TWI540669B - 改良式承載頭薄膜 - Google Patents
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 title description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 164
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 123
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 60
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229920002943 EPDM rubber Polymers 0.000 claims description 5
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 claims description 5
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 claims description 5
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical group [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 polyimine Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 17
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 3
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- OOLUVSIJOMLOCB-UHFFFAOYSA-N 1633-22-3 Chemical compound C1CC(C=C2)=CC=C2CCC2=CC=C1C=C2 OOLUVSIJOMLOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24612—Composite web or sheet
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Description
本發明大體上有關於用於半導體製造之設備與方法。具體而言,本發明的具體實施例係有關於用以平坦化半導體基板的設備以及形成該設備之方法。
在半導體製造領域中,平坦化(planarization)是一種從基板上移除材料、使基板表面平整以及暴露出在基板表面下方材料層的製程。通常在經過一或多個沉積製程而於基板上形成材料層之後,會進行基板的平坦化。在這類製程中,會在基板的場區中形成多個開孔,且會利用鍍覆製程,例如電鍍法,將金屬填入上述開孔中。金屬填入開孔後,會在表面中產生特徵結構,例如導線或接觸點。雖然在以金屬填充開孔時,理想的情形是填入的金屬剛好與周圍的基板等高,但實際上,在場區以及開孔上都會發生沉積作用。因此必須移除這些多出來且不需要的沉積物,而平坦化就是一種可用以移除多餘金屬的方法。
化學機械平坦化(CMP)是一種常用的平坦化製程,其係將基板牢固地持定在定位,並以研磨墊或研磨網來摩擦基板。當研磨網在基板下方線性移動時,可將基板抵靠著研磨網而旋轉;或使基板抵靠著研磨墊並且旋轉同時使研磨墊也以相同或相反方向轉動、線性移動、圓周運動或上述運動之組合。在上述摩擦墊中,時常會添加研磨組成物至正進行摩擦的研磨墊,以加速移除材料。上述組成物通常含有研磨材料以磨擦基板,且含有化學成份以溶解來自基板表面之材料。在電化學機械平坦化的情形中,亦會對基板施加一電壓,以便利用電化學的手段來加速移除材料。
在上述製程中,施加於基板表面的力不容忽視。摩擦過程中在基板表面上產生的剪力通常可高達100psi(磅/平方英吋),而將基板移入及移出處理位置的垂直移動所導致的軸向力可高達10psi。正因為如此,在處理前、處理中以及處理後都必須將基板牢固地持定在定位,以確保可得到均勻一致的結果並防止基板破裂。
在大多數的實例中,可利用承載頭握持基板使其就定位,例如第1圖之概要剖面圖中所示的實例。承載頭100的特徵在於基板接合部102。基板接合部102配有(fitted)薄膜或隔膜104。薄膜104接觸由承載頭100所承載之基板。承載頭100另一常見特徵是具有一或更多個通道106。可經由通道106將氣體吸出或泵入承載頭100,以控制薄膜104的形狀。在操作中,可藉由將薄膜104壓向基板而使承載頭100接觸該基板。可經由通道106將氣體吸出承載頭100,而在薄膜104後方形成真空。薄膜104會出現凹陷,而在薄膜104及基板之間形成真空。面向承載頭100的基板表面以及背向承載頭100的另一表面之間的壓力差會迫使基板抵靠著承載頭,而形成「真空卡盤(vacuum chuck)」。因此,在處理過程中,承載頭100能夠緊緊握持住基板。在完成處理後要釋放基板時,可將氣體經由通道106泵入承載頭100中而解除真空狀態,使得薄膜104回復到平坦位置而釋放真空卡盤。
一般而言,可藉由位於薄膜104邊緣的珠部108與承載頭100中的溝槽110接合,而使薄膜104與承載頭100連接,如第1A圖所示。珠部108是一種有形狀的邊緣特徵結構,其尺寸適於配適在溝槽110內。在某些情形中,薄膜的彈性可以將珠部108持定在溝槽110內,並保持薄膜104與承載頭100之連接。基板及薄膜104之間的接觸力造成了摩擦力,而能夠抵抗基板在處理過程中的側向移動。真空卡盤亦可握持基板,使基板抵住承載頭,以便將基板升高至處理表面上方。
不幸的是,現今承載頭常用的薄膜的滲漏率非常高。薄膜滲漏不利於維持薄膜後方的真空,而使得基板在處理過程中脫離承載頭。一般而言,真空卡盤的力量應足以抵抗平坦化製程中產生的剪力。若真空力過低,剪力會勝過摩擦力而使得基板與承載頭分離,此一情形常會對基板造成損傷,而使得基板無法使用。從處理設備脫落的基板通常還會損害生產線上的其他基板,因此必須關閉生產線,以移除受損的基板。
基板也有可能與薄膜黏著。在處理後,基板中受力而抵住薄膜表面的部位會黏附在薄膜上,因而難以自設備上移除基板。即便對一或多個腔室施加壓力以便釋放基板,基板仍可能附著至薄膜而無法釋放。若基板附著於承載頭的時間過長,基板也有可能受損。
因此,需要一種能夠在平坦化過程中牢固地握持基板且在處理後可確實地釋放基板的承載頭。
一般而言,本發明具體實施例提出用以在平坦化設備中操控基板的承載頭與外罩。
在一態樣中,提出用於基板承載頭的外罩,其至少包含一表面以供接合基板;以及包含一珠部,該珠部位於該表面之邊緣以供接合至承載頭上的一接收結構,其中珠部之寬度大於接收結構之寬度。承載頭具有上方部及下方部,而接收結構形成於其中。下方部可與上方部配對,且下方部可相對於上方部而移動。要在薄膜及承載頭之間形成密封,可於薄膜的邊緣部上形成珠部,上述珠部的厚度大於接收結構之寬度,將珠部插入接收結構中,以及壓縮珠部以和接收結構共形。
在另一種態樣中,提出用於基板承載頭之薄膜,其至少包含一安裝表面以供接合基板、一周圍部(peripheral portion)由安裝表面延伸而出、一珠部由周圍部延伸而出,以及一不沾黏塗層(non-sticking coating或non-stick coating),該不沾黏塗層覆蓋一部分的薄膜而形成塗覆部與未塗覆部,其中未塗覆部包括珠部。上述承載頭至少包含一基座(base),上述薄膜可耦接至該基座,且未塗覆的珠部亦可黏附至基座,因而可加強所形成的密封狀態。可將遮罩施用至薄膜不需塗覆的多個部分上,接著施用該不沾黏塗層,以及移除該遮罩,以便在薄膜的多個部分上塗覆不沾黏塗層。
在另一種態樣中,用於基板承載頭之薄膜包含一表面與一珠部;上述表面用以接合基板,且上述珠部位於該表面之邊緣以供接合至承載頭中的接收結構。上述表面之粗糙度(Ra)為至少約10微英吋(micro-inches)。
本發明之實施例可包含一或多個以下特徵結構。上述接收結構可以是一溝槽。上述表面之粗糙度(Ra)為至少約15微英吋。上述表面黏著至基板時的黏著力小於約0.02磅,如,小於約0.01磅。該接收結構可形成於承載頭的基座部分中,且基座部分可移動地(moveably)耦接至承載頭的外殼部。上述表面黏著至基板時的黏著力小於基板的重量。
在另一種態樣中,用於基板承載頭之薄膜包含一安裝表面以供接合基板、一周圍部由該安裝表面延伸而出、一珠部由該周圍部延伸而出;以及一不沾黏塗層,該不沾黏塗層覆蓋住一部分的薄膜以形成塗覆部與未塗覆部,其中該未塗覆部包括該珠部。
本發明之實施例可包含一或多個以下特徵結構。上述未塗覆部可包含周圍部。上述薄膜的滲漏率可小於約0.2psi/min。上述珠部的表面黏著至金屬時的黏著張力(sticking tension)為至少6.0Pa。上述珠部可用以接合至形成於承載頭之基座部分中的接收結構,且基座部分可移動地耦接至承載頭之外殼部。
在另一種態樣中,操控位於平坦化設備中之基板的方法包含提供具有薄膜之承載頭,將薄膜表面壓向基板並降低薄膜後方的壓力以形成真空卡盤而接合基板,以及藉由真空卡盤而使基板脫離。上述薄膜的一表面之粗糙度(Ra)為至少約0.10微英吋。
本發明之實施例可包含一或多個以下特徵結構。上述基板的重量可能大於基板及薄膜表面之間的黏著力。使基板脫離可更包含藉由基板本身的重量而使基板與薄膜表面分離。上述基板黏著至薄膜表面時的黏著力小於約0.01磅。提供薄膜的步驟可包括:在模具中加入可固化液體,該模具的內表面設計成可使薄膜的至少一部分具有表面粗糙;固化該液體以形成薄膜;以及由模具中移除薄膜。提供薄膜的步驟可包括:在模具中加入可固化液體;固化該液體以形成薄膜;由模具中移除薄膜;以及施加機械力以將薄膜表面粗糙化。
在另一種態樣中,形成用於平坦化設備中之薄膜的方法包含:形成一彈性件,該彈性件具有一平坦的中央部分、一輪廓(contoured)周圍部分以及圍繞著邊緣的珠部;施加遮罩至該彈性件的一部分;以不沾黏塗層來塗覆該彈性件;以及移除遮罩。
本發明之實施例可包含一或多個以下特徵結構。形成彈性件之材料是選自包含下列物質的群組中:矽橡膠、丁基橡膠、天然橡膠、EPDM橡膠、聚醯亞胺(polyimide)及熱塑性彈性體(thermoplastic elastomer)。遮蓋住彈性件之一部分的步驟可包括將一彈性覆層(flexible covering)配適在該彈性件的一部分上。該彈性件中被遮蓋住的部分可包含珠部。不沾黏塗層可以是聚合物塗層,如,聚對二甲苯(parylene)塗層。形成彈性件的步驟可包含將可固化液體加入模具中、加熱該液體以將之固化,以及由模具中移除彈性件。
在另一種態樣中,用於基板承載頭的薄膜包含一表面與及一珠部;上述表面用以接合基板,且上述珠部位於該表面之邊緣,以供接合至承載頭上的接收結構。上述珠部之寬度大於接收結構之寬度。
本發明之實施例可包含一或更多個以下特徵結構。上述接收結構可以是一溝槽。上述珠部之寬度可以比該接收結構的寬度要大上10%。上述薄膜的厚度可小於接收結構之寬度。上述珠部的剖面可為圓形。當珠部和接收結構接合時,珠部可承受至少約10%的壓縮比,如,介於約12%至約20%之間。上述珠部的壓縮可在接收結構中形成共形密封。上述表面的粗糙度(Ra)為至少約10微英吋。可利用不沾黏塗層來塗覆該薄膜的一部份,以形成塗覆部分與未塗覆部分,且未塗覆部分至少包含珠部。珠部的一表面可黏著至金屬,其黏著張力為至少6.0Pa。
在另一種態樣中,用以在化學機械研磨設備中操控基板的承載頭包含一外殼(housing)、一耦接至該外殼的基座(base),以及一耦接至上述基座的外罩(cover)。上述外罩至少包含一珠部,該珠部可和基座上的接收結構接合,且珠部未被壓縮的厚度大於接收結構的寬度。
本發明之實施例可包含一或多個以下特徵結構。上述接收結構可以是一溝槽。當珠部和接收結構接合時,珠部可經歷至少約10%的壓縮比,如,介於約12%至約20%之間。上述外罩之滲漏率小於約0.2psi/min。上述珠部表面可和溝槽表面相符以形成密封。上述外罩可更包含一表面以供接合基板,且上述表面之粗糙度(Ra)為至少約10微英吋。可利用不沾黏塗層來塗覆該外罩的一部分,以形成塗覆部分與未塗覆部分,且未塗覆部分可包含至少珠部。珠部之表面黏著至金屬時的黏著張力為至少6.0Pa。
在另一種態樣中,在基板承載頭與薄膜之間形成密封的方法包含:在基板承載頭的一部份中形成一溝槽;圍繞著薄膜的邊緣形成一珠部,該珠部厚度大於溝槽寬度;將珠部插入溝槽中;以及壓縮位於溝槽內的珠部,而使得珠部表面與溝槽表面相符而形成密封。
本發明之實施例可包含一或多個以下特徵結構。上述珠部之厚度可能比溝槽寬度要大上10%。壓縮位於溝槽內之珠部,使珠部變形達到至少約10%之壓縮比,如,介於約12%至約20%之間。壓縮位於溝槽內之珠部可使得溝槽中的空隙空間小於約1%。
在另一種態樣中,提出用於基板承載頭之薄膜,該薄膜至少包含一表面與珠部;上述表面用以接合基板,且上述珠部位於該表面之邊緣且用以接合至基座中的接收結構,其中該表面之粗糙度(Ra)為至少約10微英吋。上述薄膜上的珠部與承載頭上的溝槽配對。
一般而言,本發明具體實施例提出了用以操控平坦化製程中之基板的基板承載頭。第2圖繪示根據一具體實施例所做之例示承載頭200。第2圖所繪示之承載頭200具有外殼202、基座204與薄膜206。外殼202一般可對承載頭200提供結構上的支撐,並將承載頭200連接至設備的其他部分(未繪示),並提供管道208以用於傳遞製程氣體進出承載頭200。在某些具體實施例中,可利用彈性隔膜210將基座204耦接至外殼202,以允許在外殼202及基座204之間進行某種程度的獨立移動。如此一來,當將基板安裝於承載頭200上時,能夠相對於工作表面調整基板位置,且同時保持承載頭200上之密封。可藉由習知機構(未繪示)來控制基座204的移動,此機構例如本案發明人擁有之美國專利6,183,354號中所例示者,上述機構位於基座204內,且可用以限制基座204相對於外殼202的移動。可利用能夠承受CMP製程中之機械與化學需求的任何彈性材料來製造隔膜210。前述材料可包含彈性件材料,例如丁基橡膠、EPDM橡膠、天然橡膠或矽橡膠。
在基座204的下表面處以薄膜206覆蓋基座204。薄膜206通常包含用以與基板接合的表面212、周圍部214,以及珠部216,珠部216位於薄膜206之邊緣。一般而言,珠部216是一位於薄膜邊緣的形狀(shaped)特徵結構,且在某些具體實施例中,珠部216的厚度大於薄膜表面212之厚度。珠部216可透過形成於基座204中的溝槽218而和基座204接合。在某些具體實施例中,可將珠部216插入至溝槽218中,以便將薄膜206安裝於基座204上。彈性薄膜206可延伸跨越基座204,且兩者共同在薄膜上方定義出一空間220。可藉著控制空間220中的壓力而在薄膜206後方創造出真空。當薄膜表面212與基板接觸時,此真空會使得薄膜表面212變形而將薄膜拉離基板表面。當薄膜表面212之邊緣部222保持與基板表面接觸且薄膜表面212向後縮時,在薄膜表面212及基板表面之間會形成真空。面向薄膜及遠離薄膜的二個基板表面之間的壓力差會產生一力量而迫使基板保持於承載頭上,而形成「真空卡盤(vacuum chuck)」。
本發明具體實施例提出藉由防止透過薄膜206與薄膜206周圍的滲漏來維持上述真空卡盤之方法與設備。第2A圖為特寫圖,繪示第2圖中與承載頭200之薄膜206相關的珠部216及溝槽218組合件。珠部216的寬度W可大於薄膜206之厚度T。一般而言,珠部的形狀可以是正圓形,且剖面可為正圓弧狀,或其形狀可以是卵圓形、長橢圓形或橢圓形,且剖面可為凸曲線弧狀,如橢圓曲線。當珠部之外型為卵圓形、長橢圓形或其他非正圓形的形狀時,珠部在與薄膜206之珠部連接部分226實質平行或共平面的方向中具有一第一尺寸L,並且珠部在與薄膜206之珠部連接部分226實質上相垂直的方向中有一第二尺寸W。在某些具體實施例中,W可大於L;在某些其他具體實施例中,L可大於W。
一般可將珠部216插入基座204上的溝槽218中。在目前常用的承載頭中,溝槽218的寬度Wg
可等於或大於珠部216的寬度W。在此種「精確配合(exact fit)」的組合件中,可藉由支撐環224將珠部216保持於溝槽218內部,上述支撐環224可防止珠部216掉出溝槽218。若使溝槽218大小可精確配合珠部或大於珠部,在珠部216的周圍可能留下大量的空隙空間,而使得氣體可通過珠部216周圍並經過溝槽218。發明人發現,利用尺寸大於溝槽寬度Wg
的珠部216可造成壓縮密封,並可實質排除通過薄膜206的氣體滲漏。如第2B圖所示,珠部216的寬度為W,當將珠部216插入溝槽218中時,可將珠部216壓縮至壓縮寬度C。壓縮比可定義為R=(W-C)/W,且可將所得到的分數乘以100而以百分比表示之。因此,壓縮比可表示當將珠部216插入溝槽218中時,珠部216之寬度縮小的程度。在溝槽218中之珠部216的壓縮作用會產生一密封,這是因為在壓力下,珠部216的表面可密切地和溝槽218的表面共形,而防止加壓氣體通過珠部216周圍的溝槽。可將溝槽中,珠部周圍的空隙空間縮小至小於1%。在大多數的實施例中,可使用約10%至約25%的壓縮比。然而,在較佳的情形中,壓縮比約為12%至約20%。當所用的珠部大於承載頭上之接收結構時,可將薄膜的滲漏率降低至0.2psi/min或更低。
一般而言,薄膜(如上述及參照第2A與2B圖所述者)可由彈性材料製成,該彈性材料可承受多種製程條件,例如高剪力及酸性成份等。一般而言,可利用耐久性高分子材料例如矽橡膠、丁基橡膠、天然橡膠、EPDM橡膠、聚醯亞胺及熱塑性彈性體,來形成承載頭薄膜。
在CMP設備中,基板會黏附至覆蓋承載頭的薄膜。此黏著作用有時可能會損傷基板,並導致生產線停工。黏著至承載頭薄膜的基板可能無法在適當的時機脫離,且可能會被基板傳輸機構損壞。此種受損的基板可能會留下碎片或粒子,這些碎片或粒子又可能損壞後續的基板,因此導致一連串的基板損失。更甚者,可能必須關閉生產線,才能移除這些受損的基板或碎片。
為了避免基板附著至承載頭薄膜,製造業者通常會以不沾黏塗層(例如聚對二甲苯,parylene)來塗覆薄膜。聚對二甲苯塗覆製程是一種低壓氣相沉積製程。將聚對二甲苯二聚體(亦稱為二對二甲苯,diparaxylylene)汽化並熱解,以產生對二甲苯雙自由基,其可沉積於薄膜上並於該處聚合成為聚對二甲苯。上述塗層可共形地覆蓋薄膜,且可消除基板附著至薄膜的傾向;然而,其亦可能降低薄膜珠部與對應溝槽共形之能力,而導致較高的氣體滲漏率。
本發明具體實施例提出用於承載頭之方法與設備,上述承載頭之特徵為其薄膜對基板的黏附性較低且其珠部可與承載頭上的接收結構共形。第3A圖為一剖面圖,繪示根據一具體實施例之承載頭薄膜300。第3A圖之承載頭薄膜具有珠部302,且薄膜塗覆了不沾黏塗層304,該不沾黏塗層304僅延伸至珠部302但並未覆蓋珠部。因此,不沾黏塗層304僅覆蓋了薄膜300的安裝表面306與周圍部308。在不塗覆珠部302的情形下,可利用薄膜300之未塗覆部會附著至其他表面的自然傾向而提升密封性。在多個具體實施例中,要將薄膜300安裝於承載頭上時,會將珠部302插入形成於承載頭(未繪示)之基座上的凹部,例如一溝槽。第3A圖中,未經塗覆的珠部可更輕易地與該凹部共形,這是因為和經過塗覆的表面相較之下,未塗覆的薄膜表面300更具有彈性。此外,珠部302的表面可黏著至凹部的內表面,因而加強藉此形成之密封。在某些具體實施例中,薄膜材料,例如珠部表面,一般會以至少約6.0帕斯卡(Pa,Pascals)的黏著力黏附至金屬。在其他具體實施例中,將珠部與基座分離所需的力至少為約0.5毫牛頓(mN)。
第3B圖為剖面圖,繪示根據另一具體實施例之承載頭薄膜。在第3B圖所示之具體實施例中,不沾黏塗層304延伸至薄膜的周圍部308。因此,不沾黏塗層僅覆蓋安裝表面306,且周圍部308與珠部304包含未塗覆表面。在替代性的具體實施例中,可將不沾黏塗層施用於珠部302,但施用至珠部302的塗層比施用至安裝表面306的塗層要來得薄。舉例來說,在某些具體實施例中,不沾黏塗層至少包含聚對二甲苯(parylene或稱polyparaxylylene),且塗覆在安裝表面306上的厚度為50微米(μm),但塗覆在珠部302的厚度僅有10μm。在珠部302上形成較薄的不沾黏層可增加珠部302與基座之凹部共形而形成密封的能力,且同時可降低移除珠部302時所需的分離力。
本發明其他具體實施例提出之承載頭薄膜不需使用如上文所述之不沾黏塗層,即可確實釋放基板。在形成承載頭薄膜時,可使其用以接合基板的表面具有較小的黏著力,例如小於0.02磅,又例如小於0.01磅,而不需在該表面上形成不沾黏塗層。若承載頭薄膜之表面的粗糙度(Ra)至少約10微英吋(μin),例如至少約15μin,該表面的黏著力會小於基板的重量,使得當基板脫離承載頭時,基板不會附著至薄膜表面。可在模鑄製程(如壓縮成型或射出成型)中,利用經設計而可賦予所需表面粗糙度的模型來形成上述承載頭薄膜。或者是,可在形成薄膜之後,在期望的表面上施用可使表面粗糙化的物體來賦予表面粗糙度。上述物體可摩擦該表面而使表面粗糙化,或可在模鑄成型的平滑薄膜表面上黏貼具有一粗糙表面的膜層,而使其具有粗糙表面。若有需要,可藉由施覆不沾黏塗層(如上文所述者)至該薄膜之粗糙表面的一部份或具有粗糙表面的整個薄膜上,以提升粗糙表面的不沾黏性。
一承載頭可具備任一個或所有上述特徵。在一實施例中,承載頭可具有上方部以及與其配對的下方部,使得下方部可相對於上方部移動,如上文參照第2圖所述者。可在下方部中形成凹部(如溝槽),以作為外罩之接收位置。在不同的實施例中,凹部的外型可為圓形或有角的輪廓,例如正方形或矩形,且其寬度可大於、等於或小於其深度。
承載頭可具備一外罩,以利對基板的控制。外罩可以是由可撓性材料(如彈性聚合物)所形成的薄膜。可將不沾黏塗層塗覆於上述外罩的整個表面或一部份上。一般而言,外罩具有中央部、周圍部與邊緣部;上述中央部有一表面以供接合基板或於該表面上安裝基板;上述周圍部有助於與承載頭配對;上述邊緣部則用以和承載頭配對。外罩的邊緣部可以是一珠部且大致上可為圓形,例如正圓形、卵圓形或長橢圓形,或有角的形狀。一般而言,所形成的邊緣部是用來配適(fit)於承載頭的凹部中。可將邊緣部的尺寸與形狀建構成能精確地符合凹部的尺寸與形狀;或在較佳的情形中,可將邊緣部設計成比凹部更寬,而使得需要壓縮才能將邊緣部插入凹部中。壓縮比定義為在壓縮時寬度縮小的百分比,而當壓縮比為約10%至約25%(如約12%至約20%)時,可有效地將外罩邊緣的氣體滲漏控制在約0.2psi/min或以下。當邊緣部的寬度比起欲插入的凹部多出至少10%的時候,通常即可達到可行的密封。在不同具體實施例中,外罩的厚度可大於邊緣部的寬度或小於邊緣部的寬度。外罩通常可在承載頭中界定出一或多個空間或空腔,以用於操控外罩後方的壓力。可藉由操控外罩後方的壓力來改變外罩的形狀,以符合製程目的。
可利用不沾黏塗層來塗覆上述外罩。可使用蒸氣來沉積不沾黏塗層,例如聚對二甲苯塗層;或以液體形式來形成一塗層。可將不沾黏塗層塗覆於整個外罩表面或僅塗覆至其表面的一部分。舉例來說,可在除了邊緣部以外的所有部分上塗覆不沾黏塗層,或將不沾黏塗層僅塗覆於基板接合表面上。可在塗層塗佈製程中使用遮罩,以保護外罩上不需塗覆的部分。遮罩可以是一固定物,其形狀與邊緣部類似,且具有開孔以利將遮罩配適於外罩上。第4A圖為透視圖,闡明安裝了遮罩402的外罩400。在一具體實施例中,遮罩402可以是彈性的管狀固定物,沿著其長度方向上有一縱向開口404,如第4B圖所示。在另一具體實施例中,遮罩402可以是彈性、中空的矩形套管,其具有一縱向開口。在塗覆不沾黏塗層的過程中,可從開口404將外罩的邊緣部插入遮罩中。當將遮罩402安裝於外罩400上時,遮罩402形狀可為環狀。在塗覆不沾黏塗層之後,可移除遮罩402,以得到在一部分表面上具有不沾黏塗層的外罩400。在某些具體實施例中,遮蔽外罩之邊緣部或邊緣部與周圍部,可能較為有利。不沾黏塗層可能因為降低外罩材料(例如矽橡膠、EPDM橡膠、丁基橡膠、天然橡膠、或其他彈性體或熱塑性材料)對承載頭材料(例如金屬)的親和力,而降低邊緣部密封凹部的能力。上述親和力降低會導致密封性降低,因而造成滲漏率提高。不塗覆邊緣部或不塗覆邊緣部與周圍部,可保留邊緣部與凹陷共形與形成所需密封的能力。
在某些具體實施例中,可在外罩上形成粗糙的基板接合表面,而非形成不沾黏塗層。一般而言,可利用模鑄製程來形成上述外罩,其係將可固化或可定形材料置於模具中,並使其成模與定形。所利用的模具可使所形成之外罩的多個選定部分具有粗糙表面。在多個具體實施例中,表面粗糙度(Ra)至少約10μin(如約15μin或以上)的表面可將黏著力降低至小於約0.02磅,而使得基板重量超過黏著力,因而基板可與承載頭分離。亦可藉由在外罩的所選表面上施加機械力以賦予外罩粗糙表面。可利用粗糙化工具來摩擦外罩表面以賦予其粗糙度。或者是,在某些具體實施例中,可將具有粗糙表面的膜層(laminate)施加至外罩上。
某些外罩可以是分節式的構造,其具有多個分配器(divider),這些分配器由外罩表面延伸出且可界定出多個腔室。第5圖為概要剖面圖,闡明承載頭500具有分節式外罩502。該些分配器516可與承載頭500之基座520上的連接點518配合,且當其與連接點518接合時可密封腔室506。一般而言,具有分節式外罩502的承載頭500具有通道504,其可連通承載頭外部的氣源(未繪示)與腔室506,而可將氣體獨立地提供至該些腔室506或將腔室506抽空。在操作中,可將腔室506加壓至不同程度,以改變基板接合表面522的形狀。在某些具體實施例中,較為有利的情形是,可隨著操作腔室506之方式不同,而塗覆不沾黏塗層508至基板接合表面522的一部分。舉例來說,若提供了同心腔室,那麼可加壓或抽空基板接合表面522的中心,以加強對基板的操控處理,在較為有利的情形中,可將不沾黏塗層僅塗覆至基板接合表面中對應於最中心腔室的中央部510。若基板的周圍部分黏著至基板接合表面522的周圍部514,可加壓腔室506最接近外罩502中心的部分,使其成為凸狀,以便使基板脫離周圍部514,且基板接合表面522之中央部510的不沾黏特性可確保基板能確實地脫離承載頭500。相似地,在某些具體實施例中,較為有利的情形是在基板接合表面的一部分522中提供表面粗糙度。在某些具體實施例中,單一外罩的某些部分可具有不沾黏塗層,其他部分則具有粗糙化表面。
在操作中,可利用上述配有外罩的承載頭來可靠地在平坦化設備上操控基板。再次參照第5圖,將外罩502之基板接合表面522移動到鄰近基板處,使得表面522的中心與基板中心對齊以得到最佳結果。使表面522抵靠著基板,且將承載頭中位於外罩後方的空間抽空。在使用分節式外罩的具體實施例中,可將一或多個腔室抽空。在使用非分節式外罩的具體實施例中,可將外罩後方的整個空間實質上抽空。因此可在外罩502後方形成真空,而使基板接合表面522變形成為凹陷的形狀,而在基板接合表面522與基板之間形成一個藉著外罩502周圍部514與基板周邊之間的接觸而密封的空間。在製程過程中,上述真空可將基板牢固地持定於承載頭500上。如此處所述的外罩可保持具有極低滲漏率的真空狀態。在整個製程過程中,承載頭可牢固地持定基板。要釋放基板時,可以環境壓力來解除外罩後方的真空,以便分離基板。若基板接合表面522具有上述不沾黏塗層或粗糙表面,基板將自動地脫離。若部分的基板接合表面(例如中央部)經過塗覆或粗糙化,但與基板黏著,可施加一正壓以將外罩變形為凸狀,以分離基板周邊部分,其後基板中央可自動脫離。這將有利於防止基板在不適當的時間與承載頭發聲不必要的分離。
本發明具體實施例提出在基板承載頭及薄膜之間形成密封的方法。提出一承載頭,其具有一凹部,該凹部可以是溝槽或其他接收結構。凹部可具有任何適當的形狀,但最常見的是圓形或U型、或矩形。提供薄膜用以裝配於承載頭,上述薄膜具有一表面、一周圍部與一邊緣部;上述表面用以接合基板,上述周圍部用以協助形成由基板接合表面延伸的密封;上述邊緣部從周圍部延伸而出且用以和承載頭接合與密封。可在薄膜的邊緣部上形成珠部,珠部的厚度大於薄膜厚度。或者是,薄膜的數個部分的厚度可大於珠部厚度。珠部亦可具有任何適當形狀,但其剖面形狀通常為正圓形、長橢圓形或卵圓形。
珠部厚度大於其所接合之凹部的寬度。在較佳的情形中,珠部的厚度比凹部的寬度至少大上10%。當將珠部插入凹部中的時候會壓縮該珠部,而使得珠部表面與凹部表面形成共形密封。當將珠部插入凹部中的時候,珠部通常會變形,而造成介於約10%至約25%(例如約12%及約20%)間的壓縮比(壓縮比的定義為寬度或厚度縮小的百分比),且在凹部中留下的剩餘空隙空間小於1%。
在根據上述實施例所提供的薄膜中,可如前文所述在薄膜的多個部分上塗覆不沾黏塗層。若有需要,可在塗覆不沾黏塗層之前,遮蔽薄膜的某些部分,而使得這些部分不會被塗覆。在塗覆塗層之前,可在薄膜上提供上文所述的彈性遮罩,且之後可將之移除,以使得薄膜具有多個未塗覆的部分。在某些具體實施例中,較有利的情形是,薄膜的未塗覆部分包含邊緣部,以加強珠部及承載頭之間的密封。在其他具體實施例中,較有利的情形是未塗覆部分亦包含周圍部。在又一些具體實施例,可使未塗覆部分包含除了基板接合表面之中央部以外的所有其他部分,以便在珠部周圍形成可靠的密封、在基板與承載頭間形成可靠的附連,以及當對薄膜施加正壓時能夠可靠地釋放基板。一般而言,具有未塗覆珠部之薄膜可達到小於0.2psi/min之滲漏率。
製造上述遮罩時,可形成一彈性、延長的遮蔽覆套,其剖面形狀可以是任何適當的形狀,例如正圓形或矩形;以及在沿著覆套長度的方向形成一縱向開口,以使得可將遮罩施用至薄膜的多個部分。利用上述方式製得之遮罩可套到薄膜的邊緣部,舉例來說,以便在不沾黏塗層的塗覆過程中遮蔽邊緣部,且之後可移除該遮罩。
製備上文所述之用於平坦化設備的薄膜時,可將其製成一彈性件,其具有一平坦中央部、一輪廓周圍部及圍繞邊緣的一珠部,且該珠部可具有不沾黏塗層。可藉由裝配一遮罩至該彈性件的一部分上,以不沾黏塗層塗覆該彈性件以及移除遮罩,來形成上述不沾黏塗層。形成薄膜時,可將可定形或可固化液體注射至一模具中,並使該液體固化或定形成為一彈性或可撓性材料。可施加熱或壓力,以利固化。當利用未塗覆珠部時,可使用對金屬具有至少6.0Pa之黏著力的材料,藉以加強黏著至承載頭時形成的密封。上文已敘述了此類材料的多個實例,此一材料使得珠部及承載頭間的分離力為至少約0.5mN。
在某些具體實施例中,可提供一模具,其可在薄膜的多個部分上形成粗糙表面。利用上述方法形成的薄膜在該些部分上的表面粗糙度為至少約10μin,例如15μin或以上。在薄膜與基板接觸之該些部分上的表面粗糙度可將基板對薄膜的黏著力降低至小於0.02磅,而使得當釋放真空卡盤時,基板可自動地與承載頭分離。在其他具體實施例中,可在薄膜成型後,藉由施加機械力以將薄膜表面粗糙化。
雖然上文提出了多種具體實施例,亦可設想出其他與進一步的具體實施例。
100、200、500...承載頭
102...基板接合部
104、206、300...薄膜
106、504...通道
108、216、302...珠部
110、218...溝槽
202...外殼
204、520...基座
208...管道
210...彈性隔膜
212...表面
214、308、514...周圍部
220...空間
222...邊緣部
226...連接部分
304、508...不沾黏塗層
306...安裝表面
400...外罩
402...遮罩
404...開口
502...分節式外罩
506...腔室
510...中央部
516...分配器
518...連接點
522...基板接合表面
為了詳細了解上述本發明之特徵,針對上述簡要說明之發明,參照多個實施例提出具體詳細說明,並以附隨圖式闡明其中部分實施例。然而,應指出,附隨圖式僅闡明了典型的具體實施例,不應將其視為對本發明申請專利範圍之限制,本發明亦可能具有其他等效的具體實施例。
第1圖為概要剖面圖,顯示習知技術的承載頭設備範例。
第1A圖為第1圖之設備的細部圖。
第2圖為概要剖面圖,闡明根據一具體實施例之例示性承載頭設備。
第2A及2B圖為第2圖之設備的細部圖。
第3A及3B圖為概要剖面圖,闡明根據具體實施例的二種承載頭薄膜。
第4A圖為透視圖,闡明根據一具體實施例之設備。
第4B圖為一側視圖,闡明根據一具體實施例的遮罩設備。
第5圖為概要剖面圖,闡明根據一具體實施例的承載頭設備。
在各圖式中,盡可能以相同元件符號來指稱相同的元件,以利理解。當可想見,可將一具體實施例中揭露之元件有利地運用於其他具體實施例中而不需具體列舉。
500...承載頭
502...分節式外罩
504...通道
506...腔室
508...塗層
510...中央部
514...周圍部
516...分配器
518...連接點
520...基座
522...基板接合表面
Claims (7)
- 一種用於一基板承載頭的薄膜,包含:一表面,用於接合基板;以及一珠部,位於該表面之邊緣,用於接合該承載頭中的一接收結構,其中該表面具有至少約10微英吋的粗糙度(Ra)。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜,其中該表面的粗糙度(Ra)為至少約15微英吋。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜,其中該表面以小於約0.02磅的黏著力附著至該基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之薄膜,其中該表面以小於約0.01磅的黏著力附著至該基板。
- 一種形成用於一平坦化設備之一薄膜的方法,包含:形成一彈性件,其具有一平坦中央部、一輪廓周圍部以及圍繞該邊緣的一珠部;施加一遮罩至該彈性件的一部分,其中該彈性件之該部分包含該珠部;以一不沾黏塗層塗覆該彈性件;以及 移除該遮罩以提供一塗覆部與一未塗覆部於該薄膜上,其中該未塗覆部包含該珠部。
- 如申請專利範圍第5項所述之方法,其中該彈性件是由選自於由矽橡膠、丁基橡膠、天然橡膠、EPDM橡膠、聚醯亞胺及熱塑性彈性體所組成之群組中的一材料所製成。
- 如申請專利範圍第5項所述之方法,其中施加一遮罩至該彈性件之該部分的步驟包括將一彈性覆層配適在該彈性件的該部分上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US3924608P | 2008-03-25 | 2008-03-25 | |
US3924908P | 2008-03-25 | 2008-03-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200949991A TW200949991A (en) | 2009-12-01 |
TWI540669B true TWI540669B (zh) | 2016-07-01 |
Family
ID=41114621
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098109758A TWI540669B (zh) | 2008-03-25 | 2009-03-25 | 改良式承載頭薄膜 |
TW104112922A TWI619197B (zh) | 2008-03-25 | 2009-03-25 | 改良式承載頭薄膜 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104112922A TWI619197B (zh) | 2008-03-25 | 2009-03-25 | 改良式承載頭薄膜 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20090242125A1 (zh) |
KR (4) | KR101617716B1 (zh) |
CN (2) | CN103252711B (zh) |
TW (2) | TWI540669B (zh) |
WO (1) | WO2009120641A2 (zh) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8475231B2 (en) | 2008-12-12 | 2013-07-02 | Applied Materials, Inc. | Carrier head membrane |
US10160093B2 (en) | 2008-12-12 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Carrier head membrane roughness to control polishing rate |
US8591286B2 (en) | 2010-08-11 | 2013-11-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for temperature control during polishing |
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US10532441B2 (en) | 2012-11-30 | 2020-01-14 | Applied Materials, Inc. | Three-zone carrier head and flexible membrane |
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-
2009
- 2009-03-23 CN CN201310123320.1A patent/CN103252711B/zh active Active
- 2009-03-23 KR KR1020107023707A patent/KR101617716B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-23 KR KR1020157023720A patent/KR101619416B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-23 KR KR1020167011653A patent/KR101722540B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-23 US US12/409,371 patent/US20090242125A1/en not_active Abandoned
- 2009-03-23 WO PCT/US2009/037992 patent/WO2009120641A2/en active Application Filing
- 2009-03-23 KR KR1020177008442A patent/KR20170038113A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-03-23 CN CN2009801105277A patent/CN101981666A/zh active Pending
- 2009-03-25 TW TW098109758A patent/TWI540669B/zh active
- 2009-03-25 TW TW104112922A patent/TWI619197B/zh active
-
2017
- 2017-05-10 US US15/592,038 patent/US20170243779A1/en not_active Abandoned
-
2020
- 2020-08-05 US US16/986,192 patent/US20200381286A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090242125A1 (en) | 2009-10-01 |
KR101722540B1 (ko) | 2017-04-03 |
TW200949991A (en) | 2009-12-01 |
KR20100133447A (ko) | 2010-12-21 |
TWI619197B (zh) | 2018-03-21 |
US20170243779A1 (en) | 2017-08-24 |
US20200381286A1 (en) | 2020-12-03 |
KR20160054630A (ko) | 2016-05-16 |
WO2009120641A2 (en) | 2009-10-01 |
TW201530691A (zh) | 2015-08-01 |
KR20170038113A (ko) | 2017-04-05 |
CN101981666A (zh) | 2011-02-23 |
KR101619416B1 (ko) | 2016-05-10 |
WO2009120641A3 (en) | 2009-12-10 |
KR101617716B1 (ko) | 2016-05-03 |
KR20150104230A (ko) | 2015-09-14 |
CN103252711B (zh) | 2016-06-29 |
CN103252711A (zh) | 2013-08-21 |
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