動された。搬出処理の最初の0.8秒の間において、ウェハ60が完全にブロック20と40との間にまだあるが、ブロック20、40が既に離れた位置にある時、ウェハ60は、ウェハ縁において、放射による熱損失によって放射温度勾配となり得る。2.0秒のマークによって、ウェハ60は、T3で示されるように、別のステーションへ完全に搬出されているので、その段階ではウェハ60を図中に示さない。
【0036】
基板ハンドラーが全ての基板を移動させるかのようにここに説明したが、当業者は、(例えば、リフトピン、搬送リングなどの)他のエレメントを組み合わせることを基板の移動に含ませ得る。しかしながら、結局のところ、搬入プロセスの最後または搬出プロセスの最初に、基板は、被加熱ボディの面から狭い(好ましくは2.0mm未満の)狭い間隔を置いて配置される。ウェハ搬出中に、第2のウェハ(図示せず)が、搬出が行われるリアクタ側と対向したリアクタ側から搬入可能であることにさらに留意されたい。示した構成はスループットを改善するが、他の構成では、同じ側からウェハを搬入出可能であることが理解されるだろう。したがって、ここでは「基板ハンドラー(a substrate handler)」あるいは「基板ハンドラー(the substrate handler)」と呼んだが、実際には、基板ハンドリング機構には、1台を超えるロボット及び中間デバイスが含まれ得ることが理解されるだろう。
【0037】
ウェハ搬送処理の最後の0.5秒の間において、ウェハ60の一部分はブロック20と40との間から既に移動されているが、ウェハの別の部分がまだブロック同士の間にある時には、ウェハ60は、ウェハ搬送方向に一方向の温度勾配となってしまう恐れがある。取出時間がアニール時間の10%を超える場合に特に、取出時間がアニール時間の30%を超える場合にはさらに特に、本発明が有利である。
【0038】
リング62は、ウェハ60を保持し囲み、強すぎる放射温度勾配からウェハ60を保護する、すなわち、搬出中に中央領域に対して縁が速く冷却され過ぎる傾向を抑える。リングの保護機能にもかかわらず、結果としてウェハ60の幅方向に分布する、均一でないシート抵抗率が測定されることから、放射温度勾配がまだ存在することが分かった。さらには、リング62は、取出中において温度勾配が直線になることを妨げることができない。上記のように、最初にリアクタを出るウェハの側が、最初に冷却されることが分かった。温度勾配が直線になることによってもまた、ウェハ60の幅方向に分布するシート抵抗率が均一でなくなる。
【0039】
したがって、好ましいリアクタ1は、図2Aから図2Cに示す加熱ゾーンの温度を幅方向に個々に調節でき、搬出中に温度勾配によって引き起こされる均一でないシート抵抗率(または熱の影響を受ける他の特性)を補償するように形成される。よって、好ましくは、制御装置100は、プログラミングの前に経験的に決定される、特定の方法によるウェハ60の非均一的加熱を行うようにプログラムされたプロセッサおよびメモリを含む。ここでは、たとえ制御装置100が、物理的にツールに隣接してまたは遠隔地に配置可能であったとしても、制御装置は、リアクタ1の一部分と考えられる。
【0040】
図2Aは、上部10内に含まれた加熱エレメント101、102、103、104が画定する、加熱ゾーンの例示的な図である。図2Aの実施形態では、底部30の加熱エレメント201、202、203、204が対応の加熱ゾーンを画定すると考えられる。参照しやすくするために、加熱ゾーンは、実際は、各ゾーンが複数の加熱エレメントを含み得ることが理解されるだろうが、以下において、加熱エレメント101、102、103、104と同じ参照番号を有する。加熱ゾーン101、102、103、104は、ベアリングシャフト18を中心として円形領域を覆い、図lAに示すように、円形領域は、ここに示す実施形態ではウェハ60を超えて延びる。加熱ゾーン101は、環状またはリング状の加熱ゾーン102により囲まれた、最も内側の円盤状の加熱ゾーンである。