JP4983776B2 - サファイア単結晶育成装置 - Google Patents
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Description
(1)高温、低酸素分圧下において、酸化アルミニウム原料融液が分解する。
(2)炉内で飛散したカーボンが原料融液と接触し、分解した酸化アルミニウムと反応することで一酸化炭素ガスを生成する。
(3)一酸化炭素ガスは融液の対流によって結晶成長界面付近に運ばれ、結晶化の際に結晶中に取り込まれる。
サファイア原料が充填される坩堝と、坩堝の外周面を加熱する円筒状本体部を有するカーボン製ヒータと、カーボン製の断熱材料により構成されかつ坩堝とカーボン製ヒータが収容されて上記坩堝が保温される断熱空間部と、断熱空間部底面に設けられた開口部に嵌入された絶縁筒と、絶縁筒内に挿入されかつ先端側が上記カーボン製ヒータに接続されたカーボン製の円柱状ヒータ電極とを備え、上記サファイア原料の融液から回転引き上げ法によりサファイア単結晶を製造するサファイア単結晶育成装置において、
上記絶縁筒の内径をa、円柱状ヒータ電極の外径をbとした場合、(b/a)を0.50以上0.75未満に設定して絶縁筒と円柱状ヒータ電極の間で放電が発生しないようにしたことを特徴とし、
請求項2に係る発明は、
請求項1に記載の発明に係るサファイア単結晶育成装置において、
上記絶縁筒が酸化アルミニウム製の絶縁筒で構成されていることを特徴とするものである。
カーボン製の円柱状ヒータ電極が挿入される絶縁筒の内径をa、上記円柱状ヒータ電極の外径をbとした場合、(b/a)を0.50以上0.75未満に設定して絶縁筒と円柱状ヒータ電極の間で放電が発生しないようにしているため、結晶育成中におけるカーボンの飛散に起因した原料融液中への一酸化炭素の取り込みが防止され、これにより気泡を含まない高品質なサファイア単結晶を得ることが可能となる。
[実施例1]
円筒状本体部30を有するカーボン製ヒータ3と別体の円盤状ボトムヒータ4とを備えた図1のサファイア単結晶育成装置において、上記カーボン製ヒータ3に接続される円柱状ヒータ電極5の直径bを40mm、円柱状ヒータ電極5が挿入される絶縁筒8の内径aを65mm(b/a=0.62)として断熱材を組み立てて断熱空間部6を構成した。
[実施例2]
上記円柱状ヒータ電極5の直径bを47.5mm、上記絶縁筒8の内径aを65mm(b/a=0.73)として断熱材を組み立てて断熱空間部6を構成し、それ以外は実施例1と同様に行なった。
[比較例1]
上記円柱状ヒータ電極5の直径bを48.8mm、上記絶縁筒8の内径aを65mm(b/a=0.75)として断熱材を組み立てて断熱空間部6を構成し、それ以外は実施例1と同様に行なった。
[比較例2]
上記円柱状ヒータ電極5の直径bを50mm、上記絶縁筒8の内径aを65mm(b/a=0.77)として断熱材を組み立てて断熱空間部6を構成し、それ以外は実施例1と同様に行なった。
2 支持軸
3 カーボン製ヒータ
4 円盤状ボトムヒータ
5 円柱状ヒータ電極
6 断熱空間部
7 炉体
8 絶縁筒
9 引き上げ軸
10 原料融液
11 種結晶
12 サファイア単結晶
30 円筒状本体部
40 円柱状ボトムヒータ電極
60 断熱空間部6の底面
61 断熱空間部6の上面
80 絶縁筒
a 円柱状ヒータ電極の直径(外径)
b 絶縁筒の内径
Claims (2)
- サファイア原料が充填される坩堝と、坩堝の外周面を加熱する円筒状本体部を有するカーボン製ヒータと、カーボン製の断熱材料により構成されかつ坩堝とカーボン製ヒータが収容されて上記坩堝が保温される断熱空間部と、断熱空間部底面に設けられた開口部に嵌入された絶縁筒と、絶縁筒内に挿入されかつ先端側が上記カーボン製ヒータに接続されたカーボン製の円柱状ヒータ電極とを備え、上記サファイア原料の融液から回転引き上げ法によりサファイア単結晶を製造するサファイア単結晶育成装置において、
上記絶縁筒の内径をa、円柱状ヒータ電極の外径をbとした場合、(b/a)を0.50以上0.75未満に設定して絶縁筒と円柱状ヒータ電極の間で放電が発生しないようにしたことを特徴とするサファイア単結晶育成装置。 - 上記絶縁筒が酸化アルミニウム製の絶縁筒で構成されていることを特徴とする請求項1に記載のサファイア単結晶育成装置。
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JP2008298519A JP4983776B2 (ja) | 2008-11-21 | 2008-11-21 | サファイア単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008298519A JP4983776B2 (ja) | 2008-11-21 | 2008-11-21 | サファイア単結晶育成装置 |
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JP2010120831A JP2010120831A (ja) | 2010-06-03 |
JP4983776B2 true JP4983776B2 (ja) | 2012-07-25 |
Family
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Family Applications (1)
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JP2008298519A Active JP4983776B2 (ja) | 2008-11-21 | 2008-11-21 | サファイア単結晶育成装置 |
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