JP4978291B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(A)発光領域を有する発光素子および光検出素子の少なくとも一方に、凹凸部を有する半導体部と、凹凸部の凹部に充填された樹脂部とを含む圧力緩和層を形成する工程
(B)発光素子および光検出素子の少なくとも一方の表面に、開口部を有する金属層を形成する工程
(C)凹凸部の凸部の突出方向を他方の素子に向け、かつ凹凸部の凹部が少なくとも前記開口部との対向領域に位置する状態で圧力を加えて発光素子および光検出素子を互いに貼り合わせる工程
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光装置の断面構成を表すものである。図2は、図1のA−A矢視方向の断面構成を表すものである。なお、図1は、例えば、図2または図3のB−B矢視方向の断面構成と対応している。また、図1〜図3は、模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。この半導体発光装置は、光検出素子1上に、制御層2と、面発光型半導体レーザ素子3とをこの順に配置すると共に、これら光検出素子1、制御層2および面発光型半導体レーザ素子3を一体に形成して構成したものである。
面発光型半導体レーザ素子3は、制御層2上に、例えば、p型コンタクト層31、p型DBR層32、電流狭窄層33、p型クラッド層34、活性層35、n型クラッド層36、n型DBR層37、n型コンタクト層38を制御層2側からこの順に積層した積層構造を備えている。この積層構造は、例えばp型DBR層32の中途に段差を有するメサ形状となっている。
制御層2は、同一面内に光透過部21および金属部22を有している。光透過部21は少なくとも面発光型半導体レーザ素子3の発光領域35Aとの対向領域の一部に設けられており、金属部22は光透過部21の周囲に設けられている。つまり、金属部22は、面発光型半導体レーザ素子3の発光光との関係では、少なくとも発光領域35Aとの対向領域の一部に開口部を有していると言える。なお、図1には、光透過部21が発光領域35Aとの対向領域の全体に設けられているケースが例示されている。
光検出素子1は、基板10上に、光吸収層11と、同一面内に形成されたp型半導体部12および樹脂部13とを基板10側からこの順に有しており、基板10の裏面にn側電極14を有している。
上記実施の形態では、光検出素子1側にp型半導体部12および樹脂部13を設けていたが、図13に示したように、面発光型半導体レーザ素子3側に設けてもよい。このように、樹脂部13を面発光型半導体レーザ素子3側に設けた場合であっても上記実施の形態と同様の効果を有している。なお、この場合には、制御層2と光吸収層11との間にp型コンタクト層15を設けることが好ましい。
図14は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体発光装置の構造を表すものである。なお、図14は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。また、以下の説明において、上記実施の形態と同一の符号が用いられている場合は、その同一符号の要素と同様の構成・機能を有することを意味している。
面発光型半導体レーザ素子4は、基板41の表面上に、n型DBR層37、n型クラッド層36、活性層35、p型クラッド層34、電流狭窄層33、p型DBR層32、p型コンタクト層31をこの順に積層した積層構造を備えている。また、基板41の裏面側には、n側電極42が形成されている。ここで、基板41は、例えばn型GaAsにより構成されている。また、n側電極42は、例えばAuGe合金,NiおよびAuを基板40側からこの順に積層した構造を有しており、基板41と電気的に接続されている。
光検出素子5は、制御層2上に、同一面内に形成されたp型半導体部12および樹脂部13と、光吸収層11と、n型コンタクト層16と、n側電極17とを制御層2側からこの順に有している。ここで、n型コンタクト層16は、例えばn型Alx12Ga1-x12As(0≦x12≦1)により構成されている。このn型コンタクト層16は、例えば、発光領域35Aに対応して開口を有しており、ドーナツ形状となっている。また、n側電極17は、例えばAuGe合金,NiおよびAuを制御層2側からこの順に積層した構造を有しており、基板41と電気的に接続されている。このn側電極17は、例えば、発光領域35Aに対応して開口部17Aを有しており、ドーナツ形状となっている。
上記実施の形態では、光検出素子5側にp型半導体部12および樹脂部13を設けていたが、図15に示したように、面発光型半導体レーザ素子4側に設けてもよい。このように、樹脂部13を面発光型半導体レーザ素子4側に設けた場合であっても上記実施の形態と同様の効果を有している。なお、この場合には、制御層2と光吸収層11との間にp型コンタクト層18を設けることが好ましい。
Claims (6)
- 金属層を介して互いに貼り合わされた発光素子および光検出素子を備え、
前記発光素子は、発光領域を有し、
前記発光素子および前記光検出素子の少なくとも一方が前記発光素子および前記光検出素子との対向面側に圧力緩和層を有し、
前記圧力緩和層は、前記対向面側に突出した凸部を含む凹凸部を有する半導体部と、前記凹凸部の凹部に充填された樹脂部とを有し、
前記金属層は少なくとも前記発光領域との対向領域に開口部を有し、
前記凹凸部の凹部は少なくとも前記開口部との対向領域に設けられている
半導体装置。 - 前記発光素子は、電流注入領域および電流狭窄領域からなる電流狭窄層を有し、
前記発光領域は、前記電流注入領域と対向する領域に位置する
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記凹凸部の凸部は、導電性を有すると共に前記金属層と電気的に接続されている
請求項1または請求項2に記載の半導体装置。 - 前記光検出素子は少なくとも前記開口部との対向領域に光吸収層を有する
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記凹凸部の凸部の高さは1μm以上である
請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 発光領域を有する発光素子および光検出素子の少なくとも一方に、凹凸部を有する半導体部と、前記凹凸部の凹部に充填された樹脂部とを含む圧力緩和層を形成し、
前記発光素子および前記光検出素子の少なくとも一方の表面に、開口部を有する金属層を形成し、
前記凹凸部の凸部の突出方向を他方の素子に向け、かつ前記凹凸部の凹部が少なくとも前記開口部との対向領域に位置する状態で圧力を加えて前記発光素子および前記光検出素子を互いに貼り合わせる
半導体装置の製造方法。
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