加熱ゾーン103、104は、加熱ゾーン102の周縁に沿って延びるとともに、上方ブロック20中に中央線72を挟んで向き合った側に配置された、双方ともに円錐状またはリング状の部分であって、中央線72は、ブロック20、40の面と平行であり、基板の搬入出方向70に垂直である。同様に、加熱ゾーン203、204は、加熱ゾーン202の周縁に沿って延びるとともに、下方ブロック40中に中央線74を挟んで向き合った側に配置される、双方ともに円錐状またはリング状の部分である。図2Aでは、加熱ゾーン103は、左手側にあり、加熱ゾーン104は、右手側にあり、よって、加熱ゾーン103、104の加熱グラフは、ウェハ60の幅方向に非対称となり得る。
【0041】
底部30内のこれらの加熱ゾーン101、102、103、104、および対応の加熱ゾーンは、搬出プロセスの熱の影響が補償されるように、アニール中に、ブロック20、40とウェハ60との幅方向において所望の温度勾配を得られるようにする。各加熱ゾーン101、102、103、104は、それ自体の熱電素子S1からS4、および制御装置100と関連付けられた制御ループを有する。一実施形態では、制御装置100は、加熱ゾーン101、102、103、104を選択的に調節して、一方向のまたは「直線」温度勾配、放射温度勾配、または直線温度勾配と放射温度勾配とを組み合わせた温度勾配を用いることができる。制御装置100は、定常状態においてこれらの温度勾配を用いることが好ましい。
【0042】
さらなる実施形態では、下部の加熱エレメントとは異なるように、上部の加熱エレメントを分割すると、特に有利であることが分かった。これを、図2Bおよび図2Gに示す。図2Bでは、上部の加熱エレメント103および104は、中央線72を挟んで向き合った側に配置され、中央線72は、上方ブロック20の面に平行であり、基板の搬入出方向に垂直である。下方加熱エレメント203および204が、同じ向きに向けられると、上方及び下方ブロックの温度調節は、同様に行われ得るとともに、同じ方向に作用する。しかしながら、温度勾配の所望の方向が、基板搬入出方向と必ずしも正確に平行な方向であるとは限らないことが分かった。これは、例えば、ガス流パターンにおいて、または現在知られていない他のパラメータにおいて、機械設備中の若干の非対称によるものかもしれない。プロセス結果における非均一性によって、少しの、数度(℃)という少しの温度調節しか必要でないことを強調すべきである。
【0043】
上方加熱エレメント103および104を下方加熱エレメント203および204と異なる向きにすることによって、処理中のウェハ上における全面的な温度勾配の方向を調節することができる。図2Bに示すように、下方加熱エレメント203および204に対して上方加熱エレメント103および104の向きを90度回転させると、最大限の調節を行うことができる。したがって、図2Bでは、上方加熱エレメント103、104の中央線72は、基板の移動方向70に垂直であり、しかし、下方加熱エレメント203、204の中央線74は、基板の移動方向70と平行である。
【0044】
ここで図2Cを参照すると、上方エレメント103、104および下方エレメント203、204の加熱方向はまた、基板搬入出方向に対して鏡映対称にすることもできる。例えば、上方加熱エレメント103および104は、基板搬入出方向70に対して角度をなす中央線72を挟んで向き合った側に配置可能であり、また、下方加熱エレメント203、204は、基板搬入出方向70と角度をなす線74を挟んで向き合った側に配置可能である。状況によって必要な場合には、他の異なる種々のタイプの加熱エレメントを分割することができる。上方ブロックおよび下方ブロックの温度勾配は、このように相互に補強し合わないが、ブロックの1つのみに温度勾配を用いることによって、搬入出中に発生する均一でない熱保有量を補償するのに十分な効果が得られることが分かった。このような補償のためにどのブロックを非対称に用いるかは、所与のプロセスについて得られたプロセス結果の非対称により異なる。
【0045】
したがって、図2Aから図2Cは、ウェハに一方向または直線温度勾配を用いることができる、異なった方法を例示する。図2Aでは、(基板の上下から)2つの一方向の勾配を用いることができ、それらは、双方とも相互にかつ基板の搬入出方向70に平行である。図2Bでは、1つの一方向の勾配は、基板の搬入出方向70に平行に用いることができ、また第2の一方向の勾配は、基板の搬入出方向70に垂直に用いることができる。図2Cでは、相互にかつ基板の搬入出方向70に角度をなす2つの一方向の勾配を用いることができる。好ましくは、例示のように、2つの一方向の勾配は、基板の搬入出方向70に対して反対でかつ対称的な角度である。
【0046】
図3に、直線温度勾配(ΔT直線)が、ブロック20と40との間において右手側で搬入され左手側で搬出される方向と実質的に平行に延びることを概略的に例示する。勾配が正確には直線でない場合があることが理解されるだろう。むしろ、温度勾配は、実質的に一方向であるが、ウェハの取出方向に連続して温度が上昇し、ウェハの取出方向に垂直な方向において実質的な温度勾配はない。参照しやすくするために、この温度勾配を「直線」勾配と呼ぶ。説明を行うために、ブロック20上方には温度勾配 (ΔT直線)を示し、ブロック40の下方には加熱ゾーン101から104を示す。制御装置100は、温度の設定値を有する閉ループ温度調節に従って加熱ゾーン101、102および103を駆動する。特定の実施形態では、加熱ゾーン104は、電力率が変動するゾーン103とともにマスター/スレーブ構成に従って駆動される。例えば、100%の電力率が定められた場合、制御装置100は、同じ電力で両方の周縁の加熱ゾーン103、104を駆動して、実質的に同じ温度を生じる。電力量は、ゾーン103の温度の設定値に達するようなものである。電力率が100%未満である時、制御装置100は、加熱ゾーン103より低い電力で加熱ゾーン104を駆動する。
【0047】
一実施形態では、制御装置100は、ブロック20、40の幅方向に、意図的に一方向の、好ましくは直線温度勾配を引き起こすように、100%未満の、例えば92%の電力率を用いる。したがって、ブロック20、40の搬出 (左)側の温度は、対向する搬入(右)側の温度より数度高い。図3を参照すると、加熱ゾーン103は、加熱ゾーン104より高温である。加熱ゾーン101、102は、所定の温度の設定値による温度を有する。一実施形態では、温度勾配は、約1℃と5℃との間の、さらに好ましくは約2℃と3℃との間の温度差がある、高温と低温との間を延びる。
【0048】
直線温度勾配(ΔT直線)の傾斜(ΔT/Δx)は、搬出中にウェハ60に影響する固有の温度勾配とは符号が逆である。アニール時間と搬出時間とが概ね等しい場合、温度勾配は、大きさが概ね等しくかつ符号は逆である。時間が等しくない場合には、当業者は、通常の実験によって、用いる適切な勾配を容易に決定することができる。したがって、「より高温の」搬出側部に備える、直線温度勾配(ΔT直線)は、搬出中におけるウェハの先行および後続の側部の均一でない冷却の補償を行う。その結果、ウェハ60の幅方向におけるシート抵抗率の均一性が改善される。
【0049】
図4に、ブロック20と40との間において中心からウェハ縁まで半径方向に延びる放射温度勾配(ΔT放射)の概略を例示する。例示目的で、ブロック40の下に、放射温度勾配(ΔT放射)および加熱ゾーン101から104を示す。この場合には、制御装置100は、ブロック20、40の幅方向に、放射温度勾配を生じるように、ウェハの周縁近くにおいて環状ゾーン102より少し低い温度設定値で中央加熱ゾーン101を駆動する。したがって、ウェハ縁の温度は、ウェハの中央における温度より数度高い。直線温度勾配と同様に、放射温度勾配は、搬出中にウェハの縁および中央の均一でない冷却を補償する。一実施形態では、放射温度勾配に亘る温度差は、約1℃と5℃との間、さらに好ましくは約2℃と3℃との間である。ゾーン103および104は、100%の電力率、およびゾーン103用の選択された温度設定値で駆動可能である。処理中において、ウェハ60がゾーン101上のみを延びることに留意すべきである。ゾーン101および102用の温度設定値に差をつけることによって、温度勾配がこれらの2つのゾーンの境界領域において半径方向を向く。したがって、ウェハ60の温度差は、全くなくなる訳ではないが少しだけになる。
【0050】
図3および図4に、直線温度勾配(ΔT直線)および放射温度勾配(ΔT放射)の別々の適用を例示する。しかしながら、いくつかの実施形態では、制御装置100が、放射温度勾配(ΔT放射)および直線温度勾配(ΔT直線)の両方を同時に用いることができることが考えられる。
【0051】
図5、図6および図7に、温度勾配を用いることによる改良点を説明するために、200ミリメートルの直径を有するウェハ60の幅方向における位置x[mm]によって変化するウェハのシート抵抗率Rs[Ω/sq]のグラフを示す。 示した例にでは、ウェハには、5 keVのエネルギーおよび1.15cm-2のドーズ量で、プラスに帯電したホウ素イオンが一度打ち込まれた。ウェハは、約1.22秒間1100℃の熱処理にさらされた。ウェハの取出時間は、約1.2秒だった。
【0052】
図5では、制御装置100は、温度勾配を用いず、シート抵抗率は、1.26%の1シグマ(σ)の変動になり、ここで、シグマは、統計学において用いられる標本標準偏差である。理論に制限される必要なしに、本発明者は、この変化が、搬出中における均一でない熱の影響によるものであると信じる。逆に、図6では、シート抵抗率の変化を0.96%の1シグマの変動に実質的に低減する直線温度勾配が用いられる。一実施形態では、加熱ゾーン103および104の電力率は、直線温度勾配を生じる92%である。図7に、制御装置100が、直線温度勾配と放射温度勾配とを組み合わせて用いた時のシート抵抗率を示す。一実施形態では、加熱ゾーン103と104との間の電力率は92%であり、ゾーン102用の温度設定値は、ゾーン101用の設定値より2.5℃高かった。勾配を組み合わせることによって、シート抵抗率の均一性が0.85%の1シグマの変動へさらに改善される。
【0053】
上方ブロックだけの温度設定値、電力率、および加熱ゾーンに言及したが、下方ブロック内のゾーン用の設定を上方ブロック内の対応のゾーン用の設定と同一にして、同一の方法で、制御装置100が、下方ブロック用の温度および電力率を調節可能であることを理解すべきである。
【0054】
図8は、ウェハの搬出中に均一でない温度分布に対して補償する場合のリアクタ操作方法を示す処理フローチャートである。例えば、ステップ800において、本方法では、初期化を行い、例えば制御装置100が各熱電対111から114より信号を受け取るかどうかを決定する、1つまたはそれ以上のシステムテストを行う。
【0055】
ステップ802では、加熱エレメント101から104および201から204は、所定温度へプロセスチャンバ61を加熱するように作動する。一実施形態では、制御装置100は、各加熱エレメントにより熱エネルギーに変換される電力量で各加熱エレメントを駆動する。熱エネルギーは、高量ブロック20、40、およびよってプロセスチャンバ61を加熱する。制御装置100は、熱電対アセンブリ111から115によって測定された温度により変化する加熱エレメント101から104および201から204を駆動する。一実施形態では、リアクタ1は、例えば1000℃の所定温度に加熱される間、閉鎖位置にある。
【0056】
ステップ804では、制御装置100は、非均一の温度分布を定めるために加熱エレメント101から104、201から204を選択的に作動させる。好ましくは、この分布は、プロセスチャンバからウェハを取り出している間の均一でない温度分布を補償するように設定された、所定の一方向の温度勾配及び所定の放射温度勾配の少なくとも1つを提供する。一実施形態では、制御装置100は、オペレーターが、一方向のまたは放射温度勾配、あるいは一方向の温度勾配と放射温度勾配とを組み合わせた温度勾配のいずれを要求したかを決定する。
【0057】
オペレーターの要求によって、制御装置100は、要求された温度設定値が達成される電力量で、各加熱エレメント101から104、201から204を駆動する。制御装置は、加熱エレメント101から104、201から204に供給される電力を調節するために、熱電素子P1、S1、P2、S2、S3、S4をモニタする。例えば、直線温度勾配については、制御装置100は、92%の電力率を用い、それは、ゾーン104が、ゾーン103へ送られた電力の92%を受け取り、ゾーン204が、ゾーン203へ送られた電力の92%を受け取り、その結果、ブロック20、40の搬出 (左)側における温度が、反対(右)側の温度より数度高いことを意味する。
【0058】
ステップ806において、ハンドリング装置が、プロセスチャンバ61内にウェハ60を搬入する。ハンドリング装置は、上部10および下部30を離すことにより、リアクタ1を開く。その結果生じるギャップ内において、ハンドリング装置は、プロセスチャンバ61の内外へウェハ60を搬送する。一度ウェハ60がプロセスチャンバ61内に挿入されると、ハンドリング装置は、リアクタ1を閉じる。一実施形態では、リアクタ1は、ウェハ60が浮上するようにガス流が支持構造体からウェハ60を持ち上げる、気体浮上式ウェハリアクタである。
【0059】
ステップ808では、リアクタ1は、所定時間の間プロセスチャンバ61内においてウェハ60をアニールし、ウェハは、非均一な加熱を受ける。好ましくは、その温度分布によって、所定の直線温度勾配および放射温度勾配の少なくとも1つが得られる。一実施形態では、ウェハは、スパイクまたは短時間アニールを受ける。すなわち、ウェハ60は、10秒未満の間約1000℃の処理温度にさらされる。
【0060】
ステップ810では、中央装置の制御装置が、所定時間の後にウェハ60を搬出する。ハンドリング装置は、何分の1秒かで、例えば0.5秒で、プロセスチャンバ61からウェハ60を搬出する。ハンドリング装置は、ウェハ60を冷却部へ搬出する。ハンドリング装置は、一実施形態では、国際出願公開第WO 00/68977号明細書に記載されたようなハンドリング装置であり、その開示は、参照によってここに組込まれる。本方法は、ステップ812で終了する。
【0061】
前述の発明ではいくつかの好適な実施形態に関して説明したが、他の実施形態が、ここに開示したことの観点から当業者には明らかとなるだろう。例えば、熱処理リアクタが、基板に面した実質的に平坦な面を有する1つのみの被加熱ボディを含むことがあり得るだろう。さらに、基板が、熱処理中に、ガス流によって浮上支持されないが、被加熱ボディの実質的に平坦な面上で機械的に支持されることもあり得るだろう。したがって、本発明は、好ましい実施形態を詳述することによって制限はされないものとするが、添付の特許請求の範囲を参照することによってのみ定義される。
【図面の簡単な説明】
【図1A】上部および底部によって形成されたチャンバ内に配置されたウェハを含むリアクタの概略断面図であって、この図では、加熱エレメントが、本発明の一実施形態によりいくつかの加熱ゾーンを画定するように配列されている。
【図1B】時間によって変わる搬入出プロセスの概略を示す図である。
【図2A−図2C】基板全体に亘る加熱を非対称に制御し得る、3つの異なる実施形態によって上部および底部内に含まれた加熱エレメントにより画定される加熱ゾーンの概略を示す図である。
【図3】好ましい処理方法によって搬出中における不均一な温度分布を補償するように一方向の温度分布を引き起すことと関連して図示した加熱ゾーンを有するリアクタの概略を示す。
【図4】好ましい別の処理方法によって不均一な温度分布を補償するように放射温度分布を引き起すことと関連して図示した加熱ゾーンを有するリアクタの概略を示す。
【図5】温度勾配を用いずに、アニールステーションにおけるアニール後に位置によって変化する、ウェハの幅方向におけるシート抵抗率を示すグラフである。
【図6】一方向の温度勾配を用いずに、アニールステーションにおけるアニール後に位置によって変化する、ウェハの幅方向におけるシート抵抗率を示すグラフである。
【図7】一方向および放射温度勾配を用いずに、アニールステーションにおけるアニール後に位置によって変化する、ウェハの幅方向におけるシート抵抗率を示すグラフである。
【図8】不均一な温度分布の補償に備えたリアクタ作動方法のフローチャートである。
Claims (30)
- 処理中に平坦な被処理基板に面する、実質的に平坦な面を有した被加熱ボディと、
前記被加熱ボディの実質的に平坦な面に平行にかつそれに非常に接近させて、前記基板を配置するように形成されるとともに、処理後に前記被加熱ボディから前記基板を取出方向に取り出すように形成された基板ハンドリング機構と、
前記被加熱ボディと関連づけられた複数の加熱エレメントであり、加熱ゾーンを画定するように配列されるとともに、前記加熱エレメントを別々に調節するように形成された制御装置に接続された複数の前記加熱エレメントと、
を備え、
前記制御装置および前記加熱ゾーンは、搬入出中における非均一な熱の影響を補償するために、非均一な熱分布を得られるように形成され、前記被加熱ボディの平坦な面の端から端まで横向きに非均一な温度を得られると共に、前記基板の表面の端から端までが横向きに非均一な温度となるように形成される、平坦な基板の加熱処理用リアクタ。 - 前記加熱エレメントは、別々に制御可能な少なくとも2つの加熱ゾーンを画定する請求項1に記載のリアクタ。
- 前記制御装置および前記加熱ゾーンは、前記被加熱ボディの幅方向に一方向の温度勾配を定めるように形成される請求項1に記載のリアクタ。
- 前記一方向の温度勾配は、前記取出方向に平行な方向に延びる請求項3に記載のリアクタ。
- 前記一方向の温度勾配は、前記基板の第1の面上において前記被加熱ボディと関連づけられた複数の前記加熱ゾーンにより作り出され、
前記制御装置および前記加熱ゾーンは、前記基板の反対側の第2の面上において第2の被加熱ボディと関連づけられた複数の前記加熱ゾーンにより作り出される第2の一方向の温度勾配を定めるようにさらに形成される請求項3に記載のリアクタ。 - 前記一方向の温度勾配は、前記第2の一方向の温度勾配と角度をなして用いられる請求項5に記載のリアクタ。
- 前記制御装置および前記加熱ゾーンは、前記被加熱ボディの幅方向に放射温度勾配をさらに定めるように形成される請求項3に記載のリアクタ。
- 前記加熱ゾーンは、前記基板の円形領域を超えて延びる円形領域を画定し、第1の加熱ゾーンは、環状の第2の加熱ゾーンにより囲まれた円盤状の中央加熱ゾーンであり、
第3の加熱ゾーン及び第4の加熱ゾーンは、前記被加熱ボディの周縁に沿って延びるとともに前記被加熱ボディ中の中央線の両側に配置された環状の弓形部分である請求項1に記載のリアクタ。 - 前記中央線は、前記被加熱ボディの平坦な面と平行であり、前記取出方向と垂直である請求項8に記載のリアクタ。
- 前記第1、第2、第3および第4の加熱ゾーンは、前記基板の第1の面上に画定され、
さらに、前記基板の反対側の面上に、他方の被加熱ボディの、第1、第2、第3および第4の加熱ゾーンと同様の他方のセットを備え、
前記他方の第3の加熱ゾーンおよび前記他方の第4の加熱ゾーンは、前記他方の被加熱ボディの周縁に沿って延びるとともに前記他方の被加熱ボディ中の他方の中央線を挟んで向き合った側に配置された環状の弓形部分である請求項8に記載のリアクタ。 - 前記中央線は、前記他方の中央線と平行である請求項10に記載のリアクタ。
- 前記中央線は、前記他方の中央線と角度をなす請求項10に記載のリアクタ。
- 前記中央線は、前記取出方向とαの角度をなし、前記他方の中央線は、前記取出方向と約−αの角度をなす請求項12に記載のリアクタ。
- 前記制御装置および前記加熱ゾーンは、処理中において前記被加熱ボディを加熱して、前記被加熱ボディの幅方向に約1℃と5℃との間の温度差を有する一方向の温度勾配となるように形成される請求項1に記載のリアクタ。
- 前記制御装置および前記加熱ゾーンは、処理中において前記被加熱ボディを加熱して、前記被加熱ボディの幅方向に約2℃と3℃との間の温度差を有する一方向の温度勾配となるように形成される請求項1に記載のリアクタ。
- 前記制御装置および前記加熱ゾーンは、前記被加熱ボディを加熱して、前記被加熱ボディの中央と前記被加熱ボディの縁との間に約1℃と5℃との間の温度差を有する放射温度勾配となるように形成される請求項1に記載のリアクタ。
- 前記制御装置および前記加熱ゾーンは、前記被加熱ボディを加熱して、前記基板の中央に隣接した前記被加熱ボディの一部分と前記基板の縁に隣接した前記被加熱ボディの一部分との間に約2℃と3℃との間の温度差を有する放射温度勾配となるように形成される請求項1に記載のリアクタ。
- 前記加熱ゾーンは、一方向の温度勾配および放射温度勾配を提供する請求項1に記載のリアクタ。
- 前記加熱ゾーンは、前記一方向の温度勾配に角度をなした第2の一方向の温度勾配をさらに提供する請求項18に記載のリアクタ。
- 前記被加熱ボディを移動させて、処理中に前記被加熱ボディの面から約2ミリメートル以内の間隔を置いて前記基板を配置するように形成された請求項1に記載のリアクタ。
- 前記基板ハンドリング機構は、前記被加熱ボディの面から約1ミリメートル以内の間隔を置いて前記基板を配置するように形成された請求項1に記載のリアクタ。
- 前記加熱エレメント及び前記制御装置は、約10秒未満の間前記基板をアニールするように形成された請求項1に記載のリアクタ。
- 搬入出方向に沿って平坦な被処理基板を搬入出するために離れるように形成された上部と底部との間にプロセスチャンバを画定する基板収納構造体と、
前記上部と前記底部との間に前記基板を配置するように成され、前記基板の主要な面が、処理中に前記プロセスチャンバ内において各前記上部及び底部の約2mm以内にある、支持構造体と、
前記基板収納構造体と関連づけられ、前記上部および前記底部の一部分の上のみに延びるようにそれぞれ形成される加熱ゾーンを画定するように配列された複数の加熱エレメントと、
前記加熱エレメントに個々に接続され、前記上部及び底部の少なくとも1つの幅方向に非均一な温度分布を前記加熱エレメントにより提供させると共に、前記基板の表面の端から端までが横向きに非均一な温度となるようにプログラムされた制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、前記搬入出方向に沿って前記リアクタから前記基板を取り出している間における非均一な温度分布の補償を行うために、前記プロセスチャンバを非均一に加熱するようにプログラムされる、平坦な基板の熱処理用リアクタ。 - 前記非均一な温度分布は、搬入出動作に平行な方向の勾配を含む請求項23に記載のリアクタ。
- 前記制御装置は、前記搬入出方向における一方向の温度勾配、および放射温度勾配の少なくとも1つを得られるようにプログラムされる請求項23に記載のリアクタ。
- 前記制御装置は、前記基板に隣接した前記上部および前記下部のうち少なくとも1つの幅方向に、一方向の温度勾配を提供するようにプログラムされる請求項25に記載のリアクタ。
- 前記制御装置は、前記基板に隣接した前記上部および前記下部のうち少なくとも1つの幅方向に放射温度勾配をさらに得られるようにプログラムされる請求項26に記載のリアクタ。
- 前記一方向の温度勾配は、前記上部内に提供され、
前記制御装置は、前記基板に隣接した下部の幅方向に第2の一方向の温度勾配をさらに得られるようにプログラムされ、
前記第2の一方向の温度勾配は、前記一方向の温度勾配と角度をなすように位置調整される請求項27に記載のリアクタ。 - 前記支持構造体は、前記基板を支持するスペーサを含む請求項23に記載のリアクタ。
- 前記支持構造体は、処理中に基板上下のガスクッションでこの基板を支持するように配置された複数のガス流開口部を前記上部および前記下部内に含む請求項23に記載のリアクタ。
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