JP5014483B2 - Film peeling method and film peeling apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハの表面に貼付られたフィルム、例えば表面保護フィルムを剥離するためのフィルム剥離方法およびこの方法を実施するフィルム剥離装置に関する。   The present invention relates to a film peeling method for peeling a film affixed to the surface of a wafer, for example, a surface protective film, and a film peeling apparatus for carrying out this method.

半導体製造工程においては、ウェーハが年々大型化すると共に、実装密度向上の観点からウェーハが薄葉化する傾向がある。ウェーハを薄葉化するために、素子が形成されたウェーハの表面に表面保護フィルムを貼付け、このウェーハ表面を吸着テーブルに吸着させた状態でウェーハの裏面を研削するバックグラインド(裏面研削)が行われている。   In the semiconductor manufacturing process, the size of the wafer increases year by year, and the wafer tends to be thinned from the viewpoint of improving the mounting density. In order to make the wafer thinner, back grinding (backside grinding) is performed in which a surface protective film is applied to the surface of the wafer on which the elements are formed, and the backside of the wafer is ground with this wafer surface adsorbed to the suction table. ing.

このバックグラインドによりウェーハの厚さは例えば50マイクロメートルにまで低下する。このため、バックグラインド後のウェーハの機械的強度もこのことに応じて低下する。前述した表面保護フィルムはバックグラインド後に剥離する必要があるが、従来技術においては貼付ローラにより剥離テープをウェーハの表面保護フィルム上の全体に亙って貼付け、次いで剥離テープを表面保護フィルムと共に巻取ることにより表面保護フィルムを剥離していた。しかしながら、ウェーハの機械的強度が大幅に低下しているので、剥離テープを表面保護フィルムに貼り付ける際にウェーハが破損するという問題があった。   This back grinding reduces the wafer thickness to, for example, 50 micrometers. For this reason, the mechanical strength of the wafer after back grinding also decreases accordingly. The above-mentioned surface protective film needs to be peeled after back grinding, but in the prior art, the peeling tape is stuck on the whole surface protective film of the wafer by a sticking roller, and then the peeling tape is wound together with the surface protective film. The surface protective film was peeled off. However, since the mechanical strength of the wafer is greatly reduced, there is a problem that the wafer is damaged when the release tape is attached to the surface protective film.

このような問題を解決するために、特許文献1においては剥離テープの方向とウェーハに形成されたダイシング溝とが一致しないようにウェーハの向きを調整している。また、特許文献2においては、ウェーハの角部から剥離を開始するようにした剥離装置が開示されている。   In order to solve such a problem, in Patent Document 1, the orientation of the wafer is adjusted so that the direction of the peeling tape does not coincide with the dicing groove formed on the wafer. Patent Document 2 discloses a peeling apparatus that starts peeling from a corner of a wafer.

特開2004−165570号公報JP 2004-165570 A 特開2004−128147号公報JP 2004-128147 A

ところで、図12は表面保護フィルムが貼付られたウェーハの拡大断面図であり、厚さD0のウェーハ120を裏面研削して厚さD1まで薄化することが示されている。図12から分かるように、ウェーハ120の縁部125は当初から面取加工されている。表面保護フィルム110とウェーハ120との間の隙間をなくして接着性を高めると共にバックグラインド後における表面保護フィルムがウェーハよりも大径になるのを防止するために、近年では表面保護フィルム110の貼付後にウェーハ120の面取り部分に沿った矢印Z方向に表面保護フィルム110を切断する所謂アングルカットを行う場合がある。   Incidentally, FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of a wafer to which a surface protective film is attached, and shows that the wafer 120 having a thickness D0 is ground to the thickness D1 by back grinding. As can be seen from FIG. 12, the edge 125 of the wafer 120 has been chamfered from the beginning. In recent years, in order to eliminate the gap between the surface protective film 110 and the wafer 120 to enhance adhesion and prevent the surface protective film after back grinding from becoming larger in diameter than the wafer, the surface protective film 110 has been applied in recent years. There may be a case where a so-called angle cut is performed to cut the surface protection film 110 in the direction of arrow Z along the chamfered portion of the wafer 120 later.

ところで、図示されるように、裏面研削前にウェーハ120の表面121に貼り付けられる表面保護フィルム110は保護フィルム基材111と保護フィルム用接着剤層112とから構成されている。従って、前述したアングルカットを行う場合には、表面保護フィルム110の保護フィルム基材111はウェーハ120の表面121よりも小さくなる。このような場合には、特許文献1および特許文献2のようにウェーハ120の向きまたは剥離開始箇所を単に調節または選択するだけでは、裏面研削後に表面保護フィルム110の全てを剥離するのは困難である。   By the way, as shown in the drawing, the surface protective film 110 to be attached to the front surface 121 of the wafer 120 before the back surface grinding is composed of a protective film substrate 111 and a protective film adhesive layer 112. Therefore, when the angle cut described above is performed, the protective film substrate 111 of the surface protective film 110 is smaller than the surface 121 of the wafer 120. In such a case, as in Patent Document 1 and Patent Document 2, it is difficult to peel all of the surface protective film 110 after the back surface grinding simply by adjusting or selecting the orientation of the wafer 120 or the peeling start location. is there.

また、剥離テープの接着性能は、接着対象物である表面保護フィルムの特性またはウェーハへの貼付後における表面保護フィルムに対して行われる処理内容によっても変化する。そして、特定の表面保護フィルムまたは貼付後に特定の処理を受けた表面保護フィルムに対しては、剥離テープの貼付が困難になる事態が生じうる。   In addition, the adhesive performance of the release tape varies depending on the characteristics of the surface protective film, which is an object to be bonded, or the content of processing performed on the surface protective film after being attached to the wafer. And the situation where sticking of a peeling tape may become difficult with respect to the specific surface protection film or the surface protection film which received the specific process after sticking.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、表面保護フィルムがウェーハの面取部分に沿って切断されている場合であっても、および特定の表面保護フィルムまたは特定の処理を受けた表面保護フィルムであっても、剥離テープを表面保護フィルムに容易に一体化させて、表面保護フィルムと共に容易に剥離することのできるフィルム剥離方法、およびこの方法を実施するフィルム剥離装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and even when the surface protection film is cut along the chamfered portion of the wafer, and is subjected to a specific surface protection film or a specific treatment. A film peeling method capable of easily integrating a peeling tape with a surface protective film and easily peeling the surface protective film together with the surface protective film, and a film peeling apparatus for carrying out this method are provided. For the purpose.

前述した目的を達成するために1番目の発明によれば、ウェーハのフィルム貼付面に貼付けられているフィルムを剥離するフィルム剥離装置において、前記ウェーハの前記フィルム貼付面が上面になるように前記ウェーハを吸着するウェーハ吸着手段と、前記フィルム貼付面の前記フィルム上に、前記ウェーハの直径よりも小さい幅を有する剥離テープを繰出す剥離テープ繰出手段と、前記ウェーハの縁部における前記剥離テープの一部分のみを前記ウェーハの前記フィルムに押付けて加熱する加熱手段とを具備し、前記加熱手段が回動可能ディスクを具備し、前記回動可能ディスクの下面には三つの押圧ローラが等間隔で取付けられており、前記三つの押圧ローラのそれぞれの回転軸線は回動可能ディスクの半径上に位置しており、三つの押圧ローラのうち隣接する二つの押圧ローラの間の距離の少なくとも一つは、剥離テープの幅よりも大きくなっており、前記三つの押圧ローラのうちの一つの押圧ローラは、前記剥離テープを加熱することができ、前記一つの押圧ローラは前記剥離テープを押圧し、残りの二つの押圧ローラは前記剥離テープのそれぞれ両側において前記剥離テープが存在していない前記フィルムを押圧し、前記回動可能ディスクの回動時に前記一つの押圧ローラは前記ウェーハの縁部における前記剥離テープの前記一部分上を移動することにより前記剥離テープの前記一部分が加熱され、それにより、前記剥離テープの前記一部分において該剥離テープと前記フィルムとの間の接着力を高めるようにし、さらに、接着力の高められた前記剥離テープの前記一部分を剥離開始箇所として、前記剥離テープによって前記ウェーハの前記フィルム貼付面から前記フィルムを剥離する剥離手段を具備するフィルム剥離装置が提供される。 In order to achieve the above-mentioned object, according to the first invention, in the film peeling apparatus for peeling the film stuck on the film sticking surface of the wafer , the wafer so that the film sticking surface of the wafer becomes the upper surface. A wafer adsorbing means for adsorbing, a peeling tape feeding means for feeding a peeling tape having a width smaller than the diameter of the wafer onto the film on the film application surface, and a part of the peeling tape at the edge of the wafer Heating means that presses and heats only the wafer against the film, and the heating means includes a rotatable disk, and three pressing rollers are attached to the lower surface of the rotatable disk at equal intervals. Each of the three pressing rollers is positioned on a radius of the rotatable disk, At least one of the distances between two adjacent pressure rollers among the pressure rollers is larger than the width of the peeling tape, and one of the three pressure rollers heats the peeling tape. The one pressing roller presses the peeling tape, the remaining two pressing rollers press the film without the peeling tape on both sides of the peeling tape, and the rotation is possible. As the disk rotates, the one pressing roller moves over the portion of the release tape at the edge of the wafer to heat the portion of the release tape, thereby causing the portion of the release tape to The adhesive force between the release tape and the film is increased, and the one of the release tapes having an increased adhesive force is further provided. Minute as release starting point, the release tape by said from the film application surface comprising peeling means for peeling the film film peeling device of the wafer.

すなわち1番目の発明においては、加熱手段によって剥離テープをフィルムに押付けて加熱することにより、剥離テープとフィルムとの間で接着力が高められた部分を形成しているので、剥離テープが特定のフィルム等に対して十分に接着しない場合であっても、剥離テープをフィルムに貼り付けることができる。さらに、接着力が高められた部分は剥離開始箇所として機能するので、フィルムがウェーハの面取部分に沿って切断されている場合であっても、フィルムを剥離テープと共にウェーハから容易に剥離できる。なお、使用される剥離テープは感熱型剥離テープであるのが好ましい。   In other words, in the first invention, a part having an increased adhesive force is formed between the peeling tape and the film by pressing the peeling tape against the film by the heating means and heating. Even when the film is not sufficiently adhered to a film or the like, the release tape can be attached to the film. Furthermore, since the part where the adhesive force is increased functions as a peeling start point, the film can be easily peeled from the wafer together with the peeling tape even when the film is cut along the chamfered part of the wafer. The release tape used is preferably a heat-sensitive release tape.

2番目の発明によれば、1番目の発明において、前記剥離手段が前記剥離テープを介して前記ウェーハに当接するエッジ部材を含む。
すなわち2番目の発明においては、比較的簡易な構成により、本発明のフィルム剥離装置を形成することができる。
According to a second invention, in the first invention, the peeling means includes an edge member that contacts the wafer via the peeling tape.
That is, in the second invention, the film peeling apparatus of the present invention can be formed with a relatively simple configuration.

3番目の発明によれば、1番目の発明において、前記剥離手段が前記剥離テープを介して前記ウェーハに当接するエッジ部材を含み、前記加熱手段が前記剥離部材の前記エッジ部材に組み入れられている。
すなわち3番目の発明においては、加熱部材と剥離部材とが一体化されるので、フィルム剥離装置全体を小型化することが可能となる。
According to a third invention, in the first invention, the peeling means includes an edge member that contacts the wafer via the peeling tape, and the heating means is incorporated in the edge member of the peeling member. .
That is, in the third invention, since the heating member and the peeling member are integrated, the entire film peeling apparatus can be miniaturized.

本発明に基づくウェーハ処理装置を示す略図である。1 is a schematic diagram showing a wafer processing apparatus according to the present invention. 本発明の第一の実施形態に基づくテープ剥離装置を示す側面図である。It is a side view which shows the tape peeling apparatus based on 1st embodiment of this invention. (a)加熱部材により形成される加熱箇所を示すためのウェーハの平面図である。(b)加熱箇所を示すためのウェーハの他の平面図である。(c)加熱箇所を示すためのウェーハのさらに他の平面図である。(A) It is a top view of the wafer for showing the heating location formed with a heating member. (B) It is another top view of the wafer for showing a heating location. (C) It is another top view of the wafer for showing a heating location. (a)テープ剥離装置を示す拡大側面図である。(b)テープ剥離装置を示す他の拡大側面図である。(A) It is an enlarged side view which shows a tape peeling apparatus. (B) It is another enlarged side view which shows a tape peeling apparatus. (a)本発明の第二の実施形態に基づくテープ剥離装置を示す側面図である。(b)図5(a)に示されるテープ剥離装置の動作状態を示す部分拡大図である。(A) It is a side view which shows the tape peeling apparatus based on 2nd embodiment of this invention. (B) It is a partial enlarged view which shows the operation state of the tape peeling apparatus shown by Fig.5 (a). (a)本発明の第三の実施形態に基づくテープ剥離装置を示す側面図である。(b)図6(a)に示されるテープ剥離装置の部分頂面図である。(A) It is a side view which shows the tape peeling apparatus based on 3rd embodiment of this invention. (B) It is a partial top view of the tape peeling apparatus shown by Fig.6 (a). 本発明の第四の実施形態に基づくテープ剥離装置を示す側面図である。It is a side view which shows the tape peeling apparatus based on 4th embodiment of this invention. 回動可能ディスクの底面図である。It is a bottom view of a rotatable disc. 加熱部が下降している状態を示す本発明のテープ剥離装置の部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the tape peeling apparatus of this invention which shows the state which the heating part is falling. (a)加熱部を駆動させたときに加熱部材により形成される加熱箇所を示すウェーハの平面図である。(b)ディスクを回動させたときに加熱部材により形成される加熱箇所の軌跡を示すウェーハおよび剥離テープの頂面図である。(A) It is a top view of the wafer which shows the heating location formed with a heating member, when a heating part is driven. (B) It is a top view of a wafer and a peeling tape which show the locus | trajectory of the heating location formed by a heating member when rotating a disk. 単一の押圧ローラを備えた本発明の別のテープ剥離装置を示す側面図である。It is a side view which shows another tape peeling apparatus of this invention provided with the single press roller. 表面保護フィルムが貼付られたウェーハの拡大断面図である。It is an expanded sectional view of a wafer with which a surface protection film was stuck.

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同一の部材には同一の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図1は本発明に基づくウェーハ処理装置を示す略図である。図1に示されるようにバックグラインダ(BG)1において裏面が研削されて薄くなったウェーハがウェーハ処理装置5に供給される。ウェーハの裏面を研削する際にウェーハの表面に形成された半導体チップを保護する必要があるので、ウェーハ処理装置5に供給されるウェーハ120の表面には表面保護フィルム110が貼り付けられている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. In order to facilitate understanding, the scales of these drawings are appropriately changed.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a wafer processing apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 1, a wafer whose back surface is ground and thinned by a back grinder (BG) 1 is supplied to a wafer processing apparatus 5. Since it is necessary to protect the semiconductor chip formed on the front surface of the wafer when the back surface of the wafer is ground, a surface protection film 110 is attached to the front surface of the wafer 120 supplied to the wafer processing apparatus 5.

図1に示されるようにウェーハ処理装置5はウェーハ120を反転させる反転ユニット300を含んでいる。表面に表面保護フィルム110が貼付られていてバックグラインダ1によって裏面研削されたウェーハ120が図示しないローダにより反転ユニット300内に供給される。バックグラインダ1によって裏面研削される際にはウェーハ120の裏面が上方を向いているので、ウェーハ120が反転ユニット300に供給されるときにはウェーハ120の裏面が上方を向いている。従って、反転ユニット300においてはこのようなウェーハ120が上下反転され、表面保護フィルム110が貼付られたウェーハ120の表面が上方を向くようになる。なお、後述するように、ウェーハ120を反転させることなしに、ウェーハ120が反転ユニット300を単に通過するようにすることもできる。   As shown in FIG. 1, the wafer processing apparatus 5 includes an inversion unit 300 that inverts the wafer 120. A wafer 120 having a surface protective film 110 attached to the front surface and back-ground by the back grinder 1 is supplied into the reversing unit 300 by a loader (not shown). Since the back surface of the wafer 120 faces upward when the back grinding is performed by the back grinder 1, the back surface of the wafer 120 faces upward when the wafer 120 is supplied to the reversing unit 300. Therefore, in the reversing unit 300, the wafer 120 is turned upside down, and the surface of the wafer 120 to which the surface protection film 110 is attached faces upward. As will be described later, the wafer 120 may simply pass through the reversing unit 300 without reversing the wafer 120.

或る種類の表面保護フィルム110においては、所定量の紫外線を照射されると、表面保護フィルム110の接着力が低下するものが存在する。このような表面保護フィルム110を採用する場合には、図1に示されるウェーハ処理装置5の紫外線照射ユニット、すなわちUV照射ユニット400を利用することができる。ウェーハ120は、表面保護フィルム110が貼付された表面が上方を向いた状態でUV照射ユニット400に供給されるので、UVランプ490により所定量の紫外線を表面保護フィルム110に照射し、次いで、ウェーハ120を反転ユニット300まで戻す。このようにウェーハ120を移動させる際には移動装置、例えばロボットアーム等が使用されるが、これらは一般的な装置であるので図示および説明を省略する。なお、紫外線の照射により接着力が変化しない表面保護フィルム110を使用する場合には、ウェーハ120をUV照射ユニット400に供給する必要はなく、UV照射ユニット400で行われる工程を省略することができる。   Some types of the surface protective film 110 may have a decrease in the adhesive strength of the surface protective film 110 when irradiated with a predetermined amount of ultraviolet rays. When such a surface protective film 110 is employed, an ultraviolet irradiation unit, that is, a UV irradiation unit 400 of the wafer processing apparatus 5 shown in FIG. 1 can be used. Since the wafer 120 is supplied to the UV irradiation unit 400 with the surface to which the surface protection film 110 is attached facing upward, the UV lamp 490 irradiates the surface protection film 110 with a predetermined amount of ultraviolet light, and then the wafer. 120 is returned to the reversing unit 300. When the wafer 120 is moved in this way, a moving device such as a robot arm is used. However, these are general devices, and illustration and description thereof are omitted. In addition, when using the surface protection film 110 whose adhesive force does not change by irradiation of ultraviolet rays, it is not necessary to supply the wafer 120 to the UV irradiation unit 400, and the steps performed in the UV irradiation unit 400 can be omitted. .

次いで、ウェーハ120を反転ユニット300から位置決めユニット200まで供給する。位置決めユニット200は、ウェーハ120を吸着する円形の吸着テーブル31(図1には示さない)を備えている。この吸着テーブル31は多孔質のセラミック製等であり、図示しない真空源に接続されている。吸着テーブル31の直径は吸着されるべきウェーハ120の直径にほぼ等しいか、またはこれよりも大きくなっている。位置決めユニット200においては、吸着テーブル31の上方に位置決めセンサ(図示しない)が設けられている。そして、この位置決めセンサを用いることにより、ウェーハ120を吸着テーブル31上に同心に正確に位置決めする。次いで、真空源を駆動することにより、表面保護フィルム110が上方を向いた状態で、ウェーハ120を吸着テーブル31に正確に吸着する。   Next, the wafer 120 is supplied from the reversing unit 300 to the positioning unit 200. The positioning unit 200 includes a circular suction table 31 (not shown in FIG. 1) that sucks the wafer 120. The suction table 31 is made of porous ceramic or the like and is connected to a vacuum source (not shown). The diameter of the suction table 31 is substantially equal to or larger than the diameter of the wafer 120 to be sucked. In the positioning unit 200, a positioning sensor (not shown) is provided above the suction table 31. Then, by using this positioning sensor, the wafer 120 is accurately positioned concentrically on the suction table 31. Next, by driving the vacuum source, the wafer 120 is accurately sucked to the suction table 31 with the surface protection film 110 facing upward.

その後、吸着テーブル31はウェーハ120を吸着した状態で、位置決めユニット200から剥離ユニット100まで移送される。図2は、本発明に基づく剥離ユニット100であるテープ剥離装置を示す側面図であり、以下、図2を参照しつつ、テープ剥離装置について説明する。   Thereafter, the suction table 31 is transferred from the positioning unit 200 to the peeling unit 100 in a state where the wafer 120 is sucked. FIG. 2 is a side view showing a tape peeling apparatus which is the peeling unit 100 according to the present invention. Hereinafter, the tape peeling apparatus will be described with reference to FIG.

図2に示されるテープ剥離装置100はハウジング11内に剥離テープ3を供給する供給部42と、供給部42からのテープを巻き取る巻取部43とを含んでいる。テープ剥離装置100において使用される剥離テープ3は、ウェーハ120の表面に貼付られた表面保護フィルム110を剥離するのに用いられるテープである。この剥離テープ3の幅はウェーハ120の直径よりも小さく、本実施形態における剥離テープ3の幅はウェーハ120の直径のほぼ半分程度である。なお、本実施形態においては、剥離テープ3は加熱することにより接着力を呈する感熱型剥離テープでありうる。   The tape peeling apparatus 100 shown in FIG. 2 includes a supply unit 42 that supplies the peeling tape 3 into the housing 11 and a winding unit 43 that winds the tape from the supply unit 42. The peeling tape 3 used in the tape peeling apparatus 100 is a tape used for peeling the surface protective film 110 attached to the surface of the wafer 120. The width of the peeling tape 3 is smaller than the diameter of the wafer 120, and the width of the peeling tape 3 in this embodiment is about half of the diameter of the wafer 120. In the present embodiment, the release tape 3 can be a heat-sensitive release tape that exhibits an adhesive force when heated.

図示されるように、ハウジング11の底面には複数のキャスタ18および複数のストッパ19(図2にはそれぞれ一つずつ示されている)が設けられており、キャスタ18によってテープ剥離装置100を床L上の所望の位置まで移動させ、ストッパ19によってテープ剥離装置100をこの位置に固定できるようになっている。また、テープ剥離装置100の下方部分には扉17が設けられており、これら扉17を開放すると、テープ剥離装置100の下方部分に配置された図示しない制御部89、例えばデジタルコンピュータにアクセスすることができる。なお、制御部89はテープ剥離装置100における各部材の制御を行うものとする。   As shown in the figure, a plurality of casters 18 and a plurality of stoppers 19 (one each shown in FIG. 2) are provided on the bottom surface of the housing 11, and the tape peeling device 100 is placed on the floor by the casters 18. The tape peeling device 100 can be fixed to this position by the stopper 19 by being moved to a desired position on L. Further, doors 17 are provided in the lower part of the tape peeling apparatus 100. When these doors 17 are opened, a control unit 89 (not shown) disposed in the lower part of the tape peeling apparatus 100, for example, a digital computer is accessed. Can do. The control unit 89 controls each member in the tape peeling apparatus 100.

図2に示されるように、供給部42の下流には、剥離テープ3を案内すると共に剥離テープ3に所定の張力を掛ける一対のガイドローラ47が設けられており、さらにガイドローラ47の下流でかつ吸着テーブル31の上流においては剥離部44が設けられている。図2から分かるように、剥離部44は一対のローラ45と、これらローラ45の直下流に位置するピーリングローラ46とを備えている。ピーリングローラ46は吸着テーブル31の最大幅よりも大きい。   As shown in FIG. 2, a pair of guide rollers 47 that guide the peeling tape 3 and apply a predetermined tension to the peeling tape 3 are provided downstream of the supply unit 42, and further downstream of the guide roller 47. In addition, a peeling portion 44 is provided upstream of the suction table 31. As can be seen from FIG. 2, the peeling portion 44 includes a pair of rollers 45 and a peeling roller 46 located immediately downstream of these rollers 45. The peeling roller 46 is larger than the maximum width of the suction table 31.

図面には示さないものの、剥離部44の一部は、例えば二つのプーリに懸けられたエンドレスチェーンに連結されており、プーリは図示しないモータに接続されている。そしてモータを順方向および逆方向に回転させることによって、剥離部44全体をプーリ間で水平方向に往復運動させられる。当然のことながら、剥離部44を他の駆動機構にって水平方向に往復運動できるようにしてもよい。詳細に後述するように、剥離部44がウェーハ120の一端からウェーハの他端までウェーハ20の直径上を水平方向に移動することにより、剥離テープ3をウェーハ20の表面から剥離することができる。また、剥離部44の下流には、剥離テープ3を案内するガイドローラ51、および剥離テープ3を巻き取る巻取部43が設けられており、供給部42から剥離テープ3を繰り出すことにより剥離テープ3が吸着テーブル31の上方に位置するようになる。   Although not shown in the drawing, a part of the peeling portion 44 is connected to, for example, an endless chain suspended on two pulleys, and the pulleys are connected to a motor (not shown). By rotating the motor in the forward direction and the reverse direction, the entire peeling portion 44 can be reciprocated in the horizontal direction between the pulleys. Of course, the peeling portion 44 may be reciprocated in the horizontal direction by another driving mechanism. As will be described in detail later, the peeling tape 44 can be peeled from the surface of the wafer 20 by moving the peeling portion 44 horizontally on the diameter of the wafer 20 from one end of the wafer 120 to the other end of the wafer. Further, a guide roller 51 that guides the peeling tape 3 and a winding unit 43 that winds up the peeling tape 3 are provided downstream of the peeling unit 44, and the peeling tape 3 is fed out from the supply unit 42. 3 is located above the suction table 31.

図2に示されるように、テープ剥離装置100の中間部分に棚板12が設けられている。位置決めユニット200においてウェーハ120を吸着した吸着テーブル31は棚板12上を摺動して、テープ剥離装置100の領域に進入する。そして、詳細には説明しないものの、テープ剥離装置100内を所定の位置まで進入した吸着テーブル31はこの位置で上昇および下降できるようになっている。このため、本発明においては、位置決めユニット200において吸着テーブル31上に正確に位置決めされたウェーハ120を他のテーブル上に再度配置することなしに、表面保護フィルム110の剥離を行うことが可能である。   As shown in FIG. 2, a shelf board 12 is provided in an intermediate portion of the tape peeling device 100. The suction table 31 that sucks the wafer 120 in the positioning unit 200 slides on the shelf plate 12 and enters the area of the tape peeling device 100. Although not described in detail, the suction table 31 that has entered the tape peeling device 100 to a predetermined position can be raised and lowered at this position. For this reason, in this invention, it is possible to peel off the surface protection film 110, without arrange | positioning the wafer 120 correctly positioned on the adsorption | suction table 31 in the positioning unit 200 on another table again. .

なお、図1および図2に示される実施形態においては、吸着テーブル31が剥離ユニット100と位置決めユニット200との間を摺動できるようになっているが、剥離ユニット100の吸着テーブルを位置決めユニット200のテーブルとは別個にしてもよい。   In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the suction table 31 can slide between the peeling unit 100 and the positioning unit 200, but the suction table of the peeling unit 100 is used as the positioning unit 200. The table may be separate.

再び図2を参照すると、ハウジング11内においては、加熱部80が吸着テーブル31の上方に設置されている。図示されるように加熱部80は鉛直方向に並置された二つのシリンダ81を備えている。これらシリンダ81の下端から延びるプランジャ82は、それぞれのシリンダ81内に往復摺動運動することができる。そして、プランジャ82の先端には、剥離テープ3をウェーハ120の表面保護フィルム110に押付けて加熱する加熱押付部83がそれぞれ設けられている。これら加熱押付部83の内部に配置された電熱線(図示しない)はそれぞれのプランジャ82を通じてシリンダ81内部のコントローラ(図示しない)に接続されている。剥離ユニット100の使用時には、このコントローラによって加熱押付部83は剥離テープ3が接着力を呈するのに必要な温度、例えば100℃前後にまで加熱される。   Referring to FIG. 2 again, in the housing 11, the heating unit 80 is installed above the suction table 31. As illustrated, the heating unit 80 includes two cylinders 81 juxtaposed in the vertical direction. Plungers 82 extending from the lower ends of the cylinders 81 can reciprocate in the respective cylinders 81. At the tip of the plunger 82, a heating pressing unit 83 that presses the peeling tape 3 against the surface protection film 110 of the wafer 120 and heats it is provided. Heating wires (not shown) arranged inside these heating and pressing portions 83 are connected to a controller (not shown) inside the cylinder 81 through each plunger 82. When the peeling unit 100 is used, the controller heats the heating pressing portion 83 to a temperature necessary for the peeling tape 3 to exhibit an adhesive force, for example, around 100 ° C.

図2においては、位置決めユニット200から剥離ユニット100まで棚板12上を移送された吸着テーブル31は加熱部80の下方において停止する(図2において点線で示される)。次いで、図2には示さない厚みセンサを用いて、ウェーハ120および表面保護フィルム110の合計厚さtを計測する。ウェーハ120は該ウェーハ120の裏面が研削されており、その研削度合いはロット等によって異なるので、ウェーハ120の厚さもロット毎などにより異なっている。厚みセンサにより計測された合計厚さtは制御部89に供給される。   In FIG. 2, the suction table 31 transferred on the shelf 12 from the positioning unit 200 to the peeling unit 100 stops below the heating unit 80 (indicated by a dotted line in FIG. 2). Next, the total thickness t of the wafer 120 and the surface protection film 110 is measured using a thickness sensor not shown in FIG. Since the back surface of the wafer 120 is ground and the degree of grinding varies depending on the lot or the like, the thickness of the wafer 120 also varies depending on the lot or the like. The total thickness t measured by the thickness sensor is supplied to the control unit 89.

その後、図示しない公知の手段により、吸着テーブル31を加熱部80下方の剥離テープ3に向かって上昇させる(図2を参照されたい)。加熱部80下方に位置する剥離テープ3と棚板12との間の距離は予め分かっているので、前述した合計厚さtを用いることにより、ウェーハ120の表面保護フィルム110と剥離テープ3とを軽く接触(ソフトコンタクト)させられる。このように表面保護フィルム110を剥離テープ3に軽く接触させるだけであるので、剥離テープ3は表面保護フィルム110にのみ接触し、剥離テープ3が吸着テーブル31、特に吸着機能を有する吸着テーブル31の上面縁部に接触することはない。従って、本発明においては、剥離テープ3の接着剤が吸着テーブル31の上面の孔に進入して目詰まりすることはなく、従って、ウェーハ120が吸着不良となるのを避けられる。特に本発明においては、表面保護フィルム110とウェーハ120との合計厚さtを考慮した上で、吸着テーブル31を上昇させているので、このようなウェーハ120の吸着不良を確実に避けることが可能となる。   Thereafter, the suction table 31 is raised toward the peeling tape 3 below the heating unit 80 by known means (not shown) (see FIG. 2). Since the distance between the peeling tape 3 located below the heating unit 80 and the shelf 12 is known in advance, the surface protective film 110 and the peeling tape 3 of the wafer 120 are attached by using the total thickness t described above. Light contact (soft contact). Since the surface protective film 110 is merely lightly brought into contact with the peeling tape 3 in this way, the peeling tape 3 is brought into contact only with the surface protective film 110, and the peeling tape 3 is a suction table 31, particularly a suction table 31 having a suction function. There is no contact with the top edge. Therefore, in the present invention, the adhesive of the peeling tape 3 does not enter the hole on the upper surface of the suction table 31 and become clogged, so that the wafer 120 can be prevented from being poorly sucked. In particular, in the present invention, the suction table 31 is raised in consideration of the total thickness t of the surface protective film 110 and the wafer 120, so that such suction failure of the wafer 120 can be surely avoided. It becomes.

加熱部80の駆動前においては剥離テープ3と表面保護フィルム110とは単に接触しているだけであるので、剥離テープ3と表面保護フィルム110との間に十分な接着力が生じていない。このため、加熱部80の駆動前においては、剥離テープ3と表面保護フィルム110との間の接着力は、表面保護フィルム110とウェーハ120との間の接着力、およびウェーハ120と吸着テーブル31との間の吸着力よりも小さい。つまり、この状態で剥離テープ3を巻き取ると、剥離テープ3のみが巻き取られ、表面保護フィルム110はウェーハ120に貼り付いたままとなりうる。   Before the heating unit 80 is driven, the peeling tape 3 and the surface protective film 110 are merely in contact with each other, and thus sufficient adhesive force is not generated between the peeling tape 3 and the surface protective film 110. For this reason, before the heating unit 80 is driven, the adhesive force between the peeling tape 3 and the surface protective film 110 is the adhesive force between the surface protective film 110 and the wafer 120, and the wafer 120 and the suction table 31. Less than the adsorption power between. That is, when the release tape 3 is wound in this state, only the release tape 3 is wound, and the surface protection film 110 can remain attached to the wafer 120.

このため、剥離テープ3と表面保護フィルム110とが軽く接触している状態で、加熱部80を動作させる。図示しないアクチュエータを駆動することにより、加熱部80のプランジャ82が下方に延びる。プランジャ82は所定の長さだけ延び(図2を参照されたい)、それにより、加熱押付部83が剥離テープ3を表面保護フィルム110に押付けて加熱するようになる。   For this reason, the heating part 80 is operated in the state which the peeling tape 3 and the surface protection film 110 are contacting lightly. By driving an actuator (not shown), the plunger 82 of the heating unit 80 extends downward. The plunger 82 extends by a predetermined length (see FIG. 2), so that the heating pressing portion 83 presses the peeling tape 3 against the surface protection film 110 and heats it.

図3(a)は加熱部80を駆動させたときに加熱押付部83により形成される加熱箇所を示すウェーハの平面図である。図3(a)においてウェーハ120の縁部には、加熱押付部83により加熱箇所85が剥離テープ3上に形成されている。なお、図3(a)においては断面が矩形の加熱押付部83を使用したために、矩形の加熱箇所85が示されている。   FIG. 3A is a plan view of the wafer showing the heating points formed by the heating pressing unit 83 when the heating unit 80 is driven. In FIG. 3A, a heating portion 85 is formed on the peeling tape 3 by the heating pressing portion 83 at the edge portion of the wafer 120. In addition, in FIG. 3A, since the heating pressing part 83 whose cross section is rectangular is used, the rectangular heating location 85 is shown.

加熱箇所85は加熱押付部83の押圧作用により形成される。そして、剥離テープ3は感熱型であるので、加熱箇所85においては剥離テープ3と表面保護フィルム110との間の接着力が増大する。つまり、加熱部80の駆動後においては、加熱箇所85における剥離テープ3と表面保護フィルム110との間の接着力は、表面保護フィルム110とウェーハ120との間の接着力よりも大きくなる。ただし、剥離テープ3と表面保護フィルム110との間の接着力はウェーハ120と吸着テーブル31との間の吸着力よりは大きくない。このように加熱箇所85における剥離テープ3と表面保護フィルム110との間の接着力を増大させた状態で剥離部44を駆動させる。   The heating location 85 is formed by the pressing action of the heating pressing portion 83. And since the peeling tape 3 is a heat sensitive type, in the heating location 85, the adhesive force between the peeling tape 3 and the surface protection film 110 increases. That is, after the heating unit 80 is driven, the adhesive force between the peeling tape 3 and the surface protective film 110 at the heating location 85 is larger than the adhesive force between the surface protective film 110 and the wafer 120. However, the adhesive force between the peeling tape 3 and the surface protective film 110 is not greater than the attractive force between the wafer 120 and the suction table 31. Thus, the peeling part 44 is driven in the state which increased the adhesive force between the peeling tape 3 and the surface protection film 110 in the heating location 85. FIG.

図4(a)および図4(b)は、押圧部が上昇している状態を示す本発明のテープ剥離装置の部分拡大図である。剥離部44を駆動させるにあたり、まず、図4に示されるように加熱部80のプランジャ82をシリンダ81内に後退させる。これにより、加熱押付部83が剥離テープ3から離脱し、剥離テープ3は、加熱箇所85を除いて、ウェーハ120の表面保護フィルム110に軽く接触した状態となる。次いで、剥離部44を図4(a)の左方から右方に向かって摺動させ、ウェーハ表面に貼付された表面保護フィルム110を剥離して上方に移動させる。前述したように、加熱箇所85においては剥離テープ3と表面保護フィルム110との間の接着力が増大しており、しかもこの接着力は表面保護フィルム110とウェーハ120との間の接着力よりも大きい。このため、加熱箇所85が剥離開始箇所として機能し、表面保護フィルム110がウェーハ120から剥離される。一方、剥離部44が左方に移動するときに(このときにはローラ45の回転をロックする)、ガイドローラ47が自由に回転して剥離テープ3は左側へ送られ、次の剥離テープが引出されると同時に剥離された表面保護フィルムは剥離テープと共に上方に巻き取られる。そして、剥離テープ3が巻き取られることに伴って、表面保護フィルム110は剥離テープ3と一緒に巻取部43に巻き取られるようになる。   4 (a) and 4 (b) are partial enlarged views of the tape peeling device of the present invention showing a state where the pressing portion is raised. In driving the peeling unit 44, first, the plunger 82 of the heating unit 80 is retracted into the cylinder 81 as shown in FIG. As a result, the heating pressing portion 83 is detached from the peeling tape 3, and the peeling tape 3 is in a state of lightly contacting the surface protection film 110 of the wafer 120 except for the heating portion 85. Next, the peeling portion 44 is slid from the left side to the right side of FIG. 4A, and the surface protective film 110 attached to the wafer surface is peeled and moved upward. As described above, the adhesive force between the peeling tape 3 and the surface protective film 110 is increased at the heating portion 85, and this adhesive force is higher than the adhesive force between the surface protective film 110 and the wafer 120. large. For this reason, the heating point 85 functions as a peeling start point, and the surface protection film 110 is peeled from the wafer 120. On the other hand, when the peeling portion 44 moves to the left (in this case, the rotation of the roller 45 is locked), the guide roller 47 freely rotates and the peeling tape 3 is sent to the left side, and the next peeling tape is pulled out. At the same time, the peeled surface protective film is wound up together with the release tape. Then, as the release tape 3 is wound, the surface protection film 110 is wound around the winding portion 43 together with the release tape 3.

このように本発明においては、加熱部80によって剥離テープ3を加熱することにより、剥離テープ3と表面保護フィルム110との間で接着力が高められた部分を形成することができる。つまり、本発明においては、表面保護フィルム110が特定の種類であるかまたは表面保護フィルム110が貼付後に特定の処理を受けていて剥離テープ3をこの表面保護フィルム110に貼り付けるのが困難な場合であっても、接着力が高められた部分を形成することにより、剥離テープ3を容易に貼り付けることができる。   Thus, in this invention, the part by which the adhesive force was heightened between the peeling tape 3 and the surface protection film 110 can be formed by heating the peeling tape 3 by the heating part 80. FIG. That is, in the present invention, the surface protective film 110 is of a specific type, or the surface protective film 110 is subjected to a specific treatment after being applied, and it is difficult to apply the release tape 3 to the surface protective film 110. Even so, it is possible to easily attach the release tape 3 by forming a portion with increased adhesion.

また、本発明においては、加熱押付部83によりウェーハ120の縁部のみに加熱箇所85を形成しているので、ウェーハ120上の剥離テープ3全体を加熱する場合と比較して、加熱に要するエネルギを低減することも可能である。   Further, in the present invention, since the heating portion 85 is formed only at the edge of the wafer 120 by the heating pressing portion 83, the energy required for heating is compared with the case where the entire peeling tape 3 on the wafer 120 is heated. Can also be reduced.

さらに、図12を参照して前述したように表面保護フィルム110がウェーハの面取部分に沿って切断されている場合には表面保護フィルム110の保護フィルム用接着剤層112が面取部分に残存して剥離が困難になる場合がある。しかしながら、本発明においては、このような場合であっても加熱部80によって接着力が高められた部分を形成できるので、この部分を剥離開始箇所として、剥離テープ3を表面保護フィルム110と共にウェーハから容易に剥離することが可能となる。   Further, as described above with reference to FIG. 12, when the surface protective film 110 is cut along the chamfered portion of the wafer, the protective film adhesive layer 112 of the surface protective film 110 remains in the chamfered portion. Peeling may be difficult. However, in the present invention, even in such a case, a portion where the adhesive force is enhanced by the heating unit 80 can be formed. It can be easily peeled off.

なお、図3(a)においては矩形断面の加熱押付部83を使用しているので、加熱箇所85がウェーハ120の縁部の一部に一致していないが、ウェーハ120の縁部に概ね一致した形状の加熱押付部83を使用するのが好ましい。例えば図3(b)には、断面が円形の加熱押付部83により形成された加熱箇所85aが示されている。また、図3(c)には、断面が弓形の加熱押付部83により形成された加熱箇所85bが示されている。弓形部の円弧の半径はウェーハ120の半径と同じであるのが好ましい。なお、簡略化する目的で、図3(b)および図3(c)には剥離テープ3を示していない。   In FIG. 3A, since the heating pressing portion 83 having a rectangular cross section is used, the heating portion 85 does not coincide with a part of the edge of the wafer 120, but substantially coincides with the edge of the wafer 120. It is preferable to use the heated pressing portion 83 having the shape described above. For example, FIG. 3B shows a heating spot 85a formed by the heating pressing portion 83 having a circular cross section. FIG. 3C shows a heating portion 85b formed by the heating pressing portion 83 having a bow-shaped cross section. The radius of the arc of the arcuate portion is preferably the same as the radius of the wafer 120. For the purpose of simplification, the peeling tape 3 is not shown in FIGS. 3 (b) and 3 (c).

これら図面に示されるように、加熱箇所85a、85bの円弧部はウェーハ120の縁部に内接するように形成されている。このような場合には、表面保護フィルム110が存在しない剥離テープ3の一部まで加熱することが防止される。つまり、不必要な部分にまで熱を加えることなしに、ウェーハ120の縁部に加熱箇所85a、85bを形成することができる。   As shown in these drawings, the arc portions of the heating portions 85 a and 85 b are formed so as to be inscribed in the edge portion of the wafer 120. In such a case, it is possible to prevent heating to a part of the release tape 3 where the surface protection film 110 is not present. That is, the heating locations 85a and 85b can be formed on the edge of the wafer 120 without applying heat to unnecessary portions.

また、図2等においては、二つのシリンダ81および関連する加熱押付部83が示されているが、巻取部43に近い側のシリンダ81等を省略するようにしてもよい。   Further, in FIG. 2 and the like, two cylinders 81 and a related heat pressing unit 83 are shown, but the cylinder 81 and the like on the side close to the winding unit 43 may be omitted.

図5(a)は、本発明の第二の実施形態に基づくテープ剥離装置を示す側面図である。図5(a)における剥離部44’は剥離テープ3の方向に対して垂直に延びるピーリングバー91を加熱部80の下流側に含んでいる。ピーリングバー91は断面略三角形の棒状体であり、エッジ部材とも呼ばれる。ピーリングバー91の長さは剥離テープ3の幅よりも大きい。また、ピーリングバー91を支持する支持棒92がピーリングバー91の後方面を一体的に支持している。図示されるように、三角形状断面の頂点に相当するピーリングバー91の先端辺において剥離テープ3が折れ曲がるように配置されている。ピーリングバー91の先端辺は、図示しない他のガイドローラなどによって、ウェーハ120の表面保護フィルム110の高さよりもわずかながら高い位置に在る。また、加熱部80の上流およびピーリングバー91の下流には、それぞれガイドローラ57、58が配置されている。   Fig.5 (a) is a side view which shows the tape peeling apparatus based on 2nd embodiment of this invention. The peeling portion 44 ′ in FIG. 5A includes a peeling bar 91 that extends perpendicular to the direction of the peeling tape 3 on the downstream side of the heating portion 80. The peeling bar 91 is a rod-shaped body having a substantially triangular cross section, and is also called an edge member. The length of the peeling bar 91 is larger than the width of the peeling tape 3. A support bar 92 that supports the peeling bar 91 integrally supports the rear surface of the peeling bar 91. As shown in the drawing, the peeling tape 3 is arranged to be bent at the tip side of the peeling bar 91 corresponding to the apex of the triangular cross section. The tip side of the peeling bar 91 is located slightly higher than the height of the surface protection film 110 of the wafer 120 by other guide rollers (not shown). Further, guide rollers 57 and 58 are arranged upstream of the heating unit 80 and downstream of the peeling bar 91, respectively.

このような実施形態においては、吸着テーブル31を剥離テープ3まで上昇させて、前述したように剥離テープ3と表面保護フィルム110とを軽く接触させた状態で、加熱部80を駆動する。プランジャ82を延長させ、それにより、加熱押付部83が剥離テープ3を表面保護フィルム110に押付けて加熱する。   In such an embodiment, the heating table 80 is driven in a state where the suction table 31 is raised to the peeling tape 3 and the peeling tape 3 and the surface protective film 110 are lightly contacted as described above. The plunger 82 is extended, whereby the heating pressing portion 83 presses the peeling tape 3 against the surface protection film 110 and heats it.

次いで、加熱部80のプランジャ82を後退させ、加熱押付部83を剥離テープ3から離脱させる。そして、加熱箇所85を形成した後で、図示されるように吸着テーブル31を水平方向に移動させ、吸着テーブル31がピーリングバー91を通過するようにする。前述したようにピーリングバー91はウェーハ120の表面保護フィルム110よりもわずかながら高い位置に在るので、表面保護フィルム110がピーリングバー91に当接しない。これにより、前述した加熱箇所85が剥離開始箇所として機能し、表面保護フィルム110がウェーハ120から同様に剥離される。この場合には、図5(a)のテープ剥離装置の動作状態を示す部分拡大図である図5(b)に示されるように、表面保護フィルム110は剥離テープ3と共にピーリングバー91によってウェーハ120から剥離され、次いで巻取部43によって図5(b)の右上方に巻取られるようになる。このような第二の実施形態においても、前述した第一の実施形態と同様な効果が得られる。なお、第二の実施形態においてはピーリングバー91によるウェーハ120の押圧作用を省略しても良い。   Next, the plunger 82 of the heating unit 80 is retracted, and the heating pressing unit 83 is detached from the peeling tape 3. And after forming the heating location 85, the suction table 31 is moved to a horizontal direction so that the suction table 31 may pass the peeling bar 91 as shown in the figure. As described above, the peeling bar 91 is located slightly higher than the surface protection film 110 of the wafer 120, so the surface protection film 110 does not contact the peeling bar 91. Thereby, the heating location 85 mentioned above functions as a peeling start location, and the surface protection film 110 is similarly peeled from the wafer 120. In this case, as shown in FIG. 5B, which is a partial enlarged view showing the operation state of the tape peeling apparatus in FIG. 5A, the surface protection film 110 is peeled off by the peeling bar 91 and the wafer 120 together with the peeling tape 3. Then, the sheet is wound up to the upper right in FIG. In such a second embodiment, the same effect as the first embodiment described above can be obtained. In the second embodiment, the pressing action of the wafer 120 by the peeling bar 91 may be omitted.

図6(a)は本発明の第三の実施形態に基づくテープ剥離装置を示す側面図である。第三の実施形態は第二の実施形態と概ね同様の構成であるが、第三の実施形態においては加熱押付部83を含む加熱部80は排除されている点で相違する。その代わりに、ピーリングバー91の下側当接面93が加熱面95を少なくとも部分的に含んでいる。ピーリングバー91内部に組み入れられた電熱線(図示しない)の熱が加熱面95まで伝えられ、それにより、加熱面95を剥離テープ3が接着力を呈するのに必要な温度、例えば100℃前後にまで加熱することができる。このため、加熱面95を形成する材料の熱伝導率は、ピーリングバー91を形成する材料の熱伝導率よりも高いのが好ましい。このように第三の実施形態においては加熱部80が不要であるので、剥離ユニット100の構造を簡単にできると共に剥離ユニット100全体を比較的小型にすることが可能となる。また、図示しない実施形態においては、ピーリングバー91の下側当接面93全体が加熱面になっていてもよい。   FIG. 6A is a side view showing a tape peeling apparatus according to the third embodiment of the present invention. The third embodiment has substantially the same configuration as the second embodiment, but is different in that the heating unit 80 including the heating pressing unit 83 is excluded in the third embodiment. Instead, the lower abutment surface 93 of the peeling bar 91 at least partially includes the heating surface 95. Heat of a heating wire (not shown) incorporated in the peeling bar 91 is transmitted to the heating surface 95, so that the heating surface 95 is brought to a temperature necessary for the peeling tape 3 to exhibit an adhesive force, for example, around 100 ° C. Can be heated up to. For this reason, the thermal conductivity of the material forming the heating surface 95 is preferably higher than the thermal conductivity of the material forming the peeling bar 91. As described above, in the third embodiment, since the heating unit 80 is unnecessary, the structure of the peeling unit 100 can be simplified and the entire peeling unit 100 can be made relatively small. Moreover, in embodiment which is not illustrated, the whole lower side contact surface 93 of the peeling bar 91 may be a heating surface.

図6(a)に示されるテープ剥離装置の部分平面図である図6(b)に示されるように、加熱面95はピーリングバー91の長さ部分の中心付近に設けられている。このため、使用時には加熱面95は剥離テープ3の略中心線上に位置するようになる。なお、加熱面95は剥離テープ3の幅よりも小さいのが好ましい。   As shown in FIG. 6B, which is a partial plan view of the tape peeling device shown in FIG. 6A, the heating surface 95 is provided near the center of the length portion of the peeling bar 91. For this reason, the heating surface 95 comes to be located on the approximate centerline of the peeling tape 3 at the time of use. The heating surface 95 is preferably smaller than the width of the peeling tape 3.

吸着テーブル31がピーリングバー91を通過するときに、ウェーハ120の縁部において吸着テーブル31を一旦停止させる。これにより、ピーリングバー91の加熱面95が剥離テープ3を表面保護フィルム110に押付けて加熱する。従って、剥離テープ3と表面保護フィルム110との間の接着力が部分的に高まるようになる。それゆえ、前述した実施形態と同様に、この部分が剥離開始箇所として機能し、表面保護フィルム110がウェーハ120から同様に剥離される。すなわち、第三の実施形態においても、前述したのと同様な効果が得られるのは明らかであろう。   When the suction table 31 passes the peeling bar 91, the suction table 31 is temporarily stopped at the edge of the wafer 120. Thereby, the heating surface 95 of the peeling bar 91 presses the peeling tape 3 against the surface protective film 110 and heats it. Therefore, the adhesive force between the peeling tape 3 and the surface protective film 110 is partially increased. Therefore, as in the above-described embodiment, this portion functions as a peeling start location, and the surface protection film 110 is peeled off from the wafer 120 in the same manner. That is, it will be apparent that the same effect as described above can be obtained in the third embodiment.

さらに、図7は本発明の第四の実施形態に基づくテープ剥離装置を示す側面図である。図7においては、加熱押圧部60が吸着テーブル31の上方に設置されている。加熱押圧部60はケーシング61を具備し、このケーシング61内には上下方向に移動するロッド62が挿入されている。図7においてはロッド62の先端付近のみが示されており、図7に示されるロッド62のほとんどの部分はケーシング61内に挿入されているものとする。このロッド62は図示しないアクチュエータに接続されており、アクチュエータの動作に応じて昇降すると共に、所定の位置で回転するようになっている。   FIG. 7 is a side view showing a tape peeling apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 7, the heating pressing unit 60 is installed above the suction table 31. The heating pressing unit 60 includes a casing 61, and a rod 62 that moves in the vertical direction is inserted into the casing 61. In FIG. 7, only the vicinity of the tip of the rod 62 is shown, and it is assumed that most of the rod 62 shown in FIG. 7 is inserted into the casing 61. The rod 62 is connected to an actuator (not shown), and moves up and down according to the operation of the actuator and rotates at a predetermined position.

さらに、図7から分かるように、ディスク64が連結部63によりロッド62の先端付近に連結されている。ディスク64の直径はウェーハ120の直径にほぼ等しいか、またはこれよりも大きい。このディスク64は、制御部89からの指示によって、ロッド62と共にまたはロッド62とは別個に回転することができる。さらに、ディスク64の直径にほぼ等しい内径を有する筒型ガイド69が、ディスク64の縁部から下方に延びるよう取付られている。また、ディスク64の下面には、少なくとも一つ、例えば三つ押圧部材65が設けられている。これら三つの押圧部材のうちの図示される押圧部材65a、65bは延長部68a、68bと延長部68a、68bの各先端に取り付けられた押圧ローラ66a、66bとをそれぞれ含んでいる。図7には示さない残りの押圧部材65cについても同様である。   Further, as can be seen from FIG. 7, the disk 64 is connected to the vicinity of the tip of the rod 62 by the connecting portion 63. The diameter of the disk 64 is approximately equal to or greater than the diameter of the wafer 120. The disk 64 can be rotated together with the rod 62 or separately from the rod 62 according to an instruction from the control unit 89. Further, a cylindrical guide 69 having an inner diameter substantially equal to the diameter of the disk 64 is attached so as to extend downward from the edge of the disk 64. Further, at least one, for example, three pressing members 65 are provided on the lower surface of the disk 64. Of these three pressing members, the illustrated pressing members 65a and 65b include extension portions 68a and 68b and pressing rollers 66a and 66b attached to the respective ends of the extension portions 68a and 68b. The same applies to the remaining pressing members 65c not shown in FIG.

図8は回動可能ディスクの底面図である。図8に示されるディスク64には三つの押圧部材65a、65b、65cが設けられている。これら押圧部材65a、65b、65cは、ディスク64の下面において半径方向に延びる三つの溝71a、71b、71cのそれぞれの先端付近に設けられている。これら押圧部材65a、65b、65cの各延長部68a、68b、68cの基端には溝71a、71b、71cにそれぞれ係合する係合部(図示しない)が設けられており、これら係合部を各溝71a、71b、71cにそれぞれ係合させることにより、押圧部材65a、65b、65cを溝71a、71b、71cのそれぞれに取り付けることができる。また、各延長部68a、68b、68cの係合部は溝71a、71b、71cを摺動することができ、それにより、押圧部材65a、65b、65cを各溝71a、71b、71cの所望の位置に位置決めできるようになる。従って、寸法の異なるウェーハ120'の表面保護フィルム110を剥離する場合であっても、押圧部材65a、65b、65cの位置を調節し、本発明の剥離ユニット100を寸法の異なるウェーハ120'に対して容易に適用できるようになる。   FIG. 8 is a bottom view of the rotatable disc. The disk 64 shown in FIG. 8 is provided with three pressing members 65a, 65b and 65c. These pressing members 65a, 65b, and 65c are provided near the tips of the three grooves 71a, 71b, and 71c extending in the radial direction on the lower surface of the disk 64. Engaging portions (not shown) that engage with the grooves 71a, 71b, and 71c, respectively, are provided at the base ends of the extending portions 68a, 68b, and 68c of the pressing members 65a, 65b, and 65c. Is engaged with each of the grooves 71a, 71b, 71c, so that the pressing members 65a, 65b, 65c can be attached to the grooves 71a, 71b, 71c, respectively. In addition, the engaging portions of the extended portions 68a, 68b, and 68c can slide in the grooves 71a, 71b, and 71c, whereby the pressing members 65a, 65b, and 65c are moved to the desired positions of the grooves 71a, 71b, and 71c. It will be possible to position in position. Accordingly, even when the surface protection film 110 of the wafer 120 ′ having different dimensions is peeled off, the positions of the pressing members 65a, 65b, 65c are adjusted, and the peeling unit 100 of the present invention is attached to the wafer 120 ′ having different dimensions. Can be easily applied.

また、図8から分かるように、溝71a、71b、71cは互いに約120°の角度をなすように形成されているので、図8においては、三つの押圧部材65a、65b、65cはディスク64の下面においてほぼ等間隔で設けられることになる。なお、三つの押圧部材65a、65b、65cのうち隣接する二つの押圧部材の間の距離のうちの少なくとも一つは、剥離テープ3の幅よりも大きいものとする。   Further, as can be seen from FIG. 8, the grooves 71a, 71b, 71c are formed so as to form an angle of about 120 ° with each other. Therefore, in FIG. 8, the three pressing members 65a, 65b, 65c They are provided at substantially equal intervals on the lower surface. In addition, at least one of the distances between two adjacent pressing members among the three pressing members 65a, 65b, and 65c is assumed to be larger than the width of the peeling tape 3.

また、押圧部材65の押圧ローラ66は、押圧ローラ66の回転軸部67がディスク64の半径方向を向くようにそれぞれ取り付けられている。さらに、押圧ローラ66の先端は筒型ガイド69の先端にほぼ等しいか、または筒型ガイド69の先端よりもわずかに下方に位置している。   The pressing roller 66 of the pressing member 65 is attached so that the rotation shaft portion 67 of the pressing roller 66 faces the radial direction of the disk 64. Further, the tip end of the pressing roller 66 is substantially equal to the tip end of the cylindrical guide 69 or slightly below the tip end of the cylindrical guide 69.

第四の実施形態においては、押圧部材65aの押圧ローラ66aの内部には電熱線(図示しない)が組み入れられている。使用時には、押圧ローラ66aの表面は、剥離テープ3が接着力を呈するのに必要な温度、例えば100℃前後にまで加熱される。   In the fourth embodiment, a heating wire (not shown) is incorporated in the pressing roller 66a of the pressing member 65a. At the time of use, the surface of the pressing roller 66a is heated to a temperature necessary for the peeling tape 3 to exhibit an adhesive force, for example, around 100 ° C.

図9は、加熱押圧部が下降した状態を示す本発明のテープ剥離装置の部分拡大図である。前述したように剥離テープ3と表面保護フィルム110とが軽く接触している状態で、加熱押圧部60を動作させる。図示しないアクチュエータを駆動することにより、加熱押圧部60のロッド62が下方に延びる。ロッド62は所定の長さだけ延び、それにより、押圧部材65の加熱用押圧ローラ66aが剥離テープ3を介して表面保護フィルム110を押圧するようになる。図9に示されるように、このとき、筒型ガイド69の先端が剥離テープ3に接触する状態となるので、押圧時に剥離テープ3に掛かる張力を比較的小さくすることができる。   FIG. 9 is a partially enlarged view of the tape peeling device of the present invention showing a state in which the heating pressing portion is lowered. As described above, the heating and pressing unit 60 is operated in a state where the release tape 3 and the surface protective film 110 are in light contact. By driving an actuator (not shown), the rod 62 of the heating pressing unit 60 extends downward. The rod 62 extends by a predetermined length, whereby the heating pressing roller 66a of the pressing member 65 presses the surface protection film 110 via the peeling tape 3. As shown in FIG. 9, since the tip of the cylindrical guide 69 is in contact with the peeling tape 3 at this time, the tension applied to the peeling tape 3 at the time of pressing can be made relatively small.

図10(a)は加熱押圧部を駆動させたときに押圧部材により形成される押付箇所を示すウェーハの平面図である。図10(a)においてウェーハ120の縁部付近には、押圧部材65により形成された押圧箇所75a、75b、75cが示されている。これら三つの押圧箇所75a、75b、75cのうちの加熱用押圧ローラ66aにより形成された押圧箇所75aは、前述した実施形態と同様にウェーハ120の縁部に形成されている。残りの押圧箇所75b、75cは剥離テープ3が存在していないウェーハ120の表面保護フィルム110上に形成されている。ただし、押圧ローラ66b、66cは加熱機能を備えておらず、またこれら押圧ローラ66b、66cは表面保護フィルム110を直接的に押圧しないようにウェーハ120の外側に位置するように設定するのが好ましい。   FIG. 10A is a plan view of the wafer showing the pressing location formed by the pressing member when the heating pressing portion is driven. In FIG. 10A, pressing portions 75 a, 75 b, and 75 c formed by the pressing member 65 are shown near the edge of the wafer 120. Of these three pressing points 75a, 75b, 75c, the pressing point 75a formed by the heating pressing roller 66a is formed at the edge of the wafer 120 as in the above-described embodiment. The remaining pressing portions 75b and 75c are formed on the surface protection film 110 of the wafer 120 where the peeling tape 3 does not exist. However, the pressing rollers 66b and 66c do not have a heating function, and the pressing rollers 66b and 66c are preferably set so as to be positioned outside the wafer 120 so as not to directly press the surface protection film 110. .

押圧箇所75aは加熱用押圧ローラ66aの押圧作用により形成されるので、押圧箇所75aにおいては剥離テープ3と表面保護フィルム110との間の接着力が増大している。つまり、加熱押圧部60の駆動後においては、押圧箇所75aにおける剥離テープ3と表面保護フィルム110との間の接着力は、表面保護フィルム110とウェーハ120との間の接着力よりも大きくなる。ただし、剥離テープ3と表面保護フィルム110との間の接着力はウェーハ120と吸着テーブル31との間の吸着力よりは大きくない。このように押圧箇所75aにおける剥離テープ3と表面保護フィルム110との間の接着力を増大させた状態で剥離部44を駆動させる。これにより、前述したのと同様な効果が得られるのは明らかであろう。   Since the pressing part 75a is formed by the pressing action of the heating pressing roller 66a, the adhesive force between the peeling tape 3 and the surface protective film 110 is increased at the pressing part 75a. That is, after the heating and pressing unit 60 is driven, the adhesive force between the peeling tape 3 and the surface protective film 110 at the pressed portion 75 a is larger than the adhesive force between the surface protective film 110 and the wafer 120. However, the adhesive force between the peeling tape 3 and the surface protective film 110 is not greater than the attractive force between the wafer 120 and the suction table 31. Thus, the peeling part 44 is driven in the state which increased the adhesive force between the peeling tape 3 and the surface protection film 110 in the press location 75a. It will be apparent that this provides the same effect as described above.

さらに、剥離テープ3を介した状態で押圧部材65aを表面保護フィルム110に押しつけた後において、ロッド62をディスク64と共に所定の距離だけ回動させることも可能である。図10(b)は、ディスクを回動させたときに押圧部材により形成される押付箇所の軌跡を示すウェーハおよび剥離テープの頂面図である。前述したように押圧ローラ66a、66b、66cの各回転軸部67a、67b、67cはディスク64の半径上に位置しているので、ロッド62をディスク64と共に回動させることによって押圧ローラ66a、66b、66cにより形成される押付箇所75a'、75b'、75c'は円弧状の軌跡を描く。ディスク64の直径が剥離テープ3の幅よりも十分に大きいので、押圧ローラ66aの回転軸部67aを剥離テープ3の中心線上に位置させた場合に剥離テープ3上に形成される円弧状の押付箇所75a'は剥離テープ3の略横断方向を向くようになる。前述した剥離部44は剥離テープ3の長手方向に移動するので、押付箇所75a'を剥離テープ3の略横断方向に形成した場合には、押付箇所75a'の一方の長辺の全体がほぼ同時に表面保護フィルム110の剥離を開始するようになり、表面保護フィルム110をウェーハ120から均等に剥離できるようになる。   Further, after pressing the pressing member 65a against the surface protection film 110 with the release tape 3 interposed therebetween, the rod 62 can be rotated together with the disk 64 by a predetermined distance. FIG. 10B is a top view of the wafer and the peeling tape showing the locus of the pressing portion formed by the pressing member when the disk is rotated. As described above, the rotary shafts 67a, 67b, and 67c of the pressure rollers 66a, 66b, and 66c are located on the radius of the disk 64. Therefore, by rotating the rod 62 together with the disk 64, the pressure rollers 66a and 66b are rotated. , 66c, the pressing locations 75a ′, 75b ′, 75c ′ draw an arcuate locus. Since the diameter of the disk 64 is sufficiently larger than the width of the peeling tape 3, an arc-shaped pressing formed on the peeling tape 3 when the rotation shaft portion 67 a of the pressing roller 66 a is positioned on the center line of the peeling tape 3. The portion 75a ′ is directed in the substantially transverse direction of the peeling tape 3. Since the peeling portion 44 described above moves in the longitudinal direction of the peeling tape 3, when the pressing portion 75 a ′ is formed in a substantially transverse direction of the peeling tape 3, the entire one long side of the pressing portion 75 a ′ is almost simultaneously. The surface protective film 110 starts to be peeled off, and the surface protective film 110 can be evenly peeled from the wafer 120.

なお、押付箇所75a'の円弧の弦に相当する距離は剥離テープ3の幅よりも小さく、かつ、押付箇所75a'全体が剥離テープ3の領域内に在るようにするのが好ましい。これにより、ディスク64を回動して剥離テープ3の領域に押付箇所75a'を形成するのに要するエネルギのロスを少なくすることができる。   It is preferable that the distance corresponding to the arc string of the pressing portion 75a ′ is smaller than the width of the peeling tape 3 and that the entire pressing portion 75a ′ is in the region of the peeling tape 3. Thereby, the loss of energy required to rotate the disk 64 to form the pressing portion 75a ′ in the region of the peeling tape 3 can be reduced.

また、図8に示されるディスク64を一方向、次いで反対方向に数回にわたって回動させることにより、押圧ローラ66aを押付箇所75a'の軌跡上で往復運動させるのが好ましい。このような場合には、押付箇所75a'における剥離テープ3と表面保護フィルム110との間の接着力を往復運動させない場合よりも大幅に増大させられる。それゆえ、このような場合には、剥離テープ3による表面保護フィルム110の剥離作用を確実に行うことが可能となる。   Further, it is preferable to reciprocate the pressing roller 66a on the locus of the pressing portion 75a ′ by rotating the disk 64 shown in FIG. 8 several times in one direction and then in the opposite direction. In such a case, the adhesive force between the peeling tape 3 and the surface protective film 110 at the pressing location 75a ′ can be significantly increased as compared with the case where the reciprocating motion is not performed. Therefore, in such a case, it is possible to reliably perform the peeling action of the surface protective film 110 by the peeling tape 3.

再び図1を参照して、剥離ユニット100における表面保護フィルム110の剥離が完了すると、吸着テーブル31はウェーハ120を吸着したまま、位置決めユニット200まで戻り、次いで図示しないローダを介してウェーハ120は反転ユニット300まで戻る。このとき、ウェーハ120の表面は既に上方を向いた状態にあるので、ウェーハ120は反転することなしに反転ユニット300を通過し、回収部500に供給される。回収部500においては、ウェーハ120が所定のカセットに順次に回収される。次いで、ウェーハ120は後工程で使用される装置、例えばダイシング装置2に供給される。   Referring to FIG. 1 again, when the peeling of the surface protection film 110 in the peeling unit 100 is completed, the suction table 31 returns to the positioning unit 200 while sucking the wafer 120, and then the wafer 120 is reversed through a loader (not shown). Return to unit 300. At this time, since the surface of the wafer 120 is already facing upward, the wafer 120 passes through the reversing unit 300 without being reversed and is supplied to the recovery unit 500. In the collection unit 500, the wafers 120 are sequentially collected in a predetermined cassette. Next, the wafer 120 is supplied to an apparatus used in a subsequent process, for example, the dicing apparatus 2.

また、前述したように単一の押圧部材65aのみを備える場合には本発明の剥離ユニット100が必ずしもディスク64を備える必要はなく、例えばロッド62の先端に押圧部材65aを取付け、押圧部材65aの押圧ローラ66aが剥離テープ3を表面保護フィルム110に押付けた状態で往復動してもよい(図11を参照されたい)。   Further, as described above, when only the single pressing member 65a is provided, the peeling unit 100 of the present invention does not necessarily include the disk 64. For example, the pressing member 65a is attached to the tip of the rod 62, and the pressing member 65a The pressing roller 66a may reciprocate with the release tape 3 pressed against the surface protective film 110 (see FIG. 11).

さらに、前述した実施形態においては剥離テープ3が感熱型剥離テープであるとして説明した。ただし、剥離テープ3が感圧型剥離テープである場合であっても、加熱押付部83、加熱面95および押圧ローラ66aが加熱作用を伴わないようにすれば本発明の剥離ユニット100を適用することができる。すなわち、本発明の剥離ユニット100は、加熱押付部83などに関連付けられた電熱線(図示しない)への通電を遮断すれば、感圧型剥離テープにそのまま適用できる。   Furthermore, in embodiment mentioned above, it demonstrated that the peeling tape 3 was a heat-sensitive peeling tape. However, even if the peeling tape 3 is a pressure-sensitive peeling tape, the peeling unit 100 of the present invention is applied if the heating pressing portion 83, the heating surface 95, and the pressing roller 66a are not accompanied by a heating action. Can do. That is, the peeling unit 100 of the present invention can be applied as it is to a pressure-sensitive peeling tape as long as energization to a heating wire (not shown) associated with the heating pressing portion 83 or the like is interrupted.

ところで、図示しない実施形態においては、剥離テープ3が接着剤層を含んでいなくてプラスチック材料のみから形成されていてもよい。つまり、剥離テープ3が単なるプラスチックフィルムであってもよい。この場合に使用されるプラスチックフィルムは比較的低い軟化点または融点、例えば約100℃前後の値よりも小さいのが好ましい。例えば、プラスチックフィルムは、低密度ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリスチレン等を採用できる。なお、軟化点または融点は必ずしも約100℃前後である必要はなく、フィルムを溶融するのに十分な熱量を与えることができるのであれば、軟化点または融点が100℃以上のプラスチックフィルムを使用してもよい。   By the way, in embodiment which is not shown in figure, the peeling tape 3 does not include the adhesive bond layer and may be formed only from the plastic material. That is, the release tape 3 may be a simple plastic film. The plastic film used in this case is preferably smaller than a relatively low softening point or melting point, for example a value of around 100 ° C. For example, a low-density polyethylene film, a polypropylene film, a polyvinyl chloride film, polystyrene, or the like can be used as the plastic film. The softening point or melting point is not necessarily about 100 ° C., and a plastic film having a softening point or melting point of 100 ° C. or higher can be used as long as a sufficient amount of heat can be applied to melt the film. May be.

このような場合には、前述した加熱部80、加熱面95、押圧ローラ66aによって、剥離テープ3の代わりにプラスチックフィルムを表面保護フィルム110に加熱すればプラスチックフィルムが部分的に溶融する。従って、プラスチックフィルムの溶融した一部分とウェーハ120の表面保護フィルム110との間の接着力が高まるようになる。これにより、プラスチックフィルムを用いて、表面保護フィルム110を同様に回収することができる。このような場合にも、前述したのと同様な効果が得られるのは明らかであろう。さらに、このようなプラスチックフィルムは接着剤層を備えていないので、接着剤層を含む感圧型または感熱型の剥離テープよりも安価で足りる。それゆえ、プラスチックフィルムを剥離テープ3の代わりに使用すれば、フィルム剥離装置のランニングコストを抑えることも可能となる。   In such a case, if the plastic film is heated to the surface protective film 110 instead of the peeling tape 3 by the heating unit 80, the heating surface 95, and the pressing roller 66a, the plastic film is partially melted. Therefore, the adhesive force between the melted portion of the plastic film and the surface protection film 110 of the wafer 120 is increased. Thereby, the surface protection film 110 can be similarly collected using a plastic film. In such a case, it is obvious that the same effect as described above can be obtained. Furthermore, since such a plastic film is not provided with an adhesive layer, it is cheaper than a pressure-sensitive or heat-sensitive release tape including an adhesive layer. Therefore, if a plastic film is used in place of the peeling tape 3, the running cost of the film peeling apparatus can be suppressed.

当然のことながら、前述した実施形態を適宜組み合わせることは本発明の範囲に含まれるものとする。   Naturally, it is within the scope of the present invention to appropriately combine the above-described embodiments.

2 ダイシング装置
3 剥離テープ
5 ウェーハ処理装置
20 ウェーハ
31 吸着テーブル
42 供給部
43 巻取部
44、44’ 剥離部
45 ローラ
46 ピーリングローラ
47 ガイドローラ
60 加熱押圧部
62 ロッド
64 ディスク
65a、65b、65c 押圧部材
66a 加熱用押圧ローラ
66b、66c 押圧ローラ
75a 押付箇所
80 加熱部
81 シリンダ
82 プランジャ
83 加熱押付部
85、85a 加熱箇所
91 ピーリングバー
93 下側当接面
95 加熱面
100 剥離ユニット(テープ剥離装置)
110 表面保護フィルム
120 ウェーハ
121 表面
125 縁部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 Dicing apparatus 3 Release tape 5 Wafer processing apparatus 20 Wafer 31 Adsorption table 42 Supply part 43 Winding part 44, 44 'Release part 45 Roller 46 Peeling roller 47 Guide roller 60 Heating press part 62 Rod 64 Disk 65a, 65b, 65c Press Member 66a Heating pressure roller 66b, 66c Pressure roller 75a Pressing location 80 Heating portion 81 Cylinder 82 Plunger 83 Heating pressing portion 85, 85a Heating location 91 Peeling bar 93 Lower contact surface 95 Heating surface 100 Peeling unit (tape peeling device)
110 surface protective film 120 wafer 121 surface 125 edge

Claims (3)

ウェーハのフィルム貼付面に貼付けられているフィルムを剥離するフィルム剥離装置において、
前記ウェーハの前記フィルム貼付面が上面になるように前記ウェーハを吸着するウェーハ吸着手段と、
前記フィルム貼付面の前記フィルム上に、前記ウェーハの直径よりも小さい幅を有する剥離テープを繰出す剥離テープ繰出手段と、
前記ウェーハの縁部における前記剥離テープの一部分のみを前記ウェーハの前記フィルムに押付けて加熱する加熱手段とを具備し、
前記加熱手段が回動可能ディスクを具備し、
前記回動可能ディスクの下面には三つの押圧ローラが等間隔で取付けられており、前記三つの押圧ローラのそれぞれの回転軸線は回動可能ディスクの半径上に位置しており、
三つの押圧ローラのうち隣接する二つの押圧ローラの間の距離の少なくとも一つは、剥離テープの幅よりも大きくなっており、
前記三つの押圧ローラのうちの一つの押圧ローラは、前記剥離テープを加熱することができ、
前記一つの押圧ローラは前記剥離テープを押圧し、残りの二つの押圧ローラは前記剥離テープのそれぞれ両側において前記剥離テープが存在していない前記フィルムを押圧し、
前記回動可能ディスクの回動時に前記一つの押圧ローラは前記ウェーハの縁部における前記剥離テープの前記一部分上を移動することにより前記剥離テープの前記一部分が加熱され、それにより、前記剥離テープの前記一部分において該剥離テープと前記フィルムとの間の接着力を高めるようにし、
さらに、
接着力の高められた前記剥離テープの前記一部分を剥離開始箇所として、前記剥離テープによって前記ウェーハの前記フィルム貼付面から前記フィルムを剥離する剥離手段を具備するフィルム剥離装置。
In the film peeling apparatus for peeling the film stuck on the film sticking surface of the wafer,
Wafer adsorbing means for adsorbing the wafer such that the film sticking surface of the wafer is an upper surface;
A peeling tape feeding means for feeding a peeling tape having a width smaller than the diameter of the wafer onto the film on the film sticking surface;
Heating means for pressing and heating only a part of the release tape at the edge of the wafer against the film of the wafer;
The heating means comprises a rotatable disc;
Three pressing rollers are attached to the lower surface of the rotatable disc at equal intervals, and the respective rotation axes of the three pressing rollers are located on the radius of the rotatable disc,
At least one of the distances between two adjacent pressing rollers among the three pressing rollers is larger than the width of the peeling tape,
One of the three pressing rollers can heat the peeling tape,
The one pressing roller presses the peeling tape, and the remaining two pressing rollers press the film where the peeling tape does not exist on both sides of the peeling tape,
During the rotation of the rotatable disk, the one pressing roller moves over the portion of the release tape at the edge of the wafer to heat the portion of the release tape, thereby Increasing the adhesion between the release tape and the film in the portion;
further,
A film peeling apparatus comprising peeling means for peeling the film from the film sticking surface of the wafer by the peeling tape, with the part of the peeling tape having increased adhesive strength as a peeling start location.
前記剥離手段が前記剥離テープを介して前記ウェーハに当接するエッジ部材を含む請求項1に記載のフィルム剥離装置。   The film peeling apparatus according to claim 1, wherein the peeling means includes an edge member that contacts the wafer via the peeling tape. 前記剥離手段が前記剥離テープを介して前記ウェーハに当接するエッジ部材を含み、前記加熱手段が前記剥離部材の前記エッジ部材に組み入れられている請求項1に記載のフィルム剥離装置。   The film peeling apparatus according to claim 1, wherein the peeling means includes an edge member that abuts on the wafer via the peeling tape, and the heating means is incorporated in the edge member of the peeling member.
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