JP5043269B2 - マルチパートのフレキシブル膜を有するキャリヤヘッド - Google Patents
マルチパートのフレキシブル膜を有するキャリヤヘッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP5043269B2 JP5043269B2 JP2001570412A JP2001570412A JP5043269B2 JP 5043269 B2 JP5043269 B2 JP 5043269B2 JP 2001570412 A JP2001570412 A JP 2001570412A JP 2001570412 A JP2001570412 A JP 2001570412A JP 5043269 B2 JP5043269 B2 JP 5043269B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- membrane
- flexible membrane
- substrate
- central portion
- carrier head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16J—PISTONS; CYLINDERS; SEALINGS
- F16J3/00—Diaphragms; Bellows; Bellows pistons
- F16J3/02—Diaphragms
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Description
本発明は、一般に基板の化学的機械的研磨に関し、特に化学的機械的研磨のためのキャリヤ・ヘッドに関する。
【0002】
集積回路は、一般的に、基板(特にシリコン・ウェーハ)上への、伝導体、半導体、絶縁体層への連続した堆積によって形成される。各々の層が堆積したあと、回路フィーチャーを作成するためにエッチングされる。一連の層が順番に堆積してエッチングされると、基板の外部又は最上面(即ち基板の露出表面)は、ますます非平坦になる。この非平坦化表面は、集積回路製作プロセスの写真平板のステップで問題を提示しうる。従って、定期的に基板表面を平坦化する必要性がある。更に、誘電層のトレンチを金属で充てんするときフィラー層を研磨バックするとき平坦化が必要である。
【0003】
化学的機械的研磨(CMP)は、平坦化の1つの認められた方法である。この平坦化方法は、基板がキャリヤ又は研磨ヘッドの上に取り付けられることを一般的に要求している。基板の露出表面が回転研磨パッドに対して置かれる。研磨パッドは、「スタンダード」又は「固定研磨パッド」ことができる。固定研磨パッドが封じ込められた媒体で保持される研磨粒子を有するのに対して、スタンダード研磨パッドは、耐久性のある粗いか軟かい表面を有する。キャリヤ・ヘッドは、研磨パッドに対してそれを押すために基板の制御可能な荷重(即ち圧力)を提供する。若干のキャリヤ・ヘッドは、基板のためのマウンティング表面を提供するフレキシブル膜、及びマウンティング表面の下で基板を保持するリテーニングリングを含む。フレキシブル膜後方のチャンバの高圧密封法又は排気は、基板に荷重を制御する。少なくとも1つの化学的に活性な薬品及び(スタンダード・パッドが使用されるときは)研磨粒子を含む研磨スラリーが研磨パッドの表面に供給される。
【0004】
CMPプロセスの有効性は、その研磨速度、結果の仕上がり(小規模の粗さの欠如)、及び基板表面の平坦度(大規模のトポグラフィーの欠如)によって測られることができる。研磨速度、仕上げ及び平坦度は、パッド及びスラリーの組み合わせ、基板及びパッドの間の相対速度、並びにパッドに対して基板を押している力よって決定される。
【0005】
CMPで再度起こる問題は、いわゆる「エッジ効果」で、基板中央部よりも異なる速度で研磨される基板エッジの傾向である。エッジ効果は、基板周辺部、例えば、200ミリメートルの(mm)ウェーハの最外部の3〜15ミリメートルの非均一研磨と言う結果に一般的に終わる。
【0006】
【概要】
1つの見地で、本発明は化学的機械的研磨装置のためのキャリヤ・ヘッドに向けられる。キャリヤ・ヘッドは、キャリヤ構造及び第一フレキシブル膜を有する。第一フレキシブル膜は、中央部分を囲んでいる中央部分及び環状の部分を有する。第一フレキシブル膜及びキャリヤ構造の間のボリュームは、第一の加圧可能なチャンバを提供する。第一フレキシブル膜の中央部分は、第一フレキシブル膜の環状の部分を形成する第二材料よりも異なる剛性を有する第一材料で形成される。
【0007】
本発明の実施形態は、以下の1以上の特徴を含むだろう。第一材料は、第二材料より硬くないことができる。第一及び第二材料は、弾性材であることができる。環状の部分は、キャリヤ構造に固定される第一フレキシブル膜の周辺部分であることができる。周辺部分は、キャリヤ構造及びリテーニングリングの間で固定されることができる。第一フレキシブル膜は、中央部分と周辺部分との間で延びる環状のコネクタ部分を含むことができる。コネクタ部分は、第一材料より硬くて及び第二材料より硬くない第三材料で形成されることができる。第一及び第三材料は弾性材であり、第二材料はファイバ補強の弾性材であることができる。第二フレキシブル膜は、キャリヤ構造に固定され、第一フレキシブル膜の下に延びることができる。第二フレキシブル膜の低面は、基板マウンティング表面を提供することができる。環状の部分は、コンボリューションを有することができる。
【0008】
他の見地で、発明は化学的機械的研磨装置のためにキャリヤ・ヘッドに向けられる。キャリヤ・ヘッドは、キャリヤ構造及び第一フレキシブル膜を有する。第一フレキシブル膜は、キャリヤ構造に固定される周辺部分、圧力を基板に加えるために配置される中央部分及び中央部分及び周辺部分の間で延びているコネクタ部分を有する。第一フレキシブル膜及びキャリヤ構造の間のボリュームは、第一の加圧可能なチャンバを提供する。第一フレキシブル膜の周辺部分は、第一材料で形成され、コネクタ部分は第一材料より硬い第二材料で形成され、中央部分は、第二材料より硬い第三材料で形成される。
【0009】
本発明の実施形態は、以下の特徴の1つ以上を含むことができる。第一及び第二材料は弾性材であり、第三材料はファイバ補強された弾性材であることができる。環状のフラップはコネクタ部分に接合されることができ、フラップのエッジはキャリヤ構造に固定されることができる。フラップは、第一材料で形成されることができる。
【0010】
他の見地で、発明はキャリヤ・ヘッドのためにフレキシブル膜に向けられる。フレキシブル膜は、第一材料で形成される中央部分と、第一材料より硬い異なる剛性を有する第二材料で形成される周辺部分を有する。
【0011】
本発明の実現は、以下の特徴を1以上含むことができる。第一材料は、第二材料より硬いことができる。中央部分は圧力を基板に加えることができ、周辺部分はキャリヤ構造に固定されることができる。
【0012】
他の見地で、本発明は、周辺部分、中央部分、及び中央部分と周辺部分との間に延びたコネクタ部分を有するキャリヤ・ヘッドのためのフレキシブル膜に向けられる。フレキシブル膜の周辺部分は第一材料で形成され、コネクタ部分は第一材料より硬い第二材料で形成され、中央部分は第二材料より硬い第三材料で形成される。
【0013】
他の見地で、本発明は化学的機械的研磨のためにキャリヤ・ヘッドに向けられる。キャリヤ・ヘッドは、キャリヤ構造、キャリヤ構造に接続した第一フレキシブル膜、及び、キャリヤ構造に接続した第二フレキシブル膜を有する。キャリヤ構造と第一フレキシブル膜との間の第一ボリュームは第一チャンバを提供し、第一フレキシブル膜と第二フレキシブル膜との間の第二ボリュームは第二チャンバを提供している。第二フレキシブル膜は、基板のためにマウンティング表面を提供する下部表面を有する。第二フレキシブル膜の上面及び第一フレキシブル膜の底面のうちの少なくとも1つは、接触するときに、第一フレキシブル膜とフレキシブル膜との間での粘着を防止するためにテクスチャー加工されている。
【0014】
発明の実施による考えられる利点は、以下の0以上を含むことができる。基板エッジの圧力の分配が制御されることができる。基板に対するフレキシブル膜の圧力及びローディング・エリアは、非均一研磨を補償するために変化されることができる。基板の非均一研磨は低下され、基板の結果の平坦度及び仕上げが改良される。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の他の利点及び特徴は、図面及び請求項を含む詳細な説明から明らかになるだろう。
【0016】
同じ参照番号が、同じ部材を示すために種々の図面で示される。
【0017】
図1に言及すると、1つ以上の基板10が、化学的機械的研磨(CMP)装置20によって研磨される。同様のCMP装置の説明が、米国特許番号第5,738,574公報において見いだされるだろう。なおその内容は全体で本明細書に援用されている。
【0018】
CMP装置20は、基板をロードして及び取りはずすための一連の研磨ステーション25及び転送ステーション27を含む。各々の研磨ステーション25は、研磨パッド32が置かれた回転プラテン30を含む。各々の研磨ステーション25は、研磨パッドの研磨状態を維持するために関連パッド・コンディショナー35の装置40を更に含むことができる。
【0019】
化学的活性薬品(例えば酸化物研磨のための脱イオン化水)及び化学的活性触媒(例えば酸化物研磨のための水酸化カリウム)を含むスラリー50が、結合されたスラリー/リンスアーム52によって、研磨パッド32の表面に供給されることができる。研磨パッド32がスタンダード・パッドの場合、スラリー50は研磨粒子(例えば酸化物研磨のための二酸化珪素)も含むことができる。一般的に、十分なスラリーが、全体の研磨パッド32をカバーして濡らすために提供される。スラリー/リンスアーム52は、いくつかのスプレーノズル(図示せず)を含み、各々の研磨及び調整サイクルの終わりに研磨パッド32の高圧リンスを提供する。
【0020】
回転可能なマルチヘッド・カルーセル60は、センターポスト62によって支持され、カルーセル・モータ組立体(図示せず)によってカルーセル軸64を中心としてその上を回転する。マルチヘッド・カルーセル60は、カルーセル軸64を中心として等しい角の間隔でカルーセル支持プレート66の上で取り付けられる4つのキャリヤ・ヘッド・システム70を含む。研磨ステーションの上のキャリヤ・ヘッド・システムのうちの3つは基板を配置し、キャリヤ・ヘッド・システムの1つは基板を受け取り、基板を転送ステーションに運ぶ。カルーセル・モータは、研磨ステーション及び転送ステーションの間のカルーセル軸を中心として、キャリヤ・ヘッド・システム(及びそれについている基板を)を軌道に乗せることができ、基板はそれに取り付けられる。
【0021】
各々のキャリヤ・ヘッド・システム70は、研磨又はキャリヤ・ヘッド100を含む。各々のキャリヤ・ヘッド100は、それ自身の軸を中心として独立して回転し、また独立して横に、カルーセル・プレート66で形成された放射状のスロット72内を振動する。キャリヤ駆動軸74が、キャリヤ・ヘッド100にキャリヤ・ヘッド回転モータ76(カルーセル・カバー68の1/4の除去によって示される)を接続するために、スロット72を通して延びる。各々のモータ及び駆動シャフトは、スライダー(図示せず)の上で支持され、それは、横にキャリヤ・ヘッド100を振動させるために放射状の駆動モータによってスロットに沿って直線的に駆動されることができる。
【0022】
実際の研磨の間、キャリヤ・ヘッドのうちの3つは、3つの研磨ステーション上方に配置される。各々のキャリヤ・ヘッド100は、研磨パッド32が接触するように基板を下げる。キャリヤ・ヘッド100は、研磨パッドに対して所定の位置に基板を保持し、基板の裏面に渡って力を分散する。キャリヤ・ヘッド100も、トルクを駆動軸74から基板まで移す。
【0023】
図2に言及すると、キャリヤ・ヘッド100は、ハウジング102、ベース組立体104、ジンバル機構106(ベース組立体の部分と考えられる)、ローディング・チャンバ108、リテーニングリング110及び基板バッキング組立体112を含み、そしてそれは、3つの加圧可能なチャンバ(例えば浮動上部チャンバ154、浮動内部チャンバ156及び外部のチャンバ158)を含む。同様のキャリヤ・ヘッドの説明は、1999年12月23日に出願の米国特許出願連続番号第09/470820号公報に見いだされるだろう。なおその内容は本明細書に援用されている。
【0024】
ハウジング102は、実質的に研磨パッドの表面に対する垂直な回転軸107を中心として、研磨中、それとともに回転するために駆動軸74(図1参照)に接続されることができる。ハウジング102は、研磨される基板の円構造に対応するために一般に形は円であることができる。バーティカル・ボア120がハウジング102を通して形成され、3つの追加の通路(2つの通路122、124だけは、図2で図示される)がキャリヤ・ヘッドの空気制御のためにハウジング102を通して延びることができる。0−リング128が、ハウジングを通る通路と,駆動軸を通る通路との間で流体タイトなシールを形成するために使用されることができる。
【0025】
ベース組立体104は、ハウジング102の下に位置する垂直に可動な組立体である。ベース組立体104は、一般に硬い環状の本体130、外部のクランプリング134、ジンバル機構106及び下部クランプリング132を含む。通路136が、ジンバル機構106、環状の本体130及び下部クランプリング132の本体を通して、基板バッキング組立体112のチャンバのうちの1つ(例えば外部のチャンバ158)まで延びることができる。2つの取付具138が、ハウジング102とベース組立体104の間のフレキシブル管を接続するための連結点を提供し、通路136及び外部のチャンバ158に通路124を流通する。第二通路(図示せず)が、基板バッキング組立体112(例えば浮動上部チャンバ154)内の第二チャンバへ、環状の本体130を通して延びることができる。2つの取付具(これも図示せず)が、ハウジング102とベース組立体104の間でフレキシブル管を接続するための連結点を提供し、ハウジングの図示しない通路を、環状の本体及び浮動上部チャンバ154の第二通路に流通する。
【0026】
ジンバル機構106は、ベース組立体がハウジング102に関してピボットすることを可能にし、リテーニングリング110が、実質的に研磨パッドの表面と平行に維持されるようになっている。ジンバル機構106は、垂直ボア120に適合するジンバル・ロッド140及び環状の本体130に固定されるたわみリング142を含む。ジンバル・ロッド140は、ベース組立体104の垂直動きを提供するように、ボア120に沿って垂直に滑動するが、ハウジング102に関するベース組立体104のいかなる側方の動きも防止し、リテーニングリングに対する基板の横力によって生成されるモーメントを低下する。ジンバル・ロッド140は、通路144を含み、それはジンバル・ロッドの長さ方向に延び、基板バッキング組立体112の第三チャンバ(例えば内部チャンバ156)にボア120を流通する。
【0027】
ローディング・チャンバ108が、ベース組立体104への荷重(即ち下への圧力又は重量)を加えるためにハウジング102及びベース組立体104の間に位置する。研磨パッド32に対するベース組立体104の垂直位置は、ローディング・チャンバ108によっても制御される。一般にリング形状のローリング・ダイヤフラム146の内部エッジは、内部のクランプリング148によってハウジング102に固定されることができる。ローリング・ダイヤフラム146の外部のエッジは、外部のクランプリング134によってベース組立体104に固定されることができる。従って、ローリング・ダイヤフラム146は、ローディング・チャンバ108を画成するためにハウジング102及びベース組立体104の間のスペースをシールする。第一ポンプ(図示せず)は、通路122によってローディング・チャンバ108に流通され、ローディング・チャンバ108での圧力及びベース組立体104の垂直位置を制御することができる。リテーニングリング110は、例えば、ボルト114によってベース組立体104の外部のエッジで固定される一般に環状のリングであることができる。流体がローディング・チャンバ108及びベースに注入されると、組立体104は下方へ押され、リテーニングリング110も、荷重を研磨パッド32に加えるために下方へ押される。
【0028】
リテーニングリング110の底面116は、実質的に平らか、又は、リテーニングリングの外側から基板へのスラリーの輸送を容易にするための複数のチャネルを有することができる。リテーニングリング110の内面118は、基板がキャリヤ・ヘッドの下から逃げるのを防止するために基板と係合する。
【0029】
図2及び3に言及すると、基板バッキング組立体112は、内部膜150、外部膜152、内部膜支持構造体160、上部膜スペーサ・リング162、下部膜スペーサ・リング164及びエッジ制御リング166を含む。ベース組立体104と内部膜150との間のボリュームは、上部チャンバ154及び内部チャンバ156を形成し、内部膜150及び外部膜152の間のボリュームは外部のチャンバ158を形成する。支持構造体160、スペーサ・リング162及び164及び制御リング166は、他のキャリヤ・ヘッドに固定される必要がなく、内部及び外部フレキシブル膜によって、所定の位置に保持されることができる。
【0030】
図4Aに言及すると、内部膜150は、制御可能なエリアで外部膜15と接触する円形中央部分170と、一般に長方形の横断面を有する比較的厚い環状の部分174、厚い部分174の角から延びる環状の内部のフラップ176、厚い部分174の外部の端から延びる環状の外部のフラップ178、及び内部支持構造体160と下部スペーサ・リング164との間で延び、厚い部分174を中央部分170に接続する環状のコネクタ部分172を含む。厚い部分174は、厚い部分の頂部で放射状に外部に延びる環状の突起175を含むことができる。内部のフラップ176及び外部のフラップ178は、第一弾性材の形成されることができ、一方、厚い部分174及びコネクタ部分172は第一弾性材より高いデュロメータを有する(即ち、より硬い)第二弾性材で形成されることができる。従って、内部の膜150の側壁部分172及び174は、内部フラップ176及び外部フラップ178より硬い。内部の膜150の中央部分170は、ファイバ補強された弾性材で形成されることができ、それは、側壁部分172、174の第二弾性材より硬くさえある。特に、中央部分170は、曲げることができるが、特に延ばすことができるわけではない。或いは、中央部分170は側壁部分172、174とほぼ同じに剛性を有することができる。中央部分170は、コネクタ部分172より厚いか薄くなることができる。
【0031】
図2及び3へ戻る、内部のフラップ176の端は、たわみリング142及び環状の本体130の間で固定され、一方、外部のフラップ178の端は外部のクランプリング134及び下部クランプリング132の間で固定される。内部のフラップ176によってシールされるベース組立体104及び内部膜150の間のボリュームは、加圧可能な浮動内部チャンバ156を提供する。内部のフラップ176及び外部のフラップ178によってシールされるベース組立体104及び内部膜150の間の環状のボリュームは、加圧可能な浮動上部チャンバ154を画成する。第二ポンプ(図示せず)は、図示されない通路に接続され、浮動上部チャンバ154に又はそこから、空気等のガスなどの流体を導く。第三ポンプ(図示せず)は、浮動内部チャンバ156に又はそこから、空気等の流体(例えばガス)を導くためにボア120に接続されることができる。更に詳細に下で説明するように、チャンバ154、156、158での圧力は、外部膜152の上面に対する内部膜150の接触面積を制御する。従って、第二、第三及び第四のポンプは、圧力が加えられる基板のエリア(即ちローディング・エリア)を制御し、第三ポンプは、ローディング・エリアで基板への下への力を制御する。
【0032】
図3及び4Bに言及すると、外部膜152は、基板を係合するためのマウンティング表面を提供する中央部分180、中央部分180の外部のエッジ部分184を越えて後ろに内方へ延びるリップ部分182、下部膜スペーサ・リング164とエッジ制御リング166との間に位置する厚い部分186、及び上部膜スペーサ・リング162とベース組立体に固定される下部膜スペーサ・リング164との間に延びる周辺部分188を含む。外部膜は、曲りくねった形に予め形作られることができる。更に、リップ部分182、厚い部分186及び周辺部分188を形成する弾性材より硬い弾性材で、中央部分180は、形成されることができる。リップ部分182及び外部のエッジ部分184は、基板のつかむことの間、活性フラップ・リップシールを提供するために機能することができる、それは、1999年4月22日に出願の、米国特許出願連続番号第09/296935号で述べられており、その内容は本明細書に援用されている。
【0033】
図2及び3へ戻ると、外部膜152のヘリは、下部クランプリング132及びリテーニングリング110の間で固定されることができる。内部膜150と外部膜152との間のシールされたボリュームは、加圧可能な外部のチャンバ158を画成する。従って、外部のチャンバ158は、内部チャンバ156の下に実際に延びることができる。第4のポンプ(図示せず)は、外部のチャンバ158に又はそこから、ガス(例えば空気)等の流体を導くために通路124に接続されることができる。第4のポンプは、外部のチャンバ158の圧力を制御する。
【0034】
内部膜150は、弾性材、弾性材コーテッドファブリック、又は例えばニューアーク、デラウェアのデュポンから市販されているHYTREL(商標)といった熱可塑性の弾性材(TPE)等、又はこれらの材料の組合わせフレキシブルな材料で形成されることができる。外部膜118は、フレキシブル且つ弾性の材料(クロロプレン又はエチレン・プロピレン等のゴム又はシリコーン)で形成されることができる。外部膜152の中央部分180の内部膜150又はトッププレートの中央部分170の底面は、小さいみぞを有し、それらが接触するとき、内部及び外部膜の間で流体が確実に流れることができるようになっている。更に、又は代わりとして、内部膜150の中央部分170の底面又は外部膜152の中央部分180の上面は、テクスチャー加工された粗面を有することができ、それらが接触するときの内部及び外部膜の間で粘着することを防止する。
【0035】
内部支持構造体160は、内部膜150の所望の形を維持するために、浮動内部チャンバ156の中に位置する一般に硬い環状の本体であることができる。支持構造体160は、構造体の外部の半径で、より厚いV字形の横断面を有することができる。支持構造体160は、内部膜150の長方形の厚い部分174を支持するための平らなトッププレートと、その最も低い点で内部膜150上に載る傾斜される下部表面とを有することができる。内部膜150のコネクタ部分172が、内部支持構造体160の下部外周コーナーのまわりで延びる。支持構造体160は、内部膜150の厚い部分174と中央部分170との間に適当な間隔を維持する。或いは、内部支持構造体は、貫通する複数のアパーチャを有するディスク型の本体であることができる。
【0036】
上部膜スペーサ・リング162は、一般に硬い環状の本体で、外部チャンバ152に位置するL型横断面を有することができる。上部膜スペーサ・リング162は、内部の膜150の突起175の下部コーナーに位置することができ、エッジ制御リング168の上で載置されることができる。上部膜スペーサ・リング162の「L」の2つのプロングは、内部の膜150及び外部膜152の間で延びる内方へ延びたフランジ190、及び内部の膜150と下部クランプリング132との間で上方へ延びたフランジ192によって形成されることができる。従って、上部膜スペーサ・リング162の下部フランジ190は、適当な間隔を確保し、上部及び下部膜150、152の間の粘着を防止する。複数のみぞ194が内方へ延びたフランジ190の下部表面に形成されることができる。みぞ194は、外部膜152及び上部膜スペーサ・リング162の間で流体が流れることを可能にし、上部膜スペーサ・リング162の両側の外部のチャンバ158の2つの部分の間で流体の流れを確保する。
【0037】
下部膜スペーサ・リング164が、上部膜スペーサ・リング162の下の外部のチャンバ158の中に配置される。下部膜スペーサ・リングは、内部膜150及び外部膜152の間に位置する針型の横断面を有する環状の本体であることができ、外部膜152の所望の形を維持し、追加の圧力を基板のエッジに加える。特に、下部膜スペーサ・リング164は、ベースピース202から、垂直に延びた一般に硬いリング型の部分200を有することができる。リング型の部分が、内部膜15と外部膜152との間で延びる。圧縮できるクッション204は、ベースピース202の下側206に固定されることができる。更に、フレキシブルな環状のフランジ208は、下方への角度で、ベースピース202の外側のリムから、クッション204の下部表面の下で延びるまで突き出す。リップ部分182と外部膜152の外部のエッジ部分184との間でフランジ208が突き出している。外部膜152の厚い部分186が、三角形のベースピース202の上面に載置される。
【0038】
エッジ制御リング166は、リテーニングリング110と外部膜152との間に位置する一般に環状の部材である。エッジ制御リング166は、円筒状の部分210とフランジ部分212とを含み、外部スペーサ・リングの側部位置を維持するためにリテーニングリング110の内面118の方へ外部に延びる。円筒状の部分210で形成されるオーバーハング214は、厚い部分186の上に適合することができ、エッジ制御リング166が外部膜152の上で載置されるようになっている。
【0039】
上で示したように、内部膜116の中央部分200の制御可能な領域は、外部膜118の上部表面に接触でき、下への荷重を加えることができる。荷重は、ローディング・エリアで、外部膜を通して基板に移される。操作すると、流体は、浮動内部チャンバ156に、又はそこから注入される外部膜152に対し、従って基板に対して内部膜150の下への圧力を制御し、流体は外部膜152に対して内部膜150の接触面積を制御するために浮動上部チャンバ154に又はそこから注入される。
【0040】
図5A及び5Bに言及すると、外部膜152に対する内部膜150の接触面積、従って、圧力が基板10に加えられるローディング・エリアは、浮動上部チャンバ155の圧力を変化することによって制御される。浮動上部チャンバ154から流体を注入することによって、内部膜150の厚い長方形の部分174は、上方へ引き出される、外部膜152からはなれるように中央部分170の外部のエッジを引いて、ローディング・エリアの直径を減らす。逆に言えば、流体を浮動上部チャンバ154に注入することによって、内部膜150の厚い部分174は、下方へ強制され、それによって外部膜152と接触するように、内部膜150の中央部分170を押し、ローディング・エリアの直径を増加させる。更に、流体が外部のチャンバ158に強制されるならば、内部膜150の厚い部分174は上方へ強制され、ローディング・エリアの直径をそれによって低減する。従って、キャリヤ・ヘッド100で、ローディング・エリアの直径は、上部、内部及び外部のチャンバの圧力に依存する。
【0041】
上述したように、CMPでの1つの再度発生している問題は、基板のエッジの近くの非均一研磨である。図3、6A及び6Bに言及すると、エッジ制御リング166及び下部膜スペーサ・リング164が、基板の周辺部で追加の圧力を複数環状領域に加えるために使用されることができる。通常の操作で下部膜スペーサ・リング164の環状のフランジ208の外部のチップは、中央部分170の最も外部のエッジの近くの、外部膜152の上面に載置される。しかし、上部チャンバ154が十分に圧力をかけられるならば、内部のフレキシブル膜150の長方形の部分174は、上部膜スペーサ・リング162と接触するように下方へ駆動される。この圧接力は、上部膜スペーサ・リング162、エッジ制御リング166及び外部膜152の厚い部分186を通して伝えられ、下部膜スペーサ・リング164上で、下への圧力を作成する(エッジ制御リング166の荷重は、図6Bにおいて矢印Aによって示される)。最初は、上部チャンバ155での圧力での増加は、単に基板の最も外部のエッジで、フランジ208によって加えられる圧力を増加させるだけである。しかし、上部チャンバ154での圧力が増加すると、フレキシブルなフランジ208は曲がり、クッション204が外部膜152の上面と接触するまで膜10のスペーサ・リング164は下方へ駆動される。この点で、膜サポートリングは、基板への増加する圧力の2つの分離した環状のゾーンを生成する。第一ゾーン(矢印Bによって示される)は、フランジ208の接点によって作成され、及び、第二ゾーン(矢印Cによって示される)は、外部膜の上でクッション204の接点によって作成される。コンポーネントの寸法を正しく選択することによって、基板エッジでの複数のゾーンへの圧力の分配は、研磨非均一性を低下することができる。
【0042】
キャリヤ・ヘッド100は、また、「スタンダード」オペレーティングモードで機能されることができる。浮動チャンバ156及び158は、基板から持ち上がるように排出又は排気され、外部のチャンバ158は、均一な圧力を基板の全体の後方に加えるために圧力をかけられる。
【0043】
転送ステーション27でキャリヤ・ヘッドに基板にロードし、研磨ステーション25で研磨パッドから基板をデチェックし、転送ステーション27でキャリヤ・ヘッドから基板をアンロードする、キャリヤ・ヘッド100の操作は、前記の連続No.09/470820で要約される。
【0044】
図7に言及すると、キャリヤ・ヘッド10’の他の実施形態で、下部膜スペーサ・リング164’は硬く、フレキシブルなフランジを有しない。その代わりに、エッジ制御リング166’は、突起物216を含み、それは、それは、外部膜152のリップ部分184の外面と接触することができる。更に、下部膜スペーサ・リング164’の下側に取り付けられるクッション204’は、下部膜スペーサ・リング164’を越えて、放射状に外部的に延びることができる。
【0045】
図7、8A及び8Bに言及すると、通常の操作で、下部膜スペーサ・リング164’のクッション204’は、外部膜152のエッジ部分182の上面に載置する。浮動上部チャンバ154が十分に圧力をかけられるならば、内部膜150の長方形の部分174は、上部膜スペーサ・リング162’と接触するように下方へ駆動される。この圧接力は、エッジ制御リング166’に、下への圧力を作成するために上部膜スペーサ・リング162を通して伝えられる(図8Bにおいて矢印A’によって示される)、それによって突起物216が外部膜152のリップ部分182で、下への圧力を加えるようになる。リップ部分182がわずかに硬いので、最初はエッジ制御リング166’からの荷重は、基板に対してリップ部分182のコーナー183を押し、基板のごくエッジで、増加する圧力(矢印B’によって示される)の第一領域を作成する。上部チャンバ154での圧力の更なる増加は、エッジ制御リング166’を外部膜152の厚い部分186と接触させ、下部膜スペーサ・リング164’に下への圧力を加える。これは、基板の環状の第二領域への増加する下への圧力(矢印C’によって示される)の、第一領域の内部で分離した第二領域を生成する。更に、上部チャンバ154−で圧力を増加させることは、リップ部分182が外部のエッジ部分184の上部表面を偏向させて接触させるようになる。これは、第一及び第二部分の間で、基板への増加する圧力(矢印Dによって指示した)の第三領域を生成する。コンポーネントの寸法を正しく選択することによって、基板エッジの圧力の、この複数のゾーン分配は、研磨非均一性を低下することができる。
【0046】
キャリヤ・ヘッドでの種々の部材の構造、フレキシブルな膜、スペーサ・リング、制御リング及び支持構造体等は、例であって及び制限するものではない。本発明を実施するキャリヤ・ヘッドにとっていろいろな構造が可能である。例えば、浮動上部チャンバは、環状の又は固体のボリュームのどちらでもあることができる。上部及び下部チャンバは、フレキシブルな膜或いは、比較的硬いバッキング又は支持構造体のいずれによっても切り離されることができる。内部支持構造体は、貫通するアパーチャを有するリング型又はディスク型のいずれでもあることができる。キャリヤ・ヘッドはローディング・チャンバなしでつくられることができ、ベース組立体及びハウジングは一個の構造であることができる。
【0047】
本発明は、多くの実施形態に関して説明された。しかし、本発明は、表現された説明された実施形態に限定されない。むしろ、本発明の範囲は、添付の請求項によって定義される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、化学的機械的研磨装置の分解斜視図である。
【図2】 図2は、本発明に従ったキャリヤ・ヘッドの概略図横断面図である。
【図3】 図3は、エッジ制御装置を有するキャリヤ・ヘッドからの拡大図である。
【図4】 図4A及び4Bは、図2のキャリヤ・ヘッドからのフレキシブル膜組立体の概略断面側面図である。
【図5】 図5A及びSBは、制御可能なローディング・エリアを示す図2のキャリヤ・ヘッドの概略図である。
【図6】 図6A及び6Bは、図2のキャリヤ・ヘッドでの圧力及び力分配を図示した概略図である。
【図7】 図7は、基板バッキング組立体での硬い膜サポートリングを有するキャリヤ・ヘッドの概略図横断面図である。
【図8】 図8A及び8Bは、図7のキャリヤ・ヘッドで圧力及び力分配を図示した概略図である。
Claims (11)
- 第一材料で形成され、外側端部へ延びる中央部分と、
前記中央部分を囲み、前記中央部分の前記外側端部から延びる環状部分であって、前記第一材料と異なる剛性を有している第二材料で形成される環状部分と、
を備えるキャリヤ・ヘッドのためのフレキシブル膜であって、
前記第一材料が前記第二材料より硬い、
前記フレキシブル膜。 - 前記環状部分が、キャリヤ構造に固定される周辺部分を含む請求項1に記載のフレキシブル膜。
- 前記環状部分が、前記中央部分と前記周辺部分との間で延びる環状のコネクタ部分を含む請求項2に記載のフレキシブル膜。
- 前記中央部分の下面が基板用のマウンティング表面を提供する請求項3に記載のフレキシブル膜。
- 前記環状のコネクタ部分が、前記中央部分を越えて内方へ延びるリップ部分を含む請求項4に記載のフレキシブル膜。
- 前記コネクタ部分が前記第二材料で形成され、前記周辺部分が第三材料で形成される請求項3に記載のフレキシブル膜。
- 前記第一材料が前記第二材料より硬く、前記第二材料が前記第三材料より硬い請求項6に記載のフレキシブル膜。
- 前記第二材料及び前記第三材料が弾性体であり、前記第一材料が繊維強化弾性体である請求項6に記載のフレキシブル膜。
- 前記第一材料及び前記第二材料が弾性体である請求項1に記載のフレキシブル膜。
- 第一材料で形成され、外側端部へ延びる中央部分であって、該中央部分の下面が基板用のマウンティング表面を提供する中央部分と、
前記中央部分を囲み、前記中央部分の前記外側端部から延びる環状部分であって、前記第一材料と異なる剛性を有している第二材料で形成される環状部分と、
を備えるキャリヤ・ヘッドのためのフレキシブル膜であって、
前記第一材料が前記第二材料より硬い、
前記フレキシブル膜。 - 周辺部分と、
中央部分と、
前記中央部分及び前記周辺部分の間で延びているコネクタ部分と、
を備えるフレキシブル膜であって、前記フレキシブル膜の周辺部分が第一材料で形成され、前記コネクタ部分は第一材料より硬い第二材料で形成され、前記中央部分は、第二材料より硬い第三材料で形成されるキャリヤ・ヘッドのためのフレキシブル膜。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/535,575 | 2000-03-27 | ||
US09/535,575 US6450868B1 (en) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | Carrier head with multi-part flexible membrane |
PCT/US2001/007974 WO2001072472A2 (en) | 2000-03-27 | 2001-03-12 | Carrier head with a flexible membrane having parts made with different elastomers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003528738A JP2003528738A (ja) | 2003-09-30 |
JP5043269B2 true JP5043269B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=24134818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001570412A Expired - Fee Related JP5043269B2 (ja) | 2000-03-27 | 2001-03-12 | マルチパートのフレキシブル膜を有するキャリヤヘッド |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6450868B1 (ja) |
JP (1) | JP5043269B2 (ja) |
WO (1) | WO2001072472A2 (ja) |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6623343B2 (en) * | 2000-05-12 | 2003-09-23 | Multi Planar Technologies, Inc. | System and method for CMP head having multi-pressure annular zone subcarrier material removal control |
TW458853B (en) * | 2000-07-14 | 2001-10-11 | Applied Materials Inc | Diaphragm for a CMP machine |
DE60138343D1 (de) * | 2000-07-31 | 2009-05-28 | Ebara Corp | Substrathalter und Poliervorrichtung |
JP2002187060A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-07-02 | Ebara Corp | 基板保持装置、ポリッシング装置、及び研磨方法 |
US6592434B1 (en) | 2000-11-16 | 2003-07-15 | Motorola, Inc. | Wafer carrier and method of material removal from a semiconductor wafer |
US6790763B2 (en) * | 2000-12-04 | 2004-09-14 | Ebara Corporation | Substrate processing method |
KR100481872B1 (ko) * | 2003-01-14 | 2005-04-11 | 삼성전자주식회사 | 폴리싱 헤드 및 화학적 기계적 연마 장치 |
US7001245B2 (en) * | 2003-03-07 | 2006-02-21 | Applied Materials Inc. | Substrate carrier with a textured membrane |
US6991516B1 (en) | 2003-08-18 | 2006-01-31 | Applied Materials Inc. | Chemical mechanical polishing with multi-stage monitoring of metal clearing |
US7074109B1 (en) | 2003-08-18 | 2006-07-11 | Applied Materials | Chemical mechanical polishing control system and method |
US8066552B2 (en) * | 2003-10-03 | 2011-11-29 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing |
US20050181711A1 (en) * | 2004-02-12 | 2005-08-18 | Alexander Starikov | Substrate confinement apparatus and method |
US7255771B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Multiple zone carrier head with flexible membrane |
JP4583207B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-11-17 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
US7608173B2 (en) * | 2004-12-02 | 2009-10-27 | Applied Materials, Inc. | Biased retaining ring |
US7276743B2 (en) | 2004-05-13 | 2007-10-02 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring with conductive portion |
US7081042B2 (en) * | 2004-07-22 | 2006-07-25 | Applied Materials | Substrate removal from polishing tool |
US7407433B2 (en) * | 2005-11-03 | 2008-08-05 | Applied Materials, Inc. | Pad characterization tool |
US8454413B2 (en) | 2005-12-29 | 2013-06-04 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber carrier head with a textured membrane |
US7364496B2 (en) * | 2006-03-03 | 2008-04-29 | Inopla Inc. | Polishing head for polishing semiconductor wafers |
US7699688B2 (en) * | 2006-11-22 | 2010-04-20 | Applied Materials, Inc. | Carrier ring for carrier head |
US7727055B2 (en) * | 2006-11-22 | 2010-06-01 | Applied Materials, Inc. | Flexible membrane for carrier head |
US20090023368A1 (en) * | 2007-07-18 | 2009-01-22 | United Microelectronics Corp. | Polishing head and edge control ring thereof, and method of increasing polishing rate at wafer edge |
KR101617716B1 (ko) * | 2008-03-25 | 2016-05-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 개량된 캐리어 헤드 멤브레인 |
US8475231B2 (en) | 2008-12-12 | 2013-07-02 | Applied Materials, Inc. | Carrier head membrane |
US10160093B2 (en) * | 2008-12-12 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Carrier head membrane roughness to control polishing rate |
US20110159784A1 (en) * | 2009-04-30 | 2011-06-30 | First Principles LLC | Abrasive article with array of gimballed abrasive members and method of use |
US8460067B2 (en) * | 2009-05-14 | 2013-06-11 | Applied Materials, Inc. | Polishing head zone boundary smoothing |
JP5392483B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2014-01-22 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
US20120021673A1 (en) * | 2010-07-20 | 2012-01-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate holder to reduce substrate edge stress during chemical mechanical polishing |
US20120264359A1 (en) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Nanya Technology Corporation | Membrane |
KR101196652B1 (ko) * | 2011-05-31 | 2012-11-02 | 주식회사 케이씨텍 | 캐리어 헤드의 멤브레인 결합체 및 이를 구비한 캐리어 헤드 |
JP5837367B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2015-12-24 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
KR20130131120A (ko) * | 2012-05-23 | 2013-12-03 | 삼성전자주식회사 | 연마 헤드용 가요성 멤브레인 |
US10532441B2 (en) * | 2012-11-30 | 2020-01-14 | Applied Materials, Inc. | Three-zone carrier head and flexible membrane |
WO2014163735A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-10-09 | Applied Materials, Inc. | Reinforcement ring for carrier head |
CN105081957A (zh) * | 2014-05-14 | 2015-11-25 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种用于晶圆平坦化生产的化学机械研磨方法 |
US10029346B2 (en) * | 2015-10-16 | 2018-07-24 | Applied Materials, Inc. | External clamp ring for a chemical mechanical polishing carrier head |
CA2981017C (en) * | 2016-09-30 | 2021-02-09 | Flir Systems, Inc. | Gimbal system with dual-wiper gasket for a rotary seal |
WO2020167485A1 (en) * | 2019-02-14 | 2020-08-20 | Axus Technology, Llc | Substrate carrier head and processing system |
KR102673907B1 (ko) | 2019-04-01 | 2024-06-10 | 주식회사 케이씨텍 | 연마 헤드용 격벽 멤브레인 |
SG10202008012WA (en) * | 2019-08-29 | 2021-03-30 | Ebara Corp | Elastic membrane and substrate holding apparatus |
US11440159B2 (en) * | 2020-09-28 | 2022-09-13 | Applied Materials, Inc. | Edge load ring |
US11724355B2 (en) | 2020-09-30 | 2023-08-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate polish edge uniformity control with secondary fluid dispense |
WO2022081398A1 (en) | 2020-10-13 | 2022-04-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing apparatus with contact extension or adjustable stop |
US11623321B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Polishing head retaining ring tilting moment control |
JP2023516875A (ja) * | 2020-11-10 | 2023-04-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 局所的なウエハ圧力を有する研磨ヘッド |
JP2022191609A (ja) * | 2021-06-16 | 2022-12-28 | 株式会社Sumco | 研磨ヘッド、研磨装置及び半導体ウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4918869A (en) | 1987-10-28 | 1990-04-24 | Fujikoshi Machinery Corporation | Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor |
JP2527232B2 (ja) | 1989-03-16 | 1996-08-21 | 株式会社日立製作所 | 研磨装置 |
US5193316A (en) | 1991-10-29 | 1993-03-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium |
US5205082A (en) | 1991-12-20 | 1993-04-27 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head having floating retainer ring |
US5584746A (en) * | 1993-10-18 | 1996-12-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor |
JP2891068B2 (ja) * | 1993-10-18 | 1999-05-17 | 信越半導体株式会社 | ウエーハの研磨方法および研磨装置 |
US5624299A (en) | 1993-12-27 | 1997-04-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use |
US5643053A (en) | 1993-12-27 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control |
US5449316A (en) | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
US5423716A (en) | 1994-01-05 | 1995-06-13 | Strasbaugh; Alan | Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied |
JP3158934B2 (ja) | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
US5908530A (en) | 1995-05-18 | 1999-06-01 | Obsidian, Inc. | Apparatus for chemical mechanical polishing |
US5643061A (en) | 1995-07-20 | 1997-07-01 | Integrated Process Equipment Corporation | Pneumatic polishing head for CMP apparatus |
US5615597A (en) | 1995-08-07 | 1997-04-01 | Aquatec Water Systems, Inc. | Composite diaphragm for diaphragm pumps having two different shore-hardness materials |
EP0786310B1 (en) | 1996-01-24 | 2002-12-04 | Lam Research Corporation | Wafer polishing head |
JP3663767B2 (ja) | 1996-09-04 | 2005-06-22 | 信越半導体株式会社 | 薄板の鏡面研磨装置 |
US6146259A (en) | 1996-11-08 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with local pressure control for a chemical mechanical polishing apparatus |
US6183354B1 (en) * | 1996-11-08 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
US6056632A (en) * | 1997-02-13 | 2000-05-02 | Speedfam-Ipec Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head |
US5851140A (en) * | 1997-02-13 | 1998-12-22 | Integrated Process Equipment Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate |
JP3575944B2 (ja) * | 1997-03-10 | 2004-10-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 研磨方法、研磨装置および半導体集積回路装置の製造方法 |
US5957751A (en) | 1997-05-23 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system |
US5964653A (en) | 1997-07-11 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
JP3164045B2 (ja) * | 1997-11-27 | 2001-05-08 | 日本電気株式会社 | 半導体ウエハー取付基台 |
US5985094A (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-16 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer carrier |
US6210255B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-04-03 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate |
US6159079A (en) | 1998-09-08 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate |
US6244942B1 (en) * | 1998-10-09 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane and adjustable edge pressure |
US6165058A (en) | 1998-12-09 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
US6422927B1 (en) | 1998-12-30 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing |
JP2001113457A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-24 | Hitachi Ltd | 化学機械研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-03-27 US US09/535,575 patent/US6450868B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-03-12 WO PCT/US2001/007974 patent/WO2001072472A2/en active Search and Examination
- 2001-03-12 JP JP2001570412A patent/JP5043269B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-07-01 US US10/188,259 patent/US6776694B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001072472A3 (en) | 2002-05-10 |
US6450868B1 (en) | 2002-09-17 |
JP2003528738A (ja) | 2003-09-30 |
US20020182996A1 (en) | 2002-12-05 |
US20020094767A1 (en) | 2002-07-18 |
WO2001072472A2 (en) | 2001-10-04 |
US6776694B2 (en) | 2004-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5043269B2 (ja) | マルチパートのフレキシブル膜を有するキャリヤヘッド | |
US6361419B1 (en) | Carrier head with controllable edge pressure | |
US6722965B2 (en) | Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area | |
US6241593B1 (en) | Carrier head with pressurizable bladder | |
JP4427191B2 (ja) | 化学機械研磨用可撓メンブレン付キャリアヘッド | |
JP3158934B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
US6494774B1 (en) | Carrier head with pressure transfer mechanism | |
US6645044B2 (en) | Method of chemical mechanical polishing with controllable pressure and loading area | |
US6431968B1 (en) | Carrier head with a compressible film | |
US6165058A (en) | Carrier head for chemical mechanical polishing | |
JP2004500251A (ja) | 調節可能な圧力領域及び隔壁を有する加工物キャリヤ | |
JP2000354959A (ja) | 基板に圧力を加えて保持するためのキャリアヘッド | |
US6358121B1 (en) | Carrier head with a flexible membrane and an edge load ring | |
JP4750250B2 (ja) | 変更された可撓膜を有するキャリアヘッド | |
JP4519972B2 (ja) | 化学機械研磨の制御可能圧力及びローディング領域を有するキャリヤヘッド | |
US20020177395A1 (en) | Polishing head of a chemical and mechanical polishing apparatus for polishing a wafer | |
JP2000354949A (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
JP4378135B2 (ja) | 化学的機械研磨システムの支持ヘッド用メンブレン | |
TWI839644B (zh) | 具有接觸延伸件或可調節止動件的基板拋光裝置 | |
TW202228913A (zh) | 具有接觸延伸件或可調節止動件的基板拋光裝置 | |
KR20030059638A (ko) | 폴리싱 헤드가 구비된 화학기계적 연마장치 | |
JP2002313761A (ja) | ウェーハ研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080228 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101108 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101210 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101216 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110316 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110324 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110915 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111215 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120614 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120712 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |