JP4935090B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光装置の断面構成を表すものである。この半導体発光装置は、面発光型半導体レーザ1上に、開口部3Aを有する光制御層3と、半導体光検出器2とをこの順に配置すると共に、これら面発光型半導体レーザ1、光制御層3および半導体光検出器2を一体に形成して構成したものである。なお、面発光型半導体レーザ1は本発明の「半導体発光素子」の一例に相当する。
面発光型半導体レーザ1は、基板10の一面側に半導体積層構造11を備える。この半導体積層構造11は、基板10上に、n型DBR層12、n型クラッド層13、活性層14、p型クラッド層15、p型DBR層16、p型コンタクト層17をこの順に積層して構成される。この半導体積層構造11は、p型コンタクト層17からn型DBR層12の一部までを選択的にエッチングすることにより形成された円柱状のメサ部Mを有する。なお、基板10は本発明の「第1半導体基板」の一例に相当し、半導体積層構造11は本発明の「第1半導体積層構造」の一例に相当する。
半導体光検出器2は、半導体積層構造21と、n側電極24と、金属層25とを有する。この半導体積層構造21は、基板20(図2(A)参照)上に、光吸収層22およびn型コンタクト層23をこの順に積層して構成される。なお、半導体光検出器2は、本発明の「半導体光検出器」の一例に相当し、基板20は本発明の「第2半導体基板」の一例に相当し、半導体積層構造21は本発明の「第2半導体積層構造」の一例に相当し、光吸収層22は本発明の「光吸収層」の一例に相当する。
光制御層3は、面発光型半導体レーザ1の半導体積層構造11と、半導体光検出器2の基板20との間に設けられている。この光制御層3は半導体積層構造11のうち発光領域14Aの外周領域と対応する領域に設けられており、その結果、発光領域14Aと対応する領域が開口部3Aとなっている。
図6は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体発光装置の構造を表すものである。なお、図6は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。また、以下の説明において、上記実施の形態と同一の符号が用いられている場合は、その同一符号の要素と同様の構成・機能を有することを意味している。
面発光型半導体レーザ4は、基板40と、半導体積層構造11と、p側電極41とを備える。基板40は、例えばn型GaAsにより構成される。この基板40は、面発光型半導体レーザ4の発光領域14Aを含む領域と対応する領域に孔40Aを有する。なお、基板40が面発光型半導体レーザ4の発光光を吸収しやすい材料により構成されている場合には、孔40Aは基板40を貫通して形成されていることが好ましい。p側電極41は、例えば、チタン(Ti),白金(Pt)および金(Au)をこの順に積層して構成されたものであり、半導体積層構造11の最上層のp型コンタクト層17と電気的に接続されている。このp側電極41は、半導体積層構造11のうち発光領域14の外周領域に設けられており、発光領域14と対応する領域に開口部W2を有する。なお、面発光型半導体レーザ4は本発明の「半導体発光素子」の一例に相当し、基板40は本発明の「第1半導体基板」の一例に相当する。
半導体光検出器5は、基板50と、半導体積層構造21と、金属層51と、p側電極52とを有する。基板50は、例えばn型GaAsにより構成される。金属層51は、上記実施の形態のn側電極24と同様、例えば、AuGe,NiおよびAuをn型コンタクト層23上にこの順に積層した構造を有しており、n型コンタクト層23と電気的に接続されている。このn側電極24は、n型コンタクト層23と同様、基板40の孔40Aと対応する領域に開口を有しており、ドーナツ形状となっている。従って、n型コンタクト層23の開口と金属層51の開口とにより、開口部53を構成する。p側電極52は、例えば、Ti,PtおよびAuをこの順に積層して構成されたものであり、基板50と電気的に接続されている。なお、半導体光検出器5が本発明の「半導体光検出器」の一例に相当し、基板50が、本発明の「第2半導体基板」の一例に相当する。
光制御層6は、面発光型半導体レーザ4の基板40と、半導体光検出器5の金属層51との間に設けられている。この光制御層6は半導体積層構造11のうち発光領域14Aの外周領域と対応する領域に設けられており、その結果、発光領域14Aと対応する領域が開口部6Aとなっている。ここで、開口部6Aは、光吸収層22の表面のうち発光領域14と対応する領域に設けられていてもよいが、自然放出光をより選択的に面発光型半導体レーザ4側に反射するためには、図6に例示したように、孔40Aの底面のうち発光領域14と対応する領域に形成されていることが好ましい。
Claims (9)
- 第1半導体基板、および発光領域を含む第1半導体積層構造を有する半導体発光素子と、
前記第1半導体積層構造のうち前記発光領域の周辺領域と対応する領域に形成され、前記発光領域と対応する領域に開口部を有する光制御層と、
第2半導体基板、および入射した光の一部を吸収する光吸収層を含む第2半導体積層構造を有する半導体光検出器と
を備え、
前記第2半導体基板は、前記発光領域を含む領域と対応する領域に孔を有し、
前記光制御層および半導体光検出器は、前記半導体発光素子の前記第1半導体積層構造側にこの順に重ね合わせて前記半導体発光素子と共に一体に形成されている
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第1半導体積層構造は、前記孔と対応する領域内に円柱状のメサ部を有し、
前記孔は、前記メサ部の高さよりも深い
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記孔は、前記第2半導体基板を貫通して形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記光制御層は、前記半導体発光素子および半導体光検出器の少なくとも一方の電極として機能する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記半導体発光素子および前記半導体光検出器は、接着材料で互いに固定されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。 - 第1半導体基板、および発光領域を含む第1半導体積層構造を有する半導体発光素子と、
前記第1半導体積層構造のうち前記発光領域の周辺領域と対応する領域に形成され、前記発光領域と対応する領域に開口部を有する光制御層と、
第2半導体基板、および入射した光の一部を吸収する光吸収層を含む第2半導体積層構造を有する半導体光検出器と
を備え、
前記第1半導体基板は、前記発光領域を含む領域と対応する領域に孔を有し、
前記光制御層および半導体光検出器は、前記半導体発光素子の前記第1半導体基板側にこの順に重ね合わせて前記半導体発光素子と共に一体に形成されている
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記孔は、前記第1半導体基板を貫通して形成されている
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体発光装置。 - 前記光制御層は、前記半導体発光素子および半導体光検出器の少なくとも一方の電極として機能する
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体発光装置。 - 前記半導体発光素子および前記半導体光検出器は、接着材料で互いに固定されている
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体発光装置。
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