JP5019666B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特にたとえばLED(発光ダイオード)またはLD(半導体レーザ)等のような表面電極を有する半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図6に示す従来の半導体装置(LED)1では、半導体チップ(LEDチップ)2の表面が平坦にされ、この平坦面3上に電極4が形成されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術では、平坦面3上に電極4が形成されていたので、電極4の底部外周縁にエッジ4aが生じていた。そのため、ワイヤボンディング時に電極4に対して衝撃や超音波振動が加わると、エッジ4aから半導体チップ2に対して集中的な力が作用し、半導体チップ2(平坦面3)にエグレが生じるおそれがあった。そして、エグレが生じた場合には、半導体装置1の電気的特性が変動して、品質が低下するおそれがあった。
【0004】
それゆえに、この発明の主たる目的は、半導体チップのエグレを防止することにより品質の低下を防止できる、半導体装置の製造方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明は、(a)基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャルウェハを形成するステップ、(b)ステップ(a)で形成したエピタキシャルウェハの表面に、隅部分を湾曲させた凹部をエッチングにより形成するステップ、(c)ステップ(b)で形成した凹部を含むエピタキシャルウェハの表面にコンタクト層、Ti層およびAu層となるべき各層を順次積層し、凹部に対応する部分以外でその積層物をエッチングにより除去することによって、コンタクト層、Ti層およびAu層からなりかつエピタキシャル層にコンタクト層のみを接触させた第1の電極を形成するステップ、(d)ステップ(a)で形成したエピタキシャルウェハの裏面に第2の電極を形成するステップ、および(e)エピタキシャルウェハの表面における凹部の形成位置を除いた範囲に酸化膜を成長させるステップを含む、半導体装置の製造方法である。
【0007】
【作用】
半導体チップの表面に形成された凹部内に蒸着法等により電極を形成すると、電極の底面および側面と凹部の内面とが互いに密着される。したがって、ワイヤボンディング時の衝撃や超音波振動が電極に作用すると、その衝撃や振動が電極から凹部の内面に伝搬され、広範囲に分散されて吸収される。また、凹部の隅を湾曲させると、半導体チップにおける応力集中が回避される。
【0008】
【発明の効果】
この発明によれば、半導体チップに作用する力を凹部の内面に伝搬させて吸収することができるので、半導体チップのエグレを防止でき、品質の低下を防止できる。
【0009】
この発明の上述の目的,その他の目的,特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【0010】
【実施例】
図1に示すLED10は、本発明に係る半導体装置の一実施例であり、たとえば図2に示すようなLEDランプ12や図示しないLEDディスプレイ等に用いられるものである。
【0011】
LED10は、p型GaAs基板14の上にp型GaAlAs層16およびn型GaAlAs層18が順次積層されたLEDチップ20を含み、LEDチップ20(基板14)の裏面には、電極22が形成され、LEDチップ20(n型GaAlAs層18)の表面には、凹部24が形成される。
【0012】
凹部24は、電極26を設ける位置にエッチング等により円形に形成され、凹部24の隅(角部分)24aは、エッチング条件等に依存した所定の曲率で湾曲される。そして、凹部24の内部には、電極26が形成される。
【0013】
電極26は、NiまたはZn等を含むコンタクト層28ならびにコンタクト層28の上に順次積層されるTi層30およびAu層32を含み、電極26の底面および側面が凹部24の内面に密着される。
【0014】
LED10を製造する際には、まず、図3(A)に示すように、p型GaAs基板14a上に、p型GaAlAs層16aおよびn型GaAlAs層18aを有機金属気相成長法(MOCVD法),分子線エピタキシャル成長法(MBE法)またはCVD法等のような成長法により成長させて、エピタキシャルウェハ20aを得る。
【0015】
続いて、図3(B)に示すように、エピタキシャルウェハ20aの表面に孔34aを有するレジスト34を形成し、孔34aに露出したn型GaAlAs層18aの表面に凹部24をエッチングにより形成し、その後、レジスト34を除去する。
【0016】
そして、図3(C)に示すように、エピタキシャルウェハ20aの裏面および表面に電極22aおよび26aを蒸着法により形成する。電極26aを形成する際には、まず、図4(A)に示すように、エピタキシャルウェハ20aの表面に層28a,30aおよび32aを蒸着法により順次積層する。そして、図4(B)に示すように、これらの層のうち、凹部24に対応する部分をフォトリソグラフィーによるレジスト材36で保護する。続いて、図4(C)に示すように、不要部分の各層28a,30aおよび32aをエッチングにより除去するとともに、電極26a上のレジスト材36を除去する。そして、図4(D)に示すように、エピタキシャルウェハ20aの表面に酸化膜38を成長させる。
【0017】
最後に、図示しないダイシングソーによりエピタキシャルウェハ20aを切断分割し、LED10(図1)を得る。
【0018】
LEDランプ12(図2)を製造する際には、図2に示すように、一方のリード40aの上端に形成されたマウント部40bにLED10をダイボンディングし、他方のリード40cの上端とLED10の電極26とをワイヤボンディングする。そして、LED10の全体をモールド樹脂42によりモールドする。
【0019】
ワイヤボンディング工程では、ボンディングに伴う衝撃または超音波振動が電極26に作用するが、その衝撃または振動は、凹部24(図1)の内面全体に伝搬され、広範囲に分散されて吸収される。
【0020】
この実施例によれば、電極26からLEDチップ20に作用する力を凹部24の内面に伝搬させることにより効率よく吸収できる。また、凹部24の隅を湾曲させているので、LEDチップ20における応力集中を回避できる。したがって、LEDチップ20の損傷(エグレや割れ等)を防止でき、LED10の品質低下を防止できる。
【0021】
なお、上述の実施例では、図1に示すように、凹部24の底面を平坦にするとともに、電極26の上部をLEDチップ20の表面に突出させているが、たとえば図5(A)または図5(C)に示すように、凹部24の底面を湾曲させてもよいし、たとえば図5(B)または図5(C)に示すように、電極26の上面とLEDチップ20の上面とを面一にしてもよい。
【0022】
また、上述の実施例では、この発明をいわゆるSH(シングルヘテロ)構造のLEDに適用した場合を示したが、この発明は、DH(ダブルヘテロ)構造やその他の構造のLEDにも適用可能であり、さらに、LD(半導体レーザ)やその他の半導体装置にも適用可能である。つまり、この発明は、表面電極を有するあらゆる半導体装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例のLEDを示す図解図である。
【図2】LEDの使用状態を示す図解図である。
【図3】LEDの製造方法を示す図解図である。
【図4】電極の形成方法を示す図解図である。
【図5】この発明の他の実施例を示す図解図である。
【図6】従来技術を示す図解図である。
【符号の説明】
10 …LED
12 …LEDランプ
14 …基板
20 …LEDチップ
22,26 …電極
24 …凹部
28 …コンタクト層
30 …Ti層
32 …Au層
Claims (1)
- (a)基板上にエピタキシャル層を成長させてエピタキシャルウェハを形成するステップ、
(b)前記ステップ(a)で形成したエピタキシャルウェハの表面に、隅部分を湾曲させた凹部をエッチングにより形成するステップ、
(c)前記ステップ(b)で形成した凹部を含む前記エピタキシャルウェハの表面にコンタクト層、Ti層およびAu層となるべき各層を順次積層し、前記凹部に対応する部分以外でその積層物をエッチングにより除去することによって、前記コンタクト層、前記Ti層および前記Au層からなりかつ前記エピタキシャル層に前記コンタクト層のみを接触させた第1の電極を形成するステップ、
(d)前記ステップ(a)で形成したエピタキシャルウェハの裏面に第2の電極を形成するステップ、および
(e)前記エピタキシャルウェハの表面における前記凹部の形成位置を除いた範囲に酸化膜を成長させるステップを含む、半導体装置の製造方法。
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