JP5031393B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5031393B2
JP5031393B2 JP2007033638A JP2007033638A JP5031393B2 JP 5031393 B2 JP5031393 B2 JP 5031393B2 JP 2007033638 A JP2007033638 A JP 2007033638A JP 2007033638 A JP2007033638 A JP 2007033638A JP 5031393 B2 JP5031393 B2 JP 5031393B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
signal
bank
level
test
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007033638A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008198297A (ja
Inventor
裕司 中岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Liquid Design Systems Inc
Original Assignee
Liquid Design Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Liquid Design Systems Inc filed Critical Liquid Design Systems Inc
Priority to JP2007033638A priority Critical patent/JP5031393B2/ja
Publication of JP2008198297A publication Critical patent/JP2008198297A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5031393B2 publication Critical patent/JP5031393B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)

Description

本発明は、自己診断テストを行う半導体記憶装置に関する。
従来、テスタを使用することなくメモリ内部の不良ビットの検出を行うために、メモリデバイス内部に自己診断用の試験回路(BIST:Built In Self Test)を内蔵させることが提案されている(特許文献1参照。)。
特許文献1には、メモリデバイスであるSDRAM(Synchronous DRAM)に内蔵され、外部からの試験活性化信号に応答して活性化する自己試験回路が開示されている。この自己試験回路は、外部からの試験活性化信号WBIZに応答して活性化し、試験動作コマンドWBI-CMDを発生し、試験アドレスWBI-ADDを発生し、試験データWBI-DATAを発生する。自己試験回路は、更に、試験データをメモリセルに書き込んだ後に、そのメモリセルから読み出した読み出しデータが、書き込んだ試験データと同じか否かを比較し、その比較結果を蓄積する。そして、その比較結果情報を外部に出力する。
特開2001−236797号公報
ところで、近年、複数のメモリバンクを備え、動作モードに応じて使用するメモリバンクを切り換えるメモリデバイスが提案されている。このようなメモリデバイスの場合、自己診断回路は1つの動作モードしか診断することができないので、複数の動作モードのうちの1つしか診断できない問題がある。また、すべての動作モードについて自己診断できるようにすると、動作モードの数に応じた数の自己診断回路を設ける必要があり、回路規模が大きくなってしまう問題がある。
本発明は、上述した課題を解決するために提案されたものであり、回路規模を拡大させることなく、各動作モードで自己診断テストを行うことができる半導体記憶装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体記憶装置は、512ビット以上の所定ビットずつデータを入力するデータ入力手段と、前記データ入力手段に入力されたデータを記憶する1つ以上のメモリバンクと、前記メモリバンクから読み出されたデータを前記所定ビットずつ出力するデータ出力手段と、自己診断テスト時に、テストデータ、テストデータ期待値、アドレス信号を発生して前記1つ以上のメモリバンクに供給する自己診断テスト手段と、を備え、前記自己診断テスト手段は、データの記憶対象となるメモリバンクの数が異なる動作モードに応じた周波数の自己診断テスト用クロックを発生する自己診断テストクロック発生手段と、前記自己診断テスト用クロックに基づいてテストデータ、テストデータ期待値、アドレス信号を発生する制御器と、を備え、前記動作モードに応じて、アドレス空間の異なるアドレス信号を発生する。
本発明の半導体記憶装置によれば、自己診断テスト手段がデータの記憶対象となるメモリバンクの数が異なる動作モードに応じて、アドレス空間の異なるアドレス信号を発生することにより、回路規模を拡大させることなく、各動作モードで自己診断テストを行うことができる。
本発明は、回路規模を拡大させることなく、各動作モードで自己診断テストを行う。
以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。
半導体記憶装置は、所定の入力ピンを介して512ビット以上の所定ビットずつのデータを入力する入力バッファ10と、入力バッファ10に入力されたデータを記憶するメモリバンク21、22、23、24を配置したメモリコア20と、メモリコア20から読み出されたデータを外部に対して、前記所定ビットずつのデータを出力する出力バッファ30と、自己診断テスト(BIST:Built In Self Test)時にコマンド、アドレス信号等を発生するBIST回路40と、を備えている。なお、本実施の形態では、所定ビットとして512ビットを例に挙げて説明する。すなわち、512ビットずつデータが入力又は出力されるものとする。
上記半導体記憶装置は、所定の入力ピンとして、クロックピンCLKP、通常ピンPIN、ダイレクトアクセスピンTDAP、BIST活性化ピンTBISTP、BISTリセットピンTRSTP、2バンクモードピンT×2P、4バンクモードピンT×4Pを有する。
クロックピンCLKPには、内部クロックが入力される。通常ピンPINには、テストデータとは異なる、記憶対象である通常のデータが入力される。ダイレクトアクセスピンTDAPには、ダイレクトアクセステストモード信号が入力される。BIST活性化ピンTBISTPには、BIST活性化信号が入力される。BISTリセットピンTRSTPには、BIST動作時リセット信号が入力される。2バンクモードピンT×2Pには、2バンクモードを選択するときに2バンクモード選択信号が入力される。4バンクモードピンT×4Pには、4バンクモードを選択するときに4バンクモード選択信号が入力される。
入力バッファ10は、各ピンに入力された信号のうち、通常のデータをメモリコア20に供給し、BIST動作時リセット信号TRSTをBIST回路40に供給し、その他の信号をメモリコア20及びBIST回路40に供給する。
メモリコア20は、メモリバンク21、22、23、24の4つのバンクと、図示しないデータコントロール回路と、を備えている。ただし、1バンクモードのときはメモリバンク21に、2バンクモードのときはメモリバンク21、22に、4バンクモードのときはメモリバンク21〜24に対してデータの書き込み及び読み出しが行われる。なお、各バンクモードの移行は可能であるのは勿論である。
1バンクモードの場合、メモリバンク21に対して所定ビットのデータが書き込まれ、メモリバンク21から所定ビットのデータが読み出される。
2バンクモードの場合、書込み時では、所定ビットずつ入力バッファ10に入力されたデータが、入力された順にメモリバンク21、22にそれぞれ分配され書き込まれる。また読出し時では、メモリバンク21、22から読み出された所定ビットずつのデータは、メモリバンク21のデータ、メモリバンク22のデータの順に外部に出力される。
4バンクモードの場合、書込み時では、所定ビットずつ入力されたデータが、入力された順にメモリバンク21、22にそれぞれ分配され書き込まれる。更に、続いて所定ビットずつ入力されたデータが、入力された順にメモリバンク23、24にそれぞれ分配され書き込まれる。また、読出し時では、メモリバンク21、22から読み出された所定ビットずつのデータは、メモリバンク21のデータ、メモリバンク22のデータの順に外部に出力される。メモリバンク23、24から読み出された所定ビットずつのデータは、メモリバンク23のデータ、メモリバンク22のデータの順に外部に出力される。
メモリコア20は、1バンク、2バンク、4バンクモードのいずれのモードであっても、自己診断テスト(BIST)モードになると、テストデータを書き込んだ後メモリバンクからテストデータを読み出し、読み出されたテストデータと期待値信号との比較結果を示すBIST結果出力信号を出力する。そして、出力バッファ30は、メモリコア20又はBIST回路40から供給された信号を外部に出力する。
この自己診断テストモードでは、具体的には、メモリコア20のデータコントロール回路が、64ビット分のデータを1ビットに圧縮することによって、512ビットずつのデータを8ビットずつのテストデータに圧縮する。このテストデータは、各メモリバンクに書き込まれる。また、データコントロール回路は、各メモリバンクから読み出されたテストデータとその期待値信号とを比較して、一致しているときに“PASS”を表す信号(例えばHレベルの信号)、一致していないときに“FAIL”を表す信号(例えばLレベルの信号)を出力する。このような自己診断テストモードでは、一度でもFAILすると、その結果をパターン終了時まで保持する必要がある。このため、一度FAILすると例えばLレベルとなったとしたら、Lレベルがラッチされ。その後、PASSしてもHレベルにならないようになっている。なお、“PASS”を表す信号としてLレベルの信号を用い、“FAIL”を表す信号としてHレベルの信号を用いてもよい。
BIST回路40は、各種コマンド信号、アドレス信号、書込みデータ(テストデータ)及び読出し期待値信号(期待値)を生成する。ここで、BIST回路40は、BIST時クロックBCLK及びBIST時アクティブ信号を発生するクロック/アクティブ信号発生回路41と、BIST時に所定の信号等を発生するBISTパターンシーケンサ42と、を備えている。
クロック/アクティブ信号発生回路41は、内部クロックICLK、ダイレクトアクセステストモード信号TDA、BIST活性化信号TBIST、BIST動作時リセット信号TRST、必要に応じて2バンクモード選択信号又は4バンクモード選択信号に基づいて、BISTクロックBCLKと、BISTアクティブ信号BACTBと、を発生する。そして、クロック/アクティブ信号発生回路41は、BCLKをBISTパターンシーケンサ42に供給し、BACTBをメモリコア20に供給する。
BISTパターンシーケンサ42は、内部クロックICLK、BISTクロックBCLK、BIST動作時リセット信号TRST、必要に応じて2バンクモード選択信号又は4バンクモード選択信号に基づいて、チップセレクト信号BCSB、BIST時アクティブ信号BACTB、アドレス信号を構成する内部信号BA、書込み活性化信号BWEB、リフレッシュ信号BREF、テストデータ、読み出されたテストデータの期待値を発生する。
図2は、クロック/アクティブ信号発生回路41の構成を示す回路図である。クロック/アクティブ信号発生回路41は、同図に示すように、否定論理積回路NAND1〜NAND7と、否定回路NOT1〜NOT26と、NMOSトランジスタNTR1〜NTR7と、PMOSトランジスタPTR1〜PTR6と、を備えている。そして、自己診断テスト時になると、TBIST端子には、L(Low)レベルのBIST活性化信号TBISTが入力され、更に、TRST端子には、H(High)レベルのBIST動作時リセット信号が入力される。
1バンクモードのときは、T×2端子及びT×4端子には、共にLレベルの信号が入力される。このとき、BCLK端子からは、ICLKがそのまま出力される。また、BACTB端子からは、Lレベルの信号が出力される。
2バンクモードのときは、T×2端子にはHレベルの信号が入力され、T×4端子にはLレベルの信号が入力される。このとき、BCLK端子からは、2クロックICLK期間を1周期とし、かつ、1クロックICLK期間だけクロックICLKと同じレベルで変化し、残りの1クロックICLK期間はLレベルになるBCLKが出力される。また、BACTB端子からは、2クロックICLKを1周期とする信号が出力される。
4バンクモードのときは、T×2端子にはLレベルの信号が入力され、T×4端子にはHレベルの信号が入力される。このとき、BCLK端子からは、4クロックICLK期間を1周期とし、かつ、1クロックICLK期間だけクロックICLKと同じレベルで変化し、残りの3クロックICLK期間はLレベルになるBCLKが出力される。また、BACTB端子からは、1クロックICLK期間Lレベルであって3クロックICLK期間Hレベルの信号が出力される。
図3は、BISTパターンシーケンサ42のアドレス信号を発生する部分の回路構成を示す図である。BISTパターンシーケンサ42は、BIST時内部信号BAi(i=0,1,・・・,15)等を発生するアドレス発生回路51と、BIST時内部信号BA16を発生するアドレス発生回路52と、BIST時内部信号BA17を発生するアドレス発生回路53と、MOSトランジスタ等の論理回路と、を備えている。なお、BIST時のアドレス信号は、18ビットの内部信号BAi(i=0,1,・・・,17)で構成される。
アドレス発生回路51は、BCLK及びTRSTに基づいて、BA0,BA1,・・・,BA15で構成される16ビットのBIST時内部信号と、アドレスカウントアップ検知信号CNTA0−15を発生する。ここで、アドレスカウントアップ検知信号CNTA0−15とは、BA0,BA1,・・・,BA15のすべてが“1(Hレベル)”のときにHレベルになり、BA0,BA1,・・・,BA15のいずれか1つでも“0(Lレベル)”のときにLレベルになる信号である。
なお、アドレス発生回路51により発生された内部信号BA0は、否定回路NOT01、NOT02を介して、BA0端子に供給される。同様に、内部信号BA1,BA2,・・・,BA14は、図示しない2つの否定回路を介して、図示しないBA1,BA2,・・・,BA14端子に供給される。内部信号BA15は、否定回路NOT15A,NOT15Bを介して、BA15端子に供給される。
アドレス発生回路52は、BCLK、TRSTの各端子からの信号、アドレス発生回路51により発生されたアドレスカウントアップ検知信号CNTA0−15に基づいて、BIST時内部信号BA16を発生する。ここで、アドレス発生回路52の出力端子は、NMOSトランジスタNTR11のドレイン及びPMOSトランジスタPTR11のソースに接続されている。NMOSトランジスタNTR11のソース及びPMOSトランジスタPTR11のドレインは、共に、2つの反転回路NOT51、NOT52を介してBA16出力端子に接続され、更にPMOSトランジスタPTR12のドレインに接続されている。PMOSトランジスタPTR12のソースには所定の電圧が印加され、そのゲートはNMOSトランジスタNTR11のゲートに接続されている。
アドレス発生回路53は、BCLK、TRST及びBA16の各端子からの信号、アドレス発生回路51により発生されたアドレスカウントアップ検知信号CNTA0−15に基づいて、1ビットのBIST時内部信号BA17を発生する。ここで、アドレス発生回路53の出力端子は、NMOSトランジスタNTR12のドレイン及びPMOSトランジスタPTR13のソースに接続されている。NMOSトランジスタNTR12のソース及びPMOSトランジスタPTR13のドレインは、共に、2つの反転回路NOT65、NOT66を介してBA17出力端子に接続され、更にPMOSトランジスタPTR14のドレインに接続されている。PMOSトランジスタPTR14のソースには所定の電圧が印加され、そのゲートはNMOSトランジスタNTR12のゲートに接続されている。
2バンクモード選択端子(T×2)は、否定回路NOT61を介して、否定論理積回路NAND11の一方の入力端子に接続されている。4バンクモード選択端子(T×4)は、否定回路NOT62を介して、否定論理積回路NAND11の他方の入力端子に接続されている。否定回路NOT62の出力端子は、NMOSトランジスタNTR11のベースに接続されていると共に、否定回路NOT68を介してPMOSトランジスタPTR11のベースに接続されている。
否定論理積回路NAND11の出力端子は、否定回路NOT63の入力端子に接続されている。否定回路NOT63の出力端子は、NMOSトランジスタNTR12のベースに接続されていると共に、否定回路NOT64を介してPMOSトランジスタPTR13のベースに接続されている。
否定論理積回路NAND12は、アドレス発生回路51からのアドレスカウントアップ検知信号出力端子、内部信号BA16、BA17の否定的論理積を出力する。否定論理積回路NAND12の出力端子は、否定回路NOT67を介して、CNTA端子に接続されている。よって、CNTA端子から出力される全アドレスカウントアップ検知信号CNTAは、BA0,BA1,・・・,BA17のすべてが“1(Hレベル)”のときにHレベルになり、BA0,BA1,・・・,BA17のいずれか1つでも“0(Lレベル)”のときにLレベルになる。
以上のように構成されたBISTパターンシーケンサ42は、BIST時になると、バンク1、2、4のいずれかのモードに応じて、アドレス信号及びアドレスカウントアップ検知信号CATAを出力する。
バンク1モードの場合、2バンク選択端子及び4バンク選択端子には、Lレベルの信号が入力される。このとき、NMOSトランジスタNTR11、PMOSトランジスタPTR11がオンになる。よって、アドレス発生回路52は、否定回路NOT51,NOT52を介して、BA16端子に内部信号BA16を出力する。
また、NMOSトランジスタNTR12、PMOSトランジスタPTR13がオンになる。よって、アドレス発生回路53は、否定回路NOT65,NOT66を介して、BA17端子に内部信号BA17を出力する。
なお、アドレス発生回路51は、否定回路NOTを介して、内部信号BA0,BA1,・・・,BA15を、BA0,BA1,・・・,BA15の各端子に出力する。よって、BISTパターンシーケンサ42は、バンク1モードの場合、内部信号BAi(i=0,1,・・・,17)で構成されるアドレス信号を発生する。
バンク2モードの場合、2バンク選択端子にはHレベルの信号が入力され、4バンク選択端子にはLレベルの信号が入力される。このとき、NMOSトランジスタNTR11、PMOSトランジスタPTR11がオンになる。よって、アドレス発生回路52は、否定回路NOT51,NOT52を介して、BA16端子に内部信号BA16を出力する。
一方、NMOSトランジスタNTR12、PMOSトランジスタPTR13はオフになる。このため、アドレス発生回路53は、内部信号BA53をBA17端子に出力できない。また、PMOSトランジスタPTR14はオンになる。このため、否定回路NOT65の入力端子にHレベルの電圧が印加され、BA17端子はHレベルに固定される。
なお、アドレス発生回路51は、否定回路NOTを介して、内部信号BA0,BA1,・・・,BA15を、BA0,BA1,・・・,BA15の各端子に出力する。よって、BISTパターンシーケンサ42は、バンク2モードの場合、内部信号BAi(i=0,1,・・・,16)で構成されるアドレス信号を発生する。なお、内部BA17はHレベルに固定されている。
4バンクモードの場合、2バンク選択端子にはLレベルの信号が入力され、4バンク選択端子にはHレベルの信号が入力される。このとき、NMOSトランジスタNTR11、PMOSトランジスタPTR11がオフになる。よって、アドレス発生回路52は、BA16端子に内部信号BA16を出力できない。また、PMOSトランジスタPTR12はオンになる。このため、否定回路NOT51の入力端子にHレベルの電圧が印加され、BA16端子はHレベルに固定される。
一方、NMOSトランジスタNTR12、PMOSトランジスタPTR13はオフになる。このため、アドレス発生回路53は、内部信号BA53をBA17端子に出力できない。また、PMOSトランジスタPTR14はオンになる。このため、否定回路NOT65の入力端子にHレベルの電圧が印加され、BA17端子はHレベルに固定される。
なお、アドレス発生回路51は、否定回路NOTを介して、内部信号BA0,BA1,・・・,BA15を、BA0,BA1,・・・,BA15の各端子に出力する。よって、BISTパターンシーケンサ42は、バンク4モードの場合、内部信号BAi(i=0,1,・・・,15)で構成されるアドレス信号を発生する。なお、内部BA16,BA17はHレベルに固定されている。
図4は、メモリコア20の入力回路25を示す図である。メモリコア20の入力回路25は、通常入力信号(データ)、BIST活性化信号TBIST、BIST回路40から入力信号に基づいて、内部信号を生成する。
通常入力信号(データ)が入力される端子は、否定回路NOT71を介して、否定論理積回路NAND21の一方の入力端子に接続されている。BIST活性化信号TBISTが入力される端子は、否定回路NOT72を介して否定論理積回路NAND21の他方の入力端子に接続され、更に、否定回路NOT72及びNOT74を介して否定論理積回路NAND22の一方の入力端子に接続されている。BIST回路40からの入力信号が入力される端子は、否定回路NOT73を介して、否定論理積回路NAND22の他方の入力端子に接続されている。
否定論理積回路NAND23の一方の入力端子は否定論理積回路NAND21の出力端子に接続され、否定論理積回路NAND23の他方の入力端子は否定論理積回路NAND22の出力端子に接続されている。否定論理積回路NAND23の出力端子は、否定回路NOT75を介して、内部信号を出力する。
このような構成の入力回路25は、BIST活性化信号TBISTがLレベルの場合、すなわちデータの書込み/読出しを行う場合、通常入力信号を内部信号として出力する。また、入力回路25は、BIST活性化信号TBISTがHレベルの場合、すなわちBIST実行時の場合、BIST回路40からの入力信号を内部信号として出力する。
以上のように構成された半導体記憶装置は、1バンクモード、2バンクモード、4バンクモードのそれぞれの自己診断テスト時において、以下のように動作する。
図5は、1バンクモードでBIST実行時の半導体記憶装置で使用される信号のタイムチャートである。なお、CLKは図1に示すクロックピンCLKPに供給されるクロックを示しているので、CLKとICLKは同じクロックとなる。また、BIST動作時リセット信号TRSTはHレベルである。1バンクモードでは、書込み周期及び読出し周期は、それぞれ1クロックである。
チップセレクト信号BCSBがLレベルになると、次のクロックICLK*がHレベルのときに、BCLKもHレベルになる。その後、BCLKは、ICLKと同一周期かつ同位相で変化する。BACTBは、常にLレベルである。
18ビットの内部信号BAi(i=0,1,・・・,17)で構成されるアドレス信号は、BCLKに同期して、BCLKと同一周期で発生する。ここで、BAi(0)、BAi(2)は書込み時のアドレス信号、BAi(1)は読出し時のアドレス信号である。
BWEBは、Lレベルで活性化を示す書込み活性化信号である。BWEBは、書込み時のアドレス信号に同期してLレベルになり、2クロックICLKを1周期として変化する。
BTDj(j=0,1,・・・,7)は、テストデータ、及びテストデータを読み出したときの期待値を示している。なお、BTDj(X)の“X”は0以上の整数であり、“X”が偶数のときはテストデータ、奇数のときは期待値を示している。
よって、8ビットのテストデータBTDjと8ビットの期待値BTDjは、BWEBに同期して、1クロックICLK毎に交互に、メモリコア20へ供給される。そして、テストデータと期待値とが比較され、これら一致する場合はBIST結果出力信号TRSLTがHレベル(PASS)になり、一致しない場合はBIST結果出力信号TRSLTがLレベル(FAIL)になる。
ここで、各メモリバンクが128Mビット(=256k×512ビット)で構成されている場合、BIST実行時では512ビットのデータが8ビットのデータに圧縮されるので、メモリ空間は256k×8ビットになる。よって、1バンクモードでは、メモリ空間は256k×8ビットである。
図6は、2バンクモードのときに半導体記憶装置で使用される信号のタイムチャートである。2バンクモードでは、書込み周期及び読出し周期は、それぞれ2クロックICLKである。なお、ICLKの周波数は、1バンクモードのときのICLKの周波数の2倍である。
チップセレクト信号BCSBがLレベルになると、次のクロックICLK*がHレベルのときに、BCLKもHレベルになる。その後、BCLKは、2クロックICLK周期毎に、クロックICLKがHレベルのときに同時にHレベルになる。
BACTBは、BCKLがLレベルになったときにHレベルになり、2クロックICLKを1周期として変化する。
18ビットの内部信号BAi(i=0,1,・・・,17)で構成されるアドレス信号は、BACTBがHレベルになる毎に、すなわち2クロックICLK周期毎に、発生する。ここで、BAi(0)、BAi(2)は書込み時のアドレス信号、BAi(1)は読出し時のアドレス信号である。なお、BA17はHレベルで固定されている。
BWEBは、BACTBがHレベルになる毎にレベルが反転し、4クロックICLKで変化する。
BTDj(j=0,1,・・・,7)は、テストデータ、及びテストデータを読み出したときの期待値を示している。なお、BTDj(XY)の“X”は0以上の整数であり、“X”が偶数のときはテストデータ、奇数のときは期待値を示している。また、“Y”が“A”であるときはメモリバンク21に対するデータであることを示し、“B”であるときはメモリバンク22に対するデータであることを示している。
よって、8ビットのテストデータBTDjが、2クロックICLK期間メモリコア20に供給された後に、8ビットの期待値BTDjが、2クロックICLK期間メモリコア20に供給される。
そして、テストデータと期待値とが比較され、これら一致する場合はBIST結果出力信号TRSLTがHレベル(PASS)になり、一致しない場合はBIST結果出力信号TRSLTがLレベル(FAIL)になる。
ここで、2バンクモードであっても、メモリ空間は1バンクモードと同じである。そして、上記メモリ空間において、メモリバンク21、22に対するデータの入出力の順番が固定された状態で、8ビットずつ2回(8ビット×2)のデータの書き込み/読出しが行われる。このため、上記メモリ空間は128k×8ビット×2となる。よって、アドレス空間は、1バンクモードの256kに対して、アドレスが1つ減って(BA17が固定されて)128kとなる。
図7は、4バンクモードのときに半導体記憶装置で使用される信号のタイムチャートである。4バンクモードでは、書込み周期及び読出し周期は、それぞれ4クロックICLKである。なお、ICLKの周波数は、1バンクモードのときのICLKの周波数の4倍である。
チップセレクト信号BCSBがLレベルになると、次のクロックICLK*がHレベルのときに、BCLKもHレベルになる。その後、BCLKは、4クロックICLK周期毎に、クロックICLKがHレベルのときに同時にHレベルになる。
BACTBは、BCKLがLレベルになったときにHレベルになり、3クロックICLK期間Lレベルになり、その後1クロックICLK期間だけLレベルになることを繰り返す。すなわち、BACTBは、4クロックICLKを1周期として変化する。
18ビットの内部信号BAi(i=0,1,・・・,17)で構成されるアドレス信号は、BACTBがHレベルになる毎に、すなわち4クロックICLK周期毎に、発生する。ここで、BAi(0)、BAi(2)は書込み時のアドレス信号、BAi(1)は読出し時のアドレス信号である。なお、BA16、BA17はHレベルで固定されている。
BWEBは、BACTBがHレベルになる毎にレベルが反転し、8クロックICLKを1周期として変化する。
BTDj(j=0,1,・・・,7)は、テストデータ、及びテストデータを読み出したときの期待値を示している。なお、BTDj(XY)の“X”は0以上の整数であり、“X”が偶数のときはテストデータ、奇数のときは期待値を示している。また、“Y”が“A”であるときはメモリバンク21に対するデータであることを示し、“B”であるときはメモリバンク22に対するデータであることを示している。同様に、“Y”が“C”であるときはメモリバンク23に対するデータであることを示し、“D”であるときはメモリバンク24に対するデータであることを示している。
よって、8ビットのテストデータBTDjが、4クロックICLK期間メモリコア20に供給された後に、8ビットの期待値BTDjが、4クロックICLK期間メモリコア20に供給される。
そして、テストデータと期待値とが比較され、これら一致する場合はBIST結果出力信号TRSLTがHレベル(PASS)になり、一致しない場合はBIST結果出力信号TRSLTがLレベル(FAIL)になる。
また4バンクモードであっても、メモリ空間は1及び2バンクモードと同じである。そして、上記メモリ空間において、メモリバンク21、22、23、24に対するデータの入出力の順番が固定された状態で、8ビットずつ4回(8ビット×4)のデータの書き込み/読出しが行われる。このため、上記メモリ空間は64k×8ビット×4となる。よって、アドレス空間は、1バンクモードの256kに対して、アドレスが2つ減って(BA16、BA17が固定されて)64kとなる。
以上のように、本実施の形態に係る半導体記憶装置は、動作モードに応じて使用するメモリバンクの数及び動作周波数が変わる場合であっても、自己診断テスト時には、各動作モードに対応するBISTクロックBCLK及びBISTアクティブ信号を発生することにより、各動作モードに対応する複数のBIST回路を設けることなく、単一のBIST回路40によって正常に自己診断テストを行うことができる。
上記半導体記憶装置は、特に、1バンクモードに比べて2バンクモードのアドレス空間が半分になるので、自己診断テスト時には、アドレス信号A0−A17のうちのA17をHレベルに固定する。また、半導体記憶装置は、1バンクモードに比べて4バンクモードのアドレス空間が1/4になるので、自己診断テスト時には、アドレス信号A0−A17のうちのA16、A17をHレベルに固定する。これにより、上記半導体記憶装置は、動作モードに応じてアドレス空間が異なる場合であっても、それに対応して自己診断テストを行うことができる。
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内で設計上の変更をされたものにも適用可能であるのは勿論である。
本発明の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。 クロック/アクティブ信号発生回路の構成を示す回路図である。 BISTパターンシーケンサのアドレス信号を発生する部分の回路構成を示す図である。 メモリコアの入力回路を示す図である。 1バンクモードでBIST実行時の半導体記憶装置で使用される信号のタイムチャートである。 2バンクモードのときに半導体記憶装置で使用される信号のタイムチャートである。 4バンクモードのときに半導体記憶装置で使用される信号のタイムチャートである。
符号の説明
10 入力バッファ
20 メモリコア
21、22、23、24 メモリバンク
30 出力バッファ
40 BIST回路
41 クロック/アクティブ信号発生回路
42 BISTパターンシーケンサ

Claims (3)

  1. 512ビット以上の所定ビットずつデータを入力するデータ入力手段と、
    前記データ入力手段に入力されたデータを記憶する1つ以上のメモリバンクと、
    前記メモリバンクから読み出されたデータを前記所定ビットずつ出力するデータ出力手段と、
    自己診断テスト時に、テストデータ、テストデータ期待値、アドレス信号を発生して前記1つ以上のメモリバンクに供給する自己診断テスト手段と、を備え、
    前記自己診断テスト手段は、データの記憶対象となるメモリバンクの数が異なる動作モードに応じた周波数の自己診断テスト用クロックを発生する自己診断テストクロック発生手段と、前記自己診断テスト用クロックに基づいてテストデータ、テストデータ期待値、アドレス信号を発生する制御器と、を備え、前記動作モードに応じて、アドレス空間の異なるアドレス信号を発生する
    半導体記憶装置。
  2. 前記自己診断テスト手段は、データの記憶対象となるメモリバンクの数が多くなる動作モードに移行するとアドレス空間を狭くしたアドレス信号を発生し、データの記憶対象となるメモリバンクの数が少なくなる動作モードに移行するとアドレス空間を広くしたアドレス信号を発生する
    請求項1に記載の半導体記憶装置。
  3. データの記憶対象となるメモリバンクの数が複数の場合、各メモリバンクにデータが書き込まれる順番、及び各メモリバンクからデータが読み出される順番が固定されている
    請求項に記載の半導体記憶装置。
JP2007033638A 2007-02-14 2007-02-14 半導体記憶装置 Expired - Fee Related JP5031393B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007033638A JP5031393B2 (ja) 2007-02-14 2007-02-14 半導体記憶装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007033638A JP5031393B2 (ja) 2007-02-14 2007-02-14 半導体記憶装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008198297A JP2008198297A (ja) 2008-08-28
JP5031393B2 true JP5031393B2 (ja) 2012-09-19

Family

ID=39757087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007033638A Expired - Fee Related JP5031393B2 (ja) 2007-02-14 2007-02-14 半導体記憶装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5031393B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5091044B2 (ja) 2008-07-31 2012-12-05 株式会社デンソー マイクロストリップアレーアンテナ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53120234A (en) * 1977-03-30 1978-10-20 Toshiba Corp Semiconductor memory
JPS60261148A (ja) * 1984-06-07 1985-12-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS6150296A (ja) * 1984-08-20 1986-03-12 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPS6410496A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Nec Corp Semiconductor storage device
JPH01140489A (ja) * 1987-11-27 1989-06-01 Nec Corp 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008198297A (ja) 2008-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100609671B1 (ko) 자기 시험 회로 및 이 자기 시험 회로를 내장한 메모리디바이스
US7366965B2 (en) Semiconductor integrated circuit
US20020031025A1 (en) Semiconductor memory device performing redundancy repair based on operation test and semiconductor integrated circuit device having the same
JPH11238393A (ja) 欠陥救済回路及び欠陥救済方法
KR100718518B1 (ko) 반도체 기억 장치
JP2001148199A (ja) 自己テスト回路内蔵半導体記憶装置
KR100557517B1 (ko) 반도체 기억 장치의 테스트 방법 및 반도체 기억 장치의테스트 회로
US20080013389A1 (en) Random access memory including test circuit
JPH10170607A (ja) 半導体デバイスのテスト装置
US7406637B2 (en) Semiconductor memory device capable of testing memory cells at high speed
JP4129187B2 (ja) 半導体メモリ試験装置及び不良解析用アドレス発生方法
US8274854B2 (en) Semiconductor storage device and method for producing semiconductor storage device
KR100371047B1 (ko) 메모리시험회로와메모리시험회로가포함되어있는반도체집적회로및반도체메모리장치의불량검출방법
JP5031393B2 (ja) 半導体記憶装置
KR100543449B1 (ko) 상대 어드레스 방식으로 모든 메모리 셀들의 액세스가가능하게 하는 반도체 메모리 장치
JP2008299993A (ja) 半導体記憶装置
US7085974B2 (en) Semiconductor device, method of testing the same and electronic instrument
JP2005129174A (ja) メモリ自己検査機能を有する半導体装置
JP2004253046A (ja) Bist回路、半導体装置及びbist回路のコマンドパターン生成方法
JPS6366799A (ja) 半導体記憶装置
KR100388976B1 (ko) 메모리용 비아이에스티 회로
JPH1166889A (ja) 高速試験機能つきメモリ
JPH06119778A (ja) 半導体集積回路
JP2001126498A (ja) 半導体記憶装置
KR20090108160A (ko) 테스트 신호 생성 회로를 갖는 반도체 메모리 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20080623

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20080904

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20080905

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100212

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120302

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120313

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120509

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120529

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120627

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5031393

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees