JP2007180279A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第2半導体積層構造20は、n型低屈折率層21および光吸収層22をこの順に積層してなる一組の半導体層と、p型高屈折率層23および光吸収層22をこの順に積層してなる一組の半導体層とを交互に積層して構成される。互いに隣り合うn型低屈折率層21、光吸収層22およびp型高屈折率層23がPIN接合、すなわち光検出機構(光検出器24)を構成する。基板10上に積層された第2半導体積層構造20からn型DBR層38までの各半導体層がレーザ発振用の共振器50を構成しており、光検出機構が共振器50に内蔵されている。
【選択図】図1
Description
第2半導体積層構造20は、n型低屈折率層21および光吸収層22をこの順に積層してなる一組の半導体層と、p型高屈折率層23および光吸収層22をこの順に積層してなる一組の半導体層とを交互に積層すると共に、n型低屈折率層21およびp型高屈折率層23のいずれか一方であって最上組に含まれる導電型と反対の導電型層をその上に積層して構成したものを、基板10上に配置したものである。図1および図2では、最上層にp型高屈折率層23を配置した場合を例示しているが、後述する絶縁層31の絶縁性があまり高くない場合は、最上層にn型低屈折率層21を配置することが好ましい。この第2半導体積層構造20は、一方の側面に傾斜面S1を有し、他方の側面に傾斜面S2を有する。ここで、n型低屈折率層21は本発明の「第2n型半導体層」の一例に、p型高屈折率層23は本発明の「第2p型半導体層」の一例に、光吸収層22は本発明の「ノンドープ半導体層」の一例にそれぞれ相当する。
第1半導体積層構造30は、第2半導体積層構造20上に、絶縁層31、p型コンタクト層32、p型DBR層33、電流狭窄層34、p型クラッド層35、中央部分に発光領域36Aを有する活性層36、n型クラッド層37、n型DBR層38およびn型コンタクト層39をこの順に積層したのち、n型コンタクト層39からp型DBR層33までを選択的にエッチングすることにより形成されたものであり、例えば円柱状のメサ部40を構成している。n型コンタクト層39上にはn型電極41が、p型コンタクト層32のうちメサ部40の周辺部分に露出している表面にはp側電極42がそれぞれ形成されている。ここで、p型コンタクト層32、p型DBR層33、電流狭窄層34およびp型クラッド層35は本発明の「第1p型半導体層」の一例に相当し、n型クラッド層37、n型DBR層38およびn型コンタクト層39は本発明の「第1n型半導体層」の一例に相当する。
Claims (6)
- 発光領域を有する活性層と、前記活性層を間にして設けられた第1p型半導体層および第1n型半導体層とを有する第1半導体積層構造と、
第2p型半導体層および第2n型半導体層を一組としてそれを複数組積層してなり、前記第1半導体積層構造に一体的に形成された第2半導体積層構造と
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第2半導体積層構造は、前記第2p型半導体層と前記第2n型半導体層との間にノンドープ半導体層を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第2p型半導体層および前記第2n型半導体層は、互いに異なる屈折率を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1p型半導体層および前記第1n型半導体層はいずれも、屈折率が互いに異なる2つの層を1組として、それを複数組積層して構成され、
前記第1半導体積層構造および前記第2半導体積層構造は、全体として所定の波長で共振する共振器として機能する
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体発光素子。 - 各第2p型半導体層は、第1金属部に電気的に共通接続され、
各第2n型半導体層は、第2金属部に電気的に共通接続されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 各第2p型半導体層は積層方向に垂直な面内の所定の方向に突き出た突出部を有し、前記第1金属部は各第2p型半導体層の突出部と電気的に接続され、
各第2n型半導体層は積層方向に垂直な面内の、各第2p型半導体層の突出部とは異なる方向に突き出た突出部を有し、前記第2金属部は各第2n型半導体層の突出部と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
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JP2005377212A JP2007180279A (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 半導体発光素子 |
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JP2005377212A JP2007180279A (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 半導体発光素子 |
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Family
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JP2005377212A Pending JP2007180279A (ja) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007180279A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101425480B1 (ko) | 2012-02-06 | 2014-08-01 | 주식회사 레이칸 | 광모니터링 집적 표면방출레이저 어레이 |
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2005
- 2005-12-28 JP JP2005377212A patent/JP2007180279A/ja active Pending
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