KR101617716B1 - 개량된 캐리어 헤드 멤브레인 - Google Patents

개량된 캐리어 헤드 멤브레인 Download PDF

Info

Publication number
KR101617716B1
KR101617716B1 KR1020107023707A KR20107023707A KR101617716B1 KR 101617716 B1 KR101617716 B1 KR 101617716B1 KR 1020107023707 A KR1020107023707 A KR 1020107023707A KR 20107023707 A KR20107023707 A KR 20107023707A KR 101617716 B1 KR101617716 B1 KR 101617716B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
membrane
substrate
carrier head
bead
delete delete
Prior art date
Application number
KR1020107023707A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100133447A (ko
Inventor
영 진 백
멜빈 바렌티네
아브히지트 와이. 데사이
하이 엔구옌
아쉬시 바트나가르
라즈쿠말 알라가르사미
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20100133447A publication Critical patent/KR20100133447A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101617716B1 publication Critical patent/KR101617716B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612—Composite web or sheet

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)
  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Gasket Seals (AREA)

Abstract

기판을 평탄화하기 위한 방법 및 장치가 제공된다. 기판을 단단히 지지하기 위한 향상된 커버를 구비한 기판 캐리어 헤드가 제공된다. 이러한 커버는 그것 내로 피팅되는 리세스보다 큰 비드를 가질 수 있어서, 압축이 리세스 내부에서 컨포멀 밀봉을 형성한다. 또한, 헤드는 그루브의 표면에 대한 비드의 부착을 향상시키도록 코팅되지 아니한 채로 남겨질 수 있다. 커버의 표면은 비교착(non-stick) 코팅을 이용하지 아니하면서 커버에 대한 기판의 부착을 감소시키도록 거칠어질 수 있다.

Description

개량된 캐리어 헤드 멤브레인 {IMPROVED CARRIER HEAD MEMBRANE}
본 명세서는 일반적으로 반도체 제조를 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 실시예들은 반도체 기판 평탄화 장치 및 이러한 장치의 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 산업에서, 평탄화는 기판으로부터 물질을 제거하는 단계, 기판 표면을 매끄럽게 하는 단계 및 기판 표면 밑의 층들을 노출시키는 단계를 갖는 프로세스이다. 전형적으로, 하나 또는 복수의 증착 프로세스가 기판 상에 물질 층들을 형성한 후에, 기판은 평탄화를 거친다. 하나의 이러한 프로세스에서, 기판의 필드 영역에 개구가 형성되며, 이러한 개구는 전기도금과 같은 도금 프로세스에 의해 금속으로 채워진다. 금속이 개구를 채움으로써 표면에 와이어 또는 콘택(contacts)과 같은 피처가 생성된다. 개구는 주위 기판의 레벨까지만 금속으로 채워지는 것이 바람직하지만, 증착은 개구 뿐만 아니라 필드 영역 상에서도 일어난다. 이러한 불필요한 여분의 증착은 제거되어야만 하며, 여분의 금속을 제거하기 위해 선택된 방법이 평탄화이다.
화학 기계적 평탄화(Chemical Mechanical Planarization; CMP)는 평탄화 프로세스 가운데 보다 흔한 유형 중 하나이다. 기판은 제 위치에서 단단히 지지되고 연마 패드 또는 웹에 의해 스크러빙된다. 웹이 기판 밑에서 선형으로 이동함에 따라 기판은 웹에 대해 회전할 수 있거나, 또는 기판이 패드에 대해 회전하는 동안 패드 또한 동일 또는 반대 방향으로 회전하거나, 선형으로 이동하거나, 원형 움직임으로 이동하거나 또는 이들의 임의의 조합이 가능할 수 있다. 물질 제거를 가속하기 위해 연마 조성물이 스크러빙 패드에 빈번하게 추가된다. 전형적으로 이러한 조성물은 기판을 윤내기 위한 연마 물질 및 기판 표면으로부터 물질을 분해하기 위한 화학물질을 포함한다. 또한 전자-화학 기계적 평탄화의 경우, 전자화학 수단에 의해 물질 제거를 가속하기 위해 기판에 전압이 가해진다.
이러한 프로세스 동안 기판 표면에 가해지는 힘은 상당할 수 있다. 기판이 프로세싱 위치 안으로 및 밖으로 수직 이동하는 것이 최대 10 psi의 축방향 힘을 발생시킬 수 있는 동안, 스크러빙 프로세스는 전형적으로 기판의 표면에 최대 100 파운드 퍼 스퀘어 인치(psi)의 전단 응력을 생성한다. 이러한 힘은 기판 파손에 대하여 기판을 보호하고 균일한 결과를 보장하기 위해, 프로세싱 이전에, 동안에 그리고 이후에 기판이 제 위치에서 단단히 지지될 것을 요구한다.
대부분의 실시예에서, 기판은 캐리어 헤드에 의해 제 위치에서 지지되는데, 이러한 예시는 도 1의 개략적인 단면도에서 도시된다. 캐리어 헤드(100)는 기판 체결부(102)를 구비한다. 기판 체결부(102)에는 멤브레인 또는 다이어프램(104)이 피팅된다. 멤브레인(104)은 캐리어 헤드(100)에 의해 지지되고 있는 기판과 접촉한다. 또한, 캐리어 헤드(100)는 일반적으로 하나 또는 복수의 통로(106)를 구비한다. 통로(106)는 멤브레인(104)의 형상을 제어하기 위해 캐리어 헤드(100)의 안으로 또는 밖으로 가스가 펌핑되는 것을 허용한다. 작동시, 캐리어 헤드(100)는 기판에 대해 멤브레인(104)을 프레싱함으로써 기판과 접촉할 것이다. 가스는 통로(106)를 통해 캐리어 헤드(100) 밖으로 펌핑되어서, 멤브레인(104) 뒤에 진공을 생성할 것이다. 멤브레인(104)은 오목하게 되어서, 멤브레인(104)과 기판 사이에 진공을 생성한다. 캐리어 헤드(100)와 대면하는 기판 표면 및 캐리어 헤드(100)를 등지는 표면 사이의 압력차는 캐리어 헤드에 대해 기판에 힘을 가해서 "진공 처크"를 생성한다. 따라서, 캐리어 헤드(100)는 프로세싱 동안 단단히 기판을 지지한다. 프로세싱 이후 기판을 릴리스하기 위해, 가스는 통로(106)를 통해 캐리어 헤드(100) 안으로 펌핑된다. 이것은 진공을 릴리브하고, 멤브레인(104)을 그 평평한 위치로 되돌리며, 진공 처크를 릴리스한다.
일반적으로 멤브레인(104)은, 도 1a에서 도시된 것처럼 캐리어 헤드(100)에 그루브(110)를 체결하는, 멤브레인(104)의 에지에서의 비드(108) 덕분에 캐리어 헤드(100)에 부착된다. 비드(108)는 그루브(110) 내에 피팅되는 크기로 형상화된 에지 피처이다. 몇몇의 경우, 멤브레인의 탄성으로 인해 비드(108)가 그루브(110)에서 지지되고, 멤브레인(104)이 캐리어 헤드(100)에 부착된 채로 유지된다. 기판과 멤브레인(104) 간의 접촉력은 프로세싱 동안 기판의 측방향 움직임에 저항하는 마찰력을 생성한다. 또한, 진공 처크는 프로세싱 표면 위에서의 리프팅을 위해 캐리어 헤드에 대해 기판을 지지한다.
오늘날의 캐리어 헤드에 흔히 이용되는 멤브레인은 불행히도 상당한 누출 속도를 갖는다. 멤브레인 누출은 멤브레인 뒤에서의 진공의 유지를 손상시켜서, 프로세싱 동안 캐리어 헤드로부터 기판이 디커플링되는 것을 허용한다. 일반적으로, 진공 처크는 평탄화 동안 발생하는 전단 응력을 견디기에 충분한 힘을 가져야 한다. 진공력이 너무 낮다면, 전단 응력이 마찰력을 극복하여, 기판은 캐리어 헤드로부터 탈착된다. 이는 종종 기판에 대한 손상을 야기하여, 기판을 사용 불가능하게 만든다. 프로세싱 장비로부터 디커플링된 기판은 생산 라인 상의 다른 기판을 빈번하게 손상시킨다. 손상된 기판을 제거하기 위해 생산 라인을 중단하는 것이 종종 필요하다.
또한, 기판은 멤브레인에 교착된다. 프로세스 이후, 멤브레인 표면에 대해 강하게 압박된(forcefully ugged) 기판의 부분들은 멤브레인에 부착되어, 기판을 장치로부터 제거하는 것을 어렵게 만든다. 심지어 기판의 디처킹(de-chuck)을 위해 하나 또는 복수의 챔버에 압력이 가해질 때에도, 기판은 멤브레인에 부착되어 디처킹에 저항할 수 있다. 또한, 희망되는 것보다 더 길게 캐리어 헤드에 부착된 기판은 손상될 수 있다.
이에 따라, 평탄화 동안 단단히 기판을 지지하고 프로세싱 이후 기판을 신뢰성 있게 릴리스할 수 있는 캐리어 헤드에 대한 지속적인 요구가 존재한다.
실시예들은 일반적으로 평탄화 장치에서 기판을 조작(manipulate)하기 위한 캐리어 헤드 및 커버를 제공한다.
일 태양에서, 기판 캐리어 헤드를 위한 커버가 제공되는데, 이러한 커버는 기판을 체결시키는 표면, 캐리어 헤드 상에서 수용 구조물을 체결시키기 위한 표면의 에지에 있는 비드를 포함하며, 상기 비드의 폭은 수용 구조물의 폭보다 크다. 캐리어 헤드는 상부 및 하부를 갖고, 내부에 수용 구조물이 형성된다. 상부에 대해 하부가 이동하는 것을 허용하는 방식으로 하부가 상부에 결합(mate)된다. 수용 구조물의 폭보다 큰 두께를 갖는 비드를 멤브레인의 에지부 상에 형성하고 상기 비드를 상기 수용 구조물 내로 삽입하고 상기 수용 구조물에 정합되게 상기 비드를 압축함으로써, 멤브레인 및 캐리어 헤드 사이에 밀봉이 형성된다.
다른 태양에서, 기판 캐리어 헤드를 위한 멤브레인이 제공되는데, 상기 멤브레인은 기판을 체결시키는 장착면, 상기 장착면으로부터 연장하는 둘레부, 상기 둘레부로부터 연장하는 비드, 그리고 코팅부와 비코팅부를 형성하도록 멤브레인의 일부를 커버하는 비교착 코팅을 포함하며, 상기 비코팅부는 비드를 포함한다. 캐리어 헤드는 멤브레인이 커플링되는 베이스와 상기 베이스에 부착되는 비코팅된 비드를 포함하고, 이로 인해 형성된 밀봉이 향상된다. 코팅되지 아니한 채로 남아 있는 멤브레인의 부분들 위에 마스크를 적용하고 비교착 코팅을 적용하고 그리고 마스크를 제거하는 것에 의해서 비교착 코팅이 멤브레인의 부분들에 적용된다.
다른 태양에서, 기판 캐리어 헤드를 위한 멤브레인은 기판을 체결시키기 위한 표면과 캐리어 헤드에서 수용 구조물을 체결시키기 위한 표면의 에지에 있는 비드를 포함한다. 이러한 표면은 적어도 약 10 마이크로 인치의 Ra 거칠기를 갖는다.
구현들은 이하의 특징 중 하나 또는 복수의 특징을 포함할 수 있다. 수용 구조물은 그루브일 수 있다. 표면은 적어도 약 15 마이크로 인치의 Ra 거칠기를 가질 수 있다. 표면은 약 0.02 lbs 미만, 예를 들어 약 0.01 lbs 미만의 교착력으로 기판에 부착될 수 있다. 수용 구조물은 캐리어 헤드의 베이스부에서 형성될 수 있고, 베이스부는 캐리어 헤드의 하우징부에 이동가능하게 커플링될 수 있다. 표면은 기판의 중량 미만의 교착력으로 기판에 부착될 수 있다.
다른 태양에서, 기판 캐리어 헤드를 위한 멤브레인은 기판을 체결시키기 위한 장착면, 상기 장착면으로부터 연장하는 둘레부, 상기 둘레부로부터 연장하는 비드, 그리고 코팅부 및 비코팅부를 형성하도록 멤브레인의 일부를 커버하는 비교착 코팅을 포함한다. 비코팅부는 비드를 포함한다.
구현들은 이하의 특징들 중 하나 또는 복수의 특징을 포함할 수 있다. 비코팅부는 둘레부를 포함할 수 있다. 멤브레인의 누출 속도는 약 0.2 psi/min 미만일 수 있다. 비드의 표면은 적어도 6.0 Pa의 교착 장력으로 금속에 부착될 수 있다. 비드는 캐리어 헤드의 베이스부에 형성된 수용 구조물과 체결되도록 구성될 수 있고, 베이스부는 캐리어 헤드의 하우징부에 이동가능하게 커플링될 수 있다.
다른 태양에서, 평탄화 장치에서 기판을 조작하는 방법은 멤브레인을 가진 캐리어 헤드를 제공하는 단계, 기판에 대해 멤브레인의 표면을 프레싱하고 진공 처크를 형성하도록 멤브레인 뒤에서 압력을 감소시킴으로써 기판을 체결시키는 단계, 그리고 진공 처크를 릴리스하여서 기판을 분리시키는 단계를 포함한다. 멤브레인은 적어도 약 0.10 마이크로 인치의 Ra 거칠기를 갖는 표면을 갖는다.
구현들은 이하의 특징들 중 하나 또는 복수의 특징을 포함할 수 있다. 기판의 중량은 멤브레인의 표면과 기판 사이의 교착력을 초과할 수 있다. 기판을 분리시키는 단계는 기판의 중량에 의해 멤브레인의 표면으로부터 기판이 분리되는 것을 허용하는 단계를 더 포함할 수 있다. 기판은 약 0.01 lbs 미만의 교착력으로 멤브레인의 표면에 부착될 수 있다. 멤브레인을 제공하는 단계는, 적어도 멤브레인의 일부에 표면 거칠기를 부여(impart)하도록 설계된 내부면을 가지는 몰드에 경화 가능한 액체를 제공하는 단계, 멤브레인을 형성하도록 액체를 설정하는 단계, 및 몰드로부터 멤브레인을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 멤브레인을 제공하는 단계는 경화 가능한 액체를 몰드로 제공하는 단계, 멤브레인을 형성하도록 액체를 설정하는 단계, 몰드로부터 멤브레인을 제거하는 단계, 그리고 멤브레인 표면을 거칠게 하도록 기계적 힘을 가하는 단계를 포함할 수 있다.
다른 태양에서, 평탄화 장치용 멤브레인의 형성 방법은, 평평한 중앙부, 윤곽을 가진 둘레부, 및 에지 주위의 비드를 갖는 가요성 물품을 형성하는 단계; 가요성 물품의 일부에 마스크를 적용하는 단계; 비교착 코팅으로 물품을 코팅하는 단계; 및 마스크를 제거하는 단계를 포함한다.
구현들은 이하의 특징들 중 하나 또는 복수의 특징을 포함할 수 있다. 가요성 물품은 실리콘 고무, 부틸 고무, 천연 고무, EPDM 고무, 폴리이미드, 및 열가소성 탄성체를 포함한 그룹으로부터 선택된 물질로 형성될 수 있다. 가요성 물품의 일부를 마스크하는 단계는 물품의 일부 위에 가요성 커버링을 피팅하는 단계를 포함할 수 있다. 물품의 마스크된 부분은 비드를 포함할 수 있다. 비교착 코팅은 예를 들어 파릴렌 코팅과 같은 폴리머 코팅일 수 있다. 가요성 물품을 형성하는 단계는 경화 가능한 액체를 몰드에 제공하는 단계, 액체를 가열하여 경화시키는 단계, 및 몰드로부터 가요성 물품을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
다른 태양에서, 기판 캐리어 헤드용 멤브레인은 기판을 체결시키기 위한 표면, 및 캐리어 헤드 상에서 수용면을 체결시키기 위한 표면의 에지에 있는 비드를 포함한다. 이러한 비드의 폭은 수용 구조물의 폭보다 크다.
구현들은 이하의 특징들 중 하나 또는 복수의 특징을 포함할 수 있다. 수용 구조물은 그루브일 수 있다. 비드의 폭은 수용 구조물의 폭보다 적어도 약 10% 클 수 있다. 멤브레인의 두께는 수용 구조물의 폭 미만일 수 있다. 비드는 원형 단면 형상을 가질 수 있다. 비드는 수용 구조물과 체결될 때 적어도 약 10%, 예를 들어 약 12% 내지 약 20%의 압축률을 겪을 수 있다. 비드의 압축은 수용 구조물 내부에서의 컨포멀(conformal) 밀봉을 야기할 수 있다. 표면은 적어도 약 10마이크로 인치의 Ra 거칠기를 가질 수 있다. 멤브레인의 일부는 코팅 영역 및 비코팅 영역을 형성하도록 비교착 코팅으로 코팅될 수 있으며, 비교착 영역은 적어도 비드를 포함한다. 비드의 표면은 적어도 6.0Pa의 교착 장력으로 금속에 부착될 수 있다.
다른 태양에서, 화학 기계적 폴리싱 장치에서 기판을 조작하기 위한 캐리어 헤드는 하우징, 하우징에 커플링된 베이스, 및 베이스에 커플링된 커버를 포함한다. 커버는 베이스 상에서 수용 구조물을 체결시키는 비드를 포함하고, 압축되지 않은 비드의 두께는 수용 구조물의 폭보다 크다.
구현들은 이하의 특징들 중 하나 또는 복수의 특징을 포함할 수 있다. 수용 구조물은 그루브일 수 있다. 비드는 수용 구조물과 체결될 때 적어도 약 10%, 예를 들어 약 12% 내지 약 20%의 압축률을 겪을 수 있다. 커버는 약 0.2 psi/min 미만의 누출 속도를 가질 수 있다. 비드의 표면은 밀봉을 형성하기 위해 그루브의 표면과 정합될 수 있다. 커버는 기판을 체결하기 위한 표면을 더 포함할 수 있으며, 표면은 적어도 약 10 마이크로 인치의 Ra 거칠기를 가질 수 있다. 커버의 일부는 코팅 영역 및 비코팅 영역을 형성하기 위해 비교착 코팅으로 코팅될 수 있고, 비코팅 영역은 적어도 비드를 포함할 수 있다. 비드의 표면은 적어도 6.0 Pa의 교착 장력으로 금속에 부착될 수 있다.
다른 태양에서, 기판 캐리어 헤드 및 멤브레인 사이의 밀봉을 형성하는 방법은 기판 캐리어 헤드의 일부에 그루브를 제공하는 단계, 그루브의 폭보다 큰 두께를 가진 멤브레인의 에지 주위의 비드를 형성하는 단계, 그루브 내로 비드를 삽입하는 단계, 그리고 비드의 표면이 그루브의 표면에 정합되어 밀봉을 형성하도록 그루브 내부에서 비드를 압축하는 단계를 포함한다.
구현들은 이하의 특징들 중 하나 또는 복수의 특징을 포함할 수 있다. 비드의 두께는 그루브의 폭보다 적어도 약 10% 클 수 있다. 그루브 내부에서 비드를 압축시키는 단계는 적어도 약 10%, 예를 들어 약 12% 내지 20%의 압축률까지 비드를 변형시킬 수 있다. 그루브 내부에서 비드를 압축시키는 단계에 의해 그루브 내에 약 1% 미만의 빈 공간이 발생할 수 있다.
다른 태양에서, 기판 캐리어 헤드를 위한 멤브레인이 제공되고, 이러한 멤브레인은 기판을 체결시키기 위한 표면, 베이스에서 수용 구조물을 체결시키기 위한 표면의 에지에 있는 비드를 포함하며, 표면은 적어도 약 10 마이크로 인치의 Ra 거칠기를 갖는다. 멤브레인 상의 비드는 캐리어 헤드 상에서 그루브와 결합된다.
상기 언급된 특징을 상세하게 이해할 수 있도록, 앞서 간략히 요약된, 보다 상세한 설명이 실시예들을 참조하여 기술될 수 있는데 상기 실시예들 중 일부는 첨부된 도면에서 도시된다. 그러나 첨부된 도면은 오직 전형적인 실시예만을 도시하고 있으므로 이러한 도면은 청구항의 범주를 제한하고자 의도되지 아니함을 유의하여야 하는데, 다른 균등하게 유효한 실시예들이 가능할 수 있기 때문이다.
도 1은 예시적인 종래 기술에 따른 캐리어 헤드 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1a는 도 1의 장치의 상세도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 예시적인 캐리어 헤드 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2a 및 2b는 도 2의 장치의 상세도이다.
도 3a 및 3b는 실시예들에 따른 두 개의 캐리어 헤드 멤브레인의 개략적인 단면도이다.
도 4a는 일 실시예에 따른 장치의 사시도이다.
도 4b는 일 실시예에 따른 마스크 장치의 측면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 캐리어 헤드 장치의 개략적인 단면도이다.
이해를 촉진시키기 위해 가능한한 동일한 참조 번호가 도면에서 공통적인 동일한 요소를 가리키도록 이용되었다. 일 실시예에서 개시된 요소는 구체적인 인용이 없어도 다른 실시예들에 유리하게 이용될 수 있음이 고려된다.
실시예들은 일반적으로 평탄화 프로세스에서 기판을 조작하기 위한 기판 캐리어 헤드를 제공한다. 도 2는 일 실시예에 따른 예시적인 캐리어 헤드(200)를 도시한다. 도 2에서 도시된 캐리어 헤드(200)는 하우징(202), 베이스(204) 및 멤브레인(206)을 갖는다. 하우징(202)은 일반적으로 캐리어 헤드(200)에 구조 지지체를 제공하고, 이를 (미도시된) 장치의 나머지 부분에 부착시키며, 캐리어 헤드(200)의 안으로 그리고 밖으로 프로세스 가스를 통과시키기 위한 도관(208)을 제공한다. 몇몇 실시예들에서, 베이스(204)는, 하우징(202) 및 베이스(204) 사이에서 특정한 정도의 독립적인 이동을 허용하도록 가요성 다이어프램(210)에 의해 하우징(202)에 커플링된다. 이러한 커플링으로 인하여, 기판이 캐리어 헤드(200) 상에서 밀봉을 유지하면서 캐리어 헤드(200) 상에 장착될 때, 작업 표면에 대한 기판 위치가 조정될 수 있다. 본 기술 분야에서 잘 알려져 있으며 본 출원인에게 공통으로 양도된 미국 특허 제 6,183,354호에 의해 예시되고 베이스(204) 내에 위치하며 하우징(202)에 대한 베이스(204)의 이동을 구속하도록 구성된, 기계장치(미도시)에 의해 베이스(204)의 이동이 제어될 수 있다. 다이어프램(210)은 CMP 프로세스의 기계적 및 화학적 요구사항을 감당할 수 있는 임의의 가요성 물질로 만들어질 수 있다. 이러한 물질은 부틸 고무, EPDM 고무, 천연 고무, 또는 실리콘 고무와 같은 탄성 물질을 포함할 수 있다.
베이스(204)는 베이스(204)의 하부면에서 멤브레인(206)에 의해 커버된다. 일반적으로 멤브레인(206)은 기판을 체결시키는 표면(212), 둘레부(214), 및 멤브레인(206)의 에지에 있는 비드(bead; 216)를 포함한다. 일반적으로 비드(216)는 멤브레인의 에지에 있는 형상화된 피처이며, 몇몇 실시예들에서 멤브레인 표면(212)의 두께보다 큰 두께를 가질 수 있다. 비드(216)는 베이스(204)에 형성된 그루브(218)를 이용하여 베이스(204)를 체결시킨다. 몇몇 실시예들에서, 비드(216)는, 베이스(204) 상에 멤브레인(206)을 설치하기 위해 그루브(218) 안으로 삽입된다. 가요성 멤브레인(206)은 베이스(204)에 걸쳐 신장되고, 가요성 멤브레인과 베이스가 함께 협력하여 멤브레인 위에 공간(220)을 형성한다. 공간(220) 내 압력은 멤브레인(206) 뒤에 진공을 생성하도록 조작될 수 있다. 멤브레인 표면(212)이 기판과 접촉할 때, 이러한 진공이 멤브레인 표면(212)을 변형시켜서 멤브레인 표면(212)을 기판 표면으로부터 멀어지게 당긴다. 멤브레인 표면(212)이 멀어질 때 멤브레인 표면(212)의 에지부(222)는 기판 표면과 접촉한 채로 남아 있고, 멤브레인 표면(212) 및 기판 표면 사이에 진공이 형성된다. 멤브레인을 대면하는 기판 표면 및 멤브레인을 등지는 기판 표면 사이의 압력차는 캐리어 헤드 상으로 기판을 압박하는 힘을 생성하여서 "진공 처크(vacuum chuck)"를 야기한다.
실시예들은 멤브레인(206)을 통하는 그리고 멤브레인 주위에서의 누출을 방지함으로써 진공 처크를 유지시킬 수 있는 방법 및 장치를 제공한다. 도 2a는 도 2에서 도시된 캐리어 헤드(200)의 멤브레인(206)과 결부된 비드(216) 및 그루브(218) 어셈블리의 확대도이다. 비드(216)는 멤브레인(206)의 두께(T)보다 클 수 있는 폭(W)을 가진다. 일반적으로 비드는 원의 아크를 나타내는 단면을 갖는 원형 형상일 수 있거나 또는 타원과 같은 볼록한 커브의 아크를 나타내는 단면을 갖는 난형, 장형(oblong) 또는 타원 형상일 수 있다. 난형, 장형 또는 일반적으로 비원형인 형식의 형상을 가진 비드는 멤브레인(206)의 비드 부착 영역(226)과 실질적으로 평행하거나 또는 동일 평면에 있는 제 1 치수(L) 그리고 멤브레인(206)의 부착 영역(226)에 실질적으로 수직한 제 2 치수(W)를 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제 2 치수(W)는 제 1 치수(L)보다 클 수 있다. 다른 실시예들에서 제 1 치수(L)는 제 2 치수(W)보다 클 수 있다.
비드(216)는 일반적으로 베이스(204) 상에서 그루브(218) 안으로 삽입된다. 오늘날 흔히 이용되는 캐리어 헤드에서, 그루브(218)는 비드(216)의 폭(W)보다 크거나 또는 동일한 폭(Wg)을 갖는다. 이러한 "정확한 피팅(exact fit)" 어셈블리에서, 비드(216)가 그루브(218)로부터 빠져나오는 것을 막는 유지 링(224)에 의해서, 비드(216)가 그루브(218) 안에서 지지될 수 있다. 그루브(218)가 비드에 정확하게 피팅되는 크기이거나 또는 비드보다 큰 크기라면, 상당한 빈 공간이 비드(216) 둘레에 남겨질 수 있으며, 이로 인해 가스가 비드(216) 주위에서 그리고 그루브(218)를 통해 통과할 수 있다. 본 발명의 발명자들은 그루브 폭(Wg)보다 큰 비드(216)를 이용함으로써 멤브레인(206)을 통한 가스 누출을 사실상 제거하는 압축 밀봉을 야기시킬 수 있음을 발견하였다. 도 2b에서 도시된 것처럼, 폭(W)을 가진 비드(216)는 그루브(218) 안으로 삽입될 때 압축 폭(C)까지 압축될 수 있다. 압축율은 R=(W-C)/W로서 정의될 수 있고, 결과적인 분수값에 100을 곱함에 의해 퍼센트로 표현될 수 있다. 따라서, 압축율은 그루브(218) 안으로 삽입될 때 비드(216)의 폭이 감소되는 정도를 나타낸다. 압력 하에서 비드(216)의 표면이 그루브(218)의 표면에 가깝게 정합됨에 따라, 그루브(218) 내에서 비드(216)의 압축이 밀봉을 생성시켜, 비드(216) 주위에서 그루브를 통한 압축된 가스의 통과를 방지한다. 비드 주위의 그루브 내 빈 공간은 1% 미만까지로 감소된다. 약 10% 내지 약 25%의 압축률은 대부분의 실시예들에서 이용될 수 있다. 그러나 약 12% 내지 약 20%의 압축률이 바람직하다. 캐리어 헤드 상에서 수용 구조물보다 큰 비드를 이용하는 것은 멤브레인의 누출 비율을 0.2psi/min 또는 그 미만까지로 감소시킬 수 있다.
도 2a 및 2b에서 도시된 전술한 바와 같은 멤브레인은 일반적으로 높은 전단 응력 및 산성 조성물과 같은 프로세싱 조건을 감당할 수 있는 가요성 물질로 만들어질 것이다. 일반적으로 실리콘 고무, 부틸 고무, 천연 고무, EPDM 고무, 폴리이미드, 및 열가소성 탄성체와 같은 내구성 있는 중합 물질은 캐리어 헤드 멤브레인을 형성하는데 유용할 수 있다.
기판은 CMP 장치에서 캐리어 헤드를 커버하는 멤브레인에 교착된다. 이러한 교착은 때때로 기판에 대한 손상 및 생산 중단을 야기할 수 있다. 캐리어 헤드 멤브레인에 교착되는 기판이 적절한 시간에 분리되지 않을 수 있고 기판 핸들링 장치에 의해 기판이 손상될 수 있다. 이러한 손상된 기판은 뒤에 후속 기판을 손상시키는 파편 또는 입자를 남길 수 있으며, 이로 인해 일련의 허비된(lost) 기판들이 야기된다. 또한, 조각을 제거하기 위해 생산 라인을 중단하는 것이 필요할 수 있다.
캐리어 헤드 멤브레인에 기판이 교착되는 것을 타파하기 위해, 제조자들은 흔히 파릴렌과 같은 비교착 코팅으로 멤브레인을 코팅해 왔다. 파릴렌 코팅 프로세스는 저압 증기상 증착 프로세스이다. 디파라자일렌(diparaxylylene)으로서도 알려진 파릴렌 이합체는 멤브레인 상에 증착되고 폴리파라자일렌으로 중합되는, 파라자일렌 이중라디컬을 만들도록 증기화되고 열분해된다(pyrolyzed). 코팅은 컨포멀하게 멤브레인을 커버하여, 기판이 멤브레인에 교착되는 경향을 제거한다. 그러나, 이는 또한 멤브레인 비드가 그루브에 정합되는 능력을 감소시켜서, 높은 속도의 가스 누출을 야기한다.
실시예들은, 기판에 교착되는 경향이 감소되는 것 및 캐리어 헤드 상에서 수용 구조물에 정합되는 비드를 구비하는 멤브레인을 구비하는 캐리어 헤드에 대한 방법 및 장치를 제공한다. 도 3a는 일 실시예에 따른 캐리어 헤드 멤브레인(300)의 단면도이다. 도 3a의 캐리어 헤드 멤브레인은 비드(302)를 갖으며, 비드(302)에까지 연장하나 비드를 커버하지 않는 비교착 코팅(304)에 의해 코팅된다. 따라서, 비교착 코팅(304)은 오직 멤브레인(300)의 둘레부(308) 및 장착면(306) 만을 커버한다. 비드(302)를 코팅되지 아니한 채로 남기는 것은, 다른 표면에 교착되는 멤브레인(300)의 코팅되지 않은 부분의 자연스러운 경향을 이용하여 밀봉을 향상시킨다. 많은 실시예들에서, 캐리어 헤드 상에 멤브레인(300)을 설치하기 위해, 비드(302)는 (미도시된) 캐리어 헤드의 베이스 상에 형성된 그루브와 같은 리세스된 부분 내로 삽입된다. 멤브레인(300)의 코팅되지 않은 표면은 코팅된 표면보다 더욱 탄성적이기 때문에 도 3a의 코팅되지 않은 비드는 리세스된 부분에 더욱 쉽게 정합된다. 추가적으로, 비드(302)의 표면은 리세스된 부분의 내부 표면에 부착되고, 그로 인해 형성된 밀봉을 향상시킨다. 몇몇 실시예들에서, 비드의 표면과 같은 멤브레인의 물질은 일반적으로 적어도 약 6.0 Pa의 교착력으로 금속에 부착된다. 다른 실시예들에서, 베이스로부터 비드를 분리시키는데 필요한 힘은 적어도 약 0.5 mN이다.
도 3b는 다른 실시예에 따른 캐리어 헤드 멤브레인의 단면도이다. 도 3b의 실시예에서, 비교착 코팅(304)은 멤브레인의 둘레부(308)까지 연장한다. 따라서, 비교착 코팅은 오직 장착면(306)만을 커버하며, 둘레부(308) 및 비드(304)는 코팅되지 않은 표면을 포함한다. 대안적인 실시예들에서, 장착면(306)에 적용된 것보다 얇은 비교착 코팅이 비드(302)에 적용될 수 있다. 예를 들면, 몇몇 실시예들에서, 파릴렌 또는 폴리파라자일렌을 포함하는 비교착 코팅은 장착면(306) 상에 50μm 의 두께까지로 하지만 비드(302) 상에서는 단지 10μm의 두께까지로 적용될 수 있다. 비드(302) 상의 얇은 비교착층은 밀봉을 형성하기 위해 베이스의 리세스된 부분과 정합되는 비드(302)의 능력을 향상시키는 한편, 비드(302)를 제거하는데 필요한 탈착력(detachment force)을 감소시킨다.
다른 실시예들은, 기판을 신뢰성 있게 릴리스하기 위해 전술한 바와 같은 비교착 코팅을 필요로 하지 않는 캐리어 헤드 멤브레인을 제공한다. 캐리어 헤드 멤브레인은, 표면 상에 비교착 코팅을 형성하지 아니하면서, 0.02 lbs.미만과 같은, 예를 들어 0.01 lbs.미만의 낮은 교착력을 갖는 기판을 체결시키기 위한 표면으로 형성될 수 있다. , 적어도 약 15μin (micro-inches)와 같은 적어도 약 10μin의 Ra 거칠기를 구비하는 표면을 가진 캐리어 헤드 멤브레인은, 캐리어 헤드가 기판으로부터 분리될 때 기판이 멤브레인 표면에 교착되지 않도록 기판의 중량 미만의 교착력을 가질 것이다. 이러한 캐리어 헤드 멤브레인은, 희망하는 표면 거칠기를 부여하도록 설계된 금형을 이용하여 압축 성형 또는 사출 성형과 같은 몰딩 프로세스에서 형성될 수 있다. 대안적으로 멤브레인이 형성된 이후에 표면을 거칠게 하는 물품을 희망되는 표면에 적용시킴으로써, 표면 거칠기가 부여될 수 있다. 이러한 물품은 표면을 거칠게 하기 위해 표면을 마멸(abrade)시킬 수 있거나, 또는 거친 표면을 부여하도록 멤브레인의 몰딩된 매끄러운 표면에 부착되는 거친 표면을 가진 라미네이트(laminate)일 수 있다. 희망된다면, 거친 표면을 가진 전체 멤브레인에 또는 멤브레인의 거친 표면의 일부에 전술한 바와 같은 비교착 코팅을 적용하는 것에 의해서, 거친 표면의 비교착 품질이 향상될 수 있다.
캐리어 헤드는 전술한 특징들 중 전부 또는 일부를 갖도록 제공될 수 있다. 일 예시에서 도 2와 관련하여 전술한 바와 같이, 캐리어 헤드는, 상부에 대하여 하부가 이동할 수 있도록 상부 및 이와 함께 결합하는 하부를 가질 수 있다. 그루브와 같이, 커버를 위한 수용 위치가 되도록 형성된, 리세스는 하부에 형성될 수 있다. 리세스는 둥근 프로파일 또는 사각형 또는 직사각형 프로파일과 같은 각진 프로파일을 가질 수 있고, 실시예에 따라 그 깊이보다 크거나, 동일하거나 또는 작은 폭을 가질 수 있다.
커버는 기판의 핸들링을 용이하게 하기 위해 캐리어 헤드를 위해 제공될 수 있다. 커버는 가요성 폴리머와 같은 유연한 물질로 형성된 멤브레인일 수 있다. 커버는 전체 표면 또는 그 일부에 걸쳐 비교착 코팅으로 코팅될 수 있다. 일반적으로 커버는 그 위에 기판을 체결 또는 장착시키기 위한 표면을 가진 중앙부, 캐리어 헤드와의 결합을 용이하게 하는 둘레부, 및 캐리어 헤드와 결합하는 에지부를 가질 것이다. 커버의 에지부는 비드일 수 있고, 일반적으로 원형, 난형 또는 장형과 같은 둥근 형상이거나 또는 각진 형상일 수 있다. 일반적으로 에지부는 캐리어 헤드의 리세스된 부분 내로 피팅되도록 형성될 것이다. 에지부의 크기 및 형상은 리세스된 부분의 크기 및 형상과 정확하게 피팅되도록 구성될 수 있거나, 또는 바람직하게는 리세스된 부분 내로 에지부를 삽입하기 위해 압축이 필요하도록 리세스된 부분보다 넓게 구성된다. 약 10% 내지 약 25%, 예를 들어 약 12% 내지 약 20%의 압축시 폭 감소의 퍼센트 비율로 정의된 압축율은 약 0.2psi/min 또는 그 미만까지로 커버 주위에서의 가스 누출을 제어하는 것에 유용할 수 있다. 일반적으로 안으로 삽입될 리세스보다 폭이 적어도 10% 더 큰 에지부는 작동가능한 밀봉을 야기한다. 커버는 실시예에 따라 에지부의 폭 보다 작은 또는 에지부의 폭 보다 큰 두께를 가질 수 있다. 일반적으로 커버 뒤의 압력을 조작하기 위해 캐리어 헤드 내에서 하나 또는 복수의 공간 또는 공동을 형성할 것이다. 커버 뒤의 압력을 조작하는 것은 커버의 형상이 프로세스 목적을 충족시키도록 변화되는 것을 허용한다.
커버는 비교착 코팅에 의해 코팅될 수 있다. 액체로서 적용된 코팅 또는 파릴렌 코팅과 같은 증기로부터 증착된 비교착 코팅이 이용될 수 있다. 비교착 코팅은 커버의 전체 표면 또는 오직 커버의 일부에만 적용될 수 있다. 예를 들면, 비교착 코팅은 에지부를 제외하고 전부에 걸쳐 또는 기판 체결 표면 상에만 적용될 수 있다. 코팅되지 않을 커버의 부분들을 보호하기 위해 코팅 적용 프로세스 동안 마스크가 이용될 수 있다. 마스크는 커버 상으로 마스크를 피팅하는 것을 허용하는 개구를 구비한, 에지부의 형상과 유사한 형상을 가진 고정구(fixture)일 수 있다. 도 4a는 마스크(402)가 설치된 커버(400)의 사시도이다. 일 실시예에서, 마스크(402)는 도 4b에서 도시된 것처럼 그 길이를 따라 종방향 개구(404)를 가진 가요성 관형 고정구일 수 있다. 다른 실시예에서, 마스크(402)는 종방향 개구를 가진 가요성, 중공형 직사각형 슬리브일 수 있다. 개구(404)는 비교착 코팅의 적용 동안 커버의 에지부가 마스크 내로 삽입되는 것을 허용한다. 커버(400) 상에 설치될 때 마스크(402)는 도넛 형상일 수 있다. 마스크(402)는 표면의 일부 위에 비교착 코팅을 구비하는 커버(400)를 생성하기 위해 비교착 코팅을 도포한 이후 제거될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 커버의 에지부 또는 에지 및 둘레부를 마스킹하는 것이 유리할 수 있다. 비교착 코팅은 금속과 같은 캐리어 헤드 물질을 위해 실리콘 고무, EPDM 고무, 부틸 고무, 천연 고무, 또는 다른 탄성 또는 열가소성 물질과 같은 커버 물질의 친화력을 감소시킴으로써 리세스를 밀봉하는 에지부의 능력을 감소시킬 수 있다. 친화력 감소는 감소된 밀봉 및 증가된 누출 속도를 야기한다. 에지부, 또는 에지 및 둘레부를 코팅되지 않은 채로 남겨 두는 것은 에지부가 리세스에 정합되어서 요구되는 밀봉을 형성하는 능력을 보존한다.
몇몇 실시예들에서, 커버는 비교착 코팅보다는, 거친 기판 체결 표면에 의해 형성될 수 있다. 전술한 바와 같은 커버는 일반적으로 경화 가능하거나 또는 설정 가능한 물질(curable or settable materail)이 몰드에 배치되어 몰드에 대해 형성되고 설정되도록 허용된 몰딩 프로세스에 의해 형성된다. 형성된 커버의 선택된 부분들에 표면 거칠기를 부여하는 몰드가 이용될 수 있다. 많은 실시예들에서 적어도 10μin, 예를 들어 약 15μin 또는 그 초과의 표면 거칠기(Ra)는 교착력을 약 0.02 lbs.미만까지로 감소시켜서 기판의 중량이 교착력을 초과하여 기판이 캐리어 헤드로부터 분리되게 한다. 또한, 커버의 선택된 표면으로 기계적 힘을 가함으로써 표면 거칠기가 커버에 부여될 수 있다. 거칠게 하는 도구(roughening tool)는 거칠기를 부여하도록 커버의 표면을 문지르거나 또는 마멸시키는데 이용될 수 있다. 몇몇 실시예들에서 대안적으로, 거친 표면을 가진 라미네이트가 커버에 적용될 수 있다.
몇몇 커버들은 커버의 표면으로부터 연장하고 챔버들을 규정하는 분할기들을 구비하면서 구성상 구분적일 수 있다. 도 5는 구분적 커버(502)를 구비한 캐리어 헤드(500)의 개략적인 단면도이다. 분할기(516)는 캐리어 헤드(500)의 베이스(520) 상의 부착 포인트(518)에 정합될 수 있고, 부착 포인트(518)에 결합될 때 챔버(506)를 밀봉시킬 수 있다. 구분적 커버(502)를 구비한 캐리어 헤드(500)는 일반적으로 챔버(506)와 (미도시된) 캐리어 헤드 외부의 가스 소스 사이에서 소통하는 통로(504)를 가질 것이고, 그 결과 가스는 독립적으로 챔버(506)로 제공될 수 있거나 또는 챔버(506)로부터 비워질 수 있다. 작동시, 챔버(506)는 기판 체결 표면(522)을 형상화하도록 상이한 정도로 가압될 수 있다. 몇몇 실시예들에서 챔버(506)가 작동되는 방식에 따라 기판 체결 표면(522)의 일부로 비교착 코팅(508)을 적용하는 것이 유리할 수 있다. 예를 들면, 동심 챔버들이 제공되어서 기판 체결 표면(522)의 중심이 기판의 핸들링을 향상시키도록 가압되거나 또는 비워질 수 있다면, 가장 중앙에 있는 챔버에 상응하는 기판 체결 표면의 중앙부(510)에만 비교착 코팅이 적용되는 것이 유리할 수 있다. 기판의 둘레가 기판 체결 표면(522)의 둘레부(514)에 교착된다면, 커버(502)의 중심에 가장 가까운 챔버(506)는 둘레부(514)로부터 기판을 분리시키기 위해 볼록한 형상이 되도록 가압될 수 있으며, 기판 체결 표면(522)의 중앙부(510)의 비교착 특성은 신뢰성 있게 캐리어 헤드(500)로부터 기판을 분리하는 것을 보장할 것이다. 유사하게, 몇몇 실시예들에서 기판 체결 표면(522)의 일부에 대해 표면 거칠기를 생성하는 것이 유리할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 단일 커버는 비교착 코팅을 갖는 부분들 및 거칠어진 표면을 갖는 다른 부분들을 가질 수 있다.
작동시, 전술한 커버가 피팅된 캐리어 헤드는 평탄화 장치 상에서 신뢰성 있게 기판을 조작하는데 이용될 수 있다. 도 5를 다시 참고하면, 최상의 결과물을 위해 표면(522)의 중심이 기판의 중심과 정렬되도록, 커버(502)의 기판 체결 표면(522)이 기판에 인접하게 이동한다. 표면(522)은 기판에 대해 압박되고, 커버 뒤에서 캐리어 헤드 내부 공간은 비워진다. 구분적 커버들을 구비한 실시예들에서, 하나 또는 복수의 챔버가 비워질 수 있다. 구분적이지 않은 커버들을 구비한 실시예들에서, 실질적으로 커버 뒤의 전체 공간이 비워진다. 이렇게 커버(502) 뒤에서 생성된 진공은 오목한 형상이 되도록 기판 체결 표면(522)을 왜곡하여서, 기판의 둘레와 커버(502)의 둘레부(514) 사이의 접촉에 의해 밀봉되는 기판과 기판 체결 표면(522) 사이의 공간을 생성한다. 이러한 진공은 프로세싱 동안 캐리어 헤드(500)에 대해 단단히 기판을 지지한다. 본 명세서에서 설명된 것과 같은 커버는 매우 낮은 누출 속도로 진공을 유지한다. 기판은 프로세싱 전반에 걸쳐 캐리어 헤드에 의해 단단히 지지된다. 기판을 릴리스하기 위해, 커버 뒤의 진공은 기판을 분리시키기 위한 대기 압력으로 릴리브될 수 있다. 기판 체결 표면(522)이 전술한 바와 같은 비교착 코팅 또는 표면 거칠기를 갖는다면, 기판은 자발적으로 분리될 것이다. 중앙부와 같이, 기판 체결 표면의 부분들이 코팅되거나 또는 거칠어지고 그리고 기판이 고착된다면, 기판의 둘레를 분리하기 위해 오목한 형상으로 커버를 변형시키도록 포지티브 압력(positive pressure)이 가해질 수 있으며, 이후 기판의 중심은 자발적으로 분리될 것이다. 이는 불리한 때, 캐리어 헤드로부터 기판이 원치 않게 분리되는 것을 방지하는데 유리할 수 있다.
실시예들은 기판 캐리어 헤드와 멤브레인 사이의 밀봉을 형성하는 방법을 제공한다. 캐리어 헤드에는 그루브 또는 다른 수용 구조물일 수 있는 리세스된 부분이 제공된다. 이러한 리세스된 부분은 임의의 편리한 형상을 가질 수 있지만, 가장 흔하게는 둥근 형상이거나 또는 U-형상이거나, 또는 직사각형 형상이다. 캐리어 헤드에 피팅시키기 위해 멤브레인이 제공되고, 멤브레인은 기판을 체결시키기 위한 표면, 기판 체결 표면으로부터 연장하는 밀봉을 용이하게 하기 위한 둘레부, 및 둘레부로부터 연장하는 캐리어 헤드를 결합 및 밀봉시키기 위한 에지부를 갖는다. 비드는 멤브레인의 두께보다 큰 두께를 갖는 멤브레인의 에지부 상에 형성될 수 있다. 대안적으로, 멤브레인의 부분들은 비드의 두께보다 큰 두께를 가질 수 있다. 또한, 비드는 임의의 편리한 형상을 가질 수 있으나 흔하게는 원형, 장형 또는 타원형 단면 형상을 가질 것이다.
비드의 두께는 여기에 결합될 리세스된 부분의 폭보다 크다. 리세스된 부분의 폭보다 적어도 약 10% 큰 두께를 갖는 비드가 바람직하다. 비드의 표면이 리세스된 부분의 표면과 정합된 밀봉을 형성하도록 리세스된 부분 내로 삽입될 때 비드가 압축된다. 리세스된 부분 내로 삽입될 때, 비드는 일반적으로 변형될 것이어서, 약 10% 내지 약 25%, 예를 들어 약 12% 내지 약 20%의 폭 또는 두께의 퍼센트 감소로서 규정된 압축률을 야기하고 그리고 리세스된 부분 내부에 1% 미만의 잔류 빈 공간을 남긴다.
이렇게 제공된 멤브레인은 전술한 바와 같이 멤브레인의 부분들에 적용된 비교착 코팅을 가질 수 있다. 희망된다면, 멤브레인의 부분들은 비교착 코팅의 적용 이전에 마스킹될 수 있어서 이러한 부분들은 코팅되지 아니한 채로 남아 있을 수 있다. 전술한 바와 같은 가요성 마스크는 코팅을 적용하기 이전에 멤브레인에 적용될 수 있고, 이후 멤브레인의 코팅되지 않은 부분을 남기며 제거될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 비드와 캐리어 헤드 사이의 밀봉을 향상시키도록 멤브레인의 코팅되지 않은 부분에 에지부를 포함하는 것이 유리할 수 있다. 또한 다른 실시예들에서, 코팅되지 않은 부분에 둘레부를 포함하는 것이 유리할 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 포지티브 압력이 멤브레인에 가해질 때 기판의 신뢰성 있는 릴리스, 캐리어 헤드에 대한 기판의 신뢰성 있는 부착, 및 비드 주위의 신뢰성 있는 밀봉을 갖도록 코팅되지 않은 부분에 기판 체결 표면의 중앙부를 제외하고 전부를 포함하는 것이 바람직할 수 있다. 일반적으로 코팅되지 않은 비드를 가진 멤브레인은 0.2psi/min 미만의 누출 속도를 성취할 것이다.
원형 또는 직사각형과 같은 임의의 편리한 단면 형상의 가요성 세장형 마스킹 시스(sheath)를 형성하는 것과 마스크가 멤브레인의 부분들에 적용되는 것을 허용하도록 시스의 길이 아래로 종방향 개구를 생성하는 것에 의해서, 전술한 마스크가 만들어질 수 있다. 위와 같이 형성된 마스크는 예를 들어 비교착 코팅의 적용 동안 에지부를 차폐(shield)하기 위해 멤브레인의 에지부 위에서 슬립될(slipped) 수 있으며, 이후 마스크가 제거될 수 있다.
전술한 바와 같이 평탄화 장치를 위한 멤브레인은 평평한 중앙부, 윤곽을 가진 둘레부, 및 에지 주위의 비드를 가진 가요성 물품으로서 형성될 수 있으며, 그리고 가요성 물품의 일부로 마스크를 피팅시키고 비교착 코팅으로 물품을 코팅하고 마스크를 제거하는 것에 의해서 도포된 비교착 코팅을 가질 수 있다. 몰드(mold) 내로 설정 가능하거나 경화 가능한 액체를 주입하는 것과 그리고 상기 액체가 가요성 또는 유연한 물질이 되도록 경화 또는 설정되는 것을 허용하는 것에 의해서 멤브레인이 형성될 수 있다. 열 또는 압력이 경화를 용이하게 하기 위해 가해질 수 있다. 캐리어 헤드에 부착시키는 것에 의해서 밀봉을 향상시키기 위해 코팅되지 않은 비드가 이용될 때, 적어도 6.0Pa의 교착력으로 금속에 부착되는 물질이 도움이 될 수 있다. 그 예시들이 위에서 기술된, 이러한 물질은 적어도 약 0.5mN인 캐리어 헤드 및 비드 사이의 분리력을 야기할 수 있다.
몇몇 실시예들에서, 멤브레인의 부분들 상에 거칠어진 표면을 형성하는 몰드가 제공될 수 있다. 이렇게 형성된 멤브레인은 그 부분들 상에 적어도 약 10μin, 예를 들어 15μin 또는 그 초과의 표면 거칠기를 가질 수 있다. 기판과 접촉하는 멤브레인 부분들 상 표면 거칠기는, 멤브레인에 대한 기판의 교착력을 0.02 lbs 미만까지로 감소시킬 것이어서, 진공 처크가 릴리스될 때 기판이 캐리어 헤드로부터 자발적으로 분리되는 것을 가능하게 한다. 다른 실시예들에서, 멤브레인의 표면은 멤브레인이 몰딩된 이후 기계적 힘을 가함으로써 거칠어질 수 있다.
이상이 다양한 실시예들에 관한 것이었지만, 다른 실시에들 및 추가적인 실시예들이 안출될 수 있다.

Claims (23)

  1. 기판 캐리어 헤드용 멤브레인으로서,
    상기 멤브레인은 멤브레인 본체 및 비교착 코팅을 포함하고,
    상기 멤브레인 본체는:
    기판을 체결하기 위한 장착면을 구비하는 중앙부;
    상기 장착면의 외측 에지(outer edge)에서 상기 중앙부로부터 연장하는 둘레부; 및
    캐리어 헤드 상의 수용 구조물을 체결하기 위해 상기 둘레부의 에지에 있으며 상기 둘레부보다 두꺼운 비드(bead);를 포함하고,
    상기 비교착 코팅은 코팅부 및 비코팅부를 형성하도록 상기 멤브레인 본체의 일부를 커버하고, 상기 비코팅부는 상기 비드를 포함하고, 그리고 상기 비교착 코팅은 상기 비드에까지 연장하나 상기 비드를 커버하지는 아니하는,
    기판 캐리어 헤드용 멤브레인.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 멤브레인의 누출 속도는 1.38 kPa/min(0.2 psi/min) 미만인,
    기판 캐리어 헤드용 멤브레인.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 비드의 표면이 6.0 Pa 이상의 교착 장력(sticking tension)에 의해 금속에 부착되는,
    기판 캐리어 헤드용 멤브레인.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 장착면은 0.25 미크론(10 마이크로 인치) 이상의 Ra 거칠기를 갖는,
    기판 캐리어 헤드용 멤브레인.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 장착면은 0.38 미크론(15 마이크로 인치) 이상의 Ra 거칠기를 갖는,
    기판 캐리어 헤드용 멤브레인.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 멤브레인 본체는 실리콘 고무, 부틸 고무, 천연 고무, EPDM 고무, 폴리이미드 및 열가소성 탄성체를 포함한 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는,
    기판 캐리어 헤드용 멤브레인.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 비교착 코팅은 파릴렌 코팅을 포함하는,
    기판 캐리어 헤드용 멤브레인.
  8. 평탄화 장치를 위한 멤브레인의 형성 방법으로서,
    평평한 중앙부, 윤곽을 가진 둘레부, 및 에지 주위의 비드를 구비한 가요성 물품을 형성하는 단계;
    상기 가요성 물품의 일부에 마스크를 적용하는 단계;
    비교착 코팅이 상기 가요성 물품의 일부를 코팅하는 것을 상기 마스크가 막도록, 상기 가요성 물품을 상기 비교착 코팅으로 코팅하는 단계; 및
    상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는,
    평탄화 장치를 위한 멤브레인의 형성 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 가요성 물품은 실리콘 고무, 부틸 고무, 천연 고무, EPDM 고무, 폴리이미드 및 열가소성 탄성체를 포함한 그룹으로부터 선택된 물질로 형성되는,
    평탄화 장치를 위한 멤브레인의 형성 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 가요성 물품의 일부가 상기 비드를 포함하는,
    평탄화 장치를 위한 멤브레인의 형성 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
KR1020107023707A 2008-03-25 2009-03-23 개량된 캐리어 헤드 멤브레인 KR101617716B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3924608P 2008-03-25 2008-03-25
US3924908P 2008-03-25 2008-03-25
US61/039,246 2008-03-25
US61/039,249 2008-03-25

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157023720A Division KR101619416B1 (ko) 2008-03-25 2009-03-23 개량된 캐리어 헤드 멤브레인

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100133447A KR20100133447A (ko) 2010-12-21
KR101617716B1 true KR101617716B1 (ko) 2016-05-03

Family

ID=41114621

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107023707A KR101617716B1 (ko) 2008-03-25 2009-03-23 개량된 캐리어 헤드 멤브레인
KR1020157023720A KR101619416B1 (ko) 2008-03-25 2009-03-23 개량된 캐리어 헤드 멤브레인
KR1020177008442A KR20170038113A (ko) 2008-03-25 2009-03-23 캐리어 헤드 멤브레인
KR1020167011653A KR101722540B1 (ko) 2008-03-25 2009-03-23 캐리어 헤드 멤브레인

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157023720A KR101619416B1 (ko) 2008-03-25 2009-03-23 개량된 캐리어 헤드 멤브레인
KR1020177008442A KR20170038113A (ko) 2008-03-25 2009-03-23 캐리어 헤드 멤브레인
KR1020167011653A KR101722540B1 (ko) 2008-03-25 2009-03-23 캐리어 헤드 멤브레인

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20090242125A1 (ko)
KR (4) KR101617716B1 (ko)
CN (2) CN103252711B (ko)
TW (2) TWI619197B (ko)
WO (1) WO2009120641A2 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10160093B2 (en) * 2008-12-12 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Carrier head membrane roughness to control polishing rate
US8475231B2 (en) 2008-12-12 2013-07-02 Applied Materials, Inc. Carrier head membrane
US8591286B2 (en) 2010-08-11 2013-11-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for temperature control during polishing
JP5592842B2 (ja) * 2011-06-24 2014-09-17 Ｋｉｓｃｏ株式会社 細胞培養用基膜、細胞培養用基材、及び細胞培養用基材の製造方法
US10532441B2 (en) 2012-11-30 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Three-zone carrier head and flexible membrane
JP5927129B2 (ja) * 2013-01-31 2016-05-25 株式会社荏原製作所 研磨装置
US9381613B2 (en) * 2013-03-13 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Reinforcement ring for carrier head
WO2015051134A1 (en) * 2013-10-04 2015-04-09 Applied Materials, Inc. Coated retaining ring
US10029346B2 (en) * 2015-10-16 2018-07-24 Applied Materials, Inc. External clamp ring for a chemical mechanical polishing carrier head
KR101690053B1 (ko) * 2015-10-29 2016-12-27 주식회사 엠오에스 다중 경도를 가지는 반도체 웨이퍼 연마용 박막 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼 연마장치
JP6360586B1 (ja) * 2017-04-13 2018-07-18 三菱電線工業株式会社 Ｃｍｐ装置のウエハ保持用の弾性膜
TWI641448B (zh) * 2017-06-09 2018-11-21 林志菁 Elastic film for grinding head
TWI676525B (zh) * 2017-06-09 2019-11-11 林志菁 用於研磨頭的彈性膜
EP3706954A4 (en) 2017-11-06 2021-08-18 Axus Technology, LLC PLANARIZED MEMBRANE AND METHODS FOR SUBSTRATE PROCESSING SYSTEMS
CN108857909A (zh) * 2018-07-20 2018-11-23 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种用于cmp保持环粘接面的加工方法以及cmp保持环的制备方法
SG10202008012WA (en) * 2019-08-29 2021-03-30 Ebara Corp Elastic membrane and substrate holding apparatus
CN113118965B (zh) * 2019-12-31 2022-09-30 清华大学 一种基板装卸控制方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020182996A1 (en) * 2000-03-27 2002-12-05 Zuniga Steven M. Methods for carrier head with multi-part flexible membrane
JP2003533359A (ja) 2000-05-12 2003-11-11 マルチプレーナーテクノロジーズ インコーポレーテッド 独立のリテーナリングと多領域圧力制御とを備えた空気圧ダイアフラムヘッドおよび該空気圧ダイアフラムヘッドを用いた方法

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3654047A (en) * 1970-01-12 1972-04-04 Howard Berkowitz Surgical instrument holder
US4132037A (en) * 1977-02-28 1979-01-02 Siltec Corporation Apparatus for polishing semiconductor wafers
US4319432A (en) * 1980-05-13 1982-03-16 Spitfire Tool And Machine Co. Polishing fixture
US4512113A (en) * 1982-09-23 1985-04-23 Budinger William D Workpiece holder for polishing operation
US4918869A (en) * 1987-10-28 1990-04-24 Fujikoshi Machinery Corporation Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor
US4834382A (en) * 1988-06-13 1989-05-30 Donald Spector Inflatable play ball
US5193316A (en) * 1991-10-29 1993-03-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium
US5205082A (en) * 1991-12-20 1993-04-27 Cybeq Systems, Inc. Wafer polisher head having floating retainer ring
US5486129A (en) * 1993-08-25 1996-01-23 Micron Technology, Inc. System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head
US5624299A (en) * 1993-12-27 1997-04-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use
US5643053A (en) * 1993-12-27 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control
US5423716A (en) * 1994-01-05 1995-06-13 Strasbaugh; Alan Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied
US5449316A (en) * 1994-01-05 1995-09-12 Strasbaugh; Alan Wafer carrier for film planarization
JP3158934B2 (ja) * 1995-02-28 2001-04-23 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置
US5908530A (en) * 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
US6024630A (en) * 1995-06-09 2000-02-15 Applied Materials, Inc. Fluid-pressure regulated wafer polishing head
US5643061A (en) * 1995-07-20 1997-07-01 Integrated Process Equipment Corporation Pneumatic polishing head for CMP apparatus
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
DE69717510T2 (de) * 1996-01-24 2003-10-02 Lam Res Corp Halbleiterscheiben-Polierkopf
JP3663767B2 (ja) * 1996-09-04 2005-06-22 信越半導体株式会社 薄板の鏡面研磨装置
US5830806A (en) * 1996-10-18 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Wafer backing member for mechanical and chemical-mechanical planarization of substrates
US6183354B1 (en) * 1996-11-08 2001-02-06 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US6146259A (en) * 1996-11-08 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Carrier head with local pressure control for a chemical mechanical polishing apparatus
US6056632A (en) * 1997-02-13 2000-05-02 Speedfam-Ipec Corp. Semiconductor wafer polishing apparatus with a variable polishing force wafer carrier head
US5851140A (en) * 1997-02-13 1998-12-22 Integrated Process Equipment Corp. Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate
US5957751A (en) * 1997-05-23 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system
US5964653A (en) * 1997-07-11 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system
US6080050A (en) * 1997-12-31 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Carrier head including a flexible membrane and a compliant backing member for a chemical mechanical polishing apparatus
US6159079A (en) * 1998-09-08 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate
US6210255B1 (en) * 1998-09-08 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate
US6277014B1 (en) * 1998-10-09 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Carrier head with a flexible membrane for chemical mechanical polishing
US6132298A (en) * 1998-11-25 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Carrier head with edge control for chemical mechanical polishing
US6165058A (en) * 1998-12-09 2000-12-26 Applied Materials, Inc. Carrier head for chemical mechanical polishing
US6422927B1 (en) * 1998-12-30 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing
US6733965B2 (en) * 1999-01-15 2004-05-11 International Paper Company Microsatellite DNA markers and uses thereof
US6162116A (en) * 1999-01-23 2000-12-19 Applied Materials, Inc. Carrier head for chemical mechanical polishing
US6227955B1 (en) * 1999-04-20 2001-05-08 Micron Technology, Inc. Carrier heads, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
US6068549A (en) * 1999-06-28 2000-05-30 Mitsubishi Materials Corporation Structure and method for three chamber CMP polishing head
US6855043B1 (en) * 1999-07-09 2005-02-15 Applied Materials, Inc. Carrier head with a modified flexible membrane
US6494774B1 (en) * 1999-07-09 2002-12-17 Applied Materials, Inc. Carrier head with pressure transfer mechanism
US6290584B1 (en) * 1999-08-13 2001-09-18 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with segmented and floating retaining elements
US6558232B1 (en) * 2000-05-12 2003-05-06 Multi-Planar Technologies, Inc. System and method for CMP having multi-pressure zone loading for improved edge and annular zone material removal control
JP2001345297A (ja) * 2000-05-30 2001-12-14 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法及び研磨装置
US6722965B2 (en) * 2000-07-11 2004-04-20 Applied Materials Inc. Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area
US7198561B2 (en) * 2000-07-25 2007-04-03 Applied Materials, Inc. Flexible membrane for multi-chamber carrier head
US6857945B1 (en) * 2000-07-25 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multi-chamber carrier head with a flexible membrane
US6769973B2 (en) * 2001-05-31 2004-08-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same
US6758939B2 (en) * 2001-08-31 2004-07-06 Speedfam-Ipec Corporation Laminated wear ring
US6712673B2 (en) * 2001-10-04 2004-03-30 Memc Electronic Materials, Inc. Polishing apparatus, polishing head and method
US20030124963A1 (en) * 2001-12-27 2003-07-03 Applied Materials, Inc. Carrier head with a non-stick membrane
US6764387B1 (en) * 2003-03-07 2004-07-20 Applied Materials Inc. Control of a multi-chamber carrier head
US7001245B2 (en) * 2003-03-07 2006-02-21 Applied Materials Inc. Substrate carrier with a textured membrane
JP4086722B2 (ja) * 2003-06-24 2008-05-14 株式会社荏原製作所 基板保持装置及び研磨装置
KR100586018B1 (ko) * 2004-02-09 2006-06-01 삼성전자주식회사 연마 헤드용 플렉서블 멤브레인 및 이를 포함하는 연마 장치
US7033252B2 (en) * 2004-03-05 2006-04-25 Strasbaugh Wafer carrier with pressurized membrane and retaining ring actuator
TWI273944B (en) * 2004-06-23 2007-02-21 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Both-side polishing carrier and production method therefor
CN200951520Y (zh) * 2004-11-04 2007-09-26 应用材料公司 用于载具头的装置
US7207871B1 (en) * 2005-10-06 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Carrier head with multiple chambers
US8454413B2 (en) * 2005-12-29 2013-06-04 Applied Materials, Inc. Multi-chamber carrier head with a textured membrane
US20080014842A1 (en) * 2006-03-03 2008-01-17 Berkstresser David E Polishing head for polishing semiconductor wafers
US7364496B2 (en) * 2006-03-03 2008-04-29 Inopla Inc. Polishing head for polishing semiconductor wafers
CN101484277A (zh) * 2006-05-02 2009-07-15 Nxp股份有限公司 晶片去夹具
TWI288049B (en) * 2006-06-28 2007-10-11 Wei-Yue Wu Flexible membrane for chemical mechanical polisher
US7699688B2 (en) * 2006-11-22 2010-04-20 Applied Materials, Inc. Carrier ring for carrier head
US7575504B2 (en) * 2006-11-22 2009-08-18 Applied Materials, Inc. Retaining ring, flexible membrane for applying load to a retaining ring, and retaining ring assembly
US10160093B2 (en) * 2008-12-12 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Carrier head membrane roughness to control polishing rate
US8475231B2 (en) * 2008-12-12 2013-07-02 Applied Materials, Inc. Carrier head membrane

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020182996A1 (en) * 2000-03-27 2002-12-05 Zuniga Steven M. Methods for carrier head with multi-part flexible membrane
JP2003533359A (ja) 2000-05-12 2003-11-11 マルチプレーナーテクノロジーズ インコーポレーテッド 独立のリテーナリングと多領域圧力制御とを備えた空気圧ダイアフラムヘッドおよび該空気圧ダイアフラムヘッドを用いた方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150104230A (ko) 2015-09-14
WO2009120641A2 (en) 2009-10-01
CN101981666A (zh) 2011-02-23
KR101619416B1 (ko) 2016-05-10
CN103252711A (zh) 2013-08-21
US20090242125A1 (en) 2009-10-01
TW201530691A (zh) 2015-08-01
CN103252711B (zh) 2016-06-29
US20170243779A1 (en) 2017-08-24
KR20100133447A (ko) 2010-12-21
TW200949991A (en) 2009-12-01
US20200381286A1 (en) 2020-12-03
KR20160054630A (ko) 2016-05-16
KR20170038113A (ko) 2017-04-05
WO2009120641A3 (en) 2009-12-10
TWI540669B (zh) 2016-07-01
TWI619197B (zh) 2018-03-21
KR101722540B1 (ko) 2017-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101617716B1 (ko) 개량된 캐리어 헤드 멤브레인
EP1925398B1 (en) Retaining ring, flexible membrane for applying load to a retaining ring, and retaining ring assembly
EP1925399B1 (en) Flexible membrane for carrier head
US7901273B2 (en) Carrier ring for carrier head
US7654888B2 (en) Carrier head with retaining ring and carrier ring
US10702971B2 (en) Textured membrane for a multi-chamber carrier head
US20090057510A1 (en) Suction cup
EP0389234B1 (en) Liquid-tight slip-casting molds and method for production thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant