KR100234340B1 - 광출력장치 - Google Patents

광출력장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100234340B1
KR100234340B1 KR1019960049775A KR19960049775A KR100234340B1 KR 100234340 B1 KR100234340 B1 KR 100234340B1 KR 1019960049775 A KR1019960049775 A KR 1019960049775A KR 19960049775 A KR19960049775 A KR 19960049775A KR 100234340 B1 KR100234340 B1 KR 100234340B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
layer
semiconductor material
laser
optical output
Prior art date
Application number
KR1019960049775A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980030384A (ko
Inventor
이금희
신현국
이용희
Original Assignee
윤종용
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019960049775A priority Critical patent/KR100234340B1/ko
Priority to CN97117753A priority patent/CN1078016C/zh
Priority to US08/919,199 priority patent/US5887013A/en
Priority to EP97306740A priority patent/EP0840380B1/en
Priority to DE69704190T priority patent/DE69704190T2/de
Priority to JP9241194A priority patent/JP2877785B2/ja
Publication of KR19980030384A publication Critical patent/KR19980030384A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100234340B1 publication Critical patent/KR100234340B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
    • H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

모니터 효율 및 광출력특성이 개선된 표면광 레이저를 채용한 광출력장치가 개시되어 있다.
이 광출력장치는 기판과 이 기판의 상부에 형성되어 광을 생성하는 활성층과 이 활성층의 하,상면에 각각 형성되어 생성된 광을 반사시킴으로써 공진시키는 제1 및 제2반사기층과 기판의 하면과 제2반사기층의 상면 일부에 각각 형성된 제1 및 제2전극을 포함하며 적층 방향으로 광을 출사하는 표면광 레이저와, 표면광 레이저에서 출사되는 광의 일부를 검출하여 그 출사광량을 모니터링할 수 있도록 제2반사기층 상에 적층 형성된 모니터용 광검출기를 구비하며, 모니터용 광검출기는 제2반사기층 상에 순차로 적층 형성된 제1반도체물질층 흡수층 및 제2반도체물질층과, 제2반도체물질층 상에 형성되어 모니터용 광검출기의 검출신호를 출력하도록 된 제3전극과, 흡수층의 하부에 형성되어 표면광 레이저로부터 모니터용 광검출기쪽으로 입사되는 광의 일부를 차단시키는 제어층을 포함하여 된 것을 특징으로 한다.

Description

광출력장치{Surface emitting laser with integrated photodetector for power stabilization}
본 발명은 광출력장치에 관한 것으로서, 상세하게는 모니터 효율 및 광출력 특성이 개선된 표면광 레이저를 채용한 광출력장치에 관한 것이다.
일반적으로 모서리 발광 레이저와 표면광 레이저(SEL:Surface Emitting Laser)를 포함하는 반도체 레이저는 소형 광출력장치로 각광받고 있다. 이 반도체 레이저의 출사광량은 일정하게 유지되어야 하며, 이를 위하여 모니터용 광검출기를 채용한다.
상기 표면광 레이저는 모서리 발광 레이저와는 달리 반도체 물질층의 적층방향에 대해 수직방향으로 광을 출사하므로, 단일 기판 상에 복수개의 표면광 레이저를 집적할 수 있다. 또한, 상기 표면광 레이저는 빔의 모양이 원형에 가깝고, 밝기분포가 가우시안이므로 출사광의 형상 보정을 위한 광학계가 불필요하다. 따라서 전자계산기, 음향 영상기기, 레이저 프린터, 레이저 스캐너, 의료장비 및 통신분야등 광응용 분야에서 광출력장치로 널리 이용될 수 있다.
그러나, 이 표면광 레이저는 광 출사면 중 일면이 기판 상에 결합되어 있으므로, 모니터용 광검출기를 설치하기가 용이하지 않다.
이러한 점을 고려하여 광검출기와 표면광 레이저를 일체로 형성하고자 하는 연구가 진행되고 있다.
도 1은 종래의 광검출기가 일체로 형성된 표면광 레이저를 채용한 광출력장치의 일예에 따른 개략적인 단면도이다.
도시된 바와 같이, 광출력장치는 적층 방향으로 광을 생성 출사하는 표면광 레이저(20)와, 상기 표면광 레이저(20) 상에 적층된 모니터용 광검출기(50)로 구성된다.
상기 표면광 레이저(20)는 기판(1)과, 이 기판(1) 상에 광을 발생시키는 활성층(23)과, 상기 활성층(23)의 상하부 각각에 반도체 화합물을 교대로 적층하여 만들어져 상기 활성층(23)에서 발생한 광을 공진시키는 제1 및 제2반사기층(22)(27)과, 상기 활성층(23)의 중앙부(23a)를 제외한 영역에 주입 형성된 고저항부(25)와, 광이 출사되도록 상기 모니터용 광검출기(50)의 상부에 형성된 윈도우(29)와, 상기 기판(1)의 하부와 상기 제2반사기층(27) 상면의 일부에 각각 형성된 제1 및 제2전극(10)(30)으로 구성된다.
제1 및 제2전극(10)(30)에 순방향 바이어스를 걸어주면 전류는 상기 고저항부(25)에 의해 상기 활성층(23)의 중앙부(23a)쪽으로 가이드 되어 흐르고, 상기 활성층(23)에서 전자와 정공의 결합에 의하여 광이 발생하게 된다. 상기 발생된 광중에서 제1반사기층(21)과 제2반사기층(27)의 공진 조건에 맞는 파장의 광만이 살아남는다. 상기 살아남은 광은 상기 활성층(23)에서 파장과 위상이 같은 광을 유도 방출함으로써 증폭된다. 이와 같이 발생된 유도방출광 즉 레이저광은 상기 제1 및 제2반사기층(21)(27)을 투과하여 상기 표면광 레이저(20)의 상하면으로 출사된다.
상기 표면광 레이저(20)는 상기한 유도방출광 뿐만 아니라 자발적으로 발생된 자발방출광도 사방으로 출사하는데, 이 자발방출광은 여러 파장의 광이 섞여 있므며 위상도 각각 달라서 상기 유도방출광과는 성격이 다른 광이다.
상기 모니터용 광검출기(50)는 서로 다른 형을 갖는 한 쌍의 불순물반도체 물질층(51)(58)과, 이 불순물반도체 물질층(51)(58) 사이에 위치된 진성반도체 물질층(57)과, 상기 모니터용 광검출기(50)에서 검출된 신호를 출력하기 위한 제3전극(70)을 포함하며, 상기 표면광 레이저(20)의 상면으로 출사된 광중 일부를 흡수하여 흡수된 광량에 비례하는 전기신호를 출력한다.
이와 같이 구성된 광출력장치의 상기 표면광 레이저(20)의 상면으로 출사되는 광중 일부는 모니터용 광검출기(50)에서 흡수되고 나머지 광은 투과되어 윈도우(29)를 통하여 출사된다. 여기서 상기 모니터용 광검출기(50)의 수광량으로부터 상기 표면광 레이저(20)의 출사광량을 알 수 있으므로, 광출력장치의 광출력을 일정하게 유지하도록 제어할 수 있다.
그러나, 상기 모니터용 광검출기(20)에서 검출되는 광은 유도방출광 뿐만아니라 자발방출광을 포함하고, 이 자발방출광의 검출신호가 모니터용 광검출기(20)의 검출신호에 영향을 미치므로 상기 모니터용 광검출기(20)의 검출신호로 상기 표면광 레이저(50)에서 출사되는 광량의 정밀 제어가 곤란하다.
본 발명은 상기한 바와 같은 단점을 극복하기 위하여 안출된 것으로, 모니터용 광검출기를 향하는 자발방출광의 대부분을 차단함으로써, 표면광 레이저에서 출사되는 광출력을 정밀 제어할 수 있도록 된 광출력장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 광출력장치의 일예를 보인 개략적인 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광출력장치를 보인 개략적인 단면도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
100...기판 120...표면광 레이저
122...제1반사기층 123...활성층
127...제2반사기층 150...모니터용 광검출기
152...제어층 153...차단영역
155...투과영역 157...흡수층
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판과, 상기 기판의 상부에 형성되어 광을 생성하는 활성층과, 상기 활성층의 하,상면에 각각 형성되어 상기 생성된 광을 반사시킴으로써 공진시키는 제1 및 제2반사기층과, 상기 기판의 하면과 상기 제2반사기층의 상면 일부에 각각 형성된 제1 및 제2전극을 포함하며, 적층 방향으로 광을 출사하는 표면광 레이저와; 상기 표면광 레이저에서 출사되는 광의 일부를 검출하여 그 출사광량을 모니터링할 수 있도록 상기 제2반사기층 상에 적층 형성된 모니터용 광검출기;를 구비하여 된 광출력장치에 있어서, 상기 모니터용 광검출기는 상기 제2반사기층 상에 순차로 적층 형성된 제1반도체물질층, 흡수층 및 제2반도체물질층과; 상기 제2반도체물질층 상에 형성되어 상기 모니터용 광검출기의 검출신호를 출력하도록 된 제3전극과; 상기 흡수층의 하부에 형성되어 상기 표면광 레이저로부터 상기 모니터용 광검출기쪽으로 입사되는 광의 일부를 차단시키는 제어층;을 포함하여 된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광출력장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도시된 바와 같이, 광출력장치는 적층방향으로 광을 생성 출사하는 표면광 레이저(120)와 상기 표면광 레이저(120)에서 출사되는 광의 일부를 수광하여 그 출사광량을 검출할 수 있도록 상기 표면광 레이저(120) 상에 적층 형성된 모니터용 광검출기(150)를 포함하여 구성된다.
상기 표면광 레이저(120)는 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 순차로 적층된 제1반사기층(122), 활성층(123) 및 제2반사기층(127)과, 이 표면광 레이저(120)에 순방향 바이어스를 인가하도록 상기 기판(100)의 하면과 상기 제2반사기층(127)의 상면 일부에 각각 형성된 제1 및 제2전극(110)(130)를 포함한다.
상기 기판(100)은 갈륨-비소등의 반도체 물질에 n형 또는 p형 불순물을 도핑하여 사용하거나 불순물을 함유하지 않는 진성반도체 물질을 사용한다.
상기 제1 및 제2반사기층(122)(127)은 서로 다른 형의 불순물 반도체물질층으로, 예를 들면 두 반사기층(122)(127) 각각은 굴절율이 다른 두 반도체화합물와, 또는와를 교대로 적층하여 형성된다. 이 두 반사기층(122)(127)은 상기 제1 및 제2전극(110)(130)에서 인가되는 순방향 바이어스에 의해 상기 표면광 레이저(120)에 전자와 정공을 제공하며, 반사에 의해 상기 표면광 레이저(120)에서 발생된 광을 공진시킨다. 상기 두 반사기층(122)(127)은 입사광의 거의 대부분을 반사시키고, 소정 파장의 광을 출사시키도록 고반사율을 가진다. 여기서 두 반사기층(122)(127)의 반사율은 적층된 반도체 화합물의 페어수에 의해 결정된다. 상기 제1반사기층(122)은 상기 제2반사기층(127)보다 큰 반사율을 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.
상기 활성층(123)은 진성반도체물질을 단일 및 다중 양자-우물 구조 또는 슈퍼래티스(superlattice) 구조로 적층하여 형성된다. 상기 활성층(123)은 상기 제1 및 제2전극(110)(130)에 인가되는 순방향 바이어스에 의해 상기 두 반사기층(122)(127)에서 제공된 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 방출한다. 이때 상기 활성층(123)의 중앙부(123a)로 인가 전류의 흐름을 안내할 수 있도록, 상기 활성층(123)의 중앙부(123a)를 제외한 영역에 주입 형성된 고저항부(125)가 더 구비되는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같이 구성된 표면광 레이저(120)는 제1 및 제2전극(110)(130)을 통해 인가되는 순방향 바이어스에 의해 상하면으로 유도방출광을 출사한다. 이때 표면광 레이저(120)는 사방으로 출사되는 자발방출광도 함께 출사한다.
상기 모니터용 광검출기(150)는 상기 제2반사기층(127) 상에 순차로 적층 형성된 제1반도체물질층(151), 흡수층(157) 및 제2반도체물질층(158)과, 상기 모니터용 광검출기(150)의 검출신호를 출력하도록 된 제3전극(170)과, 상기 흡수층(157)의 하부에 형성되어 입사광의 투과영역을 제한하는 제어층(152)으로 이루어진다.
상기 제1 및 제2반도체물질층(151)(158)은 서로 다른 형의 불순물로 도핑된 층이고, 상기 흡수층(157)은 불순물을 포함하지 않는 진성반도체물질층이다. 또한 상기 제3전극(170)은 상기 제2반도체물질층(158) 상의 윈도우(129)를 제외한 영역에 형성된다. 상기 윈도우(129)는 상기 표면광 레이저(120)에서 출사된 광이 그 본래의 목적을 위해 출사되는 창이다.
상기 제어층(152)은 상기 표면광 레이저(120)에서 출사된 광을 투과시키도록 그 중앙부에 형성된 투과영역(155)과, 상기 투과 영역(155)을 제외한 영역에 형성되어 입사되는 광을 차단시키도록 된 차단영역(153)으로 이루어진다. 이 제어층(152)은 광이 투과되는 반도체물질층을 적층한 다음, 상기 차단영역(153)을 산화시켜 형성된다. 예를 들어, 상기 제어층(152)은 AlAs층을 적층한 다음, 그 차단영역(153)이 알루미늄산화물층 즉, AlAs 산화물(oxide)층이 되도록 한다. 이와 같이 이루어진 제어층(152)은 상기 투과영역(155)으로 입사되는 광은 투과시키고, 상기 차단영역(153)으로 입사되는 광은 차단시킨다.
따라서, 상기 표면광 레이저(120)에서 그 상면으로 출사되어 상기 투과영역(155)으로 입사되는 광은 그대로 투과되며, 투과된 광의 일부는 상기 모니터용 광검출기(150)의 흡수층(157)에서 흡수되고, 나머지는 투과되어 상기 윈도우(129)를 통하여 출사된다. 또한 상기 표면광 레이저(120)의 상면으로 출사되어 상기 차단영역(153)으로 입사되는 광은 상기 차단영역(153)에 의해 차단된다.
여기서, 상기 투과영역(155)은 상기 활성층(123)의 중앙부(123a) 상에 위치되므로, 상기 표면광 레이저(120)에서 상면으로 출사된 유도방출광은 대부분 상기 투과영역(155)으로 향하게 된다. 반면, 상기 차단영역(153)으로 입사되는 광은 상기 표면광 레이저(120)의 사방으로 출사된 자발방출광이므로, 대부분 차단된다.
상기 표면광 레이저(120)의 상면으로 출사되는 자발방출광의 일부도 상기 투과영역(155)을 통과하여 상기 모니터용 광검출기(150)에서 검출되는데, 상기 유도방출광에 비해 무시될 수 있을 만큼 적으므로, 표면광 레이저(120)의 출사광량 제어에 영향을 주지 않는다.
따라서 상기 모니터용 광검출기(150)의 검출신호는 상기 윈도우(129)를 통하여 출사되는 유도방출광의 광량에 비례하므로, 이 모니터용 광검출기(150)에 의해 검출되는 광량으로부터 상기 윈도우(129)를 통하여 출사되는 광량의 변화를 알아낼 수 있다. 또한 이 검출된 광량에서 얻어진 신호를 피드백하여 표면광 레이저(120)에 인가해주는 전류의 세기를 조절함으로써 상기 윈도우(129)를 통하여 출사되는 표면광 레이저(120)의 광량을 조절할 수 있다.
따라서 본 발명에 따른 광출력장치는 표면광 레이저 상에 그 상면으로 출사되는 자발방출광의 대부분을 차폐하도록 된 제어층을 가지는 모니터용 광검출기를 채용하여, 윈도우를 통해 출사되는 광량에 비례하는 유도방출광을 모니터할 수 있으므로, 출사광량을 효과적으로 제어 할 수 있다. 또한 표면광 레이저와 모니터용 광검출기를 일체형으로 형성함에 의해 그 구조를 간단하게 할 수 있다.

Claims (6)

  1. 기판과, 상기 기판의 상부에 형성되어 광을 생성하는 활성층과, 상기 활성층의 하,상면에 각각 형성되어 상기 생성된 광을 반사시킴으로써 공진시키는 제1 및 제2반사기층과, 상기 기판의 하면과 상기 제2반사기층의 상면 일부에 각각 형성된 제1 및 제2전극을 포함하며, 적층 방향으로 광을 출사하는 표면광 레이저와; 상기 표면광 레이저에서 출사되는 광의 일부를 검출하여 그 출사광량을 모니터링할 수 있도록 상기 제2반사기층 상에 적층 형성된 모니터용 광검출기;를 구비하여 된 광출력장치에 있어서,
    상기 모니터용 광검출기는 상기 제2반사기층 상에 순차로 적층 형성된 제1반도체물질층, 흡수층 및 제2반도체물질층과; 상기 제2반도체물질층 상에 형성되어 상기 모니터용 광검출기의 검출신호를 출력하도록 된 제3전극과; 상기 흡수층의 하부에 형성되어 상기 표면광 레이저로부터 상기 모니터용 광검출기쪽으로 입사되는 광의 일부를 차단시키는 제어층;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 광출력장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어층은 상기 표면광 레이저로부터 입사되는 광의 일부를 투과시키도록 그 중앙부에 형성된 투과영역과, 상기 투과영역을 제외한 영역에 입사되는 광을 차폐시키도록 형성된 차단영역으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광출력장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 투과영역은 입사광을 투과시킬 수 있도록 된 반도체물질로 구성되고, 상기 차단영역은 입사광이 투과되지 않도록 상기 반도체물질을 산화시킴에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 광출력장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 투과영역은 AlAs층으로 구성되고, 상기 차단영역은 AlAs 산화물(oxide)로 구성된 것을 특징으로 하는 광출력장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 모니터용 광검출기의 상기 제1반도체물질층과 제2반도체물질층은 서로 다른형의 불순물로 도핑되고, 상기 흡수층은 진성반도체물질로 구성된 것을 특징으로 하는 광출력장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 표면광 레이저는 상기 활성층의 중앙부를 제외한 영역에 형성되어 상기 제1 및 제2전극에 의해 제공되는 전자와 정공의 흐름을 가이드할 수 있도록 된 가이드부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광출력장치.
KR1019960049775A 1996-10-29 1996-10-29 광출력장치 KR100234340B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960049775A KR100234340B1 (ko) 1996-10-29 1996-10-29 광출력장치
CN97117753A CN1078016C (zh) 1996-10-29 1997-08-28 光发射装置
US08/919,199 US5887013A (en) 1996-10-29 1997-08-28 Light emitting apparatus
EP97306740A EP0840380B1 (en) 1996-10-29 1997-09-02 Light emitting apparatus
DE69704190T DE69704190T2 (de) 1996-10-29 1997-09-02 Lichtemittierende Vorrichtung
JP9241194A JP2877785B2 (ja) 1996-10-29 1997-09-05 光出力装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960049775A KR100234340B1 (ko) 1996-10-29 1996-10-29 광출력장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980030384A KR19980030384A (ko) 1998-07-25
KR100234340B1 true KR100234340B1 (ko) 1999-12-15

Family

ID=19479601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960049775A KR100234340B1 (ko) 1996-10-29 1996-10-29 광출력장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5887013A (ko)
EP (1) EP0840380B1 (ko)
JP (1) JP2877785B2 (ko)
KR (1) KR100234340B1 (ko)
CN (1) CN1078016C (ko)
DE (1) DE69704190T2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100887457B1 (ko) * 2006-07-14 2009-03-10 세이코 엡슨 가부시키가이샤 광 소자 및 그 제조 방법과 광 소자 웨이퍼
KR100887458B1 (ko) * 2006-07-14 2009-03-10 세이코 엡슨 가부시키가이샤 광소자의 제조 방법 및 광소자 웨이퍼

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6222202B1 (en) 1998-10-06 2001-04-24 Agilent Technologies, Inc. System and method for the monolithic integration of a light emitting device and a photodetector for low bias voltage operation
US6185241B1 (en) * 1998-10-29 2001-02-06 Xerox Corporation Metal spatial filter to enhance model reflectivity in a vertical cavity surface emitting laser
DE69900966T2 (de) * 1998-10-29 2002-10-10 Agilent Technologies Inc System zur monolithischen Integration einer lichtemittierenden Vorrichtung und eines Heteroübergang-Phototransistors zum Betrieb mit niederer Vorspannung
JP3928295B2 (ja) * 1999-03-16 2007-06-13 富士ゼロックス株式会社 面発光型半導体レーザ
EP1041690A1 (en) * 1999-03-29 2000-10-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Light transmitting/receiving module system using surface emitting lasers
KR100317576B1 (ko) * 1999-11-08 2001-12-24 윤덕용 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치
JP4058633B2 (ja) * 2003-07-10 2008-03-12 セイコーエプソン株式会社 面発光型発光素子、光モジュール、光伝達装置
JP4092570B2 (ja) * 2003-07-23 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 光素子およびその製造方法、光モジュール、ならびに光モジュールの駆動方法
JP3738849B2 (ja) 2003-08-07 2006-01-25 セイコーエプソン株式会社 面発光型半導体レーザ、光モジュール、ならびに光伝達装置
KR20050019485A (ko) * 2003-08-19 2005-03-03 삼성전자주식회사 광검출소자가 일체적으로 형성되는 수직 면발광 레이저
JP3729270B2 (ja) 2004-01-08 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 光素子およびその製造方法
JP3729271B2 (ja) * 2004-01-08 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 光素子およびその製造方法
JP2005217147A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Seiko Epson Corp 受発光素子アレイ、光モジュール、および光伝達装置
KR100642628B1 (ko) * 2004-11-30 2006-11-10 경북대학교 산학협력단 단일 모드 수직 공진 표면방출 레이저
JP2007019313A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Seiko Epson Corp 光素子および光モジュール
JP4525921B2 (ja) * 2005-07-15 2010-08-18 セイコーエプソン株式会社 光素子およびその製造方法、ならびに光モジュール
JP2007036140A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Seiko Epson Corp 光素子およびその製造方法
JP4650631B2 (ja) * 2005-11-30 2011-03-16 ソニー株式会社 半導体発光装置
JP4310657B2 (ja) 2006-05-26 2009-08-12 セイコーエプソン株式会社 光素子
JP5135717B2 (ja) 2006-05-31 2013-02-06 ソニー株式会社 半導体発光装置
JP4600776B2 (ja) * 2006-11-17 2010-12-15 ソニー株式会社 半導体レーザ装置
JP4983346B2 (ja) 2007-04-02 2012-07-25 ソニー株式会社 半導体発光装置
JP4978291B2 (ja) * 2007-04-19 2012-07-18 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2010177649A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Sony Corp 半導体発光装置
JP4674642B2 (ja) * 2009-02-06 2011-04-20 ソニー株式会社 半導体発光装置
JP2011096787A (ja) * 2009-10-28 2011-05-12 Sony Corp 半導体発光装置
US20200194610A1 (en) * 2018-12-18 2020-06-18 Bolb Inc. Light-output-power self-awareness light-emitting device
CN113917723B (zh) * 2021-09-30 2024-04-09 信利半导体有限公司 一种集成光感应器和太阳能电池的显示屏及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5387543A (en) * 1993-02-22 1995-02-07 Motorola, Inc. Method of making a VCSEL with lateral index guide
WO1995026051A1 (en) * 1994-03-24 1995-09-28 Vixel Corporation Integration of laser with photodiode for feedback control

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5136603A (en) * 1991-04-29 1992-08-04 At&T Bell Laboratories Self-monitoring semiconductor laser device
JP3099921B2 (ja) * 1992-09-11 2000-10-16 株式会社東芝 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置
US5491712A (en) * 1994-10-31 1996-02-13 Lin; Hong Integration of surface emitting laser and photodiode for monitoring power output of surface emitting laser
US5574744A (en) * 1995-02-03 1996-11-12 Motorola Optical coupler
US5757837A (en) * 1996-10-16 1998-05-26 The Regents Of The University Of California Intracavity quantum well photodetector integrated within a vertical-cavity surface-emitting laser and method of operating same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5387543A (en) * 1993-02-22 1995-02-07 Motorola, Inc. Method of making a VCSEL with lateral index guide
WO1995026051A1 (en) * 1994-03-24 1995-09-28 Vixel Corporation Integration of laser with photodiode for feedback control

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100887457B1 (ko) * 2006-07-14 2009-03-10 세이코 엡슨 가부시키가이샤 광 소자 및 그 제조 방법과 광 소자 웨이퍼
KR100887458B1 (ko) * 2006-07-14 2009-03-10 세이코 엡슨 가부시키가이샤 광소자의 제조 방법 및 광소자 웨이퍼

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980030384A (ko) 1998-07-25
DE69704190D1 (de) 2001-04-12
DE69704190T2 (de) 2001-08-02
EP0840380A2 (en) 1998-05-06
JPH10135568A (ja) 1998-05-22
CN1181648A (zh) 1998-05-13
US5887013A (en) 1999-03-23
CN1078016C (zh) 2002-01-16
EP0840380A3 (en) 1998-07-15
EP0840380B1 (en) 2001-03-07
JP2877785B2 (ja) 1999-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100234340B1 (ko) 광출력장치
US9054638B2 (en) Optical module and atomic oscillator
JP5322444B2 (ja) 測定装置および測定システム
US10164407B2 (en) Semiconductor laser with integrated phototransistor
JP2018026478A (ja) 発光素子、発光素子アレイ、及び光伝送装置
US10348059B2 (en) Light emitting element array and optical transmission device
JP2007150193A (ja) 半導体発光装置
JP2006229222A (ja) 変調器内蔵型の光ポンピング半導体レーザー素子
US5648979A (en) Assembly of VCSEL light source and VCSEL optical detector
US7873092B2 (en) Laser diode
KR20010045739A (ko) 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치
JP4967615B2 (ja) 半導体発光装置
KR100234338B1 (ko) 모니터용 광검출기 일체형 광출력장치
KR100234339B1 (ko) 모니터용 광검출기 일체형 광출력장치
WO2021024507A1 (ja) 発光装置、光学装置及び情報処理装置
CN111641105A (zh) 半导体光放大元件及放大器、光输出装置及距离计测装置
KR100238309B1 (ko) 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치
KR0129466Y1 (ko) 광검출기 일체형 표면광 레이저
JPH09260783A (ja) 発光ダイオード
EP1041690A1 (en) Light transmitting/receiving module system using surface emitting lasers
KR100269145B1 (ko) 표면광레이저다이오드및그제조방법
KR100219593B1 (ko) 광검출기 일체형 표면광 레이저
CN117321868A (zh) 发光装置、测距装置和移动体
JP2020136655A (ja) 半導体光増幅器、光出力装置、および距離計測装置
EP0780935A1 (en) Assembly of VCSEL light source and VCSEL optical detector

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070830

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee