JP5018857B2 - フェニルデカヒドロナフタレン誘導体 - Google Patents

フェニルデカヒドロナフタレン誘導体 Download PDF

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本発明は新規液晶性化合物である、フェニルデカヒドロナフタレン誘導体とそれを含有する液晶組成物に関する。これらは電気光学的液晶表示用、特に温度範囲が広いネマチック液晶材料として有用である。
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピュ−ター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。
これらの表示方式や駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されている。中でも温度範囲が広いことはほとんどの場合に共通して非常に重要であるが、これにはネマチック相上限温度（ＴN-I）が充分高いことと、融点（ＴC-N）あるいはスメクチック−ネマチック転移温度（ＴS-N）が充分低いことを含んでいる。
また、他の液晶化合物や汎用液晶組成物に対する相溶性も重要である。この相溶性が不良の場合には、析出や相分離の危険を避けるために非常に多数の液晶化合物を混合させる必要が生じ、組成物の調製には非常な手間がかかり、高コスト化が避けられなかった。
また、駆動電圧が充分低いことも多くの場合に共通して重要な特性であり、そのためには閾値電圧（Ｖｔｈ）が低い必要がある。
また、応答が高速であることも同様に重要な特性であり、そのために液晶の粘性はできるだけ小さいことが要求されている。
また、屈折率異方性（Δｎ）も重要な特性であり、その表示方法に応じてさまざまな値が要求されるが、製造の容易なセル厚の大きい液晶素子の場合には小さい値が要求されることが多い。
こうした要求を満たすべく、これまでにも非常に数多くの液晶化合物が合成されてきているが、問題が全て解決されたわけではなく、上記の各々の要求に対しさらに優れた特性を有する液晶化合物が求められているのが現状である。
一般に液晶化合物は構造的に中心骨格（コア）部分と側方基（側鎖及び極性基）から形成されている。コア部分を構成する環構造としては、１，４−フェニレン基（フッ素置換されていてもよい）やトランス−１，４−シクロヘキシレン基をはじめとして、ピリジン−２，５−ジイル基やピリミジン−２，５−ジイル基等の複素芳香環、ジオキサン−トランス−１，４−ジイル基やピペリジン−１，４−ジイル基等の飽和複素環等、既に多くのものが知られている。しかしながら、通常は１，４−フェニレン基（フッ素置換されていてもよい）とトランス−１，４−シクロヘキシレン基及び少数の複素芳香環にほぼ限定されており、これらの環構造から構成された液晶化合物のみでは年々高度化する液晶組成物に対する要求特性には充分応えきれなくなってきているのが実情である。
ところでこのトランス−１，４−シクロヘキシレン基をトランス−２，６−トランスデカヒドロナフチレン基に変換することにより液晶性が向上することは知られている。しかもトランス−２，６−トランスデカヒドロナフチレン基は酸素原子や窒素原子といったヘテロ原子を含まない飽和環であるため、優れた安定性が期待できる。しかしながら、これまでに報告されたトランス−２，６−トランスデカヒドロナフタレン誘導体の例は少なく、特にその特性についてはほとんど知られていなかった。これら化合物は側鎖にアルキル基を有する化合物であり、不飽和結合を持つものではない（非特許文献１）。
最近、本発明者らは２−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）−トランス−２，６−トランスデカヒドロナフタレン誘導体である（Ａ）
Figure 0005018857
あるいは２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−２，６−トランスデカヒドロナフタレン誘導体である（Ｂ）
Figure 0005018857
等の新規デカヒドロナフタレン誘導体を開発し、これらが優れた液晶性を示し、閾値電圧（Ｖｔｈ）の低減や、屈折率異方性（Δｎ）の低減、ネマチック相温度範囲の拡大等に優れた効果を有し、さらに他の液晶化合物や汎用液晶組成物に対する相溶性にも優れており、（Ａ）は主にＳＴＮ表示用に、（Ｂ）は主にＴＦＴ用として有用であることを報告した。
一方、液晶化合物における側方基は通常鎖状基と極性基から構成され、誘電率異方性（Δε）が正のいわゆるｐ型液晶の場合には一方が鎖状基で他方が極性基であり、Δεが負のいわゆるｎ型液晶の場合には両方が鎖状基で有ることが多い。鎖状基としてはアルキル基、アルコキシル基、アルカノイルオキシ基、アルコキシカルボニル基等が用いられるが通常はアルキル基であることが多い。ところでこのアルキル基に炭素−炭素二重結合を導入してアルケニル基とすることにより液晶性の向上、粘性の低減、電圧（Ｖ）−透過率（Ｔ）曲線における急峻性の向上等に効果が有ることが知られている。従って、上述の（Ａ）や（Ｂ）をはじめとするデカヒドロナフタレン誘導体においても、そのアルキル基をアルケニル基に変換することにより、よりすぐれた特性が期待できるわけであるが、このようにデカヒドロナフタレン環系に直接アルケニル基が結合した構造を有する液晶化合物は、これまでその製造方法を含めて全く知られていない。
ヘルベチカ ケミカ アクタ（Helvetica Chimica Acta），１９８２年，Ｖｏｌ．６５，Ｎｏ．４，ｐ．１２４２
本発明が解決しようとする課題は、アルケニル基が直結したフェニルデカヒドロナフタレン誘導体である新規液晶性化合物及びその製造方法を提供し、さらにこれらの化合物を用いて、広いネマチック相温度範囲を有し、屈折率異方性が小さく、さらに低電圧駆動や高速応答も可能であって、ＳＴＮあるいはＴＦＴ駆動用としても好適な液晶組成物を提供することにある。
本発明は、上記課題を解決するために、
１． 一般式（Ｉ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒは水素原子又は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｘa、Ｘb及びＸcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シアナト基、水酸基、カルボキシル基又はフッ素原子若しくは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基若しくはアルコキシカルボニル基を表す。また、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
２．一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はシアノ基を表すところの上記１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
３．一般式（Ｉ）において、Ｚが炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシル基又は炭素原子数４〜７のアルケニル基を表すところの上記１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
４．一般式（Ｉ）においてＸcが水素原子を表すところの上記１、２又は３記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
５．一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子又はシアノ基を表すところの上記２又は４記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
６．一般式（Ｉ）において、Ｒが水素原子又は炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基を表し、ｎが０又は２を表すところの上記１、２、３、４又は５記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
７．一般式（ＩＩ）
Figure 0005018857
（式中、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｘa、Ｘb及びＸcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シアナト基、水酸基、カルボキシル基又はフッ素原子若しくは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基若しくはアルコキシカルボニル基を表す。また、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。）で表されるアルカナール化合物。
８．一般式（ＩＩ）
Figure 0005018857
（式中、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｘa、Ｘb及びＸcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シアナト基、水酸基、カルボキシル基又はフッ素原子若しくは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基若しくはアルコキシカルボニル基を表す。また、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。）で表されるアルカナール化合物
を、一般式（ＩＩＩ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒは水素原子又は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表す。）で表されるウィッティヒ反応剤と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
９．一般式（ＩＶ）
Figure 0005018857
（式中、Ｘa、Ｘb及びＸcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シアナト基、水酸基、カルボキシル基又はフッ素原子若しくは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基若しくはアルコキシカルボニル基を表す。また、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。）で表される６−フェニルデカヒドロナフタレン−２−オン誘導体を、式（Ｖａ）
Figure 0005018857
で表されるウィッティヒ反応剤と反応させた後、酸処理を行う工程を（ｎ＋１）回（ｎは０〜１０の整数）繰り返すことを特徴とする一般式（ＩＩ）のアルカナール化合物の製造方法。
１０．一般式（ＩＶ）
Figure 0005018857
（式中、Ｘa、Ｘb及びＸcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シアナト基、水酸基、カルボキシル基又はフッ素原子若しくは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基若しくはアルコキシカルボニル基を表す。また、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。）で表される６−フェニルデカヒドロナフタレン−２−オン誘導体を、一般式（Ｖｂ）
Figure 0005018857
（ｎは０〜１０の整数を表し、Ｒdは炭素原子数２〜７のアルキレン基を表す。）で表されるウィッティヒ反応剤と反応させた後、酸で処理することを特徴とする一般式（ＩＩ）のアルカナール化合物の製造方法。
１１．上記１、２、３、４、５又は６記載の一般式（Ｉ）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体を含有する液晶組成物。
１２．上記１１記載の液晶組成物を構成要素とする液晶素子。
を前記課題を解決するための手段として見出した。
本発明により提供されるアルケニル置換デカヒドロナフタレン誘導体は、現在汎用の液晶化合物あるいは組成物との相溶性に優れ、特にネマチック液晶性に優れる。また、その添加により、高速応答を可能にすることができる。従って、これを含有する液晶組成物は実用的液晶として、特にネマチック液晶温度範囲が広く、高速応答を必要とする液晶表示用として極めて有用である。
以下に本発明の一例について説明する。
本発明は、一般式（Ｉ）
Figure 0005018857
で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体を提供する。
式中、Ｒは水素原子又は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表すが、水素原子又は直鎖状アルキル基が好ましく、水素原子又は炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基が特に好ましい。Ｒがアルキル基を表す場合に隣接する二重結合はシス又はトランス配置を表すが、トランス配置が好ましい。ｎは０〜１０の整数を表すが、偶数が好ましく、０又は２が特に好ましい。Ｘa、Ｘb及びＸcはそれぞれ独立的に水素又はフッ素原子を表すが、他の液晶化合物との相溶性を向上させる場合にはその少なくとも１個がフッ素原子であることが好ましく、液晶性及び高速応答性を向上させるためにはともに水素原子であることが好ましい。Ｘcは負の誘電率異方性が求められる場合にはフッ素原子が好ましいが、通常は水素が好ましい。Ｘa及びＸbは誘電率異方性（Δε）を増大させ閾値電圧（Ｖｔｈ）の低減効果を高めるためには少なくとも一方はフッ素であることが好ましく、ともにフッ素であることがさらに好ましい。Ｚは水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素又はヨウ素のハロゲン原子、あるいは少なくとも１個のフッ素原子又は炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換された炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基又はアルコキシカルボニル基、あるいはシアノ基、シアナト基、水酸基、カルボキシル基を表すが、フッ素原子、塩素原子、シアノ基又は少なくとも１個のフッ素原子により置換された炭素原子数１〜３のアルコキシル基、炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基若しくは炭素原子数４〜７の直鎖状アルケニル基が好ましく、フッ素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、２，２−ジフルオロエテニルオキシ基、３，３−ジフルオロ−２−プロペニルオキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、３−ブテニル基、トランス−３−ペンテニル基又はシアノ基がさらに好ましく、フッ素原子又はシアノ基が特に好ましい。また、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。
一般式（Ｉ）においては、そのＲ、ｎ、Ｘa、Ｘb、Ｘc及びＺの選択によって数種の化合物群を包含するけれども、それらの中では以下の（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−３ｂ）の化合物が好ましく、（Ｉ−１ａ）、（Ｉ−１ｂ）及び（Ｉ−２ａ）の化合物が特に好ましい。
Figure 0005018857
Figure 0005018857
Figure 0005018857
Figure 0005018857
Figure 0005018857
Figure 0005018857
Figure 0005018857
一般式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−３ｂ）において、Ｒaは水素原子又はメチル基を表し、ｍは０又は２を表し、Ｒbはメチル基、エチル基、プロピル基、３−ブテニル基を表し、Ｒcはメチル基、２−プロペニル基、トランス−２−ブテニル基を表し、Ｘa及びＸbは水素原子又はフッ素原子を表す。Ｒaがメチル基のとき、隣接する二重結合はシス又はトランス配置を表すが、トランス配置が好ましい。
一般式（Ｉ）の化合物は、一般式（ＩＩ）
Figure 0005018857
（式中、ｎ、Ｘa、Ｘb、Ｘc及びＺは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）で表されるアルカナール化合物に一般式（ＩＩＩ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）で表されるウィッティヒ反応剤と反応させることにより製造することができる。ここで、（ＩＩＩ）においてＲがアルキル基を表す場合には、得られた（Ｉ）の二重結合はシス配置であることが多い。（Ｉ）においてはトランス配置であることが好ましいので、その場合には、ベンゼンスルフィン酸等で処理することにより異性化させて、トランス体を得ることができる。
本発明は以上のように一般式（Ｉ）の化合物の製造法として一般式（ＩＩ）のアルカナール化合物を中間体とする方法を提供するものである。
ここで一般式（ＩＩ）のアルカナール誘導体は新規な化合物で、一般式（Ｉ）の化合物等の製造中間体として重要であり、本発明はこのアルカナール誘導体をも提供するものである。
アルカナール誘導体（ＩＩ）はそのｎに応じて、一般式（ＩＶ）
Figure 0005018857
（式中、Ｘa、Ｘb、Ｘc及びＺは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）で表される６−フェニルデカヒドロナフタレン−２−オン誘導体（この化合物は前述のドイツ公開特許３１５０３１２号公報に記載された製造方法に基づき製造することができる。）から以下のようにして製造することができる。
一般式（ＩＶ）の化合物に式（Ｖａ）
Figure 0005018857
で表されるウィッティヒ反応剤と反応させ、ついで酸で加水分解し、得られたシス／トランスの混合物を必要に応じ塩基で異性化することにより、一般式（ＩＩ）においてｎが０の場合の化合物である（ＩＩａ）
Figure 0005018857
（式中、Ｘa、Ｘb、Ｘc及びＺは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）を得ることができる。
（ＩＩａ）にさらに（Ｖａ）との反応及び酸加水分解をｎ回繰り返すことにより一般式（ＩＩ）においてｎが１〜１０の各化合物を得ることができる。
あるいは、一般式（ＩＶ）の化合物に一般式（Ｖｂ）
Figure 0005018857
（式中、ｎは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｒdは炭素原子数２〜７の置換されてもよいアルキレンを表す。）で表されるウィッティヒ反応剤と反応させ、得られるアルキリデンデカヒドロナフタレン誘導体（ＶＩ）
Figure 0005018857
（式中、ｎ、Ｘa、Ｘb、Ｘc及びＺは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｒdは一般式（Ｖｂ）におけるとおなじ意味を表す。）をパラジウム炭素等の遷移金属触媒存在下に接触還元し、必要に応じてトランス体を分離した後、酸で加水分解することにより、一般式（ＩＩ）においてｎが１〜１０の各化合物を得ることができる。
本発明は以上のように一般式（Ｉ）の化合物の製造法として、一般式（ＩＶ）の６−フェニルデカヒドロナフタレン−２−オン誘導体から一般式（ＩＩ）のアルカナール化合物を経ることを特徴とする方法も提供するものである。
一般式（Ｉ）においてＺの選択によっては上記の製造方法によるよりも、上記の製造方法で得られたＺが水素原子あるいはフッ素、塩素、臭素又はヨウ素のハロゲン原子、あるいは保護されてもよい水酸基、あるいは保護されてもよいカルボキシル基などである化合物から誘導する方が有利な場合もある。例えば、
ｉ） 一般式（Ｉ）においてＺが水素原子である化合物（Ｉａ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒ、ｎ、Ｘa、Ｘb及びＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、そのうちＸa、Ｘbは水素原子であることが好ましい。）は直接臭素化、ヨウ素化して一般式（Ｉ）においてＺが臭素又はヨウ素原子である化合物（Ｉｂ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒ、ｎ、Ｘa、Ｘb及びＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｚaは臭素あるいはヨウ素原子であることを表す。）を得ることができる。
ｉｉ） 一般式（Ｉ）においてＺが水素原子であり、ＸaあるいはＸbのうち少なくとも一方がフッ素原子である化合物（Ｉａ）をアルキルリチウムでリチオ化した後、臭素もしくはヨウ素と反応させることにより、一般式（Ｉ）においてＺが臭素又はヨウ素原子である化合物（Ｉｂ）を得ることができる。
ｉｉｉ） あるいはｉｉ）における臭素もしくはヨウ素に代えて二酸化炭素と反応させることにより、カルボン酸（Ｉｃ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒ、ｎ、Ｘa、Ｘb及びＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）を得ることができる。
ｉｖ） ｉｉｉ）に代えて、一般式（Ｉ）においてＺが臭素もしくはヨウ素原子である化合物（Ｉｂ）から調製したグリニヤール反応剤、リチウム反応剤、銅リチウム反応剤などの有機金属反応剤を二酸化炭素と反応させることによりカルボン酸（Ｉｃ）を得ることができる。
ｖ） ｉｉｉ）に代えて、一般式（Ｉ）においてＺが水素原子である化合物（Ｉａ）（Ｘa、Ｘb及びＸcが水素原子であることが好ましい）をアセチル化した後、次亜塩素酸などで酸化することによりカルボン酸（Ｉｄ）を得ることができる。
ｖｉ） ｉｉｉ）に代えて、一般式（Ｉ）においてＺがアルコキシカルボニル基である化合物（Ｉｄ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒ、ｎ、Ｘa、Ｘb及びＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｒeは炭素原子数１〜１０のアルキル基、アルケニル基を表す。）を加水分解することによりカルボン酸（Ｉｃ）を得ることができる。
ｖｉｉ） 一般式（Ｉ）においてＺが臭素もしくはヨウ素原子である化合物（Ｉｂ）をシアン化銅（Ｉ）と、あるいは遷移金属触媒存在下にシアン化ナトリウムあるいはシアン化カリウムなどと反応させることにより、一般式（Ｉ）においてＺがシアノ基である化合物（Ｉｅ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒ、ｎ、Ｘa、Ｘb及びＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）を得ることができる。
ｖｉｉｉ） ｖｉｉ）に代えて、一般式（Ｉ）においてＺがカルボキシル基である化合物（Ｉｃ）を塩化チオニル等の塩素化剤で酸塩化物とした後、アンモニアを反応させて酸アミドとし、次いで脱水することにより化合物（Ｉｅ）を得ることができる。
ｉｘ） ｖｉｉｉ）の製造法に代えて、塩化アルミニウム存在下にシュウ酸ジクロリドと反応させることにより酸塩化物を直接得ることができる。
ｘ） ｖｉｉｉ）の製造法に代えて、ジシクロヘキシルカルボジイミドなどの脱水剤とアンモニアを反応させることにより酸アミドを直接得ることができる。
ｘｉ） ｖｉｉ）に代えて、オキサゾリン誘導体（ＶＩＩ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒ、ｎ、Ｘa、Ｘb及びＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｒf〜Ｒiは水素、炭素数１〜３の低級アルキル基を表す。）をオキシ塩化リンなどの酸性脱水剤と反応させることにより一般式（Ｉ）においてＺがシアノ基である化合物（Ｉｅ）を得ることができる。
ｘｉｉ） あるいはｖｉｉ）において一般式（Ｉ）におけるＺが臭素もしくはヨウ素である化合物（Ｉｂ）に代えて、一般式（Ｉ）におけるＺが水酸基である化合物（Ｉｆ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒ、ｎ、Ｘa、Ｘb及びＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）の水酸基を脱離基とした化合物（ＶＩＩＩ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒ、ｎ、Ｘa、Ｘb及びＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｌはｐ−トルエンスルホニル基あるいはトリフルオロメタンスルホニル基などの脱離基を表す。）と反応させることにより、化合物（Ｉｅ）を得ることができる。
ｘｉｉｉ） 一般式（Ｉ）におけるＺが水酸基であり、その水酸基が保護された化合物（ＩＸ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒ、ｎ、Ｘa、Ｘb及びＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｒjはメチル基あるいはベンジル基などの保護基を表す。）を脱保護することにより一般式（Ｉ）においてＺが水酸基である化合物（Ｉｆ）を得ることができる。
ｘｉｖ） 一般式（Ｉ）におけるＺが臭素もしくはヨウ素である化合物（Ｉｂ）と一般式（Ｘ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒkはフッ素原子又は炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルケニル基であり、ＭaはＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ、Ｌｉ、ＣｕＬｉなどの金属もしくは金属基を表す。）に表される有機金属反応剤を、遷移金属触媒存在下に反応させることにより一般式（Ｉ）においてＺがアルケニル基である化合物（Ｉｇ）
Figure 0005018857
（Ｒ、ｎ、Ｘa、Ｘb及びＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｒkは一般式（Ｘ）におけるとおなじ意味を表す。）を得ることができる。ここで遷移金属触媒としてはパラジウム錯体あるいはニッケル錯体が好ましい。
ｘｖ） あるいはｘｉｖ）において一般式（Ｉ）におけるＺが臭素もしくはヨウ素である化合物（Ｉｂ）に代えて、一般式（Ｉ）におけるＺが水酸基である化合物（Ｉｆ）の水酸基を脱離基とした化合物（ＶＩＩＩ）と反応させることにより、化合物（Ｉｇ）を得ることができる。
ｘｖｉ） 一般式（Ｉ）におけるＺが水酸基である化合物（Ｉｆ）と金属や金属水素化物から調製したアルコラート（ＸＩ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒ、ｎ、Ｘa、Ｘb及びＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｍbはリチウム、ナトリウム、カリウムなどの金属類を表す。）を、式（ＸＩＩ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒlはフッ素原子又は炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルケニル基であり、Ｙは塩素、臭素又はヨウ素のハロゲン原子、あるいはｐ−トルエンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基などの脱離基を表す）に表される反応剤と反応させることにより一般式（Ｉ）においてＺがアルケニルオキシ基である化合物（Ｉｈ）
Figure 0005018857
（式中、Ｒ、ｎ、Ｘa、Ｘb及びＸcは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表し、Ｒlは一般式（ＸＩＩ）におけるとおなじ意味を表す。）を得ることができる。
斯くして製造される本発明の化合物（Ｉ）の代表的な具体例を、その相転移温度とともに第１表に示す。
Figure 0005018857
表中、Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチック相を、Ｉは等方性液体相をそれぞれ示す。）
一般式（Ｉ）の化合物を液晶組成物中に添加することにより得られる優れた効果は以下の通りである。
第１表中に示された（I−２）
Figure 0005018857
の化合物２０重量％及び汎用のｎ型ホスト液晶（Ｈ１）
Figure 0005018857
に８０重量％からなるネマチック液晶組成物（Ｈ１−２）を調製したところ、その液晶（ネマチック）相上限温度（ＴN-I）は６６．６℃であった。この（Ｈ１−２）を−２０℃で２週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。また、−６０℃に冷却して結晶化させ、その融点（ＴC-N）を測定したところ１℃であった。
次に、（Ｈ１−２）をセル厚８．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作成し、２０℃でその電気光学特性を測定したところ、以下の通りであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ） １．７０Ｖ
応答時間（τ） ３９．５ｍ秒
誘電率異方性（Δε） ４．２
屈折率異方性（Δｎ） ０．０８６
一方、（Ｈ１）単独での物性値は以下の通りである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I） ７２．５℃
融点（ＴC-N） １７℃
誘電率異方性（Δε） -１．３
屈折率異方性（Δｎ） ０．０８５
応答時間（τ）は立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の応答時間である。（Ｈ１）はｎ型であるため応答しないが、（Ｈ１−２）では（Ｉ−２）を２０重量％添加することにより誘電率異方性（Δε）が４．２と大きくなり、３９．５ｍ秒という高速応答が可能となった。しかもＴN-Iの低下も約６℃に抑えることができた。
これに対して、類似の構造を有するが側鎖がアルキル基である化合物（Ａ）
Figure 0005018857
を（Ｈ１）に同量添加してネマチック液晶組成物（Ｈ１−Ａ）を調製した。同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を測定したところ、以下の通りであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I） ６５．５℃
融点（ＴC-N） ２℃
閾値電圧（Ｖｔｈ） １．６８Ｖ
応答時間（τ） ４１．５ｍ秒
誘電率異方性（Δε） ４．０
屈折率異方性（Δｎ） ０．０８４
（Ｈ１−２）はＴN-Iが（Ｈ１−Ａ）より低く、ＴC-Nが（Ｈ１−Ａ）より高く、ネマチック相温度範囲が改善されている。（Ｈ１−２）のΔε、Δｎ、閾値電圧（Ｖｔｈ）は（Ｈ１−Ａ）と比較して殆ど変わらず、応答が劣った。
次に、第１表中に示された化合物（Ｉ−７）
Figure 0005018857
２０重量％及びネマチック相温度範囲が広く、低粘性でアクティブマトリックス駆動にも使用可能なホスト液晶組成物（Ｈ２）
Figure 0005018857
８０重量％からなる液晶組成物（Ｈ２−７）を調製した。そのＴN-Iは９０．１℃であった。この（Ｈ２−７）を−２０℃で２週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。また、−６０℃に冷却して結晶化させ、そのＴC-Nを測定したところ１２℃であった。
次に、（Ｈ２−７）をセル厚６．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作成し、２０℃でその電気光学特性を測定したところ、以下の通りであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ） １．７２Ｖ
応答時間（τ） ２９．４ｍ秒
誘電率異方性（Δε） ５．５
屈折率異方性（Δｎ） ０．０７８
一方、（Ｈ２）単独での物性値は以下の通りである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I） １１６．７℃
融点（ＴC-N） １１℃
閾値電圧（Ｖｔｈ） ２．１４Ｖ
応答時間（τ） ２５．３ｍ秒
誘電率異方性（Δε） ４．８
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９０
従って、（Ｉ−７）を２０重量％添加することにより、そのＴN-Iの降下を約２６℃に抑えながら、そのＶｔｈを０．４２Ｖも低減することができた。さらにそのτも４ｍ秒程の増加に抑えることができた。また、冷却して結晶化させ、測定したそのＴC-Nは１２℃であり（Ｈ２）とほとんど変化がなく、（Ｉ−７）がホスト液晶によく溶解していることがわかる。
また、この素子の室温及び８０℃における電圧保持率を測定したがいずれも極めて良好でアクティブマトリックス駆動用としても充分使用可能であることがわかった。
次に、類似の構造を有するが側鎖がアルキル基である化合物（Ｂ）
Figure 0005018857
を（Ｈ２）に同量（２０重量％）添加してネマチック液晶組成物（Ｈ２−Ｂ）を調製した。同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を測定したところ、以下の通りであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I） ８８．７℃
融点（ＴC-N） １３℃
閾値電圧（Ｖｔｈ） １．６９Ｖ
応答時間（τ） ３１．０ｍ秒
誘電率異方性（Δε） ５．７
屈折率異方性（Δｎ） ０．０８０
（Ｈ２−７）はＴN-Iが（Ｈ２−Ｂ）より低く、ＴC-Nが（Ｈ２−Ｂ）より高く、ネマチック相温度範囲が改善されている。（Ｈ２−７）のΔε、Δｎ、Ｖｔｈは（Ｈ２−Ｂ）と比較して殆ど変わらず、応答が劣った。
以上のように、本発明の化合物（Ｉ−３）及び（Ｉ−７）は、ネマチック相温度範囲が広く、閾値電圧が低く、高速応答が可能な液晶組成物を調製するうえにおいて従来の化合物より優れた効果を有していることがわかる。
以上のように、一般式（Ｉ）の化合物は、ネマチック液晶性に優れ、高速応答が可能であるといった特長を併せ有する点で、類似した（Ａ）や（Ｂ）の化合物と比較してより優れていることがわかる。
従って、一般式（Ｉ）の化合物は、イ）ネマチック相温度範囲が広く、且つ、ロ）高速応答が可能な液晶組成物の調製するうえにおいて非常に有用である。
以上から、一般式（Ｉ）の化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるいはＳＴＮ型等の電界効果型表示セル用として好適に使用することができる。本発明はこのように一般式（Ｉ）で表される化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する液晶組成物ならびにこれを構成要素とする液晶素子をも提供するものである。
また、化合物（Ｉ−７）は分子内に強い極性基を持たず、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として使用することも可能である。
本発明は、このように一般式（Ｉ）で表される化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供するものである。
この組成物中において、（Ｉ）の化合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の好ましい代表例として、例えば、４−置換安息香酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４’−置換ビフェニリル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロヘキシル、４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有する化合物等を挙げることができる。
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１） トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒドの合成
Figure 0005018857
塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム１３．５ｇをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３５ｍＬに懸濁し、１０℃以下に冷却しながら、ｔ−ブトキシカリウム５．５ｇのＴＨＦ２５ｍＬ溶液を滴下した。さらに冷却を続けながら、６−（３，５−ジフルオロフェニル）デカヒドロナフタレン−２−オン８．５ｇのＴＨＦ２５ｍＬ溶液を１０分間で滴下した。室温に戻して４時間撹拌後、水とヘキサンを加え、有機層を分離し、水で洗滌し、溶媒を溜去した。得られた固体１０．１ｇをＴＨＦ５０ｍＬに溶解し、１０％塩酸５０ｍＬを加えて、２時間加熱還流した。室温に戻し、有機層を分離し、水層を酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗滌し、溶媒を溜去した。得られた油状物１０．０ｇをメタノール１００ｍＬに溶解し、１０℃以下に冷却しながら、１０％水酸化ナトリウム水溶液１０ｍＬを加えた。２時間攪拌後室温に戻し、水を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去し、トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒドの油状物１０．５ｇを得た。
同様にして以下の化合物を得る。
トランス−６−（４−フルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（３−フルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（４−メトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（３−フルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド
（実施例２） トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレンの合成
Figure 0005018857
塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム１３．５ｇをＴＨＦ３５ｍＬに懸濁し、１０℃以下に冷却しながら、ｔ−ブトキシカリウム５．５ｇのＴＨＦ２５ｍＬ溶液を滴下した。さらに冷却を続けながら、実施例１と同様にして得られたトランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド１０．０ｇのＴＨＦ２５ｍＬ溶液を滴下した。室温に戻して４時間撹拌後、水とヘキサンを加え、有機層を分離し、水で洗滌し、溶媒を溜去した。得られた固体１２．０ｇをＴＨＦ６０ｍＬに溶解し、１０％塩酸６０ｍＬを加えて、２時間加熱還流した。室温に戻し、有機層を分離し、水層を酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られたトランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（ホルミルメチル）デカヒドロナフタレン１１．０ｇをＴＨＦ４０ｍＬに溶解し、再び冷却してある塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム１３．５ｇとｔ−ブトキシカリウム５．５ｇのＴＨＦ６０ｍＬ溶液中に滴下した。室温に戻して４時間撹拌した後、水とヘキサンを加え、有機層を分離した。水で洗滌後、溶媒を溜去し、得られた固体１３．６ｇをＴＨＦ７０ｍＬに溶解し、１０％塩酸７０ｍＬ加えて２時間攪拌した。室温に戻し、水を加え、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去し、トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレンの油状物１２．０ｇを得た。
同様にして以下の化合物を得る。
トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−フルオロフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−クロロフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−メトキシフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン
（実施例３） トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン（Ｉ−６）の合成
Figure 0005018857
ヨウ化メチルトリフェニルホスホニウム２４．４ｇをＴＨＦ７５ｍＬに懸濁し、１０℃以下に冷却しながら、ｔ−ブトキシカリウム７．６ｇのＴＨＦ４０ｍＬ溶液を滴下した。さらに冷却を続けながら、実施例１で得られたトランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド２０．５ｇのＴＨＦ１００ｍＬ溶液を滴下した。室温に戻して３時間撹拌後、水とヘキサンを加え、有機層を分離し、水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた油状物１２．１ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン（Ｉ−６）の油状物４．０ｇを得た。
同様にして以下の化合物を得る。
トランス−６−（４−フルオロフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−クロロフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−メトキシフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
（実施例４） トランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン（Ｉ−７）の合成
Figure 0005018857
臭化エチルトリフェニルホスホニウム１３．４ｇをＴＨＦ３０ｍＬに懸濁し、１０℃以下に冷却しながら、ｔ−ブトキシカリウム４．５ｇのＴＨＦ２５ｍＬ溶液を滴下した。さらに冷却を続けながら、実施例１と同様にして得られたトランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−デカヒドロナフタレン−２−カルバルデヒド１０．１ｇのＴＨＦ５０ｍＬ溶液を滴下した。室温に戻して３時間撹拌後、水とヘキサンを加え、有機層を分離し、水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた油状物９．１ｇをトルエン５０ｍＬに溶解し、ベンゼンスルフィン酸ナトリウム２．５ｇと１０％塩酸１０ｍＬを加えて２０時間加熱還流した。室温に戻して水を加え、トルエンで有機層を抽出し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、再結晶（エタノール）してトランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン（Ｉ−７）の白色固体７．８ｇを得た。
同様にして以下の化合物を得る。
トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−フルオロフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−クロロフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−メトキシフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
（実施例５） トランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン（Ｉ−５）の合成
Figure 0005018857
ヨウ化メチルトリフェニルホスホニウム１６．５ｇをＴＨＦ１７ｍＬ及びトルエン５１ｍＬに懸濁し、１０℃以下に冷却しながら、ｔ−ブトキシカリウム４．６ｇを加えた。さらに冷却を続けながら、実施例２で得られたトランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（２−ホルミルエチル）デカヒドロナフタレン５．０ｇのトルエン溶液２０ｍＬを滴下した。２時間撹拌後、水５ｍＬを加え、さらにヘキサン２００ｍＬを加え、トリフェニルホスフィンオキシドを濾別した。有機層を分離し、水及び水／メタノール混合溶媒（１／２）各１００ｍＬで洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を溜去した。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、エタノールから再結晶させてトランス−６−（３，４−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン（Ｉ−５）の白色固体３．７ｇを得た。
同様にして以下の化合物を得る。
トランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−フルオロフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−ジフルオロメトキシフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−クロロフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−クロロフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−メトキシフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−メトキシフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
（実施例６） トランス−６−（４−シアノ−３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン（Ｉ−２）の合成
Figure 0005018857
実施例３と同様にして得られたトランス−６−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン１．７４ｇのＴＨＦ１０ｍｌ溶液を−７８℃に冷却しながら、ｎ−ブチルリチウムの１．５Ｍヘキサン溶液４．８ｍｌを滴下した。１０分間撹拌後、炭酸ガスを溶液が飽和になるまで吹き込んだ。室温まで静置した後、１０％塩酸を加え、酢酸エチルで有機層を抽出し、水で洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた固体１．９ｇを１，２−二塩化エチレン１２ｍｌ中に懸濁させ、塩化チオニル１．４ｇ、ピリジン０．０５ｍｌ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１ｍｌを加えて室温で１時間攪拌した。溶媒を溜去し、得られた油状物を塩化メチレン５０ｍｌに溶解し、１０℃以下に冷却しながら、アンモニアガスを溶液が飽和になるまで吹き込んだ。室温で１時間攪拌した後、溶媒を溜去した。得られた固体２．６ｇをＤＭＦ２０ｍｌ中に懸濁させ、１０℃以下に冷却しながらオキシ塩化リン１．５ｍｌを加えて、室温で１時間攪拌した。水を加え、トルエンで有機層を抽出し、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、再結晶（エタノール）してトランス−６−（４−シアノ−３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン（Ｉ−２）の白色固体０．３ｇを得た。
（実施例７）トランス−６−｛４−（３−ブテニル）フェニル｝−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン（Ｉ−９）の合成
Figure 0005018857
実施例１と同様にして得られたトランス−６−（４−メトキシフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレンを氷酢酸中に溶解し、４７％臭化水素酸水溶液を加えて、２０時間加熱還流した。室温まで冷却し水を加え、トルエンで抽出し、有機層を水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られたトランス−６−（４−ヒドロキシフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレンの油状物を塩化メチレンに溶解し、１０℃以下に冷却しながらトリフルオロメタンスルホン酸無水物を滴下し、続けてピリジンを滴下し、１時間撹拌した。水を加えて室温まで放置し、酢酸エチルで抽出し、有機層を水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られたトリフルオロメタンスルホン酸エステルの油状物をＴＨＦに溶解し、ジブロモビス（ジフェニルホスフィノエタン）ニッケル（ＩＩ）、トリフェニルホスフィンを加え、３−ブテニルブロミドから調製したグリニヤール試薬を滴下し、１６時間加熱還流した。室温まで放置し１０％塩酸を加え、有機層を酢酸エチルで抽出し、水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、再結晶（エタノール）してトランス−６−｛４−（３−ブテニル）フェニル｝−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン（Ｉ−９）の白色固体を得た。
同様にして以下の化合物を得る。
トランス−６−（４−トリル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−エチルフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−プロピルフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−トリル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−エチル−３−フルオロフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−プロピルフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−｛４−（３−ブテニル）−３−フルオロフェニル｝−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−エチルフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−プロピルフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−｛３，５−ジフルオロ−４−（３−ブテニル）フェニル｝−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−トリル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−エチルフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−プロピルフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛４−（３−ブテニル）フェニル｝−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレントランス−６−（３−フルオロ−４−トリル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−エチル−３−フルオロフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−プロピルフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛４−（３−ブテニル）−３−フルオロフェニル｝−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−エチルフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−プロピルフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛３，５−ジフルオロ−４−（３−ブテニル）フェニル｝−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−トリル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−エチルフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−プロピルフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛４−（３−ブテニル）フェニル｝−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレントランス−６−（３−フルオロ−４−トリル）− トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−エチル−３−フルオロフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３−フルオロ−４−プロピルフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛４−（３−ブテニル）−３−フルオロフェニル｝−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−トリル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−エチルフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（３，５−ジフルオロ−４−プロピルフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛３，５−ジフルオロ−４−（３−ブテニル）フェニル｝−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−シアノフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−シアノフェニル）−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−（４−シアノフェニル）−トランス−２−（３−ブテニル）デカヒドロナフタレン
（実施例８） トランス−６−｛４−（２−プロペニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン（Ｉ−１０）の合成
Figure 0005018857
水素化ナトリウムをＴＨＦ中に懸濁させ１０℃以下に冷却しながら、実施例７に記載の方法で得られたトランス−６−（４−ヒドロキシフェニル）−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレンのＴＨＦ溶液を滴下した。室温で３０分間攪拌した後、２−プロペニルブロミドのＴＨＦ溶液を滴下し、１時間加熱還流した。室温まで放置し水を加え、トルエンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、再結晶（エタノール）してトランス−６−｛４−（２−プロペニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン（Ｉ−１０）の白色固体を得た。
同様にして以下の化合物を得る。
トランス−６−｛４−（トランス−２−ブテニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−｛３−フルオロ−４−（２−プロペニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−｛４−（トランス−２−ブテニルオキシ）−３−フルオロフェニル｝−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−｛３，５−ジフルオロ−４−（２−プロペニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−｛３，５−ジフルオロ−４−（トランス−２−ブテニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−ビニルデカヒドロナフタレン
トランス−６−｛４−（２−プロペニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛４−（トランス−２−ブテニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛３−フルオロ−４−（２−プロペニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛４−（トランス−２−ブテニルオキシ）−３−フルオロフェニル｝−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛３，５−ジフルオロ−４−（２−プロペニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛３，５−ジフルオロ−４−（トランス−２−ブテニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−（１−プロペニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛４−（２−プロペニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−（１−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛４−（トランス−２−ブテニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−（１−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛３−フルオロ−４−（２−プロペニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−（１−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛４−（トランス−２−ブテニルオキシ）−３−フルオロフェニル｝−トランス−２−（１−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛３，５−ジフルオロ−４−（２−プロペニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−（１−ブテニル）デカヒドロナフタレン
トランス−６−｛３，５−ジフルオロ−４−（トランス−２−ブテニルオキシ）フェニル｝−トランス−２−（１−ブテニル）デカヒドロナフタレン
（実施例９） トランス−２−｛３−フルオロ−４−（２−プロペニルオキシカルボニル）フェニル｝−トランス−６−ビニルデカヒドロナフタレンの合成
Figure 0005018857
実施例６と同様にして得られたトランス−２−（４−カルボキシ−３−フルオロフェニル）−トランス−６−ビニルデカヒドロナフタレン、ジシクロヘキシルカルボジイミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジンを塩化メチレン中に溶解し、２−プロペノールの塩化メチレン溶液を滴下した。室温で２０時間攪拌した後、濾過して溶媒を溜去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、再結晶（エタノール）してトランス−２−｛３−フルオロ−４−（２−プロペニルオキシカルボニル）フェニル｝−トランス−６−ビニルデカヒドロナフタレンの白色固体を得た。
（実施例１０） 液晶組成物の調製
汎用のｎ型ホスト液晶（Ｈ１）
Figure 0005018857
を調製した。この（Ｈ１）は７２．５℃以下でネマチック相を示し、その融点は１７℃である。（Ｈ１）の物性値は以下の通りであった。
誘電率異方性（Δε） -１．３
屈折率異方性（Δｎ） ０．０８５
次に、この（Ｈ１）の８０重量％及び実施例６で得た本発明の化合物である（Ｉ−２）
Figure 0005018857
２０重量％からなる液晶組成物（Ｈ１−２）を調製した。この組成物の液晶（ネマチック）相上限温度（ＴN-I）は６６．６℃であり、（Ｈ１）に対する低下を約６℃に抑えることができた。この（Ｈ１−２）を−２０℃で２週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。また、−６０℃に冷却して結晶化させ、その融点（ＴC-N）を測定したところ１℃であった。これから、（Ｉ−２）の化合物は汎用液晶との相溶性にも優れていることがわかる。
次に、（Ｈ１−２）をセル厚８．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作成し、２０℃でその電気光学特性を測定したところ、以下の通りであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ） １．７０Ｖ
応答時間（τ） ３９．５ｍ秒
誘電率異方性（Δε） ４．２
屈折率異方性（Δｎ） ０．０８６
ここで、応答時間（τ）は立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の応答時間である。（Ｈ１）はｎ型であるため応答しないが、（Ｈ１−２）では（Ｉ−２）を２０重量％添加することにより誘電率異方性（Δε）が４．２と大きくなり、３９．５ｍ秒という高速応答が可能となった。
（比較例１）
実施例１０において、（Ｉ−２）に換えて、類似した構造を有するが側鎖がアルキル置換された化合物（Ａ）
Figure 0005018857
を（Ｈ１）に同量（２０重量％）添加してネマチック液晶組成物（Ｈ１−Ａ）を調製した。この組成物のＴN-Iは６５．５℃と（Ｈ１−２）よりも低下した。またＴC-Nは２℃と（Ｈ１−２）よりも上昇した。従って、（Ａ）の汎用液晶に対するネマチック相の安定性は（Ｉ−２）より劣っていることがわかる。同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を測定したところ、以下の通りであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ） １．６８Ｖ
応答時間（τ） ４１．５ｍ秒
誘電率異方性（Δε） ４．０
屈折率異方性（Δｎ） ０．０８４
（Ｈ１−２）のΔε、Δｎ、閾値電圧（Ｖｔｈ）は（Ｈ１−Ａ）と比較して殆ど変わらなかったが、τが増大した。従って、（Ａ）は（Ｉ−２）より応答性において劣っていることがわかる。
（実施例１１） 液晶組成物の調製
汎用ｐ型ホスト液晶組成物（Ｈ２）
Figure 0005018857
を調製した。この（Ｈ２）は１１６．７℃以下でネマチック相を示し、その融点は１１℃である。（Ｈ２）の物性値は以下の通りであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ） ２．１４Ｖ
応答時間（τ） ２５．３ｍ秒
誘電率異方性（Δε） ４．８
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９０
次に、この（Ｈ２）８０重量％及び実施例４で得た本発明の化合物である（Ｉ−７）
Figure 0005018857
２０重量％からなる液晶組成物（Ｈ２−７）を調製した。この組成物のＴN-Iは９０．１℃であった。この（Ｈ２−７）を−２０℃で２週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。また、−６０℃に冷却して結晶化させ、そのＴC-Nを測定したところ１２℃であった。これから、（Ｉ−７）の化合物は汎用液晶との相溶性にも優れていることがわかる。
次に、（Ｈ２−７）をセル厚６．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作成し、２０℃でその電気光学特性を測定したところ、以下の通りであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ） １．７２Ｖ
応答時間（τ） ２９．４ｍ秒
誘電率異方性（Δε） ５．５
屈折率異方性（Δｎ） ０．０７８
（Ｈ２）は（Ｉ−７）を２０重量％添加することにより、ＴN-Iの降下を約２６℃に抑えながら、そのＶｔｈを０．４２Ｖも低減することができた。さらにそのτも４ｍ秒程の増加に抑えることができた。また、冷却して結晶化させ、測定したそのＴC-Nは１２℃であり（Ｈ２）とほとんど変化がなく、（Ｉ−７）が汎用液晶によく溶解していることがわかる。また、この素子の室温及び８０℃における電圧保持率を測定したがいずれも極めて良好でアクティブマトリックス駆動用としても充分使用可能であることがわかった。
（比較例２）
実施例１１において、（Ｉ−７）に換えて、類似の構造を有するが側鎖がアルキル置換された化合物（Ｂ）
Figure 0005018857
を（Ｈ２）に同量（２０重量％）添加してネマチック液晶組成物（Ｈ２−Ｂ）を調製した。同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を測定したところ、以下の通りであった。
ネマチック相上限温度（ＴN-I） ８８．７℃
融点（ＴC-N） １３℃
閾値電圧（Ｖｔｈ） １．６９Ｖ
応答時間（τ） ３１．０ｍ秒
誘電率異方性（Δε） ５．７
屈折率異方性（Δｎ） ０．０８０
（Ｈ２−７）はＴN-Iが（Ｈ２−Ｂ）より低く、ＴC-Nが（Ｈ２−Ｂ）より高く、ネマチック相温度範囲が改善されている。（Ｈ２−７）のΔε、Δｎ、Ｖｔｈは（Ｈ２−Ｂ）と比較して殆ど変わらず、τが増大した。従って、（B）は（I−７）より応答性において劣っていることがわかる。

Claims (8)

  1. 一般式（Ｉ）
    Figure 0005018857
     （式中、Ｒは水素原子又は炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、ｎは０〜１０の整数を表し、Ｘa、Ｘb及びＸcはそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シアナト基、水酸基、カルボキシル基又はフッ素原子若しくは炭素原子数１〜７のアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルカノイルオキシ基若しくはアルコキシカルボニル基を表す。また、デカヒドロナフタレン環はトランス形であり、その２，６−位はトランス配置である。）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
  2. 一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又はシアノ基を表すところの請求項１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
  3. 一般式（Ｉ）において、Ｚが炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシル基又は炭素原子数４〜７のアルケニル基を表すところの請求項１記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
  4. 一般式（Ｉ）においてＸcが水素原子を表すところの請求項１、２又は３記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
  5. 一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子又はシアノ基を表すところの請求項２又は４記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
  6. 一般式（Ｉ）において、Ｒが水素原子又は炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基を表し、ｎが０又は２を表すところの請求項１、２、３、４又は５記載のフェニルデカヒドロナフタレン誘導体。
  7. 請求項１、２、３、４、５又は６記載の一般式（Ｉ）で表されるフェニルデカヒドロナフタレン誘導体を含有する液晶組成物。
  8. 請求項７記載の液晶組成物を構成要素とする液晶素子。
